JP2017022325A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017022325A JP2017022325A JP2015140886A JP2015140886A JP2017022325A JP 2017022325 A JP2017022325 A JP 2017022325A JP 2015140886 A JP2015140886 A JP 2015140886A JP 2015140886 A JP2015140886 A JP 2015140886A JP 2017022325 A JP2017022325 A JP 2017022325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- photoelectric conversion
- diameter
- small
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも1つの光電変換セル50において、対極20から光が入射される光電変換素子100であって、半導体層13が、第1半導体層13aと、第1半導体層13aと導電性基板15との間に設けられる第2半導体層13bとを有し、第1半導体層13aが、1〜50nmの粒径を有する小径半導体粒子を含み、第2半導体層13bが、1〜50nmの粒径を有する小径半導体粒子と、100〜500nmの粒径を有する大径半導体粒子とを含み、第2半導体層13bにおいて、大径半導体粒子及び小径半導体粒子の合計体積に占める小径半導体粒子の体積含有率が50体積%以上であり、第1半導体層13aにおける大径半導体粒子及び小径半導体粒子の合計体積に占める小径半導体粒子の体積含有率より小さい光電変換素子100。
【選択図】図1
Description
最大変形率(%)=100×(最大変位量/基板の厚さ)
従って、例えば厚さ0.04mmの基板が上記のようにして荷重をかけることにより撓み、最大変形量が0.01mmとなった場合、最大変形率は25%となり、この基板は可撓性を有することとなる。
作用極10は、上述したように、可撓性を有する導電性基板15と、導電性基板15の上に設けられる半導体層13とを備えている。導電性基板15は、例えば図2に示すように、金属基板11を有することが好ましい。この場合、導電性基板15に対して容易に可撓性を付与することができる。また金属基板11は優れた耐熱性を有している。このため、導電性基板15は、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の可撓性を有する基板上に導電層を形成してなる導電性基板を用いる場合と異なり、半導体層13を低温焼成ではなく高温焼成によって形成することができる。このため、光電変換素子100の光電変換特性をより向上させることができる。
半導体層13は半導体粒子で構成される。半導体粒子としては、例えば酸化チタン(TiO2)、酸化シリコン(SiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム(In3O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化タリウム(Ta2O5)、酸化ランタン(La2O3)、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化ホルミウム(Ho2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化セリウム(CeO2)及び酸化アルミニウム(Al2O3)などの酸化物半導体粒子が挙げられる。これらは単独で又はこれらの2種以上を組み合せて用いてもよい。
色素としては、例えばビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体や、ポルフィリン、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素などの光増感色素や、ハロゲン化鉛系ペロブスカイトなどの有機−無機複合色素などが挙げられる。ハロゲン化鉛系ペロブスカイトとしては、例えばCH3NH3PbX3(X=Cl、Br、I)が用いられる。ここで、色素として、光増感色素を用いる場合には、光電変換素子100は色素増感光電変換素子となる。
対極20は、上述したように、透明な対向基板21と、導電性の透明な触媒層22とを備えている。
封止部30を構成する材料としては、例えば非鉛系の透明な低融点ガラスフリットなどの無機絶縁材料や、アイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体などを含む変性ポリオレフィン樹脂、紫外線硬化樹脂、及び、ビニルアルコール重合体などの樹脂が挙げられる。
電解質40は、例えばヨウ素とヨウ化物塩を混合することで形成される酸化還元対(I−/I3 −など)などと有機溶媒とを含んでいる。有機溶媒としては、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、バレロニトリル、ピバロニトリル、グルタロニトリル、メタクリロニトリル、イソブチロニトリル、フェニルアセトニトリル、アクリロニトリル、スクシノニトリル、オキサロニトリル、ペンタニトリル、アジポニトリルなどを用いることができる。酸化還元対としては、例えばI−/I3 −のほか、臭素/臭化物イオン、亜鉛錯体、鉄錯体、コバルト錯体などのレドックス対が挙げられる。また電解質40は、有機溶媒に代えて、イオン液体を用いてもよい。イオン液体としては、例えばピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等の既知のヨウ素塩などが用いられる。このようなヨウ素塩としては、例えば、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、ジメチルイミダゾリウムアイオダイド、エチルメチルイミダゾリウムアイオダイド、ジメチルプロピルイミダゾリウムアイオダイド、ブチルメチルイミダゾリウムアイオダイド、又は、メチルプロピルイミダゾリウムアイオダイドが好適に用いられる。
まず作用極10を以下のようにして準備する。
次に、導電層12上に、第2半導体層13bを形成するための第2半導体層形成用ペーストを印刷する。第2半導体層形成用ペーストは、小径半導体粒子及び大径半導体粒子のほか、ポリエチレングリコール、エチルセルロースなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。このとき、大径半導体粒子及び小径半導体粒子の合計体積に占める小径半導体粒子の体積含有率が50体積%以上となるように第2半導体層形成用ペーストを用意する。
次に、作用極10の半導体層13に色素を担持させる。このためには、例えば作用極10を、色素を含有する溶液の中に浸漬させ、その色素を半導体層13に吸着させた後に上記溶液の溶媒成分で余分な色素を洗い流し、乾燥させることで、色素を半導体層13に吸着させればよい。
一方、以下のようにして対極20を準備する。
次に、例えば熱可塑性樹脂からなる環状のシートを準備する。そして、このシートを、色素を担持した半導体層13を有する作用極10上に載せ、加熱溶融させる。このとき、環状のシートの内側に半導体層13が配置されるようにする。こうして作用極10の表面に環状の樹脂シートを固定する。
そして、電解質40を用意する。そして、電解質40を、作用極10上に固定した環状の樹脂シートの内側に配置する。電解質40は、例えば滴下法によって配置することが可能である。
電解質40を作用極10の上に配置した後は、作用極10に対し、作用極10との間に電解質40を挟むように対極20を重ね合わせ、環状の樹脂シートを加熱溶融させることによって作用極10と対極20とを接着させる。こうして、作用極10と対極20との間に封止部30を有する光電変換セル50を有する光電変換素子100が得られ、光電変換素子100の製造が完了する。
(作用極の作製)
はじめに、ガラス基板上にFTO層が形成された導電性基板であるFTO/ガラス基板(以下、「FTOガラス基板」と呼ぶ)を準備した。一方、1〜50nmの粒径を有する小径半導体粒子(平均粒径:20nm)と、100〜500nmの粒径を有する大径半導体粒子(平均粒径:200nm)と、エチルセルロースからなる樹脂と、テレピネオールからなる溶媒とを含む第2半導体層形成用ペーストを用意した。このとき、小径半導体粒子の体積含有率が60体積%となるように第2半導体層形成用ペーストを用意した。そして、FTOガラス基板上に、スクリーン印刷によって第2半導体層形成用ペーストを塗布し、150℃で10分間乾燥させて、第2半導体層形成用ペーストの乾燥体を得た。
次に、光増感色素であるZ907色素を、アセトニトリルとt−ブチルアルコールとを1:1(体積比)で混合した混合溶媒中に溶かして色素溶液を作製した。そして、この色素溶液中に上記作用極を24時間浸漬させ、半導体層に光増感色素を担持させた。
一方、対向基板として、作用極の導電性基板として使用した厚さ1mmのFTOガラス基板を用意し、この対向基板上にスパッタリング法によって触媒層であるPtを堆積させた。こうして対極を得た。
次に、作用極の導電性基板上に、アイオノマーであるハイミラン(商品名、三井・デュポンポリケミカル社製)からなる環状の熱可塑性樹脂シートを配置した。このとき、環状の熱可塑性樹脂シートの内側に、半導体層が配置されるようにした。そして、熱可塑性樹脂シートを180℃で5分間加熱し溶融させて導電性基板上に接着させた。
他方、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムヨーダイドおよび3−メトキシプロピオニトリルの混合物に、I2、グアニジウムチオシアネート、及び、1−メチルベンゾイミダゾールを加え電解質を用意した。そして、用意した電解質を滴下法によって、作用極の半導体層を覆うように塗布した。
作用極の導電性基板に対し、対極の対向基板を、導電性基板との間に電解質を挟むように重ね合わせ、封止部を減圧下(1000Pa)で加熱溶融することによって対極と封止部とを接着させた。こうして単一の光電変換セルからなる光電変換素子を得た。
第2半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を95体積%にするとともに、第1半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を100体積%にしたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
第1半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を100体積%にしたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
半導体層を形成する際に、第1半導体層の厚さ(d1)と第2半導体層の厚さ(d2)との比(d1/d2)を、d2を9μmとすることによって表1に示す通り9/9としたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
第2半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を0体積%にしたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
第2半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を0体積%にするとともに、第1半導体層形成用ペーストを用意する際に、小径半導体粒子の体積含有率を100体積%にしたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
上記のようにして得られた実施例1〜4及び比較例1〜2の光電変換素子について、光電変換特性、及び、耐久性を評価した。
上記のようにして得られた実施例1〜4及び比較例1〜2の光電変換素子について、光電変換効率η(%)を測定した。そして、比較例2を基準として、下記式に基づいて光電変換効率ηの増加率を算出した。結果を表1に示す。
光電変換効率の増加率(%)=100×(実施例又は比較例の光電変換効率−比較例2の光電変換効率)/比較例2の光電変換効率
このとき、光電変換効率の測定は、Xeランプソーラーシミュレータ(山下電装社製YSS−150)とIVテスタ(英光精機社製MP−160)を使用して行った。
内部抵抗値の低減率(%)=100×(比較例2の内部抵抗値−実施例又は比較例の内部抵抗値)/比較例2の内部抵抗値
上記のようにして得られた実施例1〜4及び比較例1〜2の光電変換素子について、「JIS K 5600 塗料一般試験方法」に従ってFTOガラス基板に対する半導体層の接着性を評価することにより、耐久性を評価した。結果を表1に示す。なお、表1において、「◎」、「○」及び「×」はそれぞれ以下の基準に基づいて表記した。
◎:FTOガラス基板に対して半導体層が全く剥離していなかった
○:FTOガラス基板に対して半導体層がわずかに剥離していていたが、光電変換特性に影響を与えない程度であった
×:FTOガラス基板に対して半導体層がかなり剥離していた
13…半導体層
13a…第1半導体層
13b…第2半導体層
15…導電性基板
15a…第1長辺
15b…第2長辺
15c…第2長辺の両端の点を結ぶ線分
21…対向基板
50…光電変換セル
100…光電変換素子
Claims (3)
- 少なくとも1つの光電変換セルを備え、
前記光電変換セルが、
導電性基板と、
前記導電性基板上に設けられる半導体層と、
前記導電性基板に対向するように配置される透明な対向基板とを有し、
前記少なくとも1つの光電変換セルにおいて、前記対向基板から光が入射される光電変換素子であって、
前記半導体層が、
第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記導電性基板との間に設けられる第2半導体層とを有し、
前記第1半導体層が、1〜50nmの粒径を有する小径半導体粒子を含み、
前記第2半導体層が、1〜50nmの粒径を有する小径半導体粒子と、100〜500nmの粒径を有する大径半導体粒子とを含み、
前記第2半導体層において、前記大径半導体粒子及び前記小径半導体粒子の合計体積に占める前記小径半導体粒子の体積含有率が50体積%以上であり、前記第1半導体層における前記大径半導体粒子及び前記小径半導体粒子の合計体積に占める前記小径半導体粒子の体積含有率より小さい光電変換素子。 - 前記第2半導体層の厚さが前記第1半導体層の厚さよりも小さい、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記導電性基板の側面において、前記半導体層が設けられている面に対応する第1長辺と反対側の第2長辺の長さに対する前記第2長辺の両端の点を結ぶ線分の長さの比が0.5〜1である、請求項1又は2に記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140886A JP2017022325A (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140886A JP2017022325A (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 光電変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022325A true JP2017022325A (ja) | 2017-01-26 |
Family
ID=57888684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015140886A Pending JP2017022325A (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017022325A (ja) |
-
2015
- 2015-07-14 JP JP2015140886A patent/JP2017022325A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10096431B2 (en) | Dye-sensitized solar cell element for low illuminance | |
US20140174524A1 (en) | Photoelectric conversion element, method for manufacturing the same, electronic apparatus, counter electrode for photoelectric conversion element, and architecture | |
US10020121B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
US9589736B2 (en) | Dye-sensitized solar cell element | |
JP2015046222A (ja) | 色素増感太陽電池素子 | |
US10395847B2 (en) | Photoelectric conversion element | |
WO2013031939A1 (ja) | 光電変換素子用電極、その製造方法及び、光電変換素子 | |
US10008336B2 (en) | Dye-sensitized solar cell element | |
JP2008041258A (ja) | 作用極用基板及び光電変換素子 | |
EP3223288B1 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP2017022325A (ja) | 光電変換素子 | |
JP6215651B2 (ja) | 電極、及び、これを有する色素増感太陽電池 | |
JP5627785B2 (ja) | 色素増感太陽電池及びその製造方法 | |
JP5380618B1 (ja) | 色素増感太陽電池用電解質、その製造方法、及び、色素増感太陽電池 | |
JP6598757B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6694370B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP6401826B1 (ja) | 光電変換素子 | |
JP2017022324A (ja) | 光電変換素子 | |
EP3220400A1 (en) | Photoelectric conversion element | |
JP2021027318A (ja) | 光電変換素子 | |
EP3226272A1 (en) | Photoelectric conversion element | |
JP2013084596A (ja) | 色素増感太陽電池 | |
JP2020205348A (ja) | 光電変換素子用電解質、これを用いた光電変換素子及び光電変換素子用電極構造体 | |
JP2018081989A (ja) | 光電変換素子 | |
JP2018006489A (ja) | 光電変換素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200731 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201202 |