JP2016534573A5 - 温度プローブ、基板温度測定用アセンブリ及び基板支持用プラテン - Google Patents

Description

更に、図４〜６は、基板に接触させた後の温度プローブ４００、５００及び６００のみを示していることが明らかである。しかし、（例えば、図２Ａ及び２Ｂ又は図３Ａ及び３Ｂに示すように）コンパニオン配置が推考される。特に図４を参照するに、温度プローブ４００はガス室４１０を有し、このガス室４１０はこれをガス４１６で加圧するように構成したガス源４１４を有している。ある例では、ガス４１６を例えば、アルゴンのような希ガスとすることができる。ある例では、ガス室４１０を低い圧力（例えば、２〜２０トル、又は８〜１０トル等）に加圧するようにガス源４１４を構成することができる。この低い圧力を維持するためには、ガス室４１０内の圧力を低減させるのに真空を用いるようにガス源４１４を構成するようにしうる。ガス室内の圧力は、ガス源４１４に結合させることのできる圧力センサ４１８に基づいて監視又は調整するか、或いはその双方を行うようにすることができる。ある例では、温度プローブ４００をイオン注入装置の処理室内に配置することができる。イオン注入処理中は、処理室がある真空レベルにあることが明らかである。ある例では、ガス室４１０をイオン注入装置の処理室内の圧力に比べて低い圧力に加圧するようにガス源４１４を構成するようにしうる。

図５を参照するに、温度プローブ５００はガス源５１４を有するガス室５１０を具えており、このガス源はガス室５１０をガス５１６で加圧するように構成されている。ある例では、ガス５１６を例えば、アルゴンのような希ガスとすることができる。ある例では、ガス室５１０を低い圧力（例えば、２〜２０トル、又は８〜１０トル等）に加圧するようにガス源５１４を構成することができる。この低い圧力を維持するためには、ガス室５１０内の圧力を低減させるのに真空を用いるようにガス源５１４を構成するようにしうる。ガス室内の圧力は、ガス源５１４に結合させることのできる圧力センサ５１８に基づいて監視又は調整するか、或いはその双方を行うようにすることができる。ある例では、温度プローブ５００をイオン注入装置の処理室内に配置することができる。イオン注入処理中は、処理室を具体例として２．０×１０^−５トルのようなある真空レベルにするが、２〜２０トルとすることができることが明らかである。ある例では、ガス室５１０をイオン注入装置の処理室内の圧力に比べて低い圧力に加圧するようにガス源５１４を構成するようにしうる。

ガス室５１０内にはスプリング５３０及び５３２と、キャリアチューブ５１３とが配置されており、これらは温度センサ接点５２２を（従って、温度センサ５２０を）誘電体プレート５０２の頂面に向けて押圧し、基板５０４が誘電体プレート５０２の上に配置されると、温度センサ接点５２２が基板５０４に接触しうるようになっている。又、ガス室５１０内の開口を囲むようにシール部材５４０が配置されている。このシール部材５４０は、基板５０４が誘電体プレート５０２の上に配置されると、ガス室５１０の内部空洞がこのシール部材５４０を介して基板５０４の下側面に対して封止されるように構成されている。ある例では、シール部材５４０をＯリングとすることができる。他の例では、誘電体プレート５０２を処理中に加熱又は冷却させうる温度に耐えうる材料（例えば、シリコン又はガス充填金属Ｏリング等）からシール部材５４０を形成することができる。

ガス室６１０内にはスプリング６３０及び６３２と、キャリアチューブ６１３とが配置されており、これらは温度センサ接点６２２を（従って、温度センサ６２０を）誘電体プレート６０２の頂面に向けて押圧し、基板６０４が誘電体プレート６０２の上に配置されると、温度センサ接点６２２が基板６０４に接触しうるようになっている。又、ガス室６１０内の開口６１２を囲むようにシール部材６４０が配置されている。このシール部材６４０は、基板６０４が誘電体プレート６０２の上に配置されると、ガス室６１０の内部空洞がこのシール部材６４０を介して基板６０４の下側面に対して封止されるように構成されている。ある例では、シール部材６４０をＯリングとすることができる。他の例では、誘電体プレート６０２を処理中に加熱又は冷却させうる温度に耐えうる材料（例えば、シリコン又はガス充填金属Ｏリング等）からシール部材６４０を形成することができる。

Claims (15)

1. 半導体製造処理に際しての基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが、
   基板の温度を測定する温度センサと、
   開口を有し、前記温度センサを囲むように配置されたガス室と、
   前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対して封止するように構成された当該シール部材と、
   前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
   を具えている基板温度測定用アセンブリ。
2. 請求項１に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えており、該ガス源は前記ガス室を８〜１０トルの圧力に加圧しうるようになっている基板温度測定用アセンブリ。
3. 請求項１に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが更に、前記ガス室内に配置された温度センサ接点を具えており、前記温度センサは前記温度センサ接点と熱接触しており、前記スプリングが前記温度センサ接点を前記基板と接触配置するように押圧するようになっている基板温度測定用アセンブリ。
4. 請求項３に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、前記温度センサは、前記温度センサ接点の第１の表面の上に配置され、該第１の表面は前記温度センサ接点の第２の表面とは反対側にあり、該第２の表面は前記基板と接触するように構成されている基板温度測定用アセンブリ。
5. 請求項３に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、前記温度センサは前記温度センサ接点内に埋め込まれているようにした基板温度測定用アセンブリ。
6. 半導体製造処理に際しての基板支持用プラテンにおいて、該基板支持用プラテンが、
   基板を支持する誘電体プレートと、
   該誘電体プレート内に配置され、前記基板の温度を測定する温度プローブと
   を具えており、前記温度プローブが、
   前記基板の温度を測定する温度センサと、
   開口を有し、前記温度センサを囲むように配置されたガス室と、
   前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対して封止するように構成された当該シール部材と、
   前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
   を具えている基板支持用プラテン。
7. 請求項６に記載の基板支持用プラテンにおいて、該基板支持用プラテンが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えており、該ガス源は前記ガス室を８〜１０トルの圧力に加圧しうるようになっている基板支持用プラテン。
8. 請求項７に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記ガスは希ガスである基板支持用プラテン。
9. 請求項６に記載の基板支持用プラテンにおいて、この基板支持用プラテンが更に、前記ガス室内に配置された温度センサ接点を具えており、前記温度センサは前記温度センサ接点と熱接触しており、前記スプリングが前記温度センサ接点を前記基板と接触配置するように押圧するようになっている基板支持用プラテン。
10. 請求項９に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記温度センサは、前記温度センサ接点の第１の表面の上に配置され、該第１の表面は前記温度センサ接点の第２の表面とは反対側にあり、該第２の表面は前記基板と接触するように構成されている基板支持用プラテン。
11. 請求項９に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記温度センサは前記温度センサ接点内に埋め込まれているようにした基板支持用プラテン。
12. 半導体製造処理に際して基板の温度を測定する温度プローブにおいて、該温度プローブが、
    基板を支持するように構成されたプラテンの誘電体プレート内に配置され、温度センサを囲むように配置され、開口を有しているガス室と、
    前記基板の温度を測定する前記温度センサと、
    該温度センサと熱接触している温度センサ接点と、
    前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対し封止するように構成された当該シール部材と、
    前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
    を具えている温度プローブ。
13. 請求項１２に記載の温度プローブにおいて、該温度プローブが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えている温度プローブ。
14. 請求項１３に記載の温度プローブにおいて、前記ガス源は前記ガス室を８〜１０トルの圧力に加圧するように構成されている温度プローブ。
15. 請求項１４に記載の温度プローブにおいて、前記ガスは希ガスである温度プローブ。