JP2016219772A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2012−190938号公報
[特許文献2] 特開2000−101076号公報
[特許文献3] 特開2012−238715号公報
Claims (18)
- 半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い第2のトレンチ部と
を備え、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々は、
トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有する
半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々は同じ幅を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のトレンチ部が延在する方向と前記第1方向とは平行ではない、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2のトレンチ部が延在する方向と前記第1方向とは直交する、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部を更に備える
請求項3または4に記載の半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部は前記第1の方向と平行に延在する
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記おもて面側において前記第1の方向に沿って交互に設けられた、1以上の第1導電型領域および1以上の第2導電型領域と、
をさらに備え、
前記第2のトレンチ部は、少なくとも1つの第1導電型領域内に設けられる
請求項5または6に記載の半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部の少なくとも一部の領域は、第2導電型領域に設けられる
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部の全ての領域が、前記第2導電型領域内に設けられる
請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部は、前記第2導電型領域と、前記第2導電型領域に隣接する少なくとも1つの第1導電型領域とに設けられる
請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部の前記トレンチ電極と、前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極とを電気的に接続する配線層を更に備える
請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記予め定められた領域において複数の前記第2のトレンチ部が第1の方向に沿って設けられ、
前記配線層は、前記第1の方向に延在して形成され、前記複数の第2のトレンチ部と電気的に接続する
請求項11に記載の半導体装置。 - 前記第1の方向とは直交する方向に配列された3以上の前記第1のトレンチ部を備え、
それぞれの前記第1のトレンチ部に挟まれるそれぞれの前記予め定められた領域に前記第2のトレンチ部が形成され、
前記配線層は、前記第1の方向とは直交する方向に延在して形成され、それぞれの前記予め定められた領域のそれぞれの前記第2のトレンチ部と電気的に接続する
請求項11に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記予め定められた領域の一部に電気的に接続される電極層を更に備え、
前記配線層は、前記電極層と前記半導体基板との間に形成される
請求項11から13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、IGBT領域とダイオード領域とを有し、
前記IGBT領域および前記ダイオード領域の各々は、前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記配線層を有し、
それぞれの前記配線層は、対応する前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続され、
前記電極層は、前記ダイオード領域における前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続され、
前記IGBT領域の前記配線層と前記ダイオード領域の前記配線層とは電気的に分離されている
請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する配線層と、
前記配線層よりも前記半導体基板の前記おもて面側に設けられる電極層と
を更に備え、
前記電極層は、
前記第1のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する第1の電極層と、
前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する第2の電極層と
を有する
請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
前記第2の電極層は前記第3のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する
請求項16に記載の半導体装置。 - 前記第1の電極層には第1のパルス信号が入力され、
前記第2の電極層には第2のパルス信号が入力され、
前記第1のパルス信号と前記第2のパルス信号とは、予め定められた期間において共に高レベル電位を有し、
前記第1のトレンチ部と前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部との前記おもて面における面積のうち、面積が小さい方に入力される前記第1のパルス信号および前記第2のパルス信号の一方は、前記第1のパルス信号および前記第2のパルス信号の他方よりも先に低レベル電位となる
請求項17に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/088,139 US10529839B2 (en) | 2015-05-15 | 2016-04-01 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015100348 | 2015-05-15 | ||
JP2015100348 | 2015-05-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016219772A true JP2016219772A (ja) | 2016-12-22 |
JP6668697B2 JP6668697B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=57581591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015222328A Active JP6668697B2 (ja) | 2015-05-15 | 2015-11-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6668697B2 (ja) |
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- 2015-11-12 JP JP2015222328A patent/JP6668697B2/ja active Active
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JP7242491B2 (ja) | 2019-09-20 | 2023-03-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体回路 |
US11715776B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and semiconductor circuit |
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JP7246423B2 (ja) | 2021-03-16 | 2023-03-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6668697B2 (ja) | 2020-03-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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