JP2016213220A - プリント配線板、プリント配線板の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板上に導体回路を有し、該導体回路を有する絶縁基板上に感光性樹脂組成物からなる白色ソルダーレジスト層を有し、該白色ソルダーレジスト層上にシリコーン樹脂組成物からなる保護層を有するものであることを特徴とするプリント配線板。
【選択図】図1
Description
このようにエポキシ樹脂を含むものであれば、電気特性及び導体回路との接着性が良好で、強靭な白色ソルダーレジスト層とすることができる。
このように白色顔料を含む感光性樹脂組成物とすることで、白色ソルダーレジスト層の反射率を向上させることができる。
付加硬化型シリコーン樹脂組成物であれば、保護層の耐熱性を更に良好なものとすることができる。
このようなシリコーン樹脂組成物であれば、保護層の耐熱性や、反射率、強度等を更に良好なものとすることができる。
このように白色顔料を含むシリコーン樹脂組成物とすることで、保護層の反射率を向上させることができる。
このような半導体装置であれば、耐熱変色性に優れ、かつパターン解像度が良好なソルダーレジスト膜を有するプリント配線板を用いるため、高品質なものとなる。
このような工程を加えることで、白色ソルダーレジスト層の開口部をメッキで埋めたプリント配線板を効率良く製造することができる。
図1は、本発明のプリント配線板の一例を示す断面図である。本発明のプリント配線板1は、絶縁基板2上に導体回路3を有し、該導体回路3を有する絶縁基板2上に感光性樹脂組成物からなる白色ソルダーレジスト層4を有し、該白色ソルダーレジスト層4上にシリコーン樹脂組成物からなる保護層5を有するものである。また、図1のように、白色ソルダーレジスト層4及び保護層5に開口が設けられ、白色ソルダーレジスト層4の開口部がメッキ6によって埋められていてもよい。
[導体回路を有する絶縁基板]
本発明のプリント配線板に用いられる導体回路を有する絶縁基板は、特に限定されず、プリント配線板用に一般的に使用されるものを使用することができる。
本発明のプリント配線板において、導体回路を有する絶縁基板上にある白色ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物からなる層である。本発明に用いられる感光性樹脂組成物としては、(A)光重合性樹脂、(B)光重合開始剤、(C)白色顔料、及び(D)架橋剤を含むものが好ましい。
(A)成分の光重合性樹脂としては、アルカリ性の現像液への中和・溶解(アルカリ現像)を可能にするカルボキシル基又はフェノール性水酸基等の基と、感光性を付与するアクリロイル基等のエチレン性不飽和基の両方を有する樹脂を使用することができる。
(B)成分の光重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインn−ブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−2−(ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、ベンゾフェノン、4,4’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、2−メチルチオキサントン、2−エチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジメチルケタール、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル等が挙げられる。なお、これらの光重合開始剤は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(C)成分の白色顔料は、得られるソルダーレジスト層を白色にするための白色着色剤として用いられる。白色顔料としては、従来から一般的に使用されている公知の白色顔料であれば制限なく使用できるが、好ましいものとしては、二酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、硫酸バリウム等が挙げられる。
これらの中でも、二酸化チタン、アルミナ、酸化マグネシウムがより好ましく、二酸化チタンが特に好ましい。二酸化チタンの結晶形はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のいずれでも構わないが、ルチル型が好ましい。なお、これらの白色顔料は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(D)成分の架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂といったエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド樹脂等が挙げられる。これらの中でも特に、エポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの架橋剤は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明のプリント配線板において、保護層は、上述の白色ソルダーレジスト層上に形成される、シリコーン樹脂組成物からなる層である。本発明に用いられるシリコーン樹脂組成物としては、付加硬化型のシリコーン樹脂組成物が好ましく、より具体的には、下記(E)〜(G)成分を含むものが好ましい。
(E)下記平均組成式で示されるオルガノポリシロキサン、
(SiO2)a(R1 1−mR2 mSiO1.5)b(R1 2−nR2 nSiO)c(R1 3−LR2 LSiO0.5)d
(式中、R1は炭素数1〜10の1価飽和炭化水素基、又は炭素数6〜12の1価芳香族炭化水素基であり、R2は炭素数2〜8の1価不飽和炭化水素基であり、m=0〜1、n=0〜2、L=0〜3、かつ1≦m+n+L≦6であり、a、b、c、及びdは、それぞれ、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦0.9、0≦d≦0.9、a+b>0、かつa+b+c+d=1を満たす数である。)
(F)ケイ素原子に結合した水素原子(以下、「SiH基」ともいう)を1つ以上含有するハイドロジェンポリシロキサン、及び
(G)硬化有効量の白金族金属系触媒
(E)成分のオルガノポリシロキサンは、上記平均組成式で示されるオルガノポリシロキサンである。なお、(E)成分は、(SiO2)単位及び/又は(R1 1−mR2 mSiO1.5)単位を必須とするものであり、このような(E)成分を含むことで、保護層が十分な硬度を有するものとなる。
(PhSiO1.5)e1(Me2SiO)f1(Me2ViSiO0.5)G1
(PhSiO1.5)e1(Me2SiO)f1(MeVi2SiO0.5)G1
(PhSiO1.5)e2(Me2SiO)H(MeViSiO)i(Me2ViSiO0.5)G2
(Me2SiO)f2(Me2ViSiO0.5)G3
(Me2SiO)f3(PhMeSiO)f4(Me2ViSiO0.5)G3
(式中、e1、e2、f1、f2、f3、f4、G1、G2、G3、H、及びiは、それぞれ、0.24≦(e1及びe2)≦0.9、0.09≦(f1、f2、f3、及びf4)≦0.9、0≦(G1、G2、及びG3)≦0.5、0.01≦H≦0.74、0.01≦i≦0.74、かつe1+f1+G1=1、e2+H+i+G2=1、f2+G3=1、又はf3+f4+G3=1を満たす数である。)
(PhSiO1.5)j(ViSiO1.5)k
(MeSiO1.5)j(ViSiO1.5)k
(式中、j及びkは、それぞれ、0.5≦j≦0.95、0.05≦k≦0.5かつ、j+k=1を満たす数である。)
(SiO2)s(Me3SiO0.5)t1(MePhViSiO0.5)t2
(SiO2)s(Me2ViSiO0.5)t2
(式中、s、t1及びt2は、それぞれ、0.25≦s≦0.77、0.02≦t1≦0.12、0.18≦t2≦0.73かつ、s+t1+t2=1、又はs+t2=1を満たす数である。)
(F)成分のハイドロジェンポリシロキサンは、SiH基を1つ以上含有するハイドロジェンポリシロキサンである。(F)成分の具体例としては、下記に例示するハイドロジェンポリシロキサンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらのハイドロジェンポリシロキサンは、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(PhSiO1.5)u1(Me2SiO)v(Me2HSiO0.5)w1
(PhSiO1.5)u2(Me2SiO)x(MeHSiO)y(Me2HSiO0.5)w2
(PhSiO1.5)u3(MeHSiO)v
(MeSiO1.5)u4(MeHSiO)v
(Me3SiO1/2)2(MeHSiO)z
(式中、u1、u2、u3、u4、v、w1、w2、x、y、及びzは、それぞれ、0.24≦(u1、u2、u3、及びu4)≦0.9、0.09≦v≦0.75、0.01≦(w1、及びw2)≦0.5、0.01≦x≦0.74、0.01≦y≦0.74、z=1〜20の整数かつ、u1+v+w1=1、u2+x+y+w2=1、u3+v=1、又はu4+v=1を満たす数である。)
(G)成分の白金族金属系触媒は、シリコーン樹脂組成物の付加硬化反応を生じさせるために配合されるものであり、例えば、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものが挙げられる。触媒としてはヒドロシリル化反応を促進するものとして従来公知であるいずれのものも使用することができる。コスト等を考慮して、白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、H2PtCl6・pH2O,K2PtCl6、KHPtCl6・pH2O,K2PtCl4、K2PtCl4・pH2O、PtO2・pH2O、PtCl4・pH2O、PtCl2、H2PtCl4・pH2O(ここで、pは正の整数)等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を例示することができる。なお、これらの白金族金属系触媒は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明に用いられるシリコーン樹脂組成物には、保護層の機械的強度や反射率を向上させることを目的として、必要に応じて、充填材を配合してもよい。このような充填材としては、特に限定されず、反射率を向上させる白色顔料や、保護層の機械的強度を向上させる無機充填材等の公知の充填材を使用することができる。
本発明に用いられるシリコーン樹脂組成物には、必要に応じて、接着性を付与するために、接着助剤(接着性付与剤)を配合することができる。接着助剤としては、例えば、一分子中にSiH基、ケイ素原子に結合したアルケニル基(例えばSi−CH=CH2基)、アルコキシシリル基(例えばトリメトキシシリル基)、エポキシ基(例えばグリシドキシプロピル基、3,4−エポキシシクロヘキシルエチル基)から選ばれる官能性基を少なくとも2種、好ましくは2種又は3種含有する直鎖状又は環状のケイ素原子数4〜50、好ましくは4〜20程度のオルガノシロキサンオリゴマーや、下記一般式(1)で示されるオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物、その加水分解縮合物(オルガノシロキサン変性イソシアヌレート化合物)等が挙げられる。なお、これらの接着助剤は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明に用いられるシリコーン樹脂組成物には、必要に応じて、硬化抑制剤を配合することができる。硬化抑制剤としては、例えば、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンのようなビニル基高含有オルガノポリシロキサン、トリアリルイソシアヌレート、アルキルマレエート、アセチレンアルコール類、これらのシラン変性物、これらのシロキサン変性物、ハイドロパーオキサイド、テトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリアゾール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる化合物等が挙げられる。なお、これらの硬化抑制剤は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。硬化抑制剤の配合量は、シリコーン樹脂組成物100質量部に対して、通常0.001〜1.0質量部、好ましくは0.005〜0.5質量部である。
また、本発明では、上述の本発明のプリント配線板の製造方法を提供する。本発明のプリント配線板の製造方法は、具体的には、
(1)導体回路が形成された絶縁基板上に、感光性樹脂組成物を用いて白色ソルダーレジスト層を形成する工程、
(2)該形成した白色ソルダーレジスト層にフォトリソグラフィー法で開口部を形成する工程、及び
(3)該開口部を形成した白色ソルダーレジスト層上の前記開口部を除いた領域にシリコーン樹脂組成物を用いて印刷法で開口部を有する保護層を形成する工程、
を有する方法である。
[(1)工程]
本発明のプリント配線板の製造方法では、まず、(1)工程として、導体回路が形成された絶縁基板上に、感光性樹脂組成物を用いて白色ソルダーレジスト層を形成する。感光性樹脂組成物としては、上述の感光性樹脂組成物を用いればよく、希釈するなどして粘度を成膜方法に合わせて適宜調整し、液状、ペースト状、フィルム状等の形態で使用することができる。
次に、(2)工程として、(1)工程で形成した白色ソルダーレジスト層にフォトリソグラフィー法で開口部を形成する。この工程では、例えば、所望の露光パターンを有するフォトマスクを通して活性エネルギー線により白色ソルダーレジスト層を露光し、次いで希アルカリ水溶液により現像(露光部を除去)することで、レジストパターン(開口部)を形成することができる。
次に、(3)工程として、(2)工程で開口部を形成した白色ソルダーレジスト層上の開口部を除いた領域にシリコーン樹脂組成物を用いて印刷法で開口部を有する保護層を形成する。この工程では、(2)工程で形成した白色ソルダーレジスト層のパターン(開口部)に対応した印刷用マスクを白色ソルダーレジスト層の上に被せた後、シリコーン樹脂組成物をスクリーン印刷法にて塗布する。シリコーン樹脂組成物としては、上述のシリコーン樹脂組成物を用いればよく、希釈するなどして粘度を適宜調整し、液状、ペースト状、フィルム状等の形態で使用することができる。
また、本発明では、上述の本発明のプリント配線板を用いて作製された半導体装置を提供する。なお、このような本発明の半導体装置は、保護層が形成されたまま使用されるものであってもよい。
ビニル基含有オルガノポリシロキサンとして(SiO2)1.0(Me2ViSiO0.5)1.0:50g、分子鎖両末端がビニルジメチルシロキシ基で封鎖された粘度100Pa・sのジメチルポリシロキサン:50gと、SiH基含有ポリシロキサン(ハイドロジェンポリシロキサン)としてメチルハイドロジェンシリコーンオイル(商品名:KF−99、信越化学工業(株)製):11g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルメチルデシルカルビノール:0.2g、白金族金属系触媒として塩化白金酸の1質量%オクチルアルコール溶液:0.1gを加え、よく撹拌してベース組成物を得た。このベース組成物に、溶剤としてジエチレングリコールジエチルエーテル:6g、充填材として二酸化チタン(商品名:CR−90、平均粒子径:約0.25μm、(株)石原産業製):100gを加えて、3本ロールで混練し、シリコーン樹脂組成物(S1)を調製した。
ビニル基含有オルガノポリシロキサンとして(PhSiO1.5)0.5(MeViSiO)0.2(Me2SiO)0.3:72g、SiH基含有ポリシロキサンとして(PhSiO1.5)0.3(Me2HSiO0.5)0.7:12g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルメチルデシルカルビノール:0.2g、白金族金属系触媒として塩化白金酸の1質量%オクチルアルコール溶液:0.1gを加え、よく撹拌してベース組成物を得た。このベース組成物に、充填材として二酸化チタン(商品名:R−820、平均粒子径:約0.26μm、(株)石原産業製):67gを加えて、3本ロールで混練し、シリコーン樹脂組成物(S2)を調製した。
ビニル基含有オルガノポリシロキサンとして(PhSiO1.5)0.45(Me2SiO)0.5(MeViSiO)0.025(Me2ViSiO0.5)0.025:100g、SiH基含有ポリシロキサンとして(PhSiO1.5)0.45(Me2SiO)0.5(MeHSiO)0.05:100g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルメチルデシルカルビノール:0.2g、白金族金属系触媒として塩化白金酸の1質量%オクチルアルコール溶液:0.2gを加え、よく撹拌してベース組成物を得た。このベース組成物に、溶剤としてジエチレングリコールジエチルエーテル:15g、充填材として二酸化チタン(商品名:CR−90、平均粒子径:約0.25μm、(株)石原産業製):200gを加えて、3本ロールで混練し、シリコーン樹脂組成物(S3)を調製した。
予め硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液で銅箔表面上をソフトエッチングしたFR−4銅張積層板上に、白色の感光性樹脂組成物(製品名:PSR−4000 LEW5、太陽インキ製造(株)製)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させた。その後、この基板に露光機を用いて500mJ/cm2の積算露光量で紫外線を照射し、更に150℃で50分間熱硬化して白色ソルダーレジスト層を形成した。次に、白色ソルダーレジスト層上に、調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(S1)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、150℃で4時間、熱風循環式乾燥炉にて硬化させて保護層を形成し、試験片を得た。得られた試験片に対して下記の諸特性の評価を行った結果を表1に示す。
得られた試験片の青色LEDの平均波長(450nm)における反射率を光反射率測定機X−rite 8200(積分球分光光度計、X−rite社(US)製)にて測定し、更に150℃1000時間加熱処理した後の反射率も同様に測定した。加熱処理前後での反射率の変化量を以下の(式1)で求めた。
反射率の変化量={(加熱処理後の450nmの反射率)/(加熱処理前の450nmの反射率)}×100(%) (式1)
得られた試験片を200℃3時間加熱処理した後、白色ソルダーレジスト層と保護層をカッターで削り取り、導体回路である銅箔の表面を目視で確認し、FR−4銅張積層基板と加熱後の試験片の銅箔の色の変化を確認した。
得られた試験片を、JIS C 5012記載のソルダーレジスト、シンボルマークの密着性の試験方法に従い、テープ引きはがし強さを測定した。ソルダーレジスト層、保護層の浮き上がり及びテープ側への印刷塗膜の有無を調べた。
保護層の形成において、調製例2で得られたシリコーン樹脂組成物(S2)を用いたほかは、実施例1−1と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
保護層の形成において、調製例3で得られたシリコーン樹脂組成物(S3)を用いて膜厚10μmとなるように印刷したほかは、実施例1−1と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
予め硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液で銅箔表面上をソフトエッチングしたFR−4銅張積層板上に、白色の感光性樹脂組成物(製品名:PSR−4000 LEW5、太陽インキ製造(株)製)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させた。その後、この基板に露光機を用いて500mJ/cm2の積算露光量で紫外線を照射し、更に150℃で50分間熱硬化して白色ソルダーレジスト層のみを形成し、試験片を得た。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
予め硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液で銅箔表面上をソフトエッチングしたFR−4銅張積層板上に、調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(S1)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、150℃で4時間、熱風循環式乾燥炉にて硬化させて保護層のみを形成し、試験片を得た。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
保護層の形成において、調製例2で得られたシリコーン樹脂組成物(S2)を用いたほかは、比較例1−2と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
保護層の形成において、調製例3で得られたシリコーン樹脂組成物(S3)を用いたほかは、比較例1−2と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例1−1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
FR−4銅張積層板上に、白色の感光性樹脂組成物(製品名:PSR−4000 LEW5、太陽インキ製造(株)製)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させて白色ソルダーレジスト層を形成した。その後、図3に示されるフォトマスクを用いて、露光機で500mJ/cm2の積算露光量の紫外線を照射し、更に150℃で50分間熱硬化して、白色ソルダーレジスト層のパターンを形成した。次に、白色ソルダーレジスト層上に、調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(S1)を膜厚20μmとなるように、印刷用ポリエステルメッシュ版を使用して印刷し、150℃で4時間、熱風循環式乾燥炉にて硬化させて、パターンを有する保護層を形成し、試験片を得た。
上記のようにして得られた試験片の開口部にレジスト残りがないかを確認した。その結果を表2に示す。
保護層の形成において、調製例2で得られたシリコーン樹脂組成物(S2)を用いたほかは、実施例2−1と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
保護層の形成において、調製例3で得られたシリコーン樹脂組成物(S3)を用い、印刷用ポリエステルメッシュ版に用いるポリエステルメッシュ版として、横140mm、縦50mmのものであって、ライン部11A、11B、11C、11D、11Eの幅が300μm、長さが100mmであり、スペース部12A、12Fの幅が23.9mm、長さが100mmであり、スペース部12B、12C、12D、12Eの幅が200μm、長さが100mmのポリエステルメッシュ版を使用したほかは、実施例2−1と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
FR−4銅張積層板上に、白色の感光性樹脂組成物(製品名:PSR−4000 LEW5、太陽インキ製造(株)製)を膜厚20μmとなるように100メッシュポリエステル(バイアス製)の版を使用して基板全面に印刷し、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させて白色ソルダーレジスト層を形成した。その後、実施例2−1で使用したものと同じフォトマスクを用いて、露光機で500mJ/cm2の積算露光量の紫外線を照射し、更に150℃で50分間熱硬化して、パターンを有する白色ソルダーレジスト層のみを形成し、試験片を得た。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
FR−4銅張積層板上に、調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(S1)を膜厚20μmとなるように、印刷用ポリエステルメッシュ版を使用して印刷し、150℃で4時間、熱風循環式乾燥炉にて硬化させて、パターンを有する保護層のみを形成し、試験片を得た。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
保護層の形成において、調製例2で得られたシリコーン樹脂組成物(S2)を用いたほかは、比較例2−2と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
保護層の形成において、調製例3で得られたシリコーン樹脂組成物(S3)を用いたほかは、比較例2−2と同様の方法で試験片を作製した。得られた試験片に対して、実施例2−1と同様の評価を行った結果を表2に示す。
4…白色ソルダーレジスト層、 5…保護層、 6…メッキ、
7…フォトマスク、 8A、8B、8C、8D、8E…フォトマスクのライン部、
9A、9B、9C、9D、9E、9F…フォトマスクのスペース部、
10…ポリエステルメッシュ版、
11A、11B、11C、11D、11E…ポリエステルメッシュ版のライン部、
12A、12B、12C、12D、12E、12F…ポリエステルメッシュ版のスペース部、
d1…白色ソルダーレジスト層開口部幅(μm)、 d2…保護層開口部幅(μm)。
Claims (13)
- 絶縁基板上に導体回路を有し、該導体回路を有する絶縁基板上に感光性樹脂組成物からなる白色ソルダーレジスト層を有し、該白色ソルダーレジスト層上にシリコーン樹脂組成物からなる保護層を有するものであることを特徴とするプリント配線板。
- 前記白色ソルダーレジスト層が幅d1μmの開口部を有し、前記保護層が前記白色ソルダーレジスト層の開口部上に幅d2μmの開口部を有し、前記幅d1及び前記幅d2が0≦(d2−d1)/2≦500μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
- 前記白色ソルダーレジスト層の開口部が、メッキで埋められたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプリント配線板。
- 前記感光性樹脂組成物が、エポキシ樹脂を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 前記感光性樹脂組成物が、白色顔料を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 前記シリコーン樹脂組成物が、付加硬化型シリコーン樹脂組成物であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 前記シリコーン樹脂組成物が、シリコーン樹脂と充填材を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 前記充填材が、白色顔料を含むものであることを特徴とする請求項7に記載のプリント配線板。
- 前記導体回路が、電子部品を実装するための実装領域を有し、該実装領域を除いた領域が前記白色ソルダーレジスト層及び前記保護層で被覆されたものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のプリント配線板を用いて作製されたものであることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体装置が、前記保護層が形成されたまま使用されるものであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- プリント配線板を製造する方法であって、
(1)導体回路が形成された絶縁基板上に、感光性樹脂組成物を用いて白色ソルダーレジスト層を形成する工程、
(2)該形成した白色ソルダーレジスト層にフォトリソグラフィー法で開口部を形成する工程、及び
(3)該開口部を形成した白色ソルダーレジスト層上の前記開口部を除いた領域にシリコーン樹脂組成物を用いて印刷法で開口部を有する保護層を形成する工程、
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 前記(3)工程の前、又は前記(3)工程の後に、前記白色ソルダーレジスト層の開口部をメッキで埋める工程を有することを特徴とする請求項12に記載のプリント配線板の製造方法。
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