JP2016211066A - Deposition roller and film deposition apparatus - Google Patents

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格 田邊
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition roller excellent in conveyance stability, capable of suppressing a damage to a substrate during deposition, and used for a film deposition apparatus by a plasma CVD method; and to provide the film deposition apparatus by the plasma CVD method.SOLUTION: In deposition rollers 39, 40, each outer peripheral surface of the deposition rollers 39, 40 is covered with coating layers 37A and 37B respectively, and the arithmetic average roughness (Ra) of each surface of the coating layers 37A and 37B is in the range of 0.2-1.0 μm. A film deposition apparatus 31 by a plasma CVD method includes plasma generation means for supplying power to the two deposition rollers 39, 40 respectively, and capable of utilizing them as each counter electrode.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラー及び当該成膜ローラーを具備するプラズマＣＶＤ法による成膜装置に関する。より詳しくは、搬送安定性に優れ、かつ成膜時に基材へのダメージを抑えることができる成膜ローラー等に関する。   The present invention relates to a film forming roller used in a film forming apparatus using a plasma CVD method and a film forming apparatus using a plasma CVD method including the film forming roller. More specifically, the present invention relates to a film forming roller that has excellent conveyance stability and can suppress damage to a substrate during film formation.

近年、軽い、割れにくいといったことからプラスチックフィルムやシートのようなフレキシブルな樹脂基材上に薄膜層を成膜した機能性フィルムが種々提案されている。
例えば、金属や金属酸化物を成膜したガスバリアーフィルムは、水蒸気や酸素等の遮断を必要とする物品の包装用途、特に、食品、工業用品、医薬品等の変質防止のための包装用途に広く用いられ、また有機電子デバイス、例えば、液晶表示素子、光電変換素子（太陽電池）、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）等で使用されている。 In recent years, various functional films in which a thin film layer is formed on a flexible resin substrate such as a plastic film or sheet have been proposed because they are light and difficult to break.
For example, a gas barrier film formed with a metal or metal oxide film is widely used for packaging of articles that require blocking of water vapor, oxygen, etc., especially for packaging for preventing deterioration of food, industrial goods, pharmaceuticals, etc. It is also used in organic electronic devices such as liquid crystal display elements, photoelectric conversion elements (solar cells), organic electroluminescence elements (organic EL elements), and the like.

このような機能性フィルムは、生産性の向上を図るため、長尺の樹脂基材を搬送しながら、連続的に樹脂基材上に機能性層を薄膜として形成することにより製造されている。例えば、フィルム基材を一対の成膜ローラー上に配置し、当該一対の成膜ローラー間に放電してプラズマを発生させ、無機膜（ガスバリアー層）を形成する、いわゆるロール・ｔｏ・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式のプラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。   Such a functional film is manufactured by continuously forming a functional layer as a thin film on a resin base material while conveying a long resin base material in order to improve productivity. For example, a film base is placed on a pair of film forming rollers, and plasma is generated by discharging between the pair of film forming rollers to form an inorganic film (gas barrier layer). A film forming apparatus using a Roll to Roll) plasma CVD method is used (for example, see Patent Document 1).

ロール・ｔｏ・ロール方式のプラズマＣＶＤ法による成膜装置では、フィルム基材上にガスバリアー層を形成する際に、フィルム基材が帯電することによって、フィルム基材が劣化しやすくなることが知られている。これは、フィルム基材をロール状に巻き取る又は巻き出す際に、ロール状に巻かれたフィルム基材の表面及び裏面の接触、摩擦、又は剥離等に起因してフィルムが帯電し、意図しない異常放電が起こるためである。   In a film-forming apparatus using a roll-to-roll plasma CVD method, it is known that when a gas barrier layer is formed on a film base material, the film base material is likely to deteriorate due to charging of the film base material. It has been. This is not intended when the film substrate is wound or unwound in a roll, and the film is charged due to contact, friction, or peeling between the front and back surfaces of the film substrate wound in a roll. This is because abnormal discharge occurs.

これらのフィルムの帯電を抑えるために、例えばアルミナを主体とする絶縁層（被覆層）で成膜ローラーの外周面を覆い、当該成膜ローラーによって成膜を行う、プラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置が開示されている（特許文献２参照）。
しかしながら、これらの絶縁層（被覆層）を設けた成膜ローラーは、通常、フィルム基材へのダメージを最小限にするために、絶縁層（被覆層）の外周面を平滑な表面となるように形成されるため、フィルム基材との密着不良によって、ロール回転（スリップ）が発生しやすくなる。そのため、これらの成膜ローラーでは、安定的な成膜を行うことができないという問題があった。 In order to suppress the charging of these films, for example, an outer peripheral surface of a film forming roller is covered with an insulating layer (coating layer) mainly composed of alumina, and film formation is performed using the film forming roller. An apparatus is disclosed (see Patent Document 2).
However, a film-forming roller provided with these insulating layers (coating layers) usually has a smooth outer peripheral surface of the insulating layer (coating layer) in order to minimize damage to the film substrate. Therefore, roll rotation (slip) is likely to occur due to poor adhesion with the film substrate. Therefore, these film forming rollers have a problem that stable film formation cannot be performed.

特開２００９−１９６１５５号公報JP 2009-196155 A 特開平１１−６０７１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-6071

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、搬送安定性に優れ、成膜時に基材へのダメージを抑えることができる、プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラーを提供することである。また、当該成膜ローラーを具備するプラズマＣＶＤ法による成膜装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described problems and situations, and the solution is to provide a film forming apparatus by plasma CVD that has excellent transport stability and can suppress damage to the substrate during film formation. It is to provide a film forming roller to be used. Moreover, it is providing the film-forming apparatus by the plasma CVD method which comprises the said film-forming roller.

本発明者は、上記課題を解決すべく上記問題の原因等について検討した結果、成膜ローラーの外周に被膜層を形成し、当該被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を所定の範囲内とすることにより、上記課題が解決されることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。 As a result of studying the cause of the above-mentioned problem in order to solve the above-mentioned problems, the present inventor forms a coating layer on the outer periphery of the film-forming roller, and sets the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layer to a predetermined range. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by setting the inside, and the present invention has been achieved.
That is, the said subject which concerns on this invention is solved by the following means.

１．プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラーであって、
当該成膜ローラーの外周面が、被覆層によって覆われており、
前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．２〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする成膜ローラー。 1. A film forming roller used in a film forming apparatus by a plasma CVD method,
The outer peripheral surface of the film forming roller is covered with a coating layer,
A film forming roller, wherein the surface of the coating layer has an arithmetic average roughness (Ra) in a range of 0.2 to 1.0 μm.

２．前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．４〜０．８μｍの範囲内であることを特徴とする第１項に記載の成膜ローラー。   2. 2. The film forming roller according to item 1, wherein an arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layer is in a range of 0.4 to 0.8 μm.

３．前記被覆層の表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が、５０〜７０μｍの範囲内であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の成膜ローラー。   3. 3. The film forming roller according to item 1 or 2, wherein an average length (RSm) of a roughness curve element on the surface of the coating layer is in a range of 50 to 70 μm.

４．前記被覆層の気孔率が、５〜３０％の範囲内であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   4). The film forming roller according to any one of Items 1 to 3, wherein the porosity of the coating layer is in a range of 5 to 30%.

５．前記被覆層の気孔率が、１０〜２０％の範囲内であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   5. The film forming roller according to any one of Items 1 to 4, wherein the porosity of the coating layer is in the range of 10 to 20%.

６．前記被覆層が、アルミナを含有することを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   6). The film-forming roller according to any one of Items 1 to 5, wherein the coating layer contains alumina.

７．前記被覆層が、当該被覆層の表面から内部まで空隙部が連続的に連なった連続孔を有することを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   7). The film forming roller according to any one of claims 1 to 6, wherein the coating layer has continuous holes in which void portions are continuously connected from the surface to the inside of the coating layer.

８．プラズマＣＶＤ法による成膜装置であって、
対向して配置されている、二つの第１項から第７項までのいずれか一項に記載の成膜ローラーと、
二つの前記成膜ローラーにそれぞれ電力を供給し、二つの前記成膜ローラーを対向電極として利用可能とするプラズマ発生用手段と、
成膜のための原料ガスを所定の速度で供給するガス供給手段と、
を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による成膜装置。 8). A film forming apparatus using a plasma CVD method,
The film-forming roller according to any one of the two items 1 to 7, which are arranged to face each other,
Plasma generating means for supplying electric power to each of the two film forming rollers and making the two film forming rollers available as counter electrodes;
Gas supply means for supplying a raw material gas for film formation at a predetermined rate;
A film forming apparatus using a plasma CVD method.

本発明の上記手段により、搬送安定性に優れ、かつ成膜時に基材へのダメージを抑えることができる、プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラーを提供することができる。さらには、当該成膜ローラーを備えたプラズマＣＶＤ法による成膜装置では、これらの効果を得て、ガスバリアー性に優れたガスバリアーフィルムを安定して製造することができる。   By the above means of the present invention, it is possible to provide a film forming roller used in a film forming apparatus by a plasma CVD method, which has excellent transport stability and can suppress damage to the substrate during film forming. Furthermore, in the film-forming apparatus by the plasma CVD method provided with the said film-forming roller, these effects can be acquired and the gas barrier film excellent in gas barrier property can be manufactured stably.

本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。   The expression mechanism or action mechanism of the effect of the present invention is not clear, but is presumed as follows.

プラズマＣＶＤ法による成膜装置は、真空環境下において行われるため、装置の内部において、薄膜層を成膜する基材からアウトガスが発生する。従来のプラズマＣＶＤ法による成膜装置では、当該アウトガスが基材と成膜ローラーの界面に入り込むことによって、基材と成膜ローラーの密着不良が発生し、ロール回転（スリップ）が発生することが分かった。
本発明の成膜ローラーは、当該成膜ローラーの外周面を覆う被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、所定の範囲内となるように、被覆層の表面に凹凸が形成されている。そのため、真空成膜時に基材から発生しているアウトガスを、被覆層にある凹凸空間に保持させることができる。そのため、アウトガスが成膜ローラーと基材の界面に入り込まなくなり、基材と成膜ローラーの密着性が向上し、搬送安定性が向上したものと考えられる。
また、被覆層と基材との間に適度な摩擦力を生じさせることにより、基材が滑ってシワ等が生じさせることなく、かつ摩擦力を大きくしすぎることないため、成膜する基材へのダメージを最小限に抑えることができたと考えられる。 Since the film forming apparatus using the plasma CVD method is performed in a vacuum environment, outgas is generated from the base material on which the thin film layer is formed inside the apparatus. In a conventional plasma CVD method film forming apparatus, when the outgas enters the interface between the base material and the film forming roller, poor adhesion between the base material and the film forming roller occurs, and roll rotation (slip) may occur. I understood.
The film formation roller of the present invention has irregularities formed on the surface of the coating layer so that the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layer covering the outer peripheral surface of the film formation roller falls within a predetermined range. Yes. Therefore, the outgas generated from the substrate during vacuum film formation can be held in the uneven space in the coating layer. Therefore, it is considered that the outgas does not enter the interface between the film forming roller and the base material, the adhesion between the base material and the film forming roller is improved, and the conveyance stability is improved.
In addition, by generating an appropriate frictional force between the coating layer and the base material, the base material does not slip and does not cause wrinkles and the like, and the frictional force is not excessively increased. It is thought that the damage to can be minimized.

また、本発明の成膜ローラーを具備するプラズマＣＶＤ法による成膜装置は、成膜ローラーによる搬送安定性に優れ、かつ成膜時に基材へのダメージを抑えることができるという効果によって、ガスバリアー性能に優れたガスバリアーフィルムを安定して製造することができたと考えられる。   In addition, the film deposition apparatus by the plasma CVD method provided with the film deposition roller of the present invention is excellent in transport stability by the film deposition roller, and can suppress damage to the base material during film formation. It is thought that the gas barrier film excellent in performance could be manufactured stably.

プラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置Film forming apparatus using plasma CVD method 図１における破線で囲んだ箇所（II）の拡大図Enlarged view of the part (II) surrounded by a broken line in FIG. 図１における破線で囲んだ箇所（III）の拡大図Enlarged view of the part (III) surrounded by the broken line in FIG. 連続孔が形成された被覆層の模式図Schematic diagram of the coating layer with continuous holes

本発明の成膜ローラーは、プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラーであって、当該成膜ローラーの外周面が、被覆層によって覆われており、前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．２〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項８までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。   The film formation roller of the present invention is a film formation roller used in a film formation apparatus by a plasma CVD method, and the outer peripheral surface of the film formation roller is covered with a coating layer, and the arithmetic average of the surface of the coating layer Roughness (Ra) is in the range of 0.2 to 1.0 μm. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 8.

本発明の実施態様としては、本発明の効果をより顕著に発現させる観点から、前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．４〜０．８μｍの範囲内であることが好ましい。   As an embodiment of the present invention, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layer is within the range of 0.4 to 0.8 μm from the viewpoint of more remarkably expressing the effects of the present invention. preferable.

本発明の実施態様としては、本発明の効果をより顕著に発現させる観点から、前記被覆層の表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が、５０〜７０μｍの範囲内であることが好ましい。   As an embodiment of the present invention, the average length (RSm) of the roughness curve element on the surface of the coating layer is in the range of 50 to 70 μm from the viewpoint of more remarkably expressing the effects of the present invention. preferable.

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記被覆層の気孔率が、５〜３０％の範囲内であることが好ましい。また、特に、被覆層の気孔率が、１０〜２０％の範囲内であることが好ましい。これにより、アウトガスを十分に保持することができ、かつ被覆層として十分な強度を保つことができる。   As an embodiment of the present invention, it is preferable that the porosity of the coating layer is in the range of 5 to 30% from the viewpoint of manifesting the effects of the present invention. In particular, the porosity of the coating layer is preferably in the range of 10 to 20%. As a result, outgas can be sufficiently retained, and sufficient strength as a coating layer can be maintained.

本発明の実施態様としては、耐電圧の高さと加工精度の高さの観点から、前記被覆層が、アルミナを含有することが好ましい。   As an embodiment of the present invention, the coating layer preferably contains alumina from the viewpoint of high withstand voltage and high processing accuracy.

本発明の実施態様としては、被覆層にアウトガスをさらに効率的に保持できるようにする観点から、前記被覆層が、当該被覆層の表面から内部まで空隙部が連続的に連なった連続孔を有することが好ましい。   As an embodiment of the present invention, from the viewpoint of more efficiently holding outgas in the coating layer, the coating layer has continuous holes in which voids are continuously connected from the surface to the inside of the coating layer. It is preferable.

さらに、本発明のプラズマＣＶＤ法による成膜装置は、対向して配置されている本発明に係る二つの成膜ローラーと、二つの前記成膜ローラーにそれぞれ電力を供給し、二つの前記成膜ローラーを対向電極として利用可能とするプラズマ発生用手段と、成膜のための原料ガスを所定の速度で供給するガス供給手段と、具備する。このプラズマＣＶＤ法による成膜装置により、ガスバリアー性に優れたガスバリアーフィルムを安定して製造することができる。   Furthermore, the film-forming apparatus based on the plasma CVD method of the present invention supplies power to the two film-forming rollers according to the present invention and the two film-forming rollers disposed opposite to each other, and the two film-forming rollers Plasma generating means that can use the roller as a counter electrode, and gas supply means for supplying a raw material gas for film formation at a predetermined speed. A gas barrier film excellent in gas barrier properties can be stably produced by the film forming apparatus using the plasma CVD method.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。   Hereinafter, the present invention, its components, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and behind that as a lower limit and an upper limit.

［成膜装置の構成］
本発明の成膜装置は、プラズマＣＶＤ法によって基材に成膜する成膜装置３１であって、対向して配置されている二つの成膜ローラーと、二つの成膜ローラーにそれぞれ電力を供給し、二つの前記成膜ローラーを対向電極として利用可能とするプラズマ発生用手段と、成膜のための原料ガスを所定の速度で供給するガス供給手段と、を少なくとも具備することを特徴とする。 [Configuration of deposition system]
The film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus 31 for forming a film on a substrate by a plasma CVD method, and supplies power to two film forming rollers and two film forming rollers arranged opposite to each other. And at least a plasma generation unit that enables the two film forming rollers to be used as counter electrodes, and a gas supply unit that supplies a source gas for film formation at a predetermined speed. .

本発明に係る成膜装置の一例を図１に示す。プラズマＣＶＤ法による成膜装置としての成膜装置３１は、送り出しローラー３２と、搬送ローラー３３、３４、３５及び３６と、成膜ローラーとしての第１成膜ローラー３９及び第２成膜ローラー４０と、ガス供給手段としてのガス供給管４１と、制御部４２と、巻取りローラー４５と、プラズマ発生用手段としてのプラズマ発生用電源５１と、を備えている。また、第１成膜ローラー３９及び第２成膜ローラー４０の内部には、磁場形成手段としての磁場発生装置４３及び４４を備えることが好ましい。
また、以下の説明において、第１成膜ローラー３９及び第２成膜ローラー４０を合わせて説明する際は、「成膜ローラー３９及び４０」と記載する。 An example of a film forming apparatus according to the present invention is shown in FIG. A film forming apparatus 31 as a film forming apparatus by plasma CVD method includes a delivery roller 32, transport rollers 33, 34, 35 and 36, a first film forming roller 39 and a second film forming roller 40 as film forming rollers, A gas supply pipe 41 as a gas supply means, a control unit 42, a winding roller 45, and a plasma generation power source 51 as a plasma generation means are provided. In addition, it is preferable to provide magnetic field generators 43 and 44 as magnetic field forming means inside the first film forming roller 39 and the second film forming roller 40.
In the following description, when the first film forming roller 39 and the second film forming roller 40 are described together, they are described as “film forming rollers 39 and 40”.

成膜ローラー３９及び４０は、外周面が被覆層３７Ａ及び３７Ｂによって覆われており、制御部４２により、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの比誘電率が調整される。また、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）及び粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が、所定の範囲内となるように形成されている。   The outer peripheral surfaces of the film forming rollers 39 and 40 are covered with the coating layers 37A and 37B, and the relative permittivity of the coating layers 37A and 37B is adjusted by the control unit 42. The surfaces of the coating layers 37A and 37B are formed such that the arithmetic average roughness (Ra) and the average length (RSm) of the roughness curve elements are within a predetermined range.

このような装置においては、少なくとも成膜ローラー３９及び４０と、ガス供給管４１と、制御部４２とが図示を省略した真空チャンバー内に配置されている。さらに、このようなプラズマＣＶＤ法により成膜する成膜装置３１において、前記真空チャンバーは図示を省略した真空ポンプに接続されており、かかる真空ポンプにより真空チャンバー内の圧力を適宜調整することが可能となっている。   In such an apparatus, at least the film forming rollers 39 and 40, the gas supply pipe 41, and the control unit 42 are arranged in a vacuum chamber (not shown). Furthermore, in the film forming apparatus 31 for forming a film by such a plasma CVD method, the vacuum chamber is connected to a vacuum pump (not shown), and the pressure in the vacuum chamber can be appropriately adjusted by the vacuum pump. It has become.

成膜装置３１においては、一対の成膜ローラー３９及び４０を一対の対向電極として機能させることが可能となるように、各成膜ローラーがそれぞれ制御部４２に接続されている。そのため、成膜装置３１においては、制御部４２によりプラズマ発生用電源５１に電力を供給することにより、成膜ローラー３９及び４０の間の空間に放電することが可能であり、これにより成膜ローラー３９及び４０の間の空間にプラズマを発生させることができる。   In the film forming apparatus 31, each film forming roller is connected to the control unit 42 so that the pair of film forming rollers 39 and 40 can function as a pair of counter electrodes. Therefore, in the film forming apparatus 31, it is possible to discharge to the space between the film forming rollers 39 and 40 by supplying electric power to the plasma generating power source 51 by the control unit 42, thereby forming the film forming roller. Plasma can be generated in the space between 39 and 40.

また、成膜装置３１においては、成膜ローラー３９及び４０は、その中心軸が同一平面上においてほぼ平行となるようにして配置する、すなわち平行に延在して対向配置されている。このようにして、成膜ローラー３９及び４０を配置することにより、成膜レートを倍にでき、なおかつ、同じ構造の膜を成膜できる。成膜ローラー３９及び４０は、導電性材料で形成され、それぞれ回転しながら基材２を搬送する。また、成膜ローラー３９及び４０は、相互に絶縁されているとともに、共通する制御部４２に接続されている。   Further, in the film forming apparatus 31, the film forming rollers 39 and 40 are arranged so that their central axes are substantially parallel on the same plane, that is, are arranged in parallel and facing each other. Thus, by disposing the film forming rollers 39 and 40, the film forming rate can be doubled and a film having the same structure can be formed. The film forming rollers 39 and 40 are formed of a conductive material and convey the substrate 2 while rotating. The film forming rollers 39 and 40 are insulated from each other and connected to a common control unit 42.

さらに、成膜ローラー３９及び４０は、内部に磁場発生装置４３及び４４が格納されていることが好ましい。磁場発生装置４３及び４４は、空間に磁場を形成する部材であり、成膜ローラー３９及び４０のそれぞれについて、一体として回転しないようにして格納されている。磁場発生装置４３及び４４は、成膜ローラー３９及び４０のそれぞれの延在方向と同方向に延在する中心磁石と、中心磁石の周囲を囲みながら成膜ローラー３９及び４０のそれぞれの延在方向と同方向に延在して配置される円環状の外部磁石と、を有している。磁場発生装置４３では、中心磁石と外部磁石とを結ぶ磁力線（磁界）が、無終端のトンネルを形成している。磁場発生装置４４においても同様に、中心磁石と外部磁石とを結ぶ磁力線が、無終端のトンネルを形成している。   Further, the film forming rollers 39 and 40 preferably have magnetic field generators 43 and 44 stored therein. The magnetic field generators 43 and 44 are members that form a magnetic field in the space, and are stored so that the film forming rollers 39 and 40 do not rotate as a unit. The magnetic field generators 43 and 44 include a central magnet extending in the same direction as the extending directions of the film forming rollers 39 and 40, and extending directions of the film forming rollers 39 and 40 while surrounding the center magnet. And an annular external magnet disposed so as to extend in the same direction. In the magnetic field generator 43, the magnetic lines of force (magnetic field) connecting the central magnet and the external magnet form an endless tunnel. Similarly, in the magnetic field generator 44, the magnetic lines connecting the central magnet and the external magnet form an endless tunnel.

この磁力線と、成膜ローラー３９及び４０の間に形成される電界と、が交差するマグネトロン放電によって、成膜ガスの放電プラズマを生じさせることが好ましい。すなわち、この空間は、プラズマＣＶＤ法による成膜を行う成膜空間として用いられ、基材２において成膜ローラー３９及び４０に接しない面（成膜面）には、成膜ガスを形成材料とする膜が形成される。   It is preferable that discharge plasma of the film forming gas is generated by magnetron discharge in which the lines of magnetic force and the electric field formed between the film forming rollers 39 and 40 intersect. That is, this space is used as a film formation space for performing film formation by plasma CVD, and a film forming gas is used as a forming material on a surface (film forming surface) that does not contact the film forming rollers 39 and 40 in the substrate 2. A film is formed.

以上のような成膜装置３１においては、以下のようにして基材２に対して成膜が行われる。まず、真空チャンバー内を減圧環境とし、成膜ローラー３９及び４０に電圧を印加して空間に電界を生じさせる。成膜ローラー３９及び４０からは真空チャンバー内に電子が放出される。この際、磁場発生装置４３及び４４では上述した無終端のトンネル状の磁場を形成していると、成膜ガスを導入することにより、該磁場と空間に放出される電子とによって、該トンネルに沿ったドーナツ状の成膜ガスの放電プラズマが形成される。この放電プラズマは、数Ｐａ近傍の低圧力で発生可能であるため、真空チャンバー内の温度を室温近傍とすることが可能になる。   In the film forming apparatus 31 as described above, film formation is performed on the base material 2 as follows. First, the inside of the vacuum chamber is set to a reduced pressure environment, and a voltage is applied to the film forming rollers 39 and 40 to generate an electric field in the space. Electrons are emitted from the film forming rollers 39 and 40 into the vacuum chamber. At this time, if the magnetic field generators 43 and 44 form the above-mentioned endless tunnel-like magnetic field, by introducing the film-forming gas, the magnetic field and the electrons emitted into the space are introduced into the tunnel. A donut-shaped film-forming gas discharge plasma is formed. Since this discharge plasma can be generated at a low pressure in the vicinity of several Pa, the temperature in the vacuum chamber can be in the vicinity of room temperature.

一方、磁場発生装置４３及び４４が形成する磁場に高密度で捉えられている電子の温度は高いので、当該電子と成膜ガスとの衝突により生じる放電プラズマが生じる。すなわち、空間に形成される磁場と電場により電子が空間に閉じ込められることにより、空間に高密度の放電プラズマが形成される。より詳しくは、無終端のトンネル状の磁場と重なる空間においては、高密度の（高強度の）放電プラズマが形成され、無終端のトンネル状の磁場とは重ならない空間においては低密度の（低強度の）放電プラズマが形成される。これら放電プラズマの強度は、連続的に変化するものである。   On the other hand, since the temperature of electrons captured at high density in the magnetic field formed by the magnetic field generators 43 and 44 is high, discharge plasma is generated due to collision between the electrons and the deposition gas. That is, electrons are confined in the space by a magnetic field and an electric field formed in the space, so that high-density discharge plasma is formed in the space. More specifically, a high-density (high-intensity) discharge plasma is formed in a space that overlaps with an endless tunnel-like magnetic field, and a low-density (low-density) in a space that does not overlap with an endless tunnel-like magnetic field. A strong (intensity) discharge plasma is formed. The intensity of these discharge plasmas changes continuously.

以下、本発明に係る成膜装置３１を構成する、成膜ローラー３９及び４０、制御部４２、プラズマ発生用電源５１、磁場発生装置４３及び４４、送り出しローラー３２並びに搬送ローラー３３、３４、３５及び３６、ガス供給管４１及び真空ポンプについて、それぞれ詳細に説明する。   Hereinafter, the film forming rollers 39 and 40, the control unit 42, the plasma generating power source 51, the magnetic field generating devices 43 and 44, the delivery roller 32, and the transport rollers 33, 34, 35, and the like constituting the film forming apparatus 31 according to the present invention. 36, the gas supply pipe 41 and the vacuum pump will be described in detail.

［成膜ローラー］
本発明に係る成膜ローラー（成膜ローラー３９及び４０）は、プラズマＣＶＤ法による成膜装置３１に用いられる成膜ローラーであって、当該成膜ローラーの外周面が、被覆層（被覆層３７Ａ及び３７Ｂ）によって覆われている。
なお、以下の説明では、成膜ローラー３９及び４０を合わせて説明するが、以下に示す構成条件を満たしていれば、第１成膜ローラー３９及び第２成膜ローラー４０はそれぞれ同一であっても良く、異なっていても良い。 [Deposition roller]
The film-forming rollers (film-forming rollers 39 and 40) according to the present invention are film-forming rollers used in the film-forming apparatus 31 using the plasma CVD method, and the outer peripheral surface of the film-forming roller has a coating layer (coating layer 37A). And 37B).
In the following description, the film forming rollers 39 and 40 are described together. However, the first film forming roller 39 and the second film forming roller 40 are the same as long as the following configuration conditions are satisfied. May be good or different.

（被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ））
本発明に係る成膜ローラー３９及び４０は、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面において、算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．２〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする。また、これらの範囲のうち、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．４〜０．８μｍの範囲内であることが、さらに好ましい。本発明の成膜ローラー３９及び４０は、その被覆層最表面の頂点で基材と主に接しており、その頂点間に微小な空間を有している。その微小な空間は、算術平均粗さ（Ｒａ）で表現される凹凸の高さにより変化する。算術平均粗さ（Ｒａ）は、粗さが大きい方が空隙を良好に確保でき、逆に粗さが小さい方が基材と成膜ローラー３９及び４０間の密着性が良好になる。本発明において０．２〜１．０μｍの間に調整することで、空隙の体積と、基材２と成膜ローラー３９及び４０間の密着性とを両立することができる。 (Arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the coating layer)
The film forming rollers 39 and 40 according to the present invention are characterized in that the arithmetic average roughness (Ra) is in the range of 0.2 to 1.0 μm on the surfaces of the coating layers 37A and 37B. Of these ranges, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface is more preferably within a range of 0.4 to 0.8 μm. The film forming rollers 39 and 40 of the present invention are mainly in contact with the base material at the apex of the outermost surface of the coating layer, and have a minute space between the apexes. The minute space changes depending on the height of the unevenness expressed by the arithmetic average roughness (Ra). As for the arithmetic average roughness (Ra), the larger the roughness, the better the gap can be secured, and the smaller the roughness, the better the adhesion between the substrate and the film forming rollers 39 and 40. By adjusting between 0.2-1.0 micrometers in this invention, the volume of a space | gap and the adhesiveness between the base material 2 and the film-forming rollers 39 and 40 can be made compatible.

本発明における算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づき、表面粗さ測定装置（東京精密株式会社製、型式：サーフテストＳＪ−３１０）を用いて測定し、３点の算術平均粗さの平均値を求め、これを算術平均粗さ（Ｒａ）としている。
また、本発明における「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、被覆層の表面における高さ方向の粗さの指標に用いている。算術平均粗さ（Ｒａ）がより大きいということは、被覆層の表面において、より深い孔部が存在することを意味する。 The arithmetic average roughness (Ra) in the present invention is measured using a surface roughness measuring device (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., model: Surf Test SJ-310) based on JIS B0601-2001, and the arithmetic average of three points. An average value of roughness is obtained, and this is defined as arithmetic average roughness (Ra).
The “arithmetic average roughness (Ra)” in the present invention is used as an index of roughness in the height direction on the surface of the coating layer. A larger arithmetic average roughness (Ra) means that deeper pores exist on the surface of the coating layer.

成膜ローラー３９及び４０は、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、一定値以上となるように、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面に凹凸が形成されている。そのため、真空成膜時に成膜基材から排出されるアウトガスを、被覆層３７Ａ及び３７Ｂにある凹凸空間に保持させることができると考えられる（図２及び図３参照）。なお、図２及び図３では、基材２から発生するアウトガスを矢印で模式的に示している。また、被覆層３７Ａの表面には、表面に形成されている凹凸を模式的に示している。   The film formation rollers 39 and 40 have irregularities formed on the surfaces of the coating layers 37A and 37B so that the arithmetic average roughness (Ra) of the surfaces of the coating layers 37A and 37B is a certain value or more. For this reason, it is considered that the outgas discharged from the film formation substrate during vacuum film formation can be held in the uneven space in the coating layers 37A and 37B (see FIGS. 2 and 3). In FIGS. 2 and 3, outgas generated from the base material 2 is schematically shown by arrows. Moreover, the unevenness | corrugation currently formed in the surface is typically shown on the surface of coating layer 37A.

図２は、基材２の表面と第１成膜ローラー３９が外周面と接触する部分（図１の破線部で囲んだ箇所（II））の拡大図を模式的に示したものであり、基材２から発生するアウトガスが、被覆層３７Ａ表面の凹凸に保持される様子を示している。
図３は、基材２の表面と第１成膜ローラー３９が離れる部分（図１の破線部で囲んだ箇所（III））の拡大図を模式的に示したものであり、基材２に保持されたアウトガスが排出される様子を示している。
このように、基材２から排出されるアウトガスを、被覆層３７Ａ及び３７Ｂによって保持することによって、基材２と被覆層３７Ａ及び３７Ｂとの間にアウトガスが入り込むことによる隙間を生じさせず、基材が滑り難くなっている。 FIG. 2 schematically shows an enlarged view of a portion where the surface of the substrate 2 and the first film forming roller 39 are in contact with the outer peripheral surface (a portion (II) surrounded by a broken line portion in FIG. 1). It shows a state in which the outgas generated from the substrate 2 is held by the irregularities on the surface of the coating layer 37A.
FIG. 3 schematically shows an enlarged view of a portion where the surface of the substrate 2 and the first film forming roller 39 are separated (portion (III) surrounded by a broken line portion in FIG. 1). It shows how the retained outgas is discharged.
In this way, the outgas discharged from the base material 2 is held by the coating layers 37A and 37B, so that no gap is generated between the base material 2 and the coating layers 37A and 37B due to the outgas entering, and The material is difficult to slip.

また、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が一定値以下となるように、表面に適度な凹凸が形成されているため、被覆層３７Ａ及び３７Ｂと基材との摩擦力を大きくしすぎず、基材へのダメージを最小限に抑えることができる。   In addition, since moderate irregularities are formed on the surface so that the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layers 37A and 37B is a certain value or less, the frictional force between the coating layers 37A and 37B and the base material Is not increased too much, and damage to the substrate can be minimized.

（被覆層の表面における粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ））
本発明に係る成膜ローラー３９及び４０は、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面において、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が、５０〜７０μｍの範囲内であることが好ましい。これにより、算術平均粗さ（Ｒａ）を所定の範囲内とした際に得られる上述した効果を、さらに有効に発現させることができる。本発明の成膜ローラー３９及び４０は、その被覆層最表面の頂点で基材と主に接しており、その頂点間に微小な空間を有している。その微小な空間は、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）で表現される凸部の間隔により変化する。ここで、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）を５０μｍよりも間隔を大きくすることで、成膜ローラー３９及び４０の凹凸と基材で形成される空間の体積を十分に確保できる。また、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）を７０μｍよりも間隔を小さくすることで、樹脂又は樹脂を含む複合材料からなる基材２において、成膜ローラー３９及び４０上で接している基材２の変形が生じた場合でも、成膜ローラー３９及び４０の凹凸と基材２で形成される空間の体積を十分に確保できる。 (Average length (RSm) of roughness curve elements on the surface of the coating layer)
In the film forming rollers 39 and 40 according to the present invention, the average length (RSm) of the roughness curve element is preferably in the range of 50 to 70 μm on the surfaces of the coating layers 37A and 37B. Thereby, the above-described effect obtained when the arithmetic average roughness (Ra) is within a predetermined range can be expressed more effectively. The film forming rollers 39 and 40 of the present invention are mainly in contact with the base material at the apex of the outermost surface of the coating layer, and have a minute space between the apexes. The minute space changes depending on the interval between the convex portions expressed by the average length (RSm) of the roughness curve element. Here, by making the average length (RSm) of the roughness curve elements larger than 50 μm, the volume of the space formed by the unevenness of the film forming rollers 39 and 40 and the substrate can be sufficiently secured. In addition, by making the average length (RSm) of the roughness curve elements smaller than 70 μm, the base 2 in contact with the film forming rollers 39 and 40 in the substrate 2 made of resin or a composite material containing resin is used. Even when the material 2 is deformed, the volume of the space formed by the unevenness of the film forming rollers 39 and 40 and the substrate 2 can be sufficiently secured.

本発明における粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づき、触針式表面形状測定器（ＤｅｋｔａｋＸＴ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて測定し、３点の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）の平均値を求め、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）としている。   The average length (RSm) of the roughness curve element in the present invention is measured using a stylus type surface shape measuring instrument (DektakXT, manufactured by Bruker) based on JIS B0601-2001, and the roughness curve element of 3 points is used. The average value of the average length (RSm) is obtained and used as the average length (RSm) of the roughness curve elements.

また、本発明における「表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）」は、被覆層の表面における横方向の粗さの指標に用いている。表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）がより大きいということは、被覆層の表面において、凹凸の間隔が広く、加工の目が粗いことを表す。一方で、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が小さいということは、被覆層の表面において、凹凸の間隔が狭く、加工の目が細かいことを表す。
したがって、算術平均粗さ（Ｒａ）がより大きく、かつ、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）がより小さいときは、より深い孔部がより狭い間隔で存在するということを表す。
このように、本発明では、算術平均粗さ（Ｒａ）と表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）の二つの指標を用いて、搬送安定性に優れ、成膜する基材へのダメージを抑えために最適な表面形態となるように、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面を形成している。 Further, the “average length (RSm) of the surface roughness curve element” in the present invention is used as an index of the roughness in the lateral direction on the surface of the coating layer. The fact that the average length (RSm) of the surface roughness curve element is larger indicates that the irregularities are wide on the surface of the coating layer and the processing eyes are rough. On the other hand, the fact that the average length (RSm) of the surface roughness curve element is small means that the unevenness interval is narrow on the surface of the coating layer, and the processing is fine.
Therefore, when the arithmetic average roughness (Ra) is larger and the average length (RSm) of the surface roughness curve element is smaller, it means that deeper holes exist at narrower intervals.
As described above, in the present invention, using two indexes of the arithmetic average roughness (Ra) and the average length of the surface roughness curve element (RSm), the conveyance stability is excellent, and the substrate to be formed is formed. The surfaces of the coating layers 37A and 37B are formed so as to obtain an optimum surface form in order to suppress damage.

（被覆層の表面の気孔率）
被覆層３７Ａ及び３７Ｂは、気孔率が、５〜３０％の範囲内であることが好ましく、１０〜２０％の範囲内であることがさらに好ましい。気孔率が５％以上であるとき、被覆層３７Ａ及び３７Ｂ全体を用いてアウトガスを十分に保持することができる。また、気孔率が３０％以下であるとき、被覆層３７Ａ及び３７Ｂとして十分な強度を保つことができる。
本発明における気孔率は、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの断面を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ、日本電子株式会社製、型式：ＪＳＭ−６０６０ＬＡ）により倍率３００倍で撮影し、撮影した画像から、画像全体の面積に対する気孔部の面積の割合を算出して求めている。 (Porosity of the surface of the coating layer)
The covering layers 37A and 37B preferably have a porosity in the range of 5 to 30%, and more preferably in the range of 10 to 20%. When the porosity is 5% or more, the outgas can be sufficiently retained using the entire coating layers 37A and 37B. Further, when the porosity is 30% or less, sufficient strength can be maintained as the coating layers 37A and 37B.
In the present invention, the porosity of the coating layers 37A and 37B was taken by scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope: SEM, JEOL Ltd., model: JSM-6060LA) at a magnification of 300 times. From this, the ratio of the area of the pore portion to the area of the entire image is calculated and obtained.

（被覆層内部の空隙部の形態）
被覆層３７Ａ及び３７Ｂは、表面から内部まで空隙部が連続的に連なった連続孔６０を有することが好ましい。これにより、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの内部に、アウトガスを効率的に保持することができる。
本発明でいう、「連続孔」とは、被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面から内部まで空隙部が連続的に連なった孔部のことである（図４参照）。また、「連続孔」は、少なくとも内部まで空隙部が連続的に連なっていればよく、被覆層３７Ａ及び３７Ｂを貫通していても良い。図４は、被覆層３７Ａ（３７Ｂ）に形成された連続孔６０を模式的に表した模式図であり、図４の上側が被覆層３７Ａ（３７Ｂ）の表面側、図４の下側が被覆層３７Ａ（３７Ｂ）の内側である。
連続孔６０の形成方法は、上述した形態となれば、形成方法は特に限られないが、例えば、後述する溶射の方法によって形成することができる。 (Form of void inside coating layer)
The coating layers 37A and 37B preferably have continuous holes 60 in which voids are continuously connected from the surface to the inside. Thereby, outgas can be efficiently hold | maintained inside coating layer 37A and 37B.
The “continuous hole” referred to in the present invention is a hole part in which voids are continuously connected from the surface to the inside of the coating layers 37A and 37B (see FIG. 4). Further, the “continuous hole” is sufficient as long as the voids are continuously connected to at least the inside, and may penetrate through the coating layers 37A and 37B. FIG. 4 is a schematic view schematically showing the continuous holes 60 formed in the coating layer 37A (37B). The upper side of FIG. 4 is the surface side of the coating layer 37A (37B), and the lower side of FIG. 4 is the coating layer. It is inside 37A (37B).
If the formation method of the continuous hole 60 becomes the form mentioned above, a formation method will not be restricted especially, For example, it can form by the method of the thermal spraying mentioned later.

（成膜ローラーの被覆層の材料）
成膜ローラー３９及び４０の被覆層３７Ａ及び３７Ｂの材料は、特に限られないが、アルミナ、チタニア、ジルコニア、イットリア、クロミア、ガラス等、又はこれらのセラミック高誘電率フィラーが分散された樹脂等を用いることが好ましい。これらのうち、耐電圧の高さと加工精度の高さの観点から、アルミナを含有することが好ましく、具体的には、ホワイトアルミナ、グレーアルミナ、アルミナ−チタニア等を用いることが好ましい。 (Material for coating layer of film forming roller)
The material of the coating layers 37A and 37B of the film forming rollers 39 and 40 is not particularly limited, but alumina, titania, zirconia, yttria, chromia, glass, or a resin in which these ceramic high dielectric constant fillers are dispersed is used. It is preferable to use it. Among these, from the viewpoint of high withstand voltage and high processing accuracy, it is preferable to contain alumina. Specifically, it is preferable to use white alumina, gray alumina, alumina-titania or the like.

（被覆層の形成方法）
被覆層３７Ａ及び３７Ｂを形成する手法としては、加工精度の点から溶射が好ましく、加工温度は２００℃以下であることが好ましい。また、耐久性の点から溶射面を封孔処理してもよく、封孔材としてはアルコキシシランやオルガノシロキサン、ケイ酸ナトリウム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル樹脂などから選ばれることが好ましく、アルコキシシラン、オルガノシロキサン、エポキシ樹脂がより好ましい。 (Formation method of coating layer)
As a method for forming the coating layers 37A and 37B, thermal spraying is preferable from the viewpoint of processing accuracy, and the processing temperature is preferably 200 ° C. or lower. In addition, the sprayed surface may be sealed from the viewpoint of durability, and the sealing material is preferably selected from alkoxysilane, organosiloxane, sodium silicate, epoxy resin, phenol resin, vinyl chloride resin, More preferred are alkoxysilanes, organosiloxanes, and epoxy resins.

また、成膜ローラー３９及び４０は、より効率よく薄膜を形成するという観点から、直径が同一のものを使うことが好ましい。また、成膜ローラー３９及び４０の直径としては、放電条件、チャンバーのスペース等の観点から、直径が５０〜８００ｍｍφの範囲内、特に１００〜５００ｍｍφの範囲内が好ましい。成膜ローラーの直径が５０ｍｍφ以上であれば、プラズマ放電空間が小さくなることがないため生産性の劣化もなく、短時間でプラズマ放電の全熱量が基材２にかかることを回避できることから、基材２へのダメージを軽減でき好ましい。一方、成膜ローラーの直径が８００ｍｍφ以下であれば、プラズマ放電空間の均一性等も含めて装置設計上、実用性を保持することができるため好ましい。   Further, it is preferable to use the film forming rollers 39 and 40 having the same diameter from the viewpoint of forming a thin film more efficiently. The diameters of the film forming rollers 39 and 40 are preferably in the range of 50 to 800 mmφ, particularly in the range of 100 to 500 mmφ, from the viewpoint of discharge conditions, chamber space, and the like. If the diameter of the film forming roller is 50 mmφ or more, the plasma discharge space will not be reduced, so that the productivity will not be deteriorated and it is possible to avoid applying the total amount of plasma discharge to the substrate 2 in a short time. It is preferable because damage to the material 2 can be reduced. On the other hand, if the diameter of the film-forming roller is 800 mmφ or less, it is preferable because practicality can be maintained in terms of device design including uniformity of plasma discharge space.

また、被覆層３７Ａ及び３７Ｂは、基材に接する幅よりも広い範囲で、成膜ローラー３９及び４０の外周面に形成することが好ましい。これにより、基材をむらなく効率的に帯電させることができるようになる。また、基材に接する幅よりも片側で１０ｍｍ以上幅が広ければよく、好ましくは３０ｍｍ以上である。また、成膜ローラー全幅が被覆層３７Ａ及び３７Ｂに被覆されていることが好ましい。   The covering layers 37A and 37B are preferably formed on the outer peripheral surfaces of the film forming rollers 39 and 40 within a range wider than the width in contact with the substrate. As a result, the substrate can be charged efficiently without unevenness. Moreover, the width | variety should just be 10 mm or more wide on one side rather than the width | variety which contacts a base material, Preferably it is 30 mm or more. Further, it is preferable that the entire width of the film forming roller is covered with the coating layers 37A and 37B.

（被覆層表面の形成方法）
被覆層３７Ａ及び３７Ｂの表面の凹凸の形成方法は、特に限られないが、セラミック溶射法等の溶射によって被覆層３７Ａ及び３７Ｂを形成することができる。具体的には、溶射によって被覆層３７Ａ及び３７Ｂを形成する際に、溶射粒子の粒径、溶射速度、溶射距離、及び溶射角度によって、表面の凹凸を制御することができる。これにより、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）及び算術平均粗さ（Ｒａ）（特に表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ））を調整することができる。
また、さらに、紙やすりや、布やすり、研磨ペーストなどを用いて研磨する方法により、表面の凹凸を制御することができる。これにより、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）及び算術平均粗さ（Ｒａ）（特に算術平均粗さ（Ｒａ））を調整することができる。
紙やすりや布やすりで研磨する方法としては、これらのやすりを人力又は機械によって支持体に押し付けながら支持体ないしは押さえつけている箇所を移動させることで行う。紙やすりや布やすりの砥粒の材質は特に限定されないが炭化ケイ素（ＳｉＣ）が好ましい。紙やすりや布やすりの目の粗さは、通常は＃２００以上＃２００００以下、好ましくは＃５００以上＃１００００以下である。１種類の目の粗さのやすりを用いてもかまわないし、研磨の進行に伴い徐々に目の粗さを細かくしていっても差し支えない。 (Method for forming coating layer surface)
The method for forming irregularities on the surfaces of the coating layers 37A and 37B is not particularly limited, but the coating layers 37A and 37B can be formed by thermal spraying such as ceramic spraying. Specifically, when the coating layers 37A and 37B are formed by thermal spraying, the surface irregularities can be controlled by the particle size of the sprayed particles, the spraying speed, the spraying distance, and the spraying angle. Thereby, the average length (RSm) and arithmetic mean roughness (Ra) (especially the average length (RSm) of the surface roughness curve element) of the surface roughness curve element can be adjusted.
Furthermore, surface irregularities can be controlled by a method of polishing using a sandpaper, a cloth file, a polishing paste, or the like. Thereby, the average length (RSm) and arithmetic average roughness (Ra) (especially arithmetic average roughness (Ra)) of the surface roughness curve element can be adjusted.
As a method of polishing with a sandpaper or a cloth file, the support or the pressed portion is moved while pressing these files against the support by human power or a machine. The material of the abrasive grains of sandpaper or cloth is not particularly limited, but silicon carbide (SiC) is preferable. The roughness of sandpaper or cloth is usually # 200 or more and # 20000 or less, preferably # 500 or more and # 10000 or less. One kind of file with coarseness of the eyes may be used, and the coarseness of the eyes may be gradually made finer as the polishing progresses.

［制御部］
成膜ローラー３９及び４０が備える被覆層３７Ａ及び３７Ｂの比誘電率については、成膜装置３１が備える制御部４２により制御することができる。
具体的には、制御部４２は、第１成膜ローラー３９と第２成膜ローラー４０の間に発生させるプラズマ放電の周波数を、５０〜１００ｋＨｚの範囲内に調整し、第１成膜ローラー３９及び第２成膜ローラー４０が有する被覆層３７Ａ及び３７Ｂの比誘電率を、５〜３０の範囲内に調整する。
さらに、制御部４２は、成膜装置３１のオンオフや温度による比誘電率の調整、各構成の動作等について、後述するプラズマ発生用電源５１をはじめとする、成膜装置３１全体及び各構成を制御することができ、適宜公知の制御部４２を用いることができる。 [Control unit]
The relative dielectric constants of the coating layers 37 </ b> A and 37 </ b> B included in the film forming rollers 39 and 40 can be controlled by the control unit 42 included in the film forming apparatus 31.
Specifically, the control unit 42 adjusts the frequency of plasma discharge generated between the first film formation roller 39 and the second film formation roller 40 within a range of 50 to 100 kHz, and the first film formation roller 39. The relative dielectric constants of the coating layers 37A and 37B included in the second film forming roller 40 are adjusted within a range of 5 to 30.
Further, the control unit 42 controls the entire film forming apparatus 31 and each configuration including the plasma generation power source 51 described later with respect to the on / off of the film forming apparatus 31, the adjustment of the relative dielectric constant depending on the temperature, the operation of each configuration, and the like. The known control unit 42 can be used as appropriate.

具体的には、制御部４２は、成膜装置３１の動作を統括制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）と、ＣＰＵが読み出して実行するプログラムや固定データが記憶されたプログラムメモリーなどを備えている。プログラムメモリーは、ＲＯＭなどにより構成され、比誘電率を制御するためのプログラム（温度制御を含む）及び成膜装置の動作を制御するプログラム等を備えている。
ＣＰＵは、プログラムメモリーに記憶されているシステムプログラムや処理プログラム等の各種プログラムを読み出してＲＡＭに展開し、展開されたプログラムに従って比誘電率の制御をはじめとする各種処理を実行する。これらのプログラムは適宜公知のプログラムを使用することができる。 Specifically, the control unit 42 includes a CPU (Central Processing Unit) that performs overall control of the operation of the film forming apparatus 31, a program that is read and executed by the CPU, a program memory that stores fixed data, and the like. The program memory is composed of a ROM or the like, and includes a program (including temperature control) for controlling the relative permittivity and a program for controlling the operation of the film forming apparatus.
The CPU reads various programs such as a system program and a processing program stored in the program memory, expands them in the RAM, and executes various processes including control of relative permittivity according to the expanded programs. As these programs, known programs can be used as appropriate.

［プラズマ発生用電源］
プラズマ発生用電源５１としては、適宜公知のプラズマ発生装置の電源を用いることができる。このようなプラズマ発生用電源は、これに接続された成膜ローラー３９及び４０に電力を供給して、これらを放電のための対向電極として利用することを可能とする。このようなプラズマ発生用電源としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、前記一対の成膜ローラーの極性を交互に反転させることが可能なもの（交流電源など）を利用することが好ましい。 [Power supply for plasma generation]
As the plasma generating power source 51, a known power source of a plasma generating apparatus can be used as appropriate. Such a power source for plasma generation supplies power to the film forming rollers 39 and 40 connected thereto, and makes it possible to use these as counter electrodes for discharge. As such a power source for generating plasma, since it is possible to perform plasma CVD more efficiently, a power source capable of alternately reversing the polarity of the pair of film forming rollers (AC power source or the like) is used. It is preferable to use it.

また、このようなプラズマ発生用電源としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、印加電力を１００Ｗ〜１０ｋＷとすることができ、電源周波数は、各周波数帯の電源を適宜選択することができる。   Moreover, since it becomes possible to implement plasma CVD more efficiently as such a power source for generating plasma, the applied power can be set to 100 W to 10 kW, and the power source frequency is the power source of each frequency band. It can be selected appropriately.

［磁場形成手段］
成膜ローラー３９及び４０の内部には、磁場形成手段としての磁場発生装置４３及び４４がそれぞれ設けられていることが好ましい。磁場発生装置４３及び４４は、成膜ローラー３９及び４０が回転しても、磁場発生装置４３及び４４が回転しないように、成膜ローラー３９及び４０の内部に固定されている。 [Magnetic field forming means]
It is preferable that magnetic field generators 43 and 44 as magnetic field forming means are provided inside the film forming rollers 39 and 40, respectively. The magnetic field generation devices 43 and 44 are fixed inside the film formation rollers 39 and 40 so that the magnetic field generation devices 43 and 44 do not rotate even when the film formation rollers 39 and 40 rotate.

磁場発生装置４３及び４４は、適宜公知の磁場発生装置を用いることができる。磁場発生装置４３及び４４は、それぞれローラー軸方向に長いレーストラック状の磁極を備え、一方の磁場発生装置４３と他方の磁場発生装置４４とは向かい合う磁極が同一極性となるように磁極を配置することが好ましい。このような磁場発生装置４３及び４４を設けることにより、それぞれの磁場発生装置４３及び４４について、磁力線が対向するローラー側の磁場発生装置にまたがることなく、ローラー軸の長さ方向に沿って対向空間（放電領域）に面したローラー表面付近にレーストラック状の磁場を容易に形成することができる。よって、その磁場にプラズマを収束させることができるため、ローラー幅方向に沿って巻き掛けられた幅広の基材２を用いて効率的にガスバリアー層３を形成することができる点で優れている。   As the magnetic field generators 43 and 44, known magnetic field generators can be used as appropriate. The magnetic field generators 43 and 44 each have a racetrack-like magnetic pole that is long in the roller axis direction, and the magnetic poles are arranged so that the magnetic poles facing one magnetic field generator 43 and the other magnetic field generator 44 have the same polarity. It is preferable. By providing such magnetic field generating devices 43 and 44, the opposing space along the length direction of the roller shaft without straddling the magnetic field generating device on the roller side where the magnetic field lines are opposed to each of the magnetic field generating devices 43 and 44. A racetrack-like magnetic field can be easily formed in the vicinity of the roller surface facing the (discharge region). Therefore, since the plasma can be converged on the magnetic field, it is excellent in that the gas barrier layer 3 can be efficiently formed using the wide base material 2 wound around the roller width direction. .

［送り出しローラー及び搬送ローラー］
成膜装置３１に用いる送り出しローラー３２並びに搬送ローラー３３、３４、３５及び３６としては適宜公知のローラーを用いることができるが、成膜ローラーと同様な素材を用いることで、搬送時においてもクーロン力による密着性の向上を図ることができるため、搬送ローラーもアルミナ、チタニア、ジルコニア、イットリア、クロミア、ガラス等、又はこれらのセラミック高誘電率フィラーが分散された樹脂などでコーティングされていることが好ましい。また、巻取りローラー４５としては、基材２上にガスバリアー層３を形成したガスバリアーフィルム１を巻き取ることが可能なものであればよく、特に制限されず、適宜公知のローラーを用いることができる。 [Feeding roller and conveying roller]
As the feed roller 32 and the transport rollers 33, 34, 35, and 36 used in the film forming apparatus 31, known rollers can be used as appropriate. However, by using the same material as the film forming roller, the Coulomb force can be used even during transport. Therefore, it is preferable that the transport roller is also coated with alumina, titania, zirconia, yttria, chromia, glass, or a resin in which these ceramic high dielectric constant fillers are dispersed. . Further, the winding roller 45 is not particularly limited as long as it can wind the gas barrier film 1 in which the gas barrier layer 3 is formed on the substrate 2, and a known roller is appropriately used. Can do.

［ガス供給管及び真空ポンプ］
また、ガス供給管４１及び真空ポンプとしては、原料ガス等を所定の速度で供給又は排出することが可能なものを適宜用いることができる。また、ガス供給手段であるガス供給管４１は、第１成膜ローラー３９と第２成膜ローラー４０との間の対向空間（放電領域；成膜ゾーン）の一方に設けることが好ましく、真空排気手段である真空ポンプ（図示せず）は、前記対向空間の他方に設けることが好ましい。 [Gas supply pipe and vacuum pump]
Further, as the gas supply pipe 41 and the vacuum pump, those capable of supplying or discharging the raw material gas or the like at a predetermined speed can be appropriately used. The gas supply pipe 41 as a gas supply means is preferably provided in one of the facing spaces (discharge region; film formation zone) between the first film formation roller 39 and the second film formation roller 40, and is evacuated. A vacuum pump (not shown) as means is preferably provided in the other of the opposed spaces.

このようにガス供給手段であるガス供給管４１と、真空排気手段である真空ポンプを配置することにより、第１成膜ローラー３９と第２成膜ローラー４０との間の対向空間に効率よく成膜ガスを供給することができ、成膜効率を向上させることができる点で優れている。   As described above, by arranging the gas supply pipe 41 as the gas supply means and the vacuum pump as the vacuum exhaust means, the space between the first film formation roller 39 and the second film formation roller 40 is efficiently formed. It is excellent in that the film gas can be supplied and the film formation efficiency can be improved.

［ガスバリアーフィルムの製造方法］
図１に好ましい実施形態として示した本発明の成膜装置３１は、プラズマＣＶＤ法により成膜することのできるどのようなフィルムの製造にも用いることができる。
以下、ガスバリアーフィルムの製造方法について、好ましい一態様を説明する。 [Method for producing gas barrier film]
The film forming apparatus 31 of the present invention shown as a preferred embodiment in FIG. 1 can be used for manufacturing any film that can be formed by a plasma CVD method.
Hereinafter, a preferable aspect is demonstrated about the manufacturing method of a gas barrier film.

ガスバリアーフィルム１は、基材２上に成膜装置３１によりガスバリアー層３が形成された構成のものが好ましい。なお、本発明において、「ガスバリアー性を示す」とは、ガスバリアーフィルムについて、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−２００８に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（略称：ＷＶＴＲ、温度：３８℃、相対湿度（ＲＨ）：９０％）が全体として、５×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満を示すことをいう。 The gas barrier film 1 preferably has a configuration in which the gas barrier layer 3 is formed on the substrate 2 by the film forming apparatus 31. In the present invention, “showing gas barrier properties” means the water vapor permeability (abbreviation: WVTR, temperature: 38 ° C., relative humidity) measured by a method according to JIS K 7129-2008 for a gas barrier film. RH): 90%) as a whole indicates less than 5 × 10 −2 g / (m 2 · day).

なお、水蒸気透過度は、特開２００４−３３３１２７号公報等に記載された方法によっても測定することができる。   The water vapor transmission rate can also be measured by a method described in JP 2004-333127 A.

（基材）
基材２としては、樹脂又は樹脂を含む複合材料からなるフィルム又はシートが好適に用いられる。このような樹脂フィルム又はシートは、透光性を有していても良く、また、不透明であっても良い。 (Base material)
As the substrate 2, a film or sheet made of a resin or a composite material containing a resin is preferably used. Such a resin film or sheet may have translucency or may be opaque.

基材２を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）又は環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物、ポリアクリロニトリル樹脂、アセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）等の樹脂が挙げられ、必要に応じてそれらの２種以上を組み合わせて用いることもできる。   Examples of the resin constituting the substrate 2 include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and cyclic polyolefin, polyamide resins, and polycarbonates. Resin, polystyrene resin, polyvinyl alcohol resin, saponified ethylene-vinyl acetate copolymer, polyacrylonitrile resin, acetal resin, polyimide resin, polyether sulfide (PES) resin, etc. A combination of more than one species can also be used.

透明性、耐熱性、線膨張性等の必要な特性に合わせて、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂から選ばれることが好ましく、ＰＥＴ、ＰＥＮ及び環状ポリオレフィンがより好ましい。   The polyester resin and the polyolefin resin are preferably selected according to necessary properties such as transparency, heat resistance, and linear expansion property, and PET, PEN, and cyclic polyolefin are more preferable.

基材２の厚さは、基材２を製造する際の安定性等を考慮して適宜設定されるが、真空中においても基材２の搬送が容易であることから、５〜２５０μｍの範囲内であることが好ましい。さらに、本実施形態で採用するガスバリアー膜の形成では、基材２を通して放電を行うことから、基材２の厚さは５０〜２００μｍの範囲内であることがより好ましく、５０〜１５０μｍの範囲内であることが特に好ましい。   The thickness of the base material 2 is appropriately set in consideration of stability and the like when the base material 2 is manufactured. However, since the transport of the base material 2 is easy even in a vacuum, the thickness is in the range of 5 to 250 μm. It is preferable to be within. Furthermore, in the formation of the gas barrier film employed in the present embodiment, since the discharge is performed through the base material 2, the thickness of the base material 2 is more preferably in the range of 50 to 200 μm, and the range of 50 to 150 μm. It is particularly preferred that

なお、基材２は、形成するガスバリアー膜との密着性の観点から、その表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理又はフレーム処理が挙げられる。   The substrate 2 may be subjected to a surface activation treatment for cleaning the surface from the viewpoint of adhesion to the gas barrier film to be formed. Examples of such surface activation treatment include corona treatment, plasma treatment, and flame treatment.

（ガスバリアー層の形成方法）
ガスバリアー層は、図１に示す成膜装置３１を用いて、例えば、原料ガスの種類、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力、真空チャンバー内の圧力、成膜ローラーの直径、並びにフィルム（基材）の搬送速度を適宜調整することにより、本発明に係るガスバリアー層を形成することができる。 (Method for forming gas barrier layer)
The gas barrier layer is formed using, for example, the type of source gas, the power of the electrode drum of the plasma generator, the pressure in the vacuum chamber, the diameter of the film forming roller, and the film (base material) using the film forming apparatus 31 shown in FIG. ) Can be appropriately adjusted to form the gas barrier layer according to the present invention.

すなわち、図１に示す成膜装置３１を用いて、成膜ガス（原料ガス等）を真空チャンバー内に供給しつつ、一対の成膜ローラー（成膜ローラー３９及び４０）間に放電を発生させることにより、前記成膜ガス（原料ガス等）がプラズマによって分解され、第１成膜ローラー３９上の基材２の表面上及び第２成膜ローラー４０上の基材２の表面上に、ガスバリアー層３がプラズマＣＶＤ法により形成される。   That is, the film forming apparatus 31 shown in FIG. 1 is used to generate a discharge between a pair of film forming rollers (film forming rollers 39 and 40) while supplying a film forming gas (such as a source gas) into the vacuum chamber. As a result, the film-forming gas (raw material gas or the like) is decomposed by plasma, and the gas is formed on the surface of the base material 2 on the first film-forming roller 39 and on the surface of the base material 2 on the second film-forming roller 40. The barrier layer 3 is formed by a plasma CVD method.

この際、成膜ローラー３９及び４０の内部に磁場形成手段として磁場発生装置４３及び４４とを備えていることが好ましい。成膜ローラー３９及び４０のローラー軸の長さ方向に沿って対向空間（放電領域）に面したローラー表面付近にレーストラック状の磁場が形成して、磁場にプラズマを収束させることができる。   At this time, it is preferable that the film forming rollers 39 and 40 include magnetic field generators 43 and 44 as magnetic field forming means. A racetrack-like magnetic field is formed in the vicinity of the roller surface facing the facing space (discharge region) along the length direction of the roller axes of the film forming rollers 39 and 40, and the plasma can be converged on the magnetic field.

なお、このような成膜に際しては、基材２が送り出しローラー３２や第１成膜ローラー３９等により、それぞれ搬送されることにより、ロール・ｔｏ・ロール方式の連続的な成膜プロセスにより基材２の表面上にガスバリアー層が形成される。   In such film formation, the substrate 2 is conveyed by the delivery roller 32, the first film formation roller 39, and the like, respectively, so that the substrate is subjected to a roll-to-roll type continuous film formation process. A gas barrier layer is formed on the surface of 2.

また、プラズマＣＶＤ法においてプラズマを発生させる際には、複数の成膜ローラーの間の空間にプラズマ放電を発生させることが好ましく、一対の成膜ローラーを用い、その一対の成膜ローラーのそれぞれに前記基材を配置して、一対の成膜ローラー間に放電してプラズマを発生させることがより好ましい。   Further, when plasma is generated in the plasma CVD method, it is preferable to generate plasma discharge in a space between a plurality of film forming rollers. A pair of film forming rollers is used, and each of the pair of film forming rollers is used. More preferably, the substrate is disposed and discharged between a pair of film forming rollers to generate plasma.

このようにして、一対の成膜ローラーを用い、その一対の成膜ローラー上に基材を配置して、かかる一対の成膜ローラー間に放電することにより、成膜時に一方の成膜ローラー上に存在する基材の表面部分を成膜しつつ、もう一方の成膜ローラー上に存在する基材の表面部分も同時に成膜することが可能となって効率よく薄膜を製造できる。   In this way, by using a pair of film forming rollers, placing a base material on the pair of film forming rollers, and discharging between the pair of film forming rollers, one film forming roller It is possible to form a film on the surface part of the base material existing on the other film, and simultaneously form the film on the surface part of the base material present on the other film forming roller, so that a thin film can be produced efficiently.

（成膜ガス）
前記ガス供給管４１から対向空間に供給される成膜ガス（原料ガス等）としては、原料ガス、反応ガス、キャリアガス及び放電ガスを単独又は２種以上を混合して用いることができる。ガスバリアー層の形成に用いる前記成膜ガス中の原料ガスとしては、形成するガスバリアー層の材質に応じて適宜選択して使用することができる。このような原料ガスとしては、例えば、ケイ素を含有する有機ケイ素化合物や炭素を含有する有機化合物ガスを用いることができる。 (Deposition gas)
As a film forming gas (such as a source gas) supplied from the gas supply pipe 41 to the facing space, a source gas, a reaction gas, a carrier gas, and a discharge gas may be used alone or in combination of two or more. The source gas in the film-forming gas used for forming the gas barrier layer can be appropriately selected and used according to the material of the gas barrier layer to be formed. As such a source gas, for example, an organic silicon compound containing silicon or an organic compound gas containing carbon can be used.

このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。   Examples of such organosilicon compounds include hexamethyldisiloxane (HMDSO), hexamethyldisilane (HMDS), 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, methyltrimethylsilane, and hexamethyldisilane. , Methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, phenylsilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane (TMOS), tetraethoxysilane (TEOS), phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxy Examples include silane and octamethylcyclotetrasiloxane.

これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取扱い性及び得られるガスバリアー層のガスバリアー性等の特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。これらの有機ケイ素化合物は、単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。また、炭素を含有する有機化合物ガスとしては、例えば、メタン、エタン、エチレン及びアセチレンを例示することができる。   Among these organosilicon compounds, hexamethyldisiloxane and 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane are preferable from the viewpoints of handling properties of the compound and gas barrier properties of the resulting gas barrier layer. These organosilicon compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the organic compound gas containing carbon include methane, ethane, ethylene, and acetylene.

これら有機ケイ素化合物ガスや有機化合物ガスは、ガスバリアー層の種類に応じて適切な原料ガスが選択される。さらに、原料ガスとして、上述の有機ケイ素化合物の他にモノシランを含有させ、形成するガスバリアー膜のケイ素源として使用することとしてもよい。   As these organosilicon compound gas and organic compound gas, an appropriate source gas is selected according to the type of the gas barrier layer. Furthermore, it is good also as using as a silicon source of the gas barrier film | membrane which contains monosilane other than the above-mentioned organosilicon compound as source gas, and forms.

また、前記成膜ガスとしては、前記原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。このような反応ガスとしては、前記原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また、窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。例えば、酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用することができる。   In addition to the source gas, a reactive gas may be used as the film forming gas. As such a reactive gas, a gas that reacts with the raw material gas to become an inorganic compound such as an oxide or a nitride can be appropriately selected and used. As a reaction gas for forming an oxide, for example, oxygen or ozone can be used. Moreover, as a reactive gas for forming nitride, nitrogen and ammonia can be used, for example. These reaction gases can be used alone or in combination of two or more. For example, when forming an oxynitride, a reaction gas for forming an oxide and a reaction gas for forming a nitride can be used in combination.

真空チャンバー内の圧力（真空度）は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができるが、空間の圧力が０．１〜５０Ｐａであることが好ましい。気相反応を抑制する目的により、プラズマＣＶＤを低圧プラズマＣＶＤ法とする場合、通常０．１〜１０Ｐａである。また、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１〜１０ｋＷであることが好ましい。   The pressure (degree of vacuum) in the vacuum chamber can be appropriately adjusted according to the type of the raw material gas, but the space pressure is preferably 0.1 to 50 Pa. When plasma CVD is a low pressure plasma CVD method for the purpose of suppressing a gas phase reaction, it is usually 0.1 to 10 Pa. Moreover, the electric power of the electrode drum of the plasma generator can be adjusted as appropriate according to the type of source gas, the pressure in the vacuum chamber, etc., but is preferably 0.1 to 10 kW.

基材２の搬送速度（ライン速度）は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１〜１００ｍ／ｍｉｎであることが好ましく、０．５〜２０ｍ／ｍｉｎであることがより好ましい。ライン速度が下限未満では、基材２に熱に起因する皺が発生しやすくなる傾向にあり、他方、ライン速度が上限を超えると、形成されるガスバリアー膜の厚さが薄くなる傾向にある。搬送する際には、搬送ローラーから送り出され、第１成膜ローラー３９上で成膜された基材２は、成膜面をターンバーに巻き掛けながら第２成膜ローラー４０に搬送される。   Although the conveyance speed (line speed) of the base material 2 can be suitably adjusted according to the kind of source gas, the pressure in a vacuum chamber, etc., it is preferable that it is 0.1-100 m / min, 0.5 More preferably, it is -20 m / min. If the line speed is less than the lower limit, wrinkles due to heat tend to occur in the base material 2, while if the line speed exceeds the upper limit, the thickness of the formed gas barrier film tends to be thin. . When transporting, the base material 2 sent out from the transport roller and formed on the first film forming roller 39 is transported to the second film forming roller 40 while the film forming surface is wound around the turn bar.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

［ガスバリアーフィルム１の作製］
《成膜ローラーの準備》
ＳＵＳ製のローラー（直径２００ｍｍφ）の外周面に、セラミック溶射によってアルミナ−チタニア（ＴｉＯ２ １５〜２５質量％）を３００μｍコーティングして被覆層を形成した。その後封孔材としてエポキシ樹脂溶液を塗工し、２００℃で乾燥、紙やすりで表面研磨して仕上げ、２０℃における比誘電率が２５となるよう調整して、これを成膜ローラー１とした。
また、成膜ローラーは、セラミック溶射における溶射粒子の粒径、溶射速度、溶射距離、及び溶射角度と、表面研磨における紙やすの目の細かさ（＃５００から＃２００００）をそれぞれ調節し、表１に示すような算術平均粗さ（Ｒａ）、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）、気孔率となるように調整して、被覆層を形成した。 [Preparation of gas barrier film 1]
<Preparation of film forming roller>
A coating layer was formed by coating 300 μm of alumina-titania (TiO 2 15 to 25% by mass) on the outer peripheral surface of a SUS roller (diameter 200 mmφ) by ceramic spraying. Thereafter, an epoxy resin solution was applied as a sealing material, dried at 200 ° C., surface-polished with sandpaper, finished, and adjusted so that the relative dielectric constant at 20 ° C. was 25. .
In addition, the film forming roller adjusts the particle size, the spraying speed, the spraying distance, and the spraying angle of the sprayed particles in the ceramic spraying, and the fineness (# 500 to # 20000) of the paper in the surface polishing. The coating layer was formed by adjusting the arithmetic average roughness (Ra), the average length of the surface roughness curve element (RSm), and the porosity as shown in FIG.

〈被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の測定〉
被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づき、表面粗さ測定装置（東京精密株式会社製、型式：サーフテストＳＪ−３１０）を用いて測定した。本実施例においては、３点の算術平均粗さの平均値を求め、これを算術平均粗さ（Ｒａ）とした。 <Measurement of arithmetic average roughness (Ra) of surface of coating layer>
The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the coating layer was measured using a surface roughness measuring device (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., model: Surf Test SJ-310) based on JIS B0601-2001. In this example, the average value of the arithmetic average roughness of the three points was determined, and this was used as the arithmetic average roughness (Ra).

〈被覆層の表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）の測定〉
被覆層の表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づき、触針式表面形状測定器（ＤｅｋｔａｋＸＴ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて測定した。本実施例においては、３点の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）の平均値を求め、粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）とした。 <Measurement of average length (RSm) of roughness curve element on surface of coating layer>
The average length (RSm) of the roughness curve element on the surface of the coating layer was measured using a stylus type surface shape measuring instrument (DektakXT, manufactured by Bruker) based on JIS B0601-2001. In the present example, the average value of the average length (RSm) of the three roughness curve elements was determined and used as the average length (RSm) of the roughness curve elements.

〈被覆層の気孔率の測定〉
被覆層の気孔率は、被覆層の断面を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ、日本電子株式会社製、型式：ＪＳＭ−６０６０ＬＡ）により倍率３００倍で撮影し、撮影した画像から、画像全体の面積に対する気孔部の面積の割合を算出して求めた。 <Measurement of porosity of coating layer>
The porosity of the coating layer was determined by taking a cross-section of the coating layer with a scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope: SEM, JEOL Ltd., model: JSM-6060LA) at a magnification of 300 times. It calculated | required by calculating the ratio of the area of a pore part with respect to the whole area.

〈比誘電率〉
成膜ローラーと同じ材質、同じ厚さの板上に、同条件で被覆層を形成し、両面に電極を設けてアジレント・テクノロジー社製のＬＣＲメーターＨＰ４２８４Ａにて静電容量を測定した。そして、下記式（１）より、被覆層の厚さと静電容量とから、比誘電率を算出した。
式（１） Ｃ＝εｒ・ε０・Ｓ／ｄ
ここでεｒは比誘電率を表す。ε０は真空の誘電率を表す。Ｓは面積を表す。ｄは厚さを表す。なお、本発明において、静電容量と比誘電率は温度２０℃のときの値をいう。 <Relative permittivity>
A coating layer was formed under the same conditions on a plate having the same material and the same thickness as the film forming roller, electrodes were provided on both sides, and the capacitance was measured with an LCR meter HP4284A manufactured by Agilent Technologies. Then, the relative dielectric constant was calculated from the thickness of the coating layer and the capacitance from the following formula (1).
Formula (1) C = ε r · ε 0 · S / d
Here, ε r represents a relative dielectric constant. ε 0 represents the dielectric constant of vacuum. S represents an area. d represents the thickness. In the present invention, the capacitance and relative permittivity are values at a temperature of 20 ° C.

《樹脂基材の準備》
二軸延伸のポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、厚さ：１００μｍ、幅：３５０ｍｍ、帝人デュポンフィルム（株）製、商品名「テオネックスＱ６５ＦＡ」）を、樹脂基材として用いた。
前記樹脂基材の易接着面に、ＪＳＲ株式会社製 ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材 ＯＰＳＴＡＲ Ｚ７５０１を乾燥後の層厚が４μｍになるようにワイヤーバーで塗布した後、乾燥条件として、８０℃で３分間の乾燥を行った後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用、硬化条件；１．０Ｊ／ｃｍ２で硬化を行い、アンカー層を形成した。 <Preparation of resin base material>
A biaxially stretched polyethylene naphthalate film (PEN film, thickness: 100 μm, width: 350 mm, manufactured by Teijin DuPont Films, trade name “Teonex Q65FA”) was used as a resin substrate.
After applying UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR Z7501 manufactured by JSR Corporation with a wire bar so that the layer thickness after drying is 4 μm on the easy adhesion surface of the resin base material, After drying at 3 ° C. for 3 minutes, curing was performed in an air atmosphere using a high-pressure mercury lamp under curing conditions of 1.0 J / cm 2 to form an anchor layer.

《ガスバリアー層の成膜》
被覆層を形成した成膜ローラー１を、第１成膜ローラー及び第２成膜ローラーとして具備するプラズマＣＶＤ法による成膜装置を用いてガスバリアー膜を成膜した。
樹脂基材のアンカー層を形成した面とは反対側の面が成膜ローラーと接触するようにして、樹脂基材を装置に装着し、下記の成膜条件（プラズマＣＶＤ条件）により、アンカー層上にガスバリアー膜を、厚さが３００ｎｍとなる条件で成膜した。 <Gas barrier layer deposition>
A gas barrier film was formed using a film forming apparatus based on a plasma CVD method in which the film forming roller 1 on which the coating layer was formed was provided as a first film forming roller and a second film forming roller.
The resin substrate is mounted on the apparatus so that the surface opposite to the surface on which the anchor layer of the resin substrate is formed is in contact with the film formation roller, and the anchor layer is formed according to the following film formation conditions (plasma CVD conditions). A gas barrier film was formed on the film so as to have a thickness of 300 nm.

〈プラズマＣＶＤ条件〉
原料ガス（ヘキサメチルジシロキサン、ＨＭＤＳＯ）の供給量：５０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ）
酸素ガス（Ｏ２）の供給量：５００ｓｃｃｍ
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：０．８ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：１２０ｋＨｚ
樹脂基材の搬送速度：２ｍ／ｍｉｎ <Plasma CVD conditions>
Feed rate of source gas (hexamethyldisiloxane, HMDSO): 50 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)
Supply amount of oxygen gas (O 2 ): 500 sccm
Degree of vacuum in the vacuum chamber: 3Pa
Applied power from the power source for plasma generation: 0.8 kW
Frequency of power source for plasma generation: 120 kHz
Resin substrate transport speed: 2 m / min

［ガスバリアーフィルム２〜１８の作製］
ガスバリアーフィルム１で用いた成膜ローラーの準備において、セラミック溶射における溶射粒子の粒径と溶射速度と、表面研磨における紙やすの目の細かさ（＃５００から＃２００００）をそれぞれ調節し、表１に示すような算術平均粗さ（Ｒａ）、表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）、気孔率となるように調整して、被覆層を形成した。
表１の条件で被覆層を形成した成膜ローラーを、それぞれ成膜ローラー２〜１８とし、その他の条件は同様として、成膜ローラー２〜１８を具備するＣＶＤ法を用いた成膜装置によって、ガスバリアーフィルム２〜１８を作製した。 [Preparation of gas barrier films 2 to 18]
In the preparation of the film forming roller used in the gas barrier film 1, the particle size and the spraying speed of the sprayed particles in the ceramic spraying and the fineness (# 500 to # 20000) of the paper in the surface polishing were adjusted, respectively. The coating layer was formed by adjusting the arithmetic average roughness (Ra), the average length of the surface roughness curve element (RSm), and the porosity as shown in FIG.
The film formation rollers on which the coating layer was formed under the conditions of Table 1 were film formation rollers 2 to 18 respectively, and the other conditions were the same, by the film formation apparatus using the CVD method provided with the film formation rollers 2 to 18, Gas barrier films 2 to 18 were produced.

《評価方法》
以下の評価方法に従って、本発明の成膜ローラーを用いたときの搬送安定性の評価と、成膜時の基材へのダメージを評価した。 "Evaluation method"
According to the following evaluation methods, the conveyance stability when the film forming roller of the present invention was used and the damage to the substrate during film formation were evaluated.

〈搬送安定性の評価〉
基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度の差によって、搬送安定性を評価した。基材と成膜ローラーとの密着性が高いと、基材の搬送速度と成膜ローラーの回転速度との差分が小さくなるため、搬送安定性が高くなる。
なお、基材の搬送速度は、ロータリーエンコーダーを用いて測定した。 <Evaluation of transport stability>
The conveyance stability was evaluated by the difference between the substrate conveyance speed and the speed calculated from the film formation roller rotation speed. When the adhesiveness between the base material and the film forming roller is high, the difference between the transport speed of the base material and the rotation speed of the film forming roller is small, so that the transport stability is high.
In addition, the conveyance speed of the base material was measured using the rotary encoder.

搬送安定性評価は、以下の５段階で評価した。
５：基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度差が、０．１％未満
４：基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度差が、０．１％以上１．０％未満
３：基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度差が、１．０％以上３．０％未満
２：基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度差が、３．０％以上５．０％未満
１：基材の搬送速度と成膜ローラー回転速度から計算される速度差が、５．０％以上 The conveyance stability was evaluated according to the following five levels.
5: The speed difference calculated from the conveyance speed of the substrate and the rotation speed of the film formation roller is less than 0.1%. 4: The difference in speed calculated from the conveyance speed of the substrate and the rotation speed of the film formation roller is 0.1. % Or more and less than 1.0% 3: Speed difference calculated from substrate conveyance speed and film formation roller rotation speed is 1.0% or more and less than 3.0% 2: Substrate conveyance speed and film formation roller rotation The speed difference calculated from the speed is 3.0% or more and less than 5.0% 1: The speed difference calculated from the substrate conveyance speed and the film forming roller rotation speed is 5.0% or more.

〈成膜時の基材へのダメージの評価〉
成膜ローラーの被覆層と基材との間に適度な摩擦力が生じている場合、基材が滑ってシワ等が生じさせることなく、かつ摩擦力を大きくしすぎることないため、基材へのダメージを抑えることができる。そのため、基材に対してガスバリアー層を安定的に成膜でき、ガスバリアー性の高いフィルムを得ることができる。したがって、作製したガスバリアーフィルムのガスバリアー性能を評価することによって、成膜時の基材へのダメージを代替評価した。
ガスバリアーフィルムのガスバリアー性能を評価は、水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）を下記の装置及び方法で測定することによって評価した。 <Evaluation of damage to the substrate during film formation>
If an appropriate frictional force is generated between the coating layer of the film forming roller and the base material, the base material will not slip and cause wrinkles, etc., and the frictional force will not be increased too much. Can reduce damage. Therefore, a gas barrier layer can be stably formed on the substrate, and a film having high gas barrier properties can be obtained. Therefore, by evaluating the gas barrier performance of the produced gas barrier film, the damage to the substrate during film formation was evaluated as a substitute.
The gas barrier performance of the gas barrier film was evaluated by measuring the water vapor transmission rate (WVTR) with the following apparatus and method.

（装置）
蒸着装置：日本電子（株）製真空蒸着装置ＪＥＥ−４００
恒温恒湿度オーブン：Ｙａｍａｔｏ Ｈｕｍｉｄｉｃ ＣｈａｍｂｅｒＩＧ４７Ｍ (apparatus)
Vapor deposition device: JE-400, a vacuum vapor deposition device manufactured by JEOL Ltd.
Constant temperature and humidity oven: Yamato Humidic Chamber IG47M

（原材料）
水分と反応して腐食する金属：カルシウム（粒状）
水蒸気不透過性の金属：アルミニウム（３〜５ｍｍφ、粒状） (raw materials)
Metal that reacts with water and corrodes: Calcium (granular)
Water vapor impermeable metal: Aluminum (3-5mmφ, granular)

（水蒸気バリアー性評価用セルの作製）
真空蒸着装置（日本電子製真空蒸着装置 ＪＥＥ−４００）を用い、各ガスバリアーフィルム試料の、幅手の端を含む蒸着させたい部分（１２ｍｍ×１２ｍｍを９か所）以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ０．２ｍｍの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス製）を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。
得られた両面を封止した試料を６０℃、９０％ＲＨの高温高湿下で１０００時間保存し、特開２００５−２８３５６１号公報記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算して、得られたＷＶＴＲを下記基準で評価した。
なお、バリアーフィルム面以外からの水蒸気の透過が無いことを確認するために、比較試料としてバリアーフィルム試料の代わりに、厚さ０．２ｍｍの石英ガラス板に金属カルシウムを蒸着した試料を用いたセルで、同様に６０℃、９０％ＲＨの高温高湿下保存を行い、１０００時間経過後でも金属カルシウムの腐食が発生しないことを確認した。 (Preparation of water vapor barrier property evaluation cell)
Using a vacuum vapor deposition device (JEOL-made vacuum vapor deposition device JEE-400), each gas barrier film sample is masked except for the portion (12mm x 12mm, 9 locations) to be vapor-deposited, including the edge of the width. Was evaporated. Thereafter, the mask was removed in a vacuum state, and aluminum was deposited from another metal deposition source on the entire surface of one side of the sheet. After aluminum sealing, the vacuum state is released, and immediately facing the aluminum sealing side through a UV-curable resin for sealing (made by Nagase ChemteX) on quartz glass with a thickness of 0.2 mm in a dry nitrogen gas atmosphere The cell for evaluation was produced by irradiating with ultraviolet rays.
The obtained sample with both surfaces sealed is stored at 60 ° C. and 90% RH under high temperature and high humidity for 1000 hours, and permeated into the cell from the corrosion amount of metallic calcium based on the method described in JP-A-2005-283561. The obtained water content was calculated, and the obtained WVTR was evaluated according to the following criteria.
In addition, in order to confirm that there is no permeation of water vapor from other than the barrier film surface, a cell using a sample in which metallic calcium is vapor-deposited on a quartz glass plate having a thickness of 0.2 mm instead of the barrier film sample as a comparative sample. Similarly, it was stored under high temperature and high humidity at 60 ° C. and 90% RH, and it was confirmed that corrosion of metallic calcium did not occur even after 1000 hours.

ガスバリアーフィルムのガスバリアー性能の評価は、以下の５段階で評価した。
５：１×１０−４ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満
４：１×１０−４ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上、５×１０−３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満
３：５×１０−３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上、５×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満
２：５×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上、５×１０−１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満
１：５×１０−１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上 The gas barrier performance of the gas barrier film was evaluated in the following five stages.
Less than 5: 1 × 10 −4 g / (m 2 · day) 4: 1 × 10 −4 g / (m 2 · day) or more and less than 5 × 10 −3 g / (m 2 · day) 3: 5 × 10 −3 g / (m 2 · day) or more, less than 5 × 10 −2 g / (m 2 · day) 2: 5 × 10 −2 g / (m 2 · day) or more, 5 × 10 −1 Less than g / (m 2 · day) 1: 5 × 10 −1 g / (m 2 · day) or more

以上のように、搬送安定性の評価と、成膜時の基材へのダメージを評価し、上記に示す基準でそれぞれの評価が３以上であるとき、合格とした。   As described above, the conveyance stability was evaluated and the damage to the substrate during film formation was evaluated. When each evaluation was 3 or more according to the above criteria, the evaluation was regarded as acceptable.

Figure 2016211066
Figure 2016211066

《評価結果》
表１に示した結果から明らかなように、本発明の成膜ローラーは、搬送安定性が高く、かつ成膜時に基材へのダメージを抑えることができるものであった。これに対して、比較例の成膜ローラーは、いずれかの項目において、劣るものであった。 "Evaluation results"
As is apparent from the results shown in Table 1, the film forming roller of the present invention has high conveyance stability and can suppress damage to the substrate during film formation. On the other hand, the film-forming roller of the comparative example was inferior in any item.

１ ガスバリアーフィルム
２ 基材
３ ガスバリアー層
３１ 成膜装置
３２ 送り出しローラー
３３、３４、３５、３６ 搬送ローラー
３７Ａ、３７Ｂ 被覆層
３９ 第１成膜ローラー
４０ 第２成膜ローラー
４１ ガス供給管
４２ 制御部
４３、４４ 磁場発生装置
４５ 巻取りローラー
５１ プラズマ発生用電源
６０ 連続項 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gas barrier film 2 Base material 3 Gas barrier layer 31 Film-forming apparatus 32 Delivery roller 33, 34, 35, 36 Conveyance roller 37A, 37B Coating layer 39 1st film-forming roller 40 2nd film-forming roller 41 Gas supply pipe 42 Control Units 43 and 44 Magnetic field generator 45 Winding roller 51 Power source for plasma generation 60 Continuous term

Claims (8)

プラズマＣＶＤ法による成膜装置に用いられる成膜ローラーであって、
当該成膜ローラーの外周面が、被覆層によって覆われており、
前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．２〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする成膜ローラー。 A film forming roller used in a film forming apparatus by a plasma CVD method,
The outer peripheral surface of the film forming roller is covered with a coating layer,
A film forming roller, wherein the surface of the coating layer has an arithmetic average roughness (Ra) in a range of 0.2 to 1.0 μm. 前記被覆層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．４〜０．８μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の成膜ローラー。   2. The film forming roller according to claim 1, wherein an arithmetic average roughness (Ra) of a surface of the coating layer is in a range of 0.4 to 0.8 μm. 前記被覆層の表面の粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）が、５０〜７０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜ローラー。   The film forming roller according to claim 1 or 2, wherein an average length (RSm) of a roughness curve element on a surface of the coating layer is in a range of 50 to 70 µm. 前記被覆層の気孔率が、５〜３０％の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   The film forming roller according to any one of claims 1 to 3, wherein a porosity of the coating layer is in a range of 5 to 30%. 前記被覆層の気孔率が、１０〜２０％の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   The film forming roller according to any one of claims 1 to 4, wherein a porosity of the coating layer is in a range of 10 to 20%. 前記被覆層が、アルミナを含有することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   The film-forming roller according to any one of claims 1 to 5, wherein the coating layer contains alumina. 前記被覆層が、当該被覆層の表面から内部まで空隙部が連続的に連なった連続孔を有することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の成膜ローラー。   The film forming roller according to any one of claims 1 to 6, wherein the coating layer has continuous holes in which void portions are continuously connected from the surface to the inside of the coating layer. プラズマＣＶＤ法による成膜装置であって、
対向して配置されている、二つの請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の成膜ローラーと、
二つの前記成膜ローラーにそれぞれ電力を供給し、二つの前記成膜ローラーを対向電極として利用可能とするプラズマ発生用手段と、
成膜のための原料ガスを所定の速度で供給するガス供給手段と、
を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による成膜装置。 A film forming apparatus using a plasma CVD method,
Two film-forming rollers according to any one of claims 1 to 7, which are arranged to face each other,
Plasma generating means for supplying electric power to each of the two film forming rollers and making the two film forming rollers available as counter electrodes;
Gas supply means for supplying a raw material gas for film formation at a predetermined rate;
A film forming apparatus using a plasma CVD method.
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