JP2016209794A - ガス処理設備 - Google Patents

Abstract

【課題】 有害物質が混存するガスを比較的簡易な装置で、効率よく処理することができるガス処理設備を提供することを目的とする。。【解決手段】従来のガス処理設備にかわって、ガス処理装置を、備え、前記ガス処理装置が、下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空の円錐状内筒と、前記円錐状内筒の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されている少なくとも２つのガス旋回皿状板を持つ旋回流形成手段と、前記円錐状内筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する噴出ノズルを持つ噴射手段と、を有し、少なくとも２つのガス旋回皿状板が互いに隙間を空けて上下に重なるものとした。【選択図】 図１

Description

本発明は、ガスを処理するガス処理設備に関する。特に、不純物、有害物質を含むガスを処理するのに適したガス処理装置に関する。

一般的に、ガス中には、ＮＯｘやダイオキシン類、放射性物質など気体状態や分子レベルの大きさで存在する有害物質の他に、粉塵などの固体状態で存在する物質が混在している。

排気ガス中の微粉状固体、放射性物質を除去するものとしては、従来から遠心力方式を採用するサイクロンや、濾過方式を採用するバグフィルタなどが知られている。これらのものは、いずれも、排気ガス中の微粉状固体だけを分離収集するもので、気体状態の大気汚染物質、放射性物質までは、除去することができず、そのほとんどが大気中に放出されている。

そこで、この気体状態の大気汚染物質、放射性物質を除去するためには、大気汚染物質、放射性物質を吸収する水溶液を利用する化学的設備が別途必要である。この化学的設備は、気体の大気汚染物質、放射性物質と水溶液とが反応する反応槽の他に、水溶液を設備内で循環させる装置、新たに水溶液を供給する装置、水溶液を処理する装置などが備えられている。

したがって、固体状態で存在する有害物質と気体状態で存在する大気汚染物質、放射性物質が混存するガスを処理するためには、従来、サイクロンなどの集塵器と化学設備とを組み合わせた装置が、一般的に用いられている。

しかしながら、このようなガス処理装置では、化学設備が非常に大型化し、装置の製造コストが嵩むと共に、水溶液の供給および処理を行わなければならないので、ランニングコストが嵩んでしまう。このため、化学業界や製鉄業界など、製品等の製造過程で大量の排気ガスが発生してしまう業界では、化学設備を用いずとも、気体状態の大気汚染物質を除去できるものが非常に望まれている。

そこで、このよう要望に応えるものとして、本出願の出願人自身が出願した国際公開ＷＯ ９２／０２２９２号公報に記載されているガス処理装置がある。

このガス処理装置は、下方に向かうにつれて縮径されている円錐状内筒と、この円錐状内筒の上部内周面に沿って圧縮気体を噴出する噴出ノズルとを有し、円錐状内筒の上部に排気ガスを吸い込む上部開口が形成され、円錐状内筒の下部に排出口が形成されているものである。

この排気ガス処理装置において、固体状態で存在する公害物質と気体状態で存在する大気汚染物質とが混存する排気ガスを処理するメカニズムは、以下のようものである。

円錐状内筒内は、圧縮気体の流入により、圧力が上昇すると共に、圧縮気体の断熱膨張等で温度が低下する。このため、円錐状内筒内に流入した排気ガス中の気体の汚染物質の一部は、圧力の上昇と温度低下により、液体に変化する。液体に成った大気汚染物質は、これが円錐状内筒内の渦流の中で微粉状固体の汚染物質と衝突して、これに吸着する。この微粉状固体は、遠心力の作用により、除去される。すなわち、気体の汚染物質は、微粉状固体に吸着されたかたちで、微粉状固体と共に、排気ガスから除去され、排出口から排出される。

前述した国際公開ＷＯ ９２／０２２９２号公報に記載されている排気ガス処理装置は、比較的簡易な設備で、固体状態で存在する公害物質と気体状態で存在する大気汚染物質とが混存する排気ガスを効率よく処理することができ、製造コスト及びランニングコストが嵩まず、非常に優れたものであると言える。

しかしながら、公害問題が騒がれている昨今では、常に、排気ガスをより効率よく処理することが望まれている。

また、近年、原子力発電所での事故により、放射性物質が環境に流出した。
放射性物質を含むガスから放射物質をより効率よく処理することが望まれている。
特に、ガス中から放射性物質等の有害物質を分離したいとの社会的要請が高まっている。

そこで、本発明は、このような要望に応えるべく、固体状態で存在する有害物質と気体状態や分子レベルの大きさで存在する有害物質とが混存するガスを比較的簡易な装置で、効率よく処理することができるガス処理設備を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係るガスを処理するガス処理設備を、ガス処理装置を、備え、前記ガス処理装置が、下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空の円錐状内筒と、前記円錐状内筒の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されているガス旋回皿状板を持つ旋回流形成手段と、前記円錐状内筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する噴出ノズルを持つ噴射手段と、を有するものとした。

上記本発明の構成により、前記ガス処理装置が、円錐状内筒と旋回流形成手段と噴射手段とを有する。円錐状内筒が、下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空のものである。旋回流形成手段の旋回皿状板が、前記円錐状内筒の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されている。噴射手段の噴射ノズルが、前記円錐状内筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する。
その結果、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口から排出でき、排出口に背圧が生じてもガスの流れを乱さない。

以下に、本発明の実施形態に係るガス処理設備を説明する。本発明は、以下に記載した実施形態のいずれか、またはそれらの中の二つ以上が組み合わされた態様を含む。

本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記旋回流形成手段が少なくとも２つのガス旋回皿状板を持ち、少なくとも２つのガス旋回皿状板が互いに隙間を空けて上下に重なるものとした。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記旋回流形成手段が少なくとも２つの２つのガス旋回皿状板を持つ。少なくとも２つのガス旋回皿状板が互いに隙間を空けて上下に重なる。
その結果、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口から排出でき、排出口に背圧が生じてもガスの流れを乱さない。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記噴射手段の噴射ノズルである第一噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記噴射手段の第一噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出する。
その結果、２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に入ったガスを円錐状内筒に沿って旋回させる。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記噴射手段の噴射ノズルである第二噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板の下の空間に圧縮ガスを噴出する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記噴射手段の第二噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板の下の空間に圧縮ガスを噴出する。
その結果、少なくとも２つのガス旋回皿状板を通過したガスを円錐状内筒に沿って旋回させる。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記排ガス処理装置が、パイプであって一方の端部を前記排出口に連通する微粉排出管と、前記微粉排出管の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている微粉排出管円板状部材と、を有する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記排ガス処理装置が、微粉排出管と微粉排出管円板状部材とを有する。微粉排出管とが、パイプであって一方の端部を前記排出口に連通する。微粉排出管円板状部材が、前記微粉排出管の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている。
その結果、微粉排出管の下方の端部に背圧が生じても排出口でのガスの流れの乱れを抑制できる。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、バグフィルタ式処理装置を、備え、前記バグフィルタ式処理装置が、ケーシングと、前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り開口である仕切り板開口を設けられる仕切り板と、開口をもつ袋状であって該開口を前記仕切り板開口に連通する濾布と、を有し、前記微粉排出管が前記ケーシングを上から貫通し他方の端部を前記吸込室の内部に位置する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記バグフィルタ式処理装置が、ケーシングと仕切り板と濾布とを有する。仕切り板が、前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り、開口である仕切り板開口を設けられる。濾布が、開口をもつ袋状であって、該開口を前記仕切り板開口に連通する。前記微粉排出管が前記ケーシングを上から貫通し他方の端部を前記吸込室の内部に位置する。
その結果、排ガス処理装置で処理されたガス中の微粉を濾布で濾すことをできる。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記バグフィルタ処理装置が、前記濾布の開口に設けられる板状部材であって複数の貫通穴を形成されている濾布開口円板状部材と、を有する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記バグフィルタ処理装置の濾布開口円板状部材が、前記濾布の開口に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている。
その結果、背圧が前記排気室に生じても前記吸込室でのガスの流れの乱れを抑制できる。

また、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、前記バグフィルタ処理装置が、前記濾布の内側と濾布の外側とに高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段と、を有する。
上記本発明に係る実施形態の構成により、前記バグフィルタ処理装置の高周波電圧印加手段が、前記濾布の内側と濾布の外側とに高周波電圧を印加する。
その結果、吸込室にガスの流れの乱れが生じても、微粉の逆流を抑制できる。

以上説明したように、本発明に係るガス処理設備は、その構成により、以下の効果を有する。
複数の貫通孔が形成される円板状部材であるガス旋回皿状板を下方に向うにつれ縮径し下部に排出口を形成される円錐状内筒の上端に設置し、噴射ノズルが円錐状内筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する様にしたので、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口から排出でき、排出口に背圧が生じても円錐状内筒でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、複数の貫通孔が形成される円板状部材である２つのガス旋回皿状板を下方に向うにつれ縮径し下部に排出口を形成される円錐状内筒の上端に設置する様にしたので、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口から排出でき、排出口に背圧が生じてもガスの流れを乱さない。
また、第一噴射ノズルが少なくとも２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出する様にしたので、２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に入ったガスを円錐状内筒に沿って旋回させる。
また、第二噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板の下の空間に圧縮ガスを噴出する様にしたので、少なくとも２つのガス旋回皿状板を通過したガスを円錐状内筒に沿って旋回させる。
また、複数の貫通穴を形成されている微粉排出管円板状部材を上方の端部を前記排出口に連通する前記微粉排出管の流れを遮る様に設ける様にしたので、微粉排出管の下方の端部に背圧が生じても排出口でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、前記微粉排出管が前記ケーシングを上から貫通し他方の端部を前記吸込室の内部に位置し、吸込室と排気室を仕切る前記仕切り板開口に袋状の濾布の開口を連通する様にしたので、排ガス処理装置で処理されたガス中の微粉を濾布で濾すことをできる。
また、複数の貫通穴が形成される円板状部材を前記濾布の開口に設ける様にしたので、背圧が前記排気室に生じても前記吸込室でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、前記濾布の内側と濾布の外側とに高周波電圧を印加する様にしたので、吸込室にガスの流れの乱れが生じても、微粉の逆流を抑制できる。
その結果、効率よく処理することができるガス処理設備を提供できる。

本発明の第一の実施形態に係るガス処理設備の斜視図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス処理設備の正面断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス旋回筒の斜視図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス旋回筒のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス旋回皿状板の平面図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス処理設備のＢ−Ｂ断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス処理設備のＣ−Ｃ断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るバグフィルタの正面断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るバグフィルタのＤ−Ｄ矢視図である。 本発明の第一の実施形態に係るガス旋回皿状板の平面図である。 本発明の第二の実施形態に係るガス処理設備の斜視図である。 本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置の正面断面図である。 本発明の第二の実施形態に係るスクリーンフィルタ処理装置の斜視図である。 本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置のＥ−Ｅ断面図である。 本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置のＦ−Ｆ断面図である。 本発明の第三の実施形態に係るガス処理装置の斜視図である。 本発明の第四の実施形態に係るガス処理装置の正面断面図である。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して説明する。

最初に、本発明の第一の実施形態にかかるガス処理設備を、図を基に、説明する
図１は、本発明の実施形態に係るガス処理設備の斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係るガス処理設備の正面断面図である。図３は、本発明の実施形態に係るガス旋回筒の斜視図である。図４は、本発明の実施形態に係るガス旋回筒のＡ−Ａ断面図である。図５は、本発明の実施形態に係るガス旋回皿状板の平面図である。図６は、本発明の実施形態に係るガス処理設備のＢ−Ｂ断面図である。図７は、本発明の実施形態に係るガス処理設備のＣ−Ｃ断面図である。図８は、本発明の実施形態に係るバグフィルタの正面断面図である。図９は、本発明の実施形態に係るバグフィルタのＤ−Ｄ矢視図である。図１０は、本発明の第一の実施形態に係るガス旋回皿状板の平面図である。

この実施形態におけるガス処理設備は、ガスを処理する装置である。ガスは、ボイラーから排気される高温のガス中であってもよい。ガス中には、ダイオキシン類やＮＯｘやＳＯｘなど気体状態で存在する大気汚染物質の他に、粉塵などの固体状態で存在する物質を含んでいる。
ガスは、放射性物質を含むものであってもよい。ガスは、放射能汚染された物質を焼却して排気されるガスであってもよい。
ガスは、前処理としてサイクロン式処理装置で処理されたものであってもよい。

この実施形態におけるガス処理設備は、ガスを冷却する冷却手段である冷却器と、この冷却器で冷却されたガスを処理するガス処理設備とで構成されてもよい。
ガス処理設備は、ガス処理装置１０とバグフィルタ式処理装置８０とで構成されてもよい。

ガス処理装置１０は、圧縮気体供給手段４とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と圧縮空気分配手段とケーシング２８とで構成されてもよい。
ガス処理装置１０は、圧縮気体供給手段４とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と圧縮空気分配手段とケーシング２８と微粉排出管５９とで構成されてもよい。
ガス処理装置１０は、圧縮気体供給手段４とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と圧縮空気分配手段とケーシング２８と微粉排出管５９と微粉排出管円板状部材９５とで構成されてもよい。

圧縮気体供給手段４は、圧縮空気分配手段を介して噴射手段に圧縮気体を供給する手段である。
圧縮気体供給手段は、コンプレッサ４であってもよい。
例えば、コンプレッサ４は、複数の噴出ノズル１９、１９、・・・に圧縮空気を供給する

ガス旋回筒１６は、ガスを旋回させて、円錐状内筒１１の上部に案内する部材である。
例えば、ガス旋回筒１６は、中空円筒状を成し、その下端面が開口している。
中空円筒内にガスを取り入れるための矩形状の複数の開口１７、１７、・・・が、ガス旋回筒１６の側周に形成されている。
開口１７から中空円筒内に流入したガスを、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として、上から見て時計回り方向または反時計回り方向の一方に旋回させる旋回羽根１８が、各開口１７、１７、・・・・の縁に取り付けられている。ガス旋回筒１６は、後述するガス旋回皿状板１３の真上に設けられる。
図３、図４は、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として、上から見て時計回り方向に旋回させる旋回羽根１８が、各開口１７、１７、・・・・の縁に取り付けられているガス旋回筒１６の構造の一例を示す。

円錐状内筒１１は、下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口１２を形成される中空の部材である。
すなわち、円錐状内筒１１の内面は、底部を上にした円錐台の輪郭を想定できる。
例えば、円錐状内筒１１は、その上端に円錐の輪郭台の底面に該当する箇所に開口である上部開口を設けられ、その下端に円錐台の輪郭の頂点に該当する箇所に開口である下部開口を設けられ、この下部開口が排出口１２を形成している。
この排出口１２には、バグフィルタ式処理装置８０の側面下部まで伸びている微粉排出管５９が接続されていてもよい。後出するガス旋回皿状板１３が、円錐状内筒１１の上部開口に設けられる。

旋回流形成手段は、円錐状内筒１１の内部に上から下に流れる旋回流れを生成しようとする手段である。
旋回流形成手段は、ガス旋回皿状板１３を持ってもよい。
旋回流形成手段は、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３を持ち、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂが互いに隙間を空けて上下に重なる構造をしていてもよい。
複数のガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂ・・・が互いに隙間を空けて上下に重なる構造をしていてもよい。
旋回流形成手段は、複数のガス旋回皿状板１３を持ち、複数のガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂ・・・が互いに隙間を空けて上下に重なる構造をしていてもよい。
２つのガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂが、上から見て後述する貫通孔が可能なかぎり重ならない様になっていてもよい。
複数のガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂ・・・が、上から見て後述する貫通孔が可能なかぎり重ならない様になっていてもよい。
図１０が、上から見て後述する過半数の貫通孔が重ならない様になっている２つのガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂを示す。

ガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されている。
ガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１の上端に設置される円板状部材であって、該円錐状内筒の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、複数の貫通孔が形成されていてもよい。
ガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１の上端に設置される円板状部材であって、ガスを旋回させる方向に向かってその上面からその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されていてもよい。
ガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１の上端に設置される円板状部材であって、円錐状内筒１１の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、ガスを旋回させる方向に向かってその上面からその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されていてもよい。

例えば、ガス旋回皿状板１３は、その上面から下面に複数の貫通孔１４、１４・・・が形成されている。
例えば、貫通孔１４、１４・・・は、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として、スパイラル状に描いた線分上に形成されている。
例えば、貫通孔１４は、ここを通過したガスが上から見て時計回り方向の旋回流となるよう、ガス旋回皿状板１３の上面から下面に斜めで、且つ円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として時計回り方向に貫通している。
図５は、貫通孔１４、１４・・・が、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として、スパイラル状に描いた線分上に形成され、ここを通過したガスが上から見て時計回り方向の旋回流となるよう、ガス旋回皿状板１３の上面から下面に斜めで、且つ円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として上から見て時計回り方向に貫通している様子を示す。

噴射手段は、円錐状内筒１１の内部にガスの旋回流を発生させるために、円錐状内筒１１の内部にガスを噴射する手段である。
噴射手段は、噴射ノズル１９で構成されてもよい。
噴射手段は、複数の噴射ノズル１９で構成されてもよい。
噴射手段は、複数の第一噴射ノズル１９ａと複数の第二噴射ノズル１９ｂとで構成されてもよい。
噴射手段は、複数の第一噴射ノズル１９ａと複数の第二噴射ノズル１９ｂと・・・複数の第Ｎ噴射ノズル１９ｎとで構成されてもよい。
噴射ノズル１９は、円錐状内筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒の上部に送り込まれてきたガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出するノズルである。
例えば、各々の噴出ノズル１９ａ、１９ｂの先端部は、この先端部から噴射される圧縮空気が、円錐状内筒１１の上部内周面に沿い、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として上から見て時計回り方向または反時計回り方向のうちの一方の方向に旋回するよう、曲げられている。
図６は、各々の噴出ノズル１９ａ、１９ｂの先端部は、この先端部から噴射される圧縮空気が、円錐状内筒１１の上部内周面に沿い、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として上から見て時計回り方向に旋回するよう、曲げられている様子を示す。
図６は、円錐状内筒１１内での圧縮空気の噴射方向を理解し易くするために、ガス旋回皿状板１３を省略している。

噴射手段の噴射ノズルである第一噴射ノズル１９ａが、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂに挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出してもよい。

噴射手段の噴射ノズルである第二噴射ノズル１９ｂが、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３ａ、１３ｂの下の空間に圧縮ガスを噴出してもよい。

噴射手段の噴射ノズルである第一噴射ノズル１９ａが、少なくとも２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出し、噴射手段の噴射ノズルである第二噴射ノズル１９ｂが、少なくとも２つのガス旋回皿状板の下の空間に圧縮ガスを噴出してもよい。

冷却手段は、円錐状内筒１１を流れるガスを冷却する手段である。
冷却手段は、冷却ジャケット２０を持っていてもよい。
冷却ジャケット２０は、円錐状内筒１１の外周面を覆い、この外周面との間に冷却水が供給される。
例えば、冷却ジャケット２０には、その下部に冷却水供給配管２１ａが接続され、その上部に冷却水排水配管２１ｂが接続されている。冷却水供給配管２１ａ及び冷却水排水配管２１ｂには、それぞれ、この中を流れる冷却水の流量を調節する流量調節弁２２ａ，２２ｂ、及び、冷却水の温度を測定する温度計２３ａ，２３ｂが設けられている。
図２は、冷却ジャケット２０が、その下部に冷却水供給配管２１ａが接続され、その上部に冷却水排水配管２１ｂが接続される様子を示す。
さらに、冷却水供給配管２１ａ及び冷却水排水配管２１ｂには、それぞれ、この中を流れる冷却水の流量を調節する流量調節弁２２ａ，２２ｂ、及び、冷却水の温度を測定する温度計２３ａ，２３ｂが設けられている。

ケーシング２８は、円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６を覆う部材である。
ケーシング２８は、外筒２５と外筒上蓋２６ａと外筒底蓋２６ｃとで構成される。
外筒２５は、冷却ジャケット２０が取り付けられている円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６の外周を覆ってもよい。
外套上蓋２６ａが、外筒２５の上部を塞ぐ。外套上蓋２６ａは、外筒２５の上部開口を塞いでいる。
吸気口２９ａが、外筒２５に形成される。
例えば、この吸気口２９ａには、冷却器及び送風ファンを介して、ボイラーから伸びているガスダクト５が接続されている。
外筒底蓋２６ｃが、外筒２５の下部を塞ぐ。
微粉排出管５９が外筒底部２６ｃを貫く。
図２は、外筒１５と外筒上蓋２６ａと外筒底蓋２６ｂとが、冷却ジャケット２０が取り付けられている円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６の周囲を覆う様子を示す。

圧縮空気分配手段は、圧縮ガスを複数の噴出ノズル１９へ分配する手段である。
圧縮空気分配手段は、コンプレッサからの圧縮空気を複数の噴出ノズル１９へ分配してもよい。
圧縮空気分配手段は、圧縮空気分配器２７で構成される。
圧縮空気分配手段は、少なくとも２つの圧縮空気分配器２７である第一圧縮空気分配器２７ａと第二圧縮空気分配器２７ｂとで構成されてもよい。
例えば、圧縮空気分配器２７は、外筒２５の回りに設けられる。
コンプレッサから伸びている圧縮空気供給配管５８が、圧縮空気分配器に接続されている。
例えば、圧縮空気分配器２７には、７つの噴出ノズル１９、１９、・・・が設けられている。噴出ノズル１９の先端部は、この先端部から噴射される圧縮空気が、円錐状内筒１１の上部内周面に沿い、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として上から見て時計回り方向に旋回するよう、曲げられている。
例えば、２つの圧縮空気分配器２７ａ、２７ｂには、７つの第一噴出ノズル１９ａ、１９ａ、・・・、と７つの第二噴出ノズル１９ｂ、１９ｂ・・・・とが各々に設けられている。

微粉排出管５９は、円錐状内筒１１の排出口１２から排出された微粉を含むガスを後述するバグフィルタ式処理装置８０に案内する管である。
微粉排出管５９は、パイプであって一方の端部を排出口に連通し、他方の端部をバグフィルタ式処理装置８０の吸込室８２に開放する。
例えば、微粉排出管５９は、垂直に延びるパイプであって上方の端部を排出口に連通し、下方の端部をバグフィルタ式処理装置８０の吸込室８２に開放する。

微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている部材である。
微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の下方の端部の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されていてもよい。
微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の途中の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されていてもよい。
例えば、微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の中心軸に近づくに連れて次第に上方に突出して行く皿状を形成し、複数の貫通孔が形成されている。
例えば、微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の中心軸に近づくに連れて次第に上方に突出して行く皿状を形成し、下から見て時計方向または反時計方向の一方の方向に向かってその下面からその上面に貫通している複数の貫通孔が形成されている。
例えば、微粉排出管円板状部材９５は、微粉排出管５９の中心軸に近づくに連れて次第に上方に突出して行く皿状を形成し、下から見て時計方向に向かってその下面からその上面に貫通している複数の貫通孔が形成されている。

バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０とで構成される。
バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０と濾布支持体８１ａとで構成されてもよい。
バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０と濾布開口円板状部材９６とで構成されてもよい。
バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０と高周波電圧印加手段９７とで構成されてもよい。
バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０と仕切り板８４とで構成されてもよい。
バグフィルタ式処理装置８０は、濾布８１、８１、・・・とスクリュー８９とケーシング８５と逆洗装置９０と濾布支持体８１ａと濾布開口円板状部材９６と高周波電圧印加手段９７と仕切り板８４とで構成されてもよい。

濾布８１は、開口をもつ袋状であって該開口を後述する仕切り板開口に連通するものである。
例えば、濾布８１は、円筒状を成し、上部が開口し、下部に底を有している。この濾布８１は、濾布８１の上部開口縁が仕切り板８７に設けられる仕切り板開口に連通する。

濾布支持体８１ａは、濾布８１を支持する構造体である。
例えば、濾布支持体８１ａは、円柱状の輪郭をもつ構造体であって、一方の端部にフランジをもつ。
円柱状の輪郭をもつ構造体が、濾布８１を内側から支持する。

ケーシング８５は、吸込室８２と排気室８３とを合わせた空間を形成する部材である。
仕切り板８４は、ケーシング８５を吸込室８２と排気室８３に仕切り、開口である仕切り板開口を設けられる板部材である。
例えば、ケーシング８５は、上部が四角筒型を成し、下部が四角錐型を成している。ケーシング８５の四角錐型部分の内部は、前述した仕切り板８７により上下に仕切られ、その下側が吸込室８２、その上側が排気室８３を形成している。
排気室８３を形成するケーシング８５の側壁には、排気口８８が形成されている。吸込室８２内には、仕切り板８４により支持された複数の濾布８１、８１、・・・・が配されている。
ガス処理装置１０から伸びている微粉排出管５９の下端開口５９ａが吸込室８２の内部に位置する。

スクリュー８９は、ガス中の微粉状固体を目的の方向に送る機械要素である。
スクリュー８９が、ケーシング８５の四角錐型部分の下部に設けられている。
微粉排出口８６が、このスクリュー８９の下部であってケーシング８５を形成する壁面に形成される。
例えば、スクリュー８９は、ガス中の微粉状固体とガス中の液体とを混合して、一体として微粉排出口８６から系外へ排出する。

逆洗装置９０は、濾布８１の目詰まりを解消するための装置である。
例えば、逆洗装置９０は、ヘッダ９１と逆洗配管９２、９２、・・・とで構成される。
ヘッダ９１は、圧縮空気が一時的に溜められる容器である。
逆洗配管９２、９２、・・・は、ヘッダ９１内の圧縮空気を濾布８１、８１、・・・・の内部に導く配管である。
逆洗装置９０を作動させると、背圧が濾布８１に作用し、濾布８１の目詰まりが解消される。

濾布開口円板状部材９６は、濾布８１の開口に設けられる円板状の板材であって、複数の貫通孔を設けられる部材である。
逆洗装置９０の逆洗配管９２が、濾布開口円板状部材９６を貫通する。
逆洗装置９０の逆洗配管９２が、濾布開口円板状部材９６の中心を貫通してもよい。
例えば、濾布開口円板状部材９６は、複数の貫通孔が形成されて、中心部に逆洗装置９０の逆洗配管９２が貫通する。
例えば、濾布開口円板状部材９６は、濾布８１の開口の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、複数の貫通孔が形成されて、中心部に逆洗装置９０の逆洗配管９２が貫通する。
例えば、微粉排出管円板状部材９６は、濾布８１の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、上から見て時計方向または反時計方向の一方の方向に向かってその上面からその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されて、中心部に逆洗装置９０の逆洗配管９２が貫通する。
例えば、微粉排出管円板状部材９６は、濾布８１の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、上から見て時計方向に向かってその上面からその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されて、中心部に逆洗装置９０の逆洗配管９２が貫通する。

高周波電圧印加手段９７は、濾布８１の内側と濾布８１の外側との間に高周波電圧を印加する手段である。
高周波電圧印加手段９７は、濾布８１の内側と濾布８１の外側との間に数万ボルト、数メガヘルツの高周波電圧を印加させてもよい。
高周波電圧印加手段９７は、逆洗装置９０を作用させるときに濾布８１の内側と濾布８１の外側との間に高周波電圧を印加してもよい。
高周波電圧印加手段９７は、逆洗配管９２から逆洗のための高圧ガスを吐出させるときに濾布８１の内側と濾布８１の外側との間に高周波電圧を印加してもよい。
例えば、高周波電圧印加手段９７は、濾布支持体に設けられた金属電極と吸込室８２に下げられたアンテナとを設け、金属電極とアンテナとに高周波電圧を印加する電気機器とで構成される。
例えば、高周波電圧印加手段９７は、濾布支持体に設けられた金網状の金属電極と吸込室８２に下げられたアンテナとを設け、金属電極とアンテナとに高周波電圧を印加する電気機器とで構成される。
アンテナは、金網を長尺の形状にしたものであってもい。
アンテナは、金属の棒状のものであってもよい。
アンテナが、複数の濾布支持体の間に設けられてもよい。
複数のアンテナが、複数の濾布支持体の間に各々に設けられてもよい。

次に、本発明の第一の実施形態にかかるガス処理設備の作用について説明する。

ガス処理装置１０へ流入したガスは、ガス吸込ライン２９を通って、外筒２５の内周面と冷却ジャケット２０の外周面との間を通って上昇する。この過程で、ガスは、冷却ジャケット２０内の冷却水と熱交換して冷却される。ガスは、外筒２５の内周面とガス旋回筒１６の間に至ると、ガス旋回筒１６の複数の開口１７、１７、・・・からガス旋回筒１６内に流入する。ガスは、この過程で、ガス旋回筒１６の各開口１７、１７、・・・に設けられている旋回羽根１８、１８、・・・で、時計回り又は反時計回りの旋回力が加えられる。ガス旋回筒１６内のガスは、旋回しつつ下方に向い、ガス旋回皿状板１３の貫通孔１４を通過して、円錐状内筒１１内に流入する。この過程でも、ガス旋回皿状板１３の貫通孔１４がガスの旋回方向に貫通しているため、ガスの旋回性が高まる。

ガス処理装置１０の円錐状内筒１１内には、ガスの他に、コンプレッサ４からの圧縮空気も噴出ノズル１９から供給される。圧縮空気は、この実施形態において、４．５〜７．０ｋｇ／ｃｍ２程度に調整されて、ガスの旋回方向に、噴出ノズル１９から円錐状内筒１１内に噴射される。従って、円錐状内筒１１内の圧力は高まると共に、円錐状内筒１１内のガスの旋回力も高まる。なお、一台のガス処理装置１０に供給される圧縮空気の量は、一台のガス処理装置１０に流入するガス量が約２２Ｎｍ３／ｍｉｎであるとすると、０．２５Ｎｍ３／ｍｉｎと、非常に僅かである。

円錐状内筒１１では、圧縮空気の流入により、特定の圧力まで上昇すると共に、特定の温度まで低下する。この温度低下は、圧縮空気の断熱膨張効果と、サイクロン固有の効果とによって生じる。さらに、円錐状内筒１１内の気体は、冷却ジャケット２０内の冷却水によっても冷却される。円錐状内筒１１内の圧力上昇と温度低下により、ガス中の気体汚染物質は液化して、ガス中の微粉状固体に吸着される。さらに、ガス中の気体汚染物質は、圧縮空気中の水分が凝縮して水になったものに溶け込み、この水がガス中の微粉状固体に吸着される。微粉状固体は、以上のように、圧縮空気中の水と液化した気体汚染物質とを吸着し、微粉状固体相互に付着し合い、比較的大きな塊に成ると共に重たくなって、気体汚染物質及び微粉状固体がほぼ除去されたガスと共に旋回しつつ下降して行く段階で、遠心力を受けて、ガスから分離される。

ここで、ガス中の気体汚染物質の除去メカニズムについて、窒素酸化物とダイオキシン類を例として以下に説明する。

大気汚染に関する公害物質のなかで、今日最も大きな問題とされているのは窒素酸化物とダイオキシン類である。

窒素酸化物である二酸化窒素ＮＯ2は、近年、光化学的“スモッグ”現象を誘発するものとして、また、特異な悪臭を放つものとして、特に問題となっている気体である。窒素酸化物は、石炭、石油等のような化石燃料の燃焼過程や、硝酸等を製造する化学工程において発生する。窒素化物の中で、一酸化窒素ＮОは前述した化石燃料の燃焼時に酸素と窒素が直接反応して生成され、二酸化窒素ＮО_２は一酸化窒素が再び酸化反応を起こして生成されるものである。このＮО_２は、冷却されると、二分子結合反応を起こし、無色の液状四酸化窒素（Ｎ_２О_４）に変化する。

その反応式は、２ＮＯ₂⇔Ｎ₂Ｏ₄＋Ｑ・・・・・・・・・・・・・（１）
となる。この反応は、可逆反応であり発熱反応で、温度が低下しても、圧力が増加しても、平衡反応式（１）は右側に進行して、ＮＯ₂は、液状の四酸化窒素Ｎ₂Ｏ₄に変化する。

このように、ＮＯ₂が液状のＮ₂Ｏ₄に変化した雰囲気中に、微粉状固体が存在すると、微量のＮ₂Ｏ₄でも、微粉状固体に吸着してしまい、この微粉状粒子と共に除去される。従って、この実施形態のように、ガス雰囲気の圧力が高められ、且つガスが冷却すると、ガス中の気体状汚染物質の多くは、液化し、微粉状固体に吸着されてしまう。なお、ガス中の気体状汚染物質の液化に関する詳細な内容については、日本分析化学会関東支部で発刊された“公害分析指針”の大気篇に記述されている。

ダイオキシン類は、二つのベンゼン環を二つの酸素原子で結んでいる塩素化ダイオキシンと、二つのベンゼン環を一つの酸素原子で結んでいる塩素化ジベンゾフランとの両方を合わせた総称である。このダイオキシン類は、ベトナム戦争で使用され、多数の奇形児を発生させた枯葉材に大量に含まれていたことで、知られるようになったもので、近年では、都市ゴミ焼却炉のガス中からも検出され、さらに、この焼却炉の近所に住んでいる母親の母乳からも検出されたことで大きな問題となっている。

ゴミ等の焼却過程でのダイオキシン類の生成は、焼却炉内おいて生成される場合と、焼却炉から排出されたガスの冷却過程で生成される場合とに分けられる。

焼却炉内では、ゴミ等の焼却初期段階で、大量の炭化水素（Ｃ_ｎＨ_ｍ）が発生し、これが空気と接触して炭酸ガスと水とに分解するのが通常であるが、これと空気との接触が悪いと、ダイオキシン類又はダイオキシン類に似た構造を持つ物質（前駆体）が生成されることになる。また、焼却炉内でダイオキシン類が生成されていなくても、ダイオキシン類の前駆体が生成されていれば、ガスの冷却過程で、塩化銅、塩化鉄、炭素等を触媒として、この前駆体がダイオキシン類に合成されることがある。特に、ガスの温度が３００℃付近では、この合成反応が起こりやすい。なお、約３００℃は、ダイオキシン類の融点でもある。

そこで、この実施形態では、ガスが大気に放出される前に、ダイオキシン類の合成温度である３００℃未満に、ガスの温度を下げ、前駆体をダイオキシン類に合成させてしまうと共に、合成されたダイオキシン類及びガス中に予め含まれていたダイオキシン類をほとんど微粉化して、これを捕集している。具体的に、この実施形態では、ボイラー１で発生した８００℃以上のガスを冷却器２で１２０℃程度まで下げ、さらに、ガス処理装置１０Ａ内の冷却ジャケット２０や、円筒状内筒１１内での断熱膨張等で、円筒状内筒１１内でのガス温度を７０℃程度にまで下げている。この結果、円筒状内筒１１内では、ガス中のダイオキシン類は、そのほとんどが微粉化される。微粉化したダイオキシン類は、前述したように、圧縮空気中の水と液化した気体汚染物質と吸着し、微粉状固体相互に付着し合い、比較的大きな塊と成って、気体汚染物質及び微粉状固体がほぼ除去されたガスと共に旋回しつつ下降して行く段階で、遠心力を受けて、ガスから分離される。

ガス中の気体汚染物質の除去過程で、重要なものは、旋回流形成手段であるガス旋回筒１６及びガス旋回皿状板１３と、冷却ジャケット２０である。

ガス旋回筒１６及びガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１内のガスの旋回性を高めることで、ガス中の微粉状固体を遠心力で分離する効果を高めていると共に、ガスの冷却効果も高めている。ガスの冷却効果の向上は、以下のようなメカニズムである。円錐状内筒１１内で旋回流が形成されると、円錐状内筒１１の中心軸近傍の圧力が小さくなり、円錐状内筒１１の外周側の圧力が高まる。従って、円錐状内筒１１内のガスの旋回性が高められると、円錐状内筒１１の中心軸近傍と外周側との圧力格差がさらに大きくなる。このため、ガス旋回筒１６及びガス旋回皿状板１３で、円錐状内筒１１内のガスの旋回性が高められると、圧縮空気が旋回しつつ円錐状内筒１１の中心軸に近づく過程での、圧縮空気の断熱膨脹率が高まって、ガスの冷却効果も高められる。なお、ガス旋回筒１６及びガス旋回皿状板１３は、円錐状内筒１１内のガスの旋回性を高める役割の他に、ガス旋回筒１６及びガス旋回皿状板１３のそれぞれの下流側の圧力が何らかの原因で高まってきて、ガスが逆流するのを防ぐ役割も担っている。

また、冷却ジャケット２０も、ガスを冷却している。この冷却ジャケット２０は、外筒２５とジャケット２０との間を通過しているガスのみならず、円錐状内筒１１内を通過しているガスも冷却している、言い替えると、ガス処理装置１０に流入した直後のガスとガス処理装置１０から流出する直前のガスとを冷却しており、効率よくガスを冷却している。なお、円錐状内筒１１内でのガスの温度は、冷却水供給配管２１ａ及び冷却水排水配管２１ｂに設けられている流量調節弁２２ａ，２２ｂの弁開度を調節して、冷却ジャケット２０に供給される冷却水量を制御することで、調整する。

ダイオキシン類を含む微粉状固体は、以上のように、圧縮空気中の水と液化した気体汚染物質とを吸着し、微粉状固体相互に付着し合い、比較的大きな塊と成って、気体汚染物質及び微粉状固体がほぼ除去されたガスと共に、円錐状内筒１１の排出口１２から微粉排出管５９を経て、バグフィルタ式処理装置８０の吸込室８２内に送られる。

バグフィルタ式処理装置８０の吸込室８２に送られるガス等のうち、比較的大きな微粉は、そのまま落下し、ケーシング８５の下部に設けられているスクリュー８９によって、微粉排出口８６から排出される。また、ガス中に浮遊している比較的小さな微粉は、ガスが濾布の外周側から内周側へ通過する過程で、濾布８１に捕集される。濾布８１を通過したガスは、濾布８１の上部開口から排気室８３に至り、排気室８３から排気口８８を経て、大気中に排気される。

濾布８１の外周に微粉が付着し、濾布８１の外周側と内周側との差圧が大きくなると、逆洗装置９０から濾布８１の内周側へ圧縮空気が送られ、濾布８１の外周に付着していた微粉が払い落される。この微粉は、ケーシング８５の下部に設けられている微粉排出口８６から排出される。なお、この実施形態では、逆洗装置９０から圧縮空気で濾布に付着した微粉を払い落すようにしているが、この逆洗装置９０の換わりに、濾布８１を振動させるバイブレータを設けてもよい。

以上のように、この実施形態におけるガス処理設備では、別途大きな化学設備を設けずとも、ガス中の気体及び微粉状固体の汚染物質を除去することができるので、ランニングコストおよび製造コストを削減することができる。

また、このガス処理設備では、円錐状内筒１１内のガス中の微粉状固体は、液化した気体汚染物質や圧縮空気中の水を吸着し、次第に湿ってくるため、微粉状固体相互が付着し合う。従って、かなり粒径の小さい微粉状固体であっても、次第に大きな粒径になるので、単なるサイクロンによる微粉状固体分離よりも、粒径の小さい微粉状固体を分離することができる。また、ガス式処理装置１０を通過した後、微粉は、濾布８１で捕集される。 ここで注目すべき点は、ガス処理装置１０を出た微粉が僅かに湿っているため、濾布８１に付着し易く、同径の微粉で乾いているものよりも、遥かに捕集効率が高くなることである。従って、微粉等の除去効率を高めることができる。

以上、本発明の第一の実施形態では、ガス発生源としてボイラーを例示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、ガスを発生するものであれば、例えば、船舶や車両等のディーゼルエンジン、化学プラントの反応器、ゴミ焼却炉などに適用してもよい。

また、以上の実施形態では、ガス発生源に対して、一台のガス処理装置を設けたが、ガス中の有害物除去の能力を高めるために、さらに多数のガス処理装置を直列的に設けてもよい。また、ガスの処理量を多くするために、ガス発生源に対して、複数のガス処理装置を並列的に設けてもよい。

本発明によれば、円錐状内筒内でガスの圧力を高めると共に冷却することで、ガス中の気体汚染物質を液化し、これをガス中の微粉状固体に吸着させ、この微粉状固体をバグフィルタに吸着させるので、別途、化学設備を設けずとも、ガス中の気体及び微粉状固体の汚染物質を除去することができ、ランニングコストおよび製造コストを削減することができる。

特に、本発明では、円錐状内筒内でガス中の微粉を湿らせているので、円錐状内筒の下流側に設けた濾布による微粉状固体の捕集効率が高められる。

次ぎに、本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置を、図を基に、説明する。
図１１は、本発明の第二の実施形態に係るガス処理設備の斜視図である。図１２は、本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置の正面断面図である。図１３は、本発明の第二の実施形態に係るスクリーンフィルタ処理装置の斜視図である。図１４は、本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置のＥ−Ｅ断面図である。図１５は、本発明の第二の実施形態に係るガス処理装置のＦ−Ｆ断面図である。

この実施形態におけるガス処理設備は、ガスを処理する装置である。ガスは、ボイラーから排気される高温のガス中であってもよい。ガス中には、ダイオキシン類やＮＯｘやＳＯｘなど気体状態で存在する大気汚染物質の他に、粉塵などの固体状態で存在する物質を含んでいる。
ガスは、放射性物質を含むものであってもよい。ガスは、放射能汚染された物質を焼却して排気されるガスであってもよい。
ガスは、前処理としてサイクロン式処理装置で処理されたものであってもよい。

この実施形態におけるガス処理設備は、ガスを冷却する冷却手段である冷却器と、この冷却器で冷却されたガスを処理するガス処理設備とで構成されてもよい。
ガス処理設備は、ガス処理装置１０と微粉排出管５９と微粉分散室３０とスクリーンフィルタ式処理装置４０と微粉案内管６０とバグフィルタ式処理装置８０とで構成されてもよい。

ガス処理装置１０は、圧縮気体供給手段とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と圧縮空気分配手段とケーシング２８とで構成されてもよい。

ガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と外筒２５の基本構造は、第一の実施形態にかかるガス処理装置のものと同じなので説明を省略する。

圧縮空気分配手段は、圧縮ガスを複数の噴出ノズル１９へ分配する手段である。
圧縮空気分配手段は、コンプレッサからの圧縮空気を複数の噴出ノズル１９へ分配してもよい。
圧縮空気分配手段は、圧縮空気分配器２７と水抜きライン２７ｃとで構成される。
例えば、圧縮空気分配器２７は、外筒２５の上部に設けられる。
水抜きライン２７ｃは、圧縮空気分配器２７に溜まった液体を抜くラインである。
コンプレッサから伸びている圧縮空気供給配管５８が、圧縮空気分配器２７に接続されている。
例えば、圧縮空気分配器２７には、７つの噴出ノズル１９、１９、・・・が設けられている。噴出ノズル１９の先端部は、この先端部から噴射される圧縮空気が、円錐状内筒１１の上部内周面に沿い、円錐状内筒１１の中心軸Ｃを中心として上から見て時計回り方向に旋回するよう、曲げられている。
例えば、圧縮空気分配器２７には、７つの第一噴出ノズル１９ａ、１９ａ、・・・、とい７つの第二噴射ノズル１９ｂ、１９ｂ・・・・とが各々に設けられている。

微粉排出管５９は、円錐状内筒１１の排出口１２から排出された微粉を含むガスを後述する微粉分散室３０を経てスクリーンフィルタ式処理装置４０へ案内する管である。
微粉排出管５９は、パイプであって一方の端部を排出口に連通する。
例えば、微粉排出管５９は、垂直に延びるパイプであって上方の端部を排出口に連通し、下方の端部を微粉分散室３０に連通する。

微粉分散室３０は、微粉排出管５９から排出された微粉を含む流れを分散してスクリーンフィルタ式処理装置２０に供給する部屋である。
微粉分散室３０は、ガス処理装置の下方に配置される。
微粉分散室３０は、上部を外筒中蓋２６ｂで仕切られる。
微粉排出管５９の下端が外筒中蓋２６ｂを貫通する。
微粉分散室３０は、微粉分散板３１と微粉案内板３２とで構成される。
微粉分散板３１は、頂点を微粉排出管５９の下方の端部に向けて位置する円錐状の板部材である。

微粉案内板３２は、微粉分散板３１で分散された微粉を含む流れを下方に位置するスクリーンフィルタ式処理装置４０に案内する板である。
微粉案内板３２は、微粉分散室３０とスクリーンフィルタ式処理装置４０との間を間仕切る様に配された多くの貫通穴を形成された板である。
微粉排出管５９から排出された微粉は、微粉分散板３１により分散され、微粉案内板３２に形成された多数の貫通穴を通過してスクリーンフィルタ式処理装置４０へ落ちる。
図１４は、微粉分散室３０の内部を上から見た様子を示す。

微粉案内板３２は、微粉分散室３０とスクリーンフィルタ式処理装置４０との間を間仕切る様に配され、ガスを旋回させる方向に向かってその上面からその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されていてもよい。
例えば、微粉案内板３２は、その上面から下面に複数の貫通孔が形成されている。
例えば、貫通孔は、微粉排出管５９の中心軸Ｃを中心として、スパイラル状に描いた線分上に形成されている。
例えば、貫通孔は、ここを通過したガスが上から見て時計回り方向の旋回流となるよう、微粉案内板３２の上面から下面に斜めで、且つ中心軸Ｃを中心として時計回り方向に貫通している。
図１４の下図は、微粉案内板３２に形成される１個の貫通穴の断面形状を示す。
例えば、微粉案内板３２に形成される貫通穴は、下方に向かうに従い斜めに傾斜するヒレ状の突起を形成される。
微粉を含むガスは、微粉案内板３２に形成される貫通穴に案内されて、下方に設けられるスクリーンフィルタ式処理装置４０に導入される。

スクリーンフィルタ式処理装置４０は、微粉を含む流れをスクリーン状の部材に通して微粉を分級する装置である。
スクリーンフィルタ式処理装置４０は、微粉分散室３０の下方に配される。
スクリーンフィルタ式処理装置４０は 吸着ペーパー４１と供給ロール軸４２と巻き取りロール軸４３と薬液供給装置４４とで構成される。
吸着ペーパー４１は、微粉を吸着させるシート状部材である。
例えば、吸着ペーパー４１は、粉末活性炭が付着されている。
流れが吸着ペーパ４１を通る過程で、流れに含まれていた微粉（ダイオキシン類を含む）が吸着ペーパ４１に捕集される。
吸着ペーパには、薬液供給装置５０から供給されたアンモニアが付着していてもよい。 ガス処理装置１０内で液化されなかったＮＯｘは、この吸着ペーパー４１を通る過程で、窒素と水に分解する。
また、脱硝率を高めるために、この吸着ペーパー４１に、ＮＯｘとアンモニアとの反応を促進する触媒を予め付着させておいてもよい。
吸着ぺーパー４１は、紙、樹脂性濾布、その他でできている。
供給ロール軸４２に巻かれた吸着ペーパー４１は、巻き取りロール軸４３に巻き取られる。
吸着ペーパー４１が目詰まりしない様に、供給ロール軸４２から新たな吸着ペーパ４１が流れの中に供給される。
薬液供給装置４４は、吸着ペーパー４１に薬液を供給する装置である。
薬液供給装置４４は、吸着ペーパー４１に微粉状の触媒を供給する装置であってもよい。微粉状の触媒は、吸着ペーパー４１に取り込まれた微粉の化学分解を促進させる触媒である。
薬液供給装置４４は、吸着ペーパー４１に微粉を捕捉する薬液を供給してもよい。
薬液供給装置４４は、吸着ペーパー４１に微粉を分解する薬液を供給してもよい。
例えば、薬液供給装置４４は、吸着ペーパー４１にアンモニアを供給する。

微粉案内管６０は、スクリーンフィルタ式処理装置４０を通過した微粉を含む流れをバスフィルタ式処理装置に案内する配管である。
例えば、微粉案内管６０は、バグフィルタ式処理装置８０の排気室８３を貫通して配される配管である。
多数の微粉案内管６０が、外筒底蓋２６Ｃと仕切り板８４を貫通する。
スクリーンフィルタ式処理装置４０を通過した微粉を含む流れは、微粉案内管６０を通過して、吸込室８２に案内される。

ケーシング２８は、円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６とスクリーンフィルタ式処理装置８０とを覆う部材である。
ケーシング２８は、外筒２５と外筒上蓋２６ａと外筒中蓋２６ｂと外筒底蓋２６ｃとで構成される。
外筒２５は、冷却ジャケット２０が取り付けられている円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６の外周を覆ってもよい。
外套上蓋２６ａが、外筒２５の上部を塞ぐ。外套上蓋２６ａは、外筒２５の上部開口を塞いでいる。
吸気口２９ａが、外筒２５に形成される。
例えば、この吸気口２９ａには、冷却器及び送風ファンを介して、ボイラーから伸びているガスダクト５が接続されている。
外筒中部２６ｃが、外筒２５の中間を間仕切る。
外筒底部２６ｃが、外筒２５の下部を塞ぐ。
微粉排出管５９が外筒中部２６ｂを貫く。
微粉案内管６０が外筒底部２６ｃを貫く。
図１１は、外筒１５と外筒上蓋２６ａと外筒中蓋２６ｂとが、冷却ジャケット２０が取り付けられている円錐状内筒１１及びガス旋回筒１６の周囲を覆う様子を示す。
図１１は、該当１５と外筒中蓋２６ｂと外筒底蓋２６ｃとがスクリーンフィルタ式処理装置８０の周囲を覆う様子を示す。

バグフィルタ式処理装置８０の構造は、第一の実施形態にかかるガス処理設備のものと同じなので説明を省略する。

次に、本発明の第二の実施形態にかかるガス処理設備の作用について説明する。

ガス処理装置１０へ流入したガスは、ガス吸込ライン２９を通って、外筒２５の内周面と冷却ジャケット２０の外周面との間を通って行く。この過程で、ガスは、冷却ジャケット２０内の冷却水と熱交換して冷却される。ガスは、外筒２５の内周面とガス旋回筒１６の間に至ると、ガス旋回筒１６の複数の開口１７、１７、・・・からガス旋回筒１６内に流入する。ガスは、この過程で、ガス旋回筒１６の各開口１７、１７、・・・に設けられている旋回羽根１８、１８、・・・で、時計回り方向の旋回力が加えられる。ガス旋回筒１６内のガスは、時計回りに旋回しつつ下方に向い、ガス旋回皿状板１３の貫通孔１４を通過して、円錐状内筒１１内に流入する。この過程でも、ガス旋回皿状板１３の貫通孔１４がガスの旋回方向に貫通しているため、ガスの旋回性が高まる。

ガス処理装置１０の円錐状内筒１１内には、ガスの他に、コンプレッサ４からの圧縮空気も噴出ノズル１９から供給される。圧縮空気は、この実施形態において、４．５〜７．０ｋｇ／ｃｍ２程度に調整されて、ガスの旋回方向に、噴出ノズル１９から円錐状内筒１１内に噴射される。従って、円錐状内筒１１内の圧力は高まると共に、円錐状内筒１１内のガスの旋回力も高まる。なお、一台のガス処理装置１０に供給される圧縮空気の量は、一台のガス処理装置１０に流入するガス量が約２２Ｎｍ３／ｍｉｎであるとすると、０．２５Ｎｍ３／ｍｉｎと、非常に僅かである。

円錐状内筒１１では、圧縮空気の流入により、特定の圧力まで上昇すると共に、特定の温度まで低下する。この温度低下は、圧縮空気の断熱膨張効果と、サイクロン固有の効果とによって生じている。さらに、円錐状内筒１１内の気体は、冷却ジャケット２０内の冷却水によっても冷却される。円錐状内筒１１内の圧力上昇と温度低下により、ガス中の気体汚染物質は液化して、ガス中の微粉状固体に吸着される。さらに、ガス中の気体汚染物質は、圧縮空気中の水分が凝縮して水になったものに溶け込み、この水がガス中の微粉状固体に吸着される。微粉状固体は、以上のように、圧縮空気中の水と液化した気体汚染物質とを吸着し、微粉状固体相互に付着し合い、比較的大きな塊に成ると共に重たくなって、気体汚染物質及び微粉状固体がほぼ除去されたガスと共に旋回しつつ下降して行く段階で、遠心力を受けて、ガスから分離される。

ガス中の気体汚染物質の除去メカニズムは、第一の実施形態にかかるガス処理装置のものと同じなので、説明を省略する。

ガス処理装置１０を通過した微粉は、スクリーンフィルタ式処理装置４０とバグフィルタ式処理装置８０とで捕集される。
ガス処理装置１０を出た微粉が僅かに湿っているため、濾布８１に付着し易く、同径の微粉で乾いているものよりも、遥かに捕集効率が高くなることである。従って、微粉等の除去効率を高めることができる。

次ぎに、本発明の第三の実施形態に係るガス処理装置を、図を基に、説明する。
図１６は、本発明の第三の実施形態に係るガス処理装置の斜視図である。
図１６は、他の実施形態の図では省略したガス発生源を図示する。

以下に、ガス発生源の一例を簡単に説明する。
例えば、ガス発生源は、ボイラー１と冷却器２と送風ファン３と連通管５とで構成される。
ボイラー１は、内部で重油やその他の可燃性物質を燃焼させる機器である、
冷却器２は、ボイラー１で発生したガスを冷却する機器である。
送風ファン３は、この冷却器２で冷却された排気ガスをガス処理装置に送風する送風器である。
連通管５は、ボイラー１で発生したガスを冷却器２と送風ファン３を介してガス処理装置１０へ導く配管である。
冷却器で冷却されたガスは、微粉を含む。
例えば、微粉はいわゆるＰＭ２．５である。
例えば、微粉は放射性セシウムを含むものである。
例えば、冷却器で冷却されたガスは、気化した物質を含む。
例えば、冷却器で冷却されたガスは、液状の物質を含む。

ガス処理設備は、ガス処理装置１０と微粉排出管５９と微粉分散室３０とスクリーンフィルタ式処理装置４０と微粉案内管６０とバグフィルタ式処理装置８０と液循環装置とで構成されてもよい。

ガス処理装置１０は、圧縮気体供給手段４とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と圧縮空気分配手段とケーシング２８とで構成されてもよい。

圧縮気体供給手段４とガス旋回筒１６と円錐状内筒１１と旋回流形成手段と噴射手段と冷却手段と外筒２５の基本構造は、第一の実施形態にかかるガス処理装置のものと同じなので説明を省略する。

微粉案内管６０とバグフィルタ式処理装置８０とは、第二の実施形態にかかるガス処理装置のものと同じなので、説明を省略する。

液循環装置は、スクリーンフィルタ式処理装置４０から排出されスクリュー８９に集まった液を捕集し循環する装置である。
液循環装置は、下部コーン型タンク６１と液体循環ポンプとで構成される。
下部コーン型タンク６１は、スクリュー９０に集まった液を一時的に溜めるタンクである。下部コーン型タンク６１の下部には内部に溜まったスラッジを排出するスラッジ排出口が形成される。
下部コーン型タンク６１に溜まった液は、ＰＨを調整されて、液体循環ポンプにより送られる。
例えば、液体循環ポンプは、液を排気ガス旋回筒１６に送る。

第三の実施形態に係るガス処理装置の作用は、第二の実施形態かかるガス処理装置の作用と同じなので、説明を省略する。

次に、本発明の第四の実施形態に係るガス処理装置１０を、図を基に、説明する。
図１７は、本発明の第四の実施形態に係るガス処理装置の側面断面図である。

第四の実施形態に係るガス処理装置は、圧縮気体供給手段４と複数のガス旋回筒１６と複数の円錐状内筒１１と複数の旋回流形成手段と複数の噴射手段と複数の冷却手段と複数の圧縮空気分配手段とケーシング２８とで構成されてもよい。
複数のガス旋回筒１６と複数の円錐状内筒１１と複数の旋回流形成手段と複数の噴射手段と複数の冷却手段と複数の圧縮空気分配手段と複数のバグフィルタ式処理装置８０とが一つのケーシングに内蔵される。

本発明の第四の実施形態に係るガス処理装置１０の作用は、前述のガス処理装置の作用と同じなので、説明を省略する。

以下に、本発明の実施形態に係るガス処理装置のガス処理メカニズムを詳述する。

ガス旋回皿状板は、上部から送りこまれてきたガスを流形上部の貫通穴を仮想の2本線に沿って渦状に形成され、順次排出されるガス流が大口から縮小口に貫通するよう形成されている。穴のガス排出口にヘラ状の突起を付けガスの旋回の角度を設定することによりガスは抵抗なく回転羽に従って安定して渦流をつくり激化した粒子同士が激突し効率よく吸着を高める。
ガス旋回皿状板は、部材に加工を加えた皿状の板である。
単独のガス旋回皿状板の円形の中心を摩擦抵抗の少ないもので支え、ガス旋回皿状板の下から熱すると、大から小貫通穴から排ガスを通過させると熱しられた空気の流れに沿って回転する。羽と羽の向き方向を調整することにより加速を推進し安定した渦流を形成するガス旋回皿状板を選択することができる。

渦流回転の抵抗を抑え気体を通過可能な多数の激突羽を二段階に設け高圧の空気ノズルの瞬間摩擦力と回転羽根の激突で微粒子分離と粘着率を高めるために特殊ノズルを２段にしてケーシング内に流れ込む圧力を高め激突し一定の圧力を維持でき微粒子粉塵中のＰＭ２．５はケーシング内で粘着率を増進通過可能となる。

化学平術の移動の方向濃度・圧力・温度濃度を増加（滅少）すると濃度が滅少する方向に反応が起きる新しい平術にする左右に反応が起きる圧力を増すと圧力が（滅少）する方向に反応が起こる（左右への反応が）新しい平術に達する（左右に）達する。
温度２ＮО_２ｆ生成反応は濃度の高くすると吸収する方向に平術は左に移動温度を低くすると発熱する方向に右移動する（発熱反応）。

ケイシング内は圧縮気体の流入により、圧力が上昇すると共に、圧縮気体の断熱膨張で温度が低下する。このため、ケーシング内に流れ流入した排気ガスの中気体の汚染物質の一部は、圧力の上昇と濃度低下により、気体に変化する。液体に成り大気汚染は、これが円錐状筒内渦流の中で微粉状固体の汚染物質と激突して、これに吸着する。この微粉状固体は、遠心力の作用により、除去されすなわち、気体の汚染物質は、微粉状固体が重なり吸着したかたちで、微粉状固体はフィルターで処理され、排気ガスから除去され排出口から排出される。

国際特許3135519号公開に記載されている排気ガス除去装置は、比較的簡単な設備で固体状態で存在する公害物質と気体状態で存在する大気汚染物質等が混存する排気ガスを効率よく処理することができ製造コスト及びランニングコストが嵩まず非常に優れた物であると言えよう

しかしながら、ＰＭ２．５の様な微粒子が高温度燃焼が進むと灰塵から出る量が増加している現状です、また東北震災での放射能の草木中のセシュウム処理が進まず山積です。これらの要望に応えるべき固体状態で存在する。公害物質と気体状態で存在する大気汚染物質とう混存する、排気ガスは比較的簡易な装置で、効率よく処理することができる排気ガス処理装置、及びこれを備えている排気ガス処理装置を提供することを目的とする。

第一乃至第四の排気ガス処理設備は、下方に向かうにつれて縮径され、その上部に排気ガスを取り入れる上部開口が形成されていると共に、その下部に内部を通過した排気ガスの構成物質を排出する下部開口が形成されている中空の円錐状筒と、円錐状筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状筒の中心軸を中心として旋回する方向に、圧縮気体を噴出する噴出ノズルと、噴出ノズルに圧縮気体を供給する圧縮気体供給手段を設けている。一つの圧力タンクから二段階の位置に短長のノズルを使用している。

冷却手段は、円錐状筒の外周面を覆い、該円錐状筒の該外周面との間に冷媒が供給される冷却ジャケットと、冷却ジャケット内に冷媒を供給する冷媒供給手段と、冷媒ジャケット内から冷媒を排出する冷媒排出手段と、を有している。

円錐状筒の下部開口からの排出物が入り込み、上部に排気ガス中の気体成分の圧力を調整する排気口が形成され、下部に排気ガス中の微粉状固体を排出する排出口が形成されている

第二乃至第三の実施形態にかかるガス処理設備は、ケーシング内の気体流路中に配され、気体が通過可能な多数の微細な孔を有するシートと、を備えている。

第一乃至第四のガス処理装置は、排気ガスを処理する。排気ガス発生源から円錐状筒内に該排気ガスが入り込む装置を処理数に合わせて、処理できる。

第一乃至第四の実施形態に係るガス処理設備は、円錐状筒の中心軸を中心として排気ガスを旋回させて、排気ガスを円錐状筒の上部開口から円錐状筒内に送り込む旋回流形成手段を備えている。

旋回流形成手段は、円錐状筒の上端に設置され、中空円筒状を成し、その側周に中空円筒内に排ガスを取り入れる開口が形成され、開口から中空円筒内に流入した排気ガスを旋回させる旋回羽根が該開口の縁に取り付けられている排気ガス旋回筒を有している。

旋回流形成手段は、円錐状筒の上端に設置され、円錐状筒の中心軸に近づくに連れて次第に下方に突出して行く皿状を成し、その上面から、前排気ガスを旋回させる方向に向かってその下面に貫通している複数の貫通孔が形成されている排気ガス旋回皿状板を有している。

第二乃至第四の実施形態に係るガス処理設備のシートは、帯状を成しているスクリーンフィルタであり.、スクリーンフィルタが巻き付いている供給ロール軸と、スクリーンフィルタが巻き付く巻取りロール軸と、巻取ロール軸を回転させる巻取り機構と、を備え、供給ロール軸と巻取ロール軸とは、供給ロール軸から供給され巻取ロール軸に巻き付く前のスクリーンフィルタが、ケーシング内の気体流路中に位置するよう、配されていることを特徴とするものである。

微粒子は比較的小さな物質ＰＭ２．５などのをスクリーンフィルタの表面に吸着し残流した微粒子及びＰＭ２．５の様な超微粒子を捉えるための処理新手段としてもうけ此処を通過した微粒子を後方のバックフィルターで排ガス微粉処理する。

スクリーンフィルタは排ガス処理すると水分が濃縮して、特に有害物質が気体状態化して固体状の表面に吸着する、混ん存する多種の物質なのと形成された微粒子はスクリーンフィルタ表面に吸着し巻き取られて処理されるスクリリーンフィルタは、最も吸着効率の良い物トイレットペーパに糸を加えて耐久を持たしたもので良い低価額で処理しやすい。

第一乃至第四の実施形態に係るガス処理設備は、ノズルを複数備えていることを特徴とし、微粒子は十分拡大し除去しやすい状態である。

スクリーンフィルタには、排気ガス中の特定成分を吸着する物質と該特定成分と反応する物質と特定成分の反応を促進する物質のうち、少なくとも一つ吸着している。

第一乃至第四の実施形態に係るガス処理設備は、排気ガス発生源から排気ガスを冷却する冷却手段と冷却された排気ガスを上流側排気ガス処理装置に送り込む手段とを備える。

直接真下に向かい排出されたガスを排気ガスを旋回する方向に向かってその下面に通ずる複数の貫通孔が形成され排気ガスが平均広い範囲にスクリーンフィルター表面に吸着するような貫通皿が形成される特徴とするものである。

スクリーンフィルタが巻き付いている供給ロール軸と、スクリーンフィルタが巻取りロール軸と、巻き取り軸ロールぺーパ備えていることを特徴とするものである。ロール軸で巻き取るスクリーンフィルタが設けられている。

ケーシングの下部には、排気ガス及び圧縮中の水分と化学物質が濃縮された微粒子を吸着するよう形成されたシート帯状を成しているスクリーンフィルタを設けることにより水滴吸収に役立ち排出口に背圧が生じてもガスの流れを乱さないでドレン処理が不必要となりコストが軽減された。

下流側にＰＴＦＥ製の濾布バクフィルタ式処理装置を二段方式で処理する。

複数の貫通孔が形成される円板状部材である二つのガス旋回皿状板を下方に向うにつれて縮径し下部に排を形成され円錐状内筒の上端に処理量に合わせ、数に態様、同じケーシング内でより多く排ガスを処理できる

燃焼時に発生する、微粒子処理は微粉塵状固体の汚染物質と気体大気汚染物質が混存する排気ガス中の微粒子を効率よくスクリーンフィルタの表面に吸着する様、該排気ガスを旋回させる旋回羽根が該開口の縁に取り付けられている排気ガス旋回筒を有していることを特徴とし比較的簡易な装置で効率よく処理できる。

スクリーンフィルタが、ケーシング内の気体流路中に位置するよう、配されていることを特徴とするものである。粒子は比較的小さな物質粒子をスクリーンフィルタの表面に吸着し残流した微粒子及びＰＭ２．５の様な超微粒子を捉えるための処理新手段としてもうけ此処を通過した微粒子を後方のバックフィルターの摩耗を防止するガス処理装置で排ガス微粉処理を特徴とする。

シートは、帯状を成しているスクリーンフィルタである。シートは、帯状を成しているスクリーンフィルタである。

粘着率を増進するため水分粘着率を増進するため水分調整を比較的簡易に処理することで、圧力上昇と温度低下により、ガス中の気体汚染物質は液化して、ガス中の微粉状固体に吸着される。

水滴が固形物の粘土濃度か吸着率を決定つける。排ガス中の微粉固体に吸着される、以上ように、圧縮空気中の水滴と液化した気体汚染物質を吸着し微粉状固体相互に付着しあい、比較的大きな塊に成ると共に重たくなって気体汚染物質及び微粉状固体がほぼ除去されたガスと共に旋回しつつ下降してゆく段階で遠心力を受けてガスから分離され水分が吸着されるので圧縮空気の流入により、とくていの圧力まで上昇すると共に、特定の温度まで低下する。温度低下により空気の断熱膨張効果とサイクロン固有の効果とによって生じている。さらに、円錐状内航内の気体は、冷却ジャケット内の冷却される。円錐状内筒の圧力上昇と温度低下により、ガス中の気体汚染物質は液化して、ガス中の微粉状固体に吸着され残された液体はロールペーパに吸着される。

一般廃棄物処理ＳОＸ・塩化水素・ダイオキシン・シアン系（重金属）類資・ヒ素・等そのほか問題化されている。最近は燃焼が高温度化されＰＭ２．５の様な微粒子が大量排出され人体に影響が出て新たに規制の一科目に増加される。
本発明の実施形態にかかるガス処理設備はこれらの微粒子の処理にすぐれた効果を発揮する。

特定化学物質対象物質に、塩素化ジベンゾフラン・（ＰＣＤＤ）・ベンゼン・スチレン・ホルムアルデヒド・シアン化合物・有機リン・クロム・トリクロロエチレン・（ＨＣＮ）・すず・水銀・鉛・ヒ素・カドニウム・放射能中セシウム、等がある。
環境庁・通産省が共同で２００２年４月から特定の化学物質（ＰＲＴＲ）法第１種特定化学物質についてはＭＳＤＳの対処となる化学物質３５４種類化合物名では約５００種類といわれている。

さらに、本発明の実施形態にかかるガス処理設備はセシウム処理にもすぐれた効果を発揮する。
瓦礫・草花・山の揚土・土の処理・燃焼炉で焼き排ガスと混合するセシウムを、本ガス処理設備で処理できる。処理後は量が１０００分の１に縮小され、安全性を確保し鉛容器に入れて保管する。微粒子と燃焼灰も同じく処理できる。

セシュウム単体処理ではなく草木・土壌・揚土を燃焼処理で処理燃焼時に酸素窒素直接反応して精製され二酸化窒素２ＮО_２Ｎ_２О_２の反応式どうり平術状態にある時ＮО_２濃度を増すとＮО_２濃度が滅少する方向に反応が起きて新しい平術に達する炭素元素微粒子を個体の窒素その他高分子中の化学物質を固形物化する固形物の濃度設定が重要であり微秒な水滴調整のためボルテクス原理を応用して温度差を作り微秒な水滴を得ることができ濃度設定及び瞬間的撹拌が可能となった。

以上説明したように、本発明の実施形態に係るガス処理設備は、その構成により、以下の効果を有する。
複数の貫通孔が形成される円板状部材であるガス旋回皿状板１３を下方に向うにつれ縮径し下部に排出口１２を形成される円錐状内筒１１の上端に設置し、噴射ノズル１９が円錐状内筒１１の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒１１の上部に送り込まれてきたガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する様にしたので、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒１１の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口１２から排出でき、排出口１２に背圧が生じてもガスの流れを乱さない。
また、複数の貫通孔が形成される円板状部材である２つのガス旋回皿状板１３を下方に向うにつれ縮径し下部に排出口１２を形成される円錐状内筒１１の上端に設置する様にしたので、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒１１の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口１２から排出でき、排出口１２に背圧が生じてもガスの流れを乱さない。
また、第一噴射ノズル１９ａが少なくとも２つのガス旋回皿状板１３に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出する様にしたので、２つのガス旋回皿状板１３に挟まれた隙間に入ったガスを円錐状内筒１１に沿って旋回させる。
また、第二噴射ノズル１９ｂが、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３の下の空間に圧縮ガスを噴出する様にしたので、少なくとも２つのガス旋回皿状板１３を通過したガスを円錐状内筒に沿って旋回させる。
複数の貫通孔が形成される円板状部材であるガス旋回皿状板１３を下方に向うにつれ縮径し下部に排出口１２を形成される円錐状内筒１１の上端に設置し、噴射ノズル１９が円錐状内筒１１の上部内周面に沿い且つ該円錐状内筒１１の上部に送り込まれてきたガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する様にしたので、ガス中の液状または固体の物質を円錐状内筒１１の内壁で旋回させつつ固化させて下端の排出口１２から排出でき、排出口１２に背圧が生じても円錐状内筒でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、複数の貫通穴を形成されている微粉排出管円板状部材９５を上方の端部を排出口に連通する微粉排出管５９の流れを遮る様に設ける様にしたので、微粉排出管５９の下方の端部に背圧が生じても排出口でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、微粉排出管５９がケーシング２８を上から貫通し下方の端部を吸込室８２の内部に位置し、吸込室と排気室を仕切る仕切り板８４の開口に袋状の濾布８１の開口を連通する様にしたので、排ガス処理装置で処理されたガス中の微粉を濾布で濾すことをできる。
また、複数の貫通穴が形成される濾布開口円板状部材９６を濾布８１の開口に設ける様にしたので、背圧が排気室８３に生じても吸込室８２でのガスの流れの乱れを抑制できる。
また、濾布８１の内側と外側とに高周波電圧を印加する様にしたので、吸込室８２にガスの流れの乱れが生じても、微粉の逆流を抑制できる。
その結果、ガス中に含まれる微粒子を効率良く捕捉でき、またガス中に含まれる微粒子を効率よく分離できる。
例えば、ガス中に含まれる有毒な微粒子を効率よく捕捉でき、また、ガス中に含まれる有毒な微粒子を効率よく分離できる。
例えば、ガス中に含まれる放射性物質の微粒子を効率よく捕捉でき、また、ガス中に含まれる放射性物質の微粒子を効率よく分離できる。

本発明は以上に述べた実施形態に限られるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変更が可能である。

１ ボイラー
２ 冷却器
３ 送風ブロアー
５ 連通管
１０ ガス処理装置
１１ 円錐状内筒
１２ 排出口
１３ ガス旋回皿状板
１４ 貫通孔
１６ ガス旋回筒
１７ 開口
１８ 旋回羽根
１９ 噴出ノズル
１９ａ 第一噴射ノズル
１９ｂ 第二噴射ノズル
２０ 冷却ジャケット（冷却手段）
２１ａ 冷却水供給配管
２１ｂ 冷却水排水配管
２２ａ 流量調節弁
２２ｂ 流量調節弁
２３ａ 温度計
２３ｂ 温度計
２５ 外筒、
２６ａ 外筒上蓋
２６ｂ 外筒中蓋
２６ｃ 外筒底蓋
２７ 圧縮空気分配器
２７ａ 第一圧縮空気分配器
２７ｂ 第二圧縮空気分配器
２７ｃ 水抜きライン
２８ ケーシング
２９ ガス吸込ライン
２９ａ 吸気口
３０ 微粉分散室
３１ 微粉分散板
３２ 微粉案内板
４０ スクリーンフィルタ式処理装置
４１ 吸着ペーパー
４２ 供給ロール軸
４３ 巻き取りロール軸
４４ 薬液供給装置
５８ 圧縮空気供給配管
５９ 微粉排出管
６０ 微粉案内管
６１ 下部コーン型タンク
６９ 液体循環ポンプ
８０ バグフィルタ式処理装置
８１ 濾布
８２ 吸込室
８３ 排気室
８４ 仕切り板
８５ ケーシング
８６ 微粉排出口
８８ 排気口
８９ スクリュー
９０ 逆洗装置。
９１ ヘッダ
９２ 逆洗配管
９５ 微粉排出管円板状部材
９６ 濾布開口円板状部材
９７ 高周波電圧印加手段

特許第２９１２２１６号 特許第３１３５５１９号

Claims (11)

1. ガスを処理するガス処理設備であって、
   ガス処理装置を、
   備え、
   前記ガス処理装置が、
   下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空の円錐状筒と、
   前記円錐状筒の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されている少なくとも２つのガス旋回皿状板を持つ旋回流形成手段と、
   前記円錐状筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する噴出ノズルを持つ噴射手段と、
   を有し、
   少なくとも２つのガス旋回皿状板が互いに隙間を空けて上下に重なる、
   ことを特徴とするガス処理設備。
2. 前記噴射手段の噴射ノズルである第一噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板に挟まれた隙間に圧縮ガスを噴出する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のガス処理設備。
3. 前記噴射手段の噴射ノズルである第二噴射ノズルが、少なくとも２つのガス旋回皿状板の下の空間に圧縮ガスを噴出する、
   ことを特徴とする請求項２に記載のガス処理設備。
4. 前記排ガス処理装置が、パイプであって一方の端部を前記排出口に連通する微粉排出管と、
   前記微粉排出管の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている微粉排出管円板状部材と、
   を有する、
   ことを特徴とする請求項３に記載のガス処理設備。
5. バグフィルタ式処理装置を、
   備え、
   前記バグフィルタ式処理装置が、
   ケーシングと、
   前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り開口である仕切り板開口を設けられる仕切り板と、
   開口をもつ袋状であって該開口を前記仕切り板開口に連通する濾布と、
   を有し、
   前記微粉排出管が前記ケーシングを上から貫通し他方の端部を前記吸込室の内部に位置する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のガス処理設備、
6. 前記バグフィルタ処理装置が、
   前記濾布の開口に設けられる板状部材であって複数の貫通穴を形成されている濾布開口板状部材と、
   を有する、
   ことを特徴とする請求項５に記載のガス処理設備。
7. 前記バグフィルタ処理装置が、
   前記濾布の内側と濾布の外側とに高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段と、
   を有する、
   ことを特徴とする請求項６に記載のガス処理設備。
8. ガスを処理するガス処理設備であって、
   ガス処理装置を、
   備え、
   前記ガス処理装置が、
   下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空の円錐状筒と、
   前記円錐状筒の上端に設置される円板状部材であって、複数の貫通孔が形成されているガス旋回皿状板を持つ旋回流形成手段と、
   前記円錐状筒の上部内周面に沿い且つ該円錐状筒の上部に送り込まれてきた前記ガスを旋回させる方向に沿った方向に圧縮気体を噴出する噴出ノズルを持つ噴射手段と、
   パイプであって一方の端部を前記排出口に連通する微粉排出管と、
   前記微粉排出管の流れを遮る様に設けられる円板状部材であって複数の貫通穴を形成されている微粉排出管円板状部材と、
   を有する、
   ことを特徴とするガス処理設備。
9. ガスを処理するガス処理設備であって、
   ガス処理装置と、
   バグフィルタ式処理装置と、
   備え、
   前記ガス処理装置が、
   下方に向かうにつれて縮径されていき下部に排出口を形成される中空の円錐状筒と、
   パイプであって一方の端部を前記排出口に連通する微粉排出管と、
   を有し、
   前記バグフィルタ処理装置が、
   ケーシングと、
   前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り開口である仕切り板開口を設けられる仕切り板と、
   開口をもつ袋状であって該開口を前記仕切り板開口に連通する濾布と、
   を有し、
   前記微粉排出管が前記ケーシングを上から貫通し他方の端部を前記吸込室の内部に位置する、
   ことを特徴とするガス処理設備。
10. ガスを処理するガス処理設備であって、
    ガス処理装置と、
    バグフィルタ式処理装置と、
    備え、
    前記バグフィルタ処理装置が、
    ケーシングと、
    前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り開口である仕切り板開口を設けられる仕切り板と、
    開口をもつ袋状であって該開口を前記仕切り板開口に連通する濾布と、
    前記濾布の開口に設けられる板状部材であって複数の貫通穴を形成されている濾布開口板状部材と、を有し、
    前記ガス処理装置が処理したガスを前記吸込室に導入する、
    ことを特徴とするガス処理設備。
11. ガスを処理するガス処理設備であって、
    ガス処理装置と、
    バグフィルタ式処理装置と、
    備え、
    前記バグフィルタ処理装置が、
    ケーシングと、
    前記ケーシングを吸込室と排気室に仕切り開口である仕切り板開口を設けられる仕切り板と、
    開口をもつ袋状であって該開口を前記仕切り板開口に連通する濾布と、
    前記濾布の内側と濾布の外側とに高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段と、
    を有し、
    前記ガス処理装置が処理したガスを前記吸込室に導入する、
    ことを特徴とするガス処理設備。

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