JP2016187045A - パワーmosfet - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)第1の主面及び第2の主面を有し、ほぼ矩形を呈する半導体基板の前記第1の主面上に設けられたソース電極;
(b)前記半導体基板の前記第1の主面側のほぼ全面の半導体表面領域内に設けられた第1導電型のドリフト領域;
(c)前記第1の主面上のほぼ中央部に設けられ、前記半導体基板と配向がほぼ同一のほぼ矩形形状を有するアクティブセル領域、このアクティブセル領域の各辺に沿って、その外部に設けられた複数の周辺サイド領域、および、前記アクティブセル領域の各コーナ部の外部に設けられた複数の周辺コーナ領域;
(d)前記第1の主面上に、前記アクティブセル領域を取り囲むように設けられたリング状のフィールドプレート、
ここで、前記フィールドプレートは、前記複数の周辺サイド領域の少なくともいずれか一つに於いては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有し、前記複数の周辺コーナ領域の各々においては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有さない。
(e)前記半導体基板のほぼ全面であって前記ドリフト領域に設けられたスーパジャンクション構造。
(a)第1の主面及び第2の主面を有し、ほぼ矩形を呈する半導体基板の前記第1の主面上に設けられたエミッタ電極およびゲート電極;
(b)前記半導体基板の前記第1の主面側のほぼ全面の半導体表面領域内に設けられた第1導電型のドリフト領域;
(c)前記第1の主面上のほぼ中央部に設けられ、前記半導体基板と配向がほぼ同一のほぼ矩形形状を有するアクティブセル領域、このアクティブセル領域の各辺に沿って、その外部に設けられた複数の周辺サイド領域、および、前記アクティブセル領域の各コーナ部の外部に設けられた複数の周辺コーナ領域;
(d)前記第1の主面上に、前記アクティブセル領域を取り囲むように設けられたリング状のフィールドプレート、
ここで、前記フィールドプレートは、前記複数の周辺サイド領域の少なくともいずれか一つに於いては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有し、前記複数の周辺コーナ領域の各々においては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有さない。
(e)前記半導体基板のほぼ全面であって前記ドリフト領域に設けられたスーパジャンクション構造。
(a)第1の主面及び第2の主面を有し、ほぼ矩形を呈する半導体基板の前記第1の主面上に設けられたアノード電極;
(b)前記半導体基板の前記第1の主面側のほぼ全面の半導体表面領域内に設けられた第1導電型のドリフト領域;
(c)前記第1の主面上のほぼ中央部に設けられ、前記半導体基板と配向がほぼ同一のほぼ矩形形状を有する主ダイオード領域、この主ダイオード領域の各辺に沿って、その外部に設けられた複数の周辺サイド領域、および、前記主ダイオード領域の各コーナ部の外部に設けられた複数の周辺コーナ領域;
(d)前記第1の主面上に、前記主ダイオード領域を取り囲むように設けられたリング状のフィールドプレート、
ここで、前記フィールドプレートは、前記複数の周辺サイド領域の少なくともいずれか一つに於いては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有し、前記複数の周辺コーナ領域の各々においては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有さない。
(e)前記半導体基板のほぼ全面であって前記ドリフト領域に設けられたスーパジャンクション構造。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のパートおよびセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。以下、実施の形態の詳細については、複数のパートに分けて説明する。特に断らない限り、引用する「セクション」、「実施の形態」等は、原則として同一のパートに属するもの指す。
この例では、シリコン系半導体基板に作られたプレーナ型パワーMOSFETであって、ソースドレイン耐圧600ボルト程度のものに例をとり具体的に説明する(プレーナ型パワーMOSFETについては、以下のセクションでも同じ)が、その他の耐圧値を有するパワーMOSFETその他のデバイスにも適用できることは言うまでもない。
このセクションでは、セクション1の構造に対応するプロセスを説明するが、他の構造においても、これらの工程は基本的に共通しているので、他の構造については、原則として以下の記載を繰り返さない。
セクション1およびセクション2では、スーパジャンクション構造を有するパワー系半導体能動素子について、チップ周辺領域におけるメタルフィールドプレート等の適用を具体的に説明したが、通常の単一導電型ドリフト領域を有するパワー系半導体能動素子についても同様に適用できることは言うまでもない。このセクションでは、その一例について簡単に説明する。
セクション1から3では、主に、チップ周辺領域におけるメタルフィールドプレートの数が、主に1又は2の例を具体的に説明したが、この数は、1又は2に限らず、任意の数に設定することができる。このセクションでは、4本の例を具体的に説明する。
このサブセクションは、図3の詳細説明であるほか、図3に対する変形例と見ることもできる。
この例は、図24(図3又は図5)のコンタクト部9等に対する変形例である。
この例は、図3、図5、図24又は図26の例に対するメタルフィールドプレート30の平面形状に関する変形例です。
チップコーナ部におけるスーパジャンクションレイアウト、すなわち、Pカラム領域のレイアウトには、種々の選択が可能である。このセクションでは、基本的なPカラムレイアウトと他の要素との組み合わせおよび、Pカラムレイアウトの種々のバリエーションについて説明する。
このサブセクションの説明は、周辺コーナ領域17b(17a,17c,17d)におけるスーパジャンクションレイアウトのバリエーションを説明する基礎として、図5等で説明した基本構造のコーナ部スーパジャンクションレイアウトを更に説明する。
このサブセクションの例は、図28の例に対するメタルフィールドプレート30の平面形状に関する変形例である。
このサブセクションの例は、図28(図1、図3、図5または図29)の例に対するコーナ部スーパジャンクションレイアウトに関する変形例である。
このサブセクションの例は、図28(図1、図3、図5、図29または図30)の例に対するコーナ部スーパジャンクションレイアウトに関する変形例である。
このサブセクションの例は、図28(図1、図3、図5、図29、図30または図31)の例に対するコーナ部スーパジャンクションレイアウトに関する変形例である。
ここまでは、主に2次元リサーフ構造について説明してきたが、チップ周辺領域におけるメタルフィールドプレートおよび先に説明した種々の変形等は、ほぼ、そのまま3次元リサーフ構造へも適用できる。3次元リサーフ構造においては、より小さなチップ面積で、高い耐圧を確保できる可能性がある。これは、高い次元を有するからである。
2次元リサーフ構造についてのセクション5と同様に、このセクションでは、3次元リサーフ構造について、スーパジャンクションレイアウト等に関して種々のバリエーション等を説明する。
このサブセクションの例は、図35および図36に示した3次元リサーフ構造における周辺部スーパジャンクション構造の基本形態に対する変形例である。
このサブセクションの例は、周辺部スーパジャンクション構造の基本形態(図35および図36)に対する更に別の変形例である。
ここまでは、チップ周辺領域におけるメタルフィールドプレート等を、主に、パワーMOSFET等のパワー系半導体能動素子に適用した場合を例に取り具体的に説明したが、このセクションでは、パワー系半導体能動素子に属する他の種類の素子への適用を具体的に説明する。ただし、電極、不純物ドープ領域等の呼び名が若干変わるだけで、ドリフト領域等の要部構造は、ほぼ同一であるので、重複する説明は原則として省略する。また、このセクションでは、主にスーパジャンクション構造を有する阻止について具体的に説明するが、セクション3又は4で説明したように、スーパジャンクション構造を有さない素子にもほぼそのまま適用できることは言うまでもない。
IGBTは、純構造的に言うと、基本的にセクション1から7で説明したパワーMOSFETの裏面にP型コレクタ領域を挿入したものであり、外部端子の観点では、すでに説明したパワーMOSFETのソースをエミッタに、ドレインをコレクタに置き換えたものということができる。
ここに例示したPINダイオードは、純構造的に言うと、基本的にセクション1から7で説明したパワーMOSFETのPボディ領域内の複雑なドープ構造および基板上のゲート構造を除去したものと見ることができる。また、外部端子の観点では、すでに説明したパワーMOSFETのソースをアノードに、ドレインをカソードに置き換えたものということができる。なお、パワーダイオードに於いては、ゲートは存在しない。
図43は、図3のチップコーナ部切出領域R1における周辺サイド領域16a内のフィールドコンタクト部9と周辺サイド領域16b内のフィールドコンタクト部9の間をメタルフィールドプレート30に沿うように縦方向に切った場合の断面図である。
以上説明した各実施の形態等(変形例を含む)は、トレンチフィル方式で製造されるスーパジャンクションを有するパワー系半導体能動素子に特に有効であるが、コーナ部における不所望なポテンシャルの歪みを是正する効果は、マルチエピタキシ方式で製造されるスーパジャンクションを有するパワー系半導体能動素子にも共通である。また、先に説明したように、スーパジャンクションを有さない単一導電型のドリフト領域を有するデバイスにおいても同様に有効である。また、結晶成長方向に敏感な条件で行われるトレンチフィル方式に限らず、結晶成長方向に比較的敏感でない条件で行われるトレンチフィル方式においても同様に有効である。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
1a ウエハ又は半導体チップのデバイス主面(第1の主面)
1b ウエハ又は半導体チップの裏面(第2の主面)
2 半導体チップ又はチップ領域(半導体基板)
3 メタルガードリング
4 アクティブセル領域
4r アクティブセル領域内の繰り返し構造部
5 メタルソース電極
5p メタルソース電極外周部(ソース電極端のフィールドプレート部)
6 P型主接合(Pベース領域、Pボディ領域またはその外縁部)
7 メタルゲート電極
7w メタルゲート配線
8、8’ P−型表面リサーフ領域
9 フィールドプレートコンタクト部(コンタクト溝またはコンタクトホール)
10n N型エピタキシャル領域
10p P型エピタキシャル領域
11 ドリフト領域
11n N型ドリフト領域
11p P型ドリフト領域
12n Nカラム領域
12p Pカラム領域
14 セル領域のコンタクト部(コンタクト溝)
15 ポリシリコンゲート電極(ゲートポリシリコン膜)
15c ポリシリコンゲート電極引き出し部
16a,16b,16c,16d 周辺サイド領域
17a,17b,17c,17d 周辺コーナ領域
18 フィールドプレートのコンタクト領域
19 チップ周辺コンタクト部(周辺リセス部)
20 トレンチ
21 チップ周辺領域
22 ゲートコンタクト部
23 P+ボディコンタクト領域
23p メタルソース電極外周部のP+ボディコンタクト領域
24 メタル裏面ドレイン電極
25 N+ドレイン領域(N型単結晶シリコン基板)
26 N+ソース領域
27 ゲート絶縁膜
29 層間絶縁膜
30 チップ周辺領域におけるメタルフィールドプレート
31 N+チャンネルストップ領域
32 P+チップ周辺コンタクト領域
33 トレンチ加工用ハードマスク膜
34 フィールド絶縁膜
35 P−型表面リサーフ領域導入用レジスト膜
36 シリコン酸化膜エッチング用レジスト膜
37 Pボディ領域導入用レジスト膜
38 N+ソース領域導入用レジスト膜
40 半導体チップ又は周辺コーナ領域の対角線
41 コンタクトホール形成用レジスト膜
42 メタルソース電極外周部のコンタクト部
43 P型コレクタ領域
44 メタル裏面コレクタ電極
45 メタルエミッタ電極
46 N+エミッタ領域
47 N型フィールドストップ領域
52 主ダイオード領域のコンタクト部
53 主ダイオード領域のP+型コンタクト領域
54 主ダイオード領域
55 メタルアノード電極
56 P型アノード領域
57 N+型カソード領域
58 メタルカソード電極
R1 チップコーナ部切出領域
R2 アクティブセル部切出領域
R3 アクティブセル部&チップ端部切出し領域
R4 アクティブセル端部&チップ端部切出し領域
R5 コーナ部チャージバランス処理部一部切り出し領域
Wn Nカラムの厚さ
Wn/2 Nカラムの厚さの半分
Wp Pカラムの厚さ
Wp/2 Pカラムの厚さの半分
Claims (1)
- 以下を含むパワーMOSFET:
(a)ほぼ矩形を呈する半導体基板の第1の主面上に設けられたソース電極;
(b)前記半導体基板の前記第1の主面側のほぼ全面の半導体表面領域内に設けられた第1導電型のドリフト領域;
(c)前記第1の主面上のほぼ中央部に設けられ、前記半導体基板と配向がほぼ同一のほぼ矩形形状を有するアクティブセル領域、このアクティブセル領域の各辺に沿って、その外部に設けられた複数の周辺サイド領域、および、前記アクティブセル領域の各コーナ部の外部に設けられた複数の周辺コーナ領域;
(d)前記第1の主面上に、前記アクティブセル領域を取り囲むように設けられたリング状のフィールドプレート、
ここで、前記フィールドプレートは、前記複数の周辺サイド領域の少なくともいずれか一つに於いては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有し、前記複数の周辺コーナ領域の各々においては、前記半導体表面領域との間にオーミックコンタクト部を有さず、
前記半導体基板は、シリコン系半導体基板であり、
前記パワーMOSFETは、更に以下を含む:
(e)前記半導体基板のほぼ全面であって前記ドリフト領域に設けられたスーパジャンクション構造、
前記フィールドプレートは、主にアルミニウム系配線層によって構成され、
前記複数の周辺サイド領域における前記スーパジャンクション構造は、3次元リサーフ構造を有する。
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JP2010267655A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2011108906A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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