JP2016181667A - Image sensor and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、イメージセンサーに係り、より詳しくは、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを含むイメージセンサーおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to an image sensor, and more particularly to an image sensor including a thin film transistor using an oxide semiconductor and a manufacturing method thereof.
従来は、医療または工業用X線撮影に、フィルムおよびスクリーンを利用する方式が採用されたが、このような場合には、撮影されたフィルムの現像および保管上の問題などに起因して費用および時間の面で非効率的であった。 Conventionally, a method using a film and a screen has been adopted for medical or industrial X-ray photography. In such a case, the cost and the cost are increased due to development and storage problems of the photographed film. It was inefficient in terms of time.
これを改善するために、デジタル方式のイメージセンサーが現在広く用いられている。デジタル方式のイメージセンサーはCCD(charge coupled device)方式、CMOS(complementary metal oxide semiconductor)方式、TFT(thin film transistor)方式などに分類できる。 In order to improve this, digital image sensors are now widely used. Digital image sensors can be classified into a charge coupled device (CCD) method, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) method, a thin film transistor (TFT) method, and the like.
ここで、TFT方式は、TFT基板を利用する方式であって、イメージセンサーを大面積に製造することができるという利点がある。このようなTFT方式のイメージセンサーには、マトリックス状に配置された画素に薄膜トランジスタおよびフォトダイオードが構成される。 Here, the TFT method uses a TFT substrate and has an advantage that an image sensor can be manufactured in a large area. In such a TFT type image sensor, a thin film transistor and a photodiode are formed in pixels arranged in a matrix.
一般に、薄膜トランジスタの半導体層としてアモルファスシリコンが使用される。ところが、アモルファスシリコンは、結晶シリコンと比較して移動度などの電気的特性が良くない。 In general, amorphous silicon is used as a semiconductor layer of a thin film transistor. However, amorphous silicon has poor electrical characteristics such as mobility compared to crystalline silicon.
これを改善するために、最近、酸化物半導体を使用することが提案された。酸化物半導体は、アモルファスシリコンと比較して移動度特性が数倍〜十数倍大きく、オフ電流(off current)特性などにも優れるという利点を持つ。 In order to improve this, it has recently been proposed to use an oxide semiconductor. An oxide semiconductor has an advantage that the mobility characteristic is several times to several tens of times larger than that of amorphous silicon, and the off-current characteristic is excellent.
一方、イメージセンサーのセンシング能力向上のために駆動電流が向上することが好ましく、このために、酸化物半導体の比抵抗を減少させる方法が要求される。それ故に、従来は、He、Arなどのガスを用いたプラズマ処理(plasma treatment)方法や、SiNx蒸着の際に発生するH2を用いたH2拡散法などが採用されている。ところが、このような従来の方法はイメージセンサーの製作への応用には限界がある。 On the other hand, it is preferable that the drive current is improved in order to improve the sensing capability of the image sensor. For this purpose, a method for reducing the specific resistance of the oxide semiconductor is required. Therefore, conventionally, a plasma treatment method using a gas such as He or Ar, a H 2 diffusion method using H 2 generated during the deposition of SiNx, and the like are employed. However, such a conventional method has a limit in application to manufacture of an image sensor.
すなわち、プラズマ処理方法は、連続工程の際に素子の信頼性を確保し難く、チャンネル保護層が必須的であり、後続工程によって電気的特性が低下するという問題がある。H2拡散法は、有効チャネル長さを減少させ、工程単価が高く、複雑であるという問題がある。 That is, the plasma processing method has a problem that it is difficult to ensure the reliability of the element in the continuous process, the channel protective layer is essential, and the electrical characteristics are deteriorated by the subsequent process. The H 2 diffusion method has a problem that the effective channel length is reduced, the process unit cost is high, and it is complicated.
本発明は、従来に比べて改善された方法で酸化物半導体の比抵抗を減少させることができる方案を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the method which can reduce the specific resistance of an oxide semiconductor by the method improved compared with the past.
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に接触する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ドレイン電極に接続されるフォトダイオードとを含んでなり、前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極によって覆われる紫外線非照射部分と、前記ゲート電極によって覆われない紫外線照射部分とから構成されたことを特徴とする、イメージセンサーを提供する。 In order to achieve the above object, according to one aspect of the present invention, a source electrode and a drain electrode formed on a substrate, an oxide semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode, and the oxide semiconductor layer A first insulating film formed on the first insulating film; a gate electrode formed on the first insulating film; and a photodiode connected to the drain electrode. An image sensor is provided, comprising: an ultraviolet non-irradiated portion covered with an ultraviolet ray; and an ultraviolet irradiated portion not covered with the gate electrode.
ここで、前記フォトダイオードは、前記ドレイン電極から延長された第1電極と、前記第1電極上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第2電極とを含み、前記第1絶縁膜は前記第2電極上に位置することができる。 The photodiode includes a first electrode extended from the drain electrode, a semiconductor layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the semiconductor layer, One insulating film may be located on the second electrode.
前記ゲート電極および第1絶縁膜上に位置し、前記第1絶縁膜と共に前記ソース電極を露出させる第1コンタクトホール、および前記第2電極を露出させる第2コンタクトホールを含む第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に位置し、前記第1コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続される読み出し配線と、前記第2絶縁膜上に位置し、前記第2コンタクトホールを介して前記第2電極に接続されるバイアス配線とを含むことができる。 A second insulating film located on the gate electrode and the first insulating film and including a first contact hole exposing the source electrode together with the first insulating film; and a second contact hole exposing the second electrode; A readout wiring located on the second insulating film and connected to the source electrode via the first contact hole, and a second wiring located on the second insulating film and via the second contact hole. And a bias wiring connected to the electrode.
本発明の他の観点によれば、基板上にソース電極とドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極およびドレイン電極に接触し、第1部分と第2部分からなる酸化物半導体層を形成する段階と、前記酸化物半導体層上に第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜上に、前記第1部分を覆い且つ前記第2部分を覆わないゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を紫外線遮断マスクとして用いて紫外線照射を行う段階とを含み、前記ドレイン電極はフォトダイオードに接続されることを特徴とする、イメージセンサーの製造方法を提供する。 According to another aspect of the present invention, a step of forming a source electrode and a drain electrode on a substrate, and an oxide semiconductor layer comprising a first portion and a second portion are formed in contact with the source electrode and the drain electrode. Forming a first insulating film on the oxide semiconductor layer; forming a gate electrode on the first insulating film that covers the first portion and does not cover the second portion; And a step of performing ultraviolet irradiation using the gate electrode as an ultraviolet blocking mask, wherein the drain electrode is connected to a photodiode.
ここで、前記第1絶縁膜を形成した後、熱処理を介して前記酸化物半導体層をアニーリングする段階を含むことができる。 Here, after forming the first insulating film, the method may include a step of annealing the oxide semiconductor layer through a heat treatment.
前記ゲート電極を形成するエッチングマスクとしてのフォトレジストパターンが前記ゲート電極上に位置した状態で、前記紫外線照射を行うことができる。 The ultraviolet irradiation can be performed in a state where a photoresist pattern as an etching mask for forming the gate electrode is positioned on the gate electrode.
本発明によれば、酸化物半導体層は、ゲート電極によって覆われる紫外線非照射部分と、ゲート電極の外部に露出した紫外線照射部分とから構成される。 According to the present invention, the oxide semiconductor layer includes an ultraviolet non-irradiated portion covered with the gate electrode and an ultraviolet irradiated portion exposed to the outside of the gate electrode.
これにより、酸化物半導体層の比抵抗が減少し、イメージセンサーの駆動電流が向上できてイメージセンサーの光センシング能力が向上できる。 Thereby, the specific resistance of the oxide semiconductor layer is reduced, the driving current of the image sensor can be improved, and the optical sensing capability of the image sensor can be improved.
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
本発明の実施形態に係るイメージセンサーとしては、X線だけでなく、可視光線などを検出するイメージセンサーが使用できる。 As the image sensor according to the embodiment of the present invention, an image sensor that detects not only X-rays but also visible light can be used.
図1は本発明の実施形態に係るイメージセンサーの画素を概略的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing pixels of an image sensor according to an embodiment of the present invention.
図1を参照すると、本発明の実施形態に係るイメージセンサー200は、マトリックス状に配置された多数の画素Pを含む。
Referring to FIG. 1, an
各画素Pには、入射した光を電気的信号に変換するフォトダイオードPD、およびフォトダイオードPDと電気的に接続され、スキャン信号に応じてオン/オフスイッチング動作を行って電気的信号を読み出し配線271へ出力する薄膜トランジスタTが構成される。 Each pixel P is electrically connected to a photodiode PD that converts incident light into an electrical signal, and a photodiode PD, and performs an on / off switching operation according to a scan signal to read out the electrical signal. A thin film transistor T that outputs to 271 is configured.
説明の便宜のために、薄膜トランジスタTが形成された領域を第1領域A1とし、フォトダイオードPDが形成された領域を第2領域A2とする。 For convenience of explanation, a region where the thin film transistor T is formed is referred to as a first region A1, and a region where the photodiode PD is formed is referred to as a second region A2.
基板210上の第1領域A1には、互いに離隔したソース電極およびドレイン電極221、222が形成されている。ソース電極およびドレイン電極221、222は単一層構造または多重層構造で形成できる。例えば、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)/モリブデン(Mo)の三重層構造で形成できる。
Source and
ドレイン電極222は第2領域A2に延長できる。このように第2領域A2に延長されて形成された部分はフォトダイオードPDの第1電極225として機能する。このように、フォトダイオードPDは第1電極225を介して薄膜トランジスタTと電気的に接続できる。
The
ソース電極とドレイン電極221、222が形成された基板210上の第1領域A1には、両側でソース電極およびドレイン電極221、222と重畳して接触するように構成された酸化物半導体層230が形成される。ソース電極221とドレイン電極222の間の酸化物半導体層230領域はチャネル領域として機能する。
In the first region A1 on the
酸化物半導体層230は、例えば、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、ZTO(Zinc Tin Oxide)およびZIO(Zinc Indium Oxide)のいずれかからなってもよいが、これに限定されない。
The
一方、ソース電極およびドレイン電極221、222の形成前に、基板210上にバッファ層が形成できる。このようなバッファ層は、基板210から流出する不純物によって酸化物半導体層230が損傷することを防止する機能を果たすことができる。
On the other hand, a buffer layer can be formed on the
酸化物半導体層230上には第1絶縁膜235が形成できる。第1絶縁膜235は無機絶縁物質、例えばSiO2やSiNxからなってもよい。第1絶縁膜235は、ゲート絶縁膜であって、実質的に基板210の全面上に形成できる。
A first
一方、酸化物半導体層230は、第1絶縁膜235が形成された状態で熱処理を介してアニーリング(annealing)できる。
Meanwhile, the
第1絶縁膜235上には、酸化物半導体層230に対応してゲート電極240を形成することができる。ゲート電極220は単一層構造または多重層構造で形成できる。例えば、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)の二重層構造で形成できる。
A
特に、本発明の実施形態では、ゲート電極240は、酸化物半導体層230の中央部を覆い且つ酸化物半導体層230の両側を露出させる形で形成できる。すなわち、平面視において、酸化物半導体層230は、ゲート電極240によって覆われる中央の第1部分B1と、ゲート電極240によって覆われない両側部分の第2部分B2とから構成できる。
In particular, in the embodiment of the present invention, the
この際、第1部分B1は、ゲート電極220によって覆われて紫外線UVに晒されない紫外線非露出部分に該当し、第2部分B2は、ゲート電極220によって覆われなくて紫外線に晒される紫外線露出部分に該当する。
At this time, the first part B1 corresponds to an ultraviolet non-exposed part that is covered by the
前述したように、第1領域A1に構成されたソース電極およびドレイン電極221、222、酸化物半導体層230並びにゲート電極240は、トップゲート(top gate)方式の薄膜トランジスタTを構成する。
As described above, the source and drain
第1電極225上に半導体層250が形成され、半導体層250上には第2電極255が形成できる。
A
ここで、第1電極225および第2電極255のうち、いずれか一方はカソード(cathode)として機能し、残りの他方はアノード(anode)として機能する。説明の便宜のために、第1電極225はカソードとして機能し、第2電極255はアノードとして機能する場合を例として挙げる。
Here, one of the
このような場合、第2電極255は、第1電極225と比較して高い仕事関数を有する物質から構成できるが、例えば、透明導電性物質として、ITO(indium-tin-oxide)、IZO(indium-zinc-oxide)およびITZO(indium-tin-zinc-oxide)のいずれかから構成できる。
In such a case, the
フォトダイオードPDとして、例えば、PIN型フォトダイオードが使用できるが、これに限定されない。PIN型フォトダイオードが使用される場合、半導体層250はn+層251、i層252およびp+層253を含むことができる。半導体層250はアモルファスシリコンから形成できるが、これに限定されない。一方、フォトダイオードPDは、第1絶縁膜235によって覆われた状態で形成できる。
For example, a PIN photodiode can be used as the photodiode PD, but the present invention is not limited to this. When a PIN photodiode is used, the
ゲート電極240および第1絶縁膜235上には、保護層である第2絶縁膜260が実質的に基板210の全面にわたって形成できる。第2絶縁膜260は、例えば、SiO2やSiNxなどの無機絶縁物質からなってもよく、アクリルなどの有機絶縁物質からなってもよい。
On the
第2絶縁膜260および第1絶縁膜235には、ソース電極221を露出させる第1コンタクトホール261、および第2電極255を露出させる第2コンタクトホール262が形成できる。
In the second
第2絶縁膜260上には読み出し配線271とバイアス配線272が形成できる。読み出し配線271は第1コンタクトホール261を介してソース電極221に接続される。バイアス配線272は、第2コンタクトホール262を介して第2電極255に接続され、第2電極255にバイアス電圧を印加することができる。
A
読み出し配線271およびバイアス配線272は単一層構造または多重層構造で形成できる。例えば、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)/モリブデン(Mo)の三重層構造で形成できる。
The
一方、第2絶縁膜260上には、ゲート電極240を覆うブラックマトリックス273が形成できる。このようなブラックマトリックス273は、読み出し配線およびバイアス配線271、272を形成する工程で同一の物質から形成できる。
Meanwhile, a
前述したように、本発明の実施形態によれば、酸化物半導体層230は、ゲート電極240によって覆われる紫外線非照射部分たる第1部分B1と、ゲート電極240の外部に露出した紫外線照射部分たる第2部分B2とから構成される。
As described above, according to the embodiment of the present invention, the
このような構成によって、ゲート電極240を紫外線マスクとして紫外線を照射すると、酸化物半導体層230の第2部分B2に紫外線が照射されて酸化物半導体層230の比抵抗が減少する。
With such a structure, when the
これにより、イメージセンサー200の駆動電流、すなわちデータ電流が向上でき、イメージセンサー200の光センシング能力が向上できる。
Thereby, the drive current of the
以下、図2を参照して、本発明の実施形態に係るイメージセンサーの製造方法について説明する。 Hereinafter, with reference to FIG. 2, the manufacturing method of the image sensor which concerns on embodiment of this invention is demonstrated.
図2a〜図2dは本発明の実施形態に係るイメージセンサーの製造方法を示す断面図である。 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an image sensor according to an embodiment of the present invention.
まず、図2aを参照すると、基板210の全面上に、少なくとも一つの金属物質からなる第1導電層を形成し、該第1導電層の上部にn+アモルファスシリコン層、純粋アモルファスシリコン層、p+アモルファスシリコン層、および第2導電層を蒸着する。
First, referring to FIG. 2a, a first conductive layer made of at least one metal material is formed on the entire surface of the
その後、マスク工程を行い、n+アモルファスシリコン層、純粋アモルファスシリコン層、p+アモルファスシリコン層、および第2導電層をパターニングする。これにより、第2領域A2に半導体層250および第2電極255を形成する。
Thereafter, a mask process is performed to pattern the n + amorphous silicon layer, the pure amorphous silicon layer, the p + amorphous silicon layer, and the second conductive layer. Thereby, the
次いで、第1導電層をパターニングし、第1領域A1において互いに離隔した状態のソース電極およびドレイン電極221、222を形成する。
Next, the first conductive layer is patterned to form source and drain
ドレイン電極222から第2領域A2に延長された第1電極225は、その上部の半導体層250および第2電極255と共にフォトダイオードPDを構成する。
The
次に、図2bを参照すると、ソース電極およびドレイン電極221、222が形成された基板210上に酸化物半導体を蒸着し、マスク工程を行って第1領域A1に酸化物半導体層230を形成する。
Next, referring to FIG. 2b, an oxide semiconductor is deposited on the
その後、酸化物半導体層230の形成された基板210上に第1絶縁膜235を形成する。
After that, the first insulating
次いで、第1絶縁膜235の形成された基板210に熱処理を施すことにより、酸化物半導体層230に対するアニーリング(annealing)工程を行うことができる。
Next, by performing a heat treatment on the
その次、図2cを参照すると、第1絶縁膜235上に少なくとも一つの金属物質からなる第3導電層を形成し、該第3導電層の上部にフォトレジストを形成する。その後、フォトレジストに対して露光および現像を行うことにより、フォトレジストパターン245を形成する。
Next, referring to FIG. 2c, a third conductive layer made of at least one metal material is formed on the first insulating
次に、フォトレジストパターン245をエッチングマスクとして第3導電層をパターニングすることにより、ゲート電極240を形成する。
Next, the
この際、ゲート電極240は下側の酸化物半導体層230の一部を覆うように形成される。すなわち、ゲート電極240は、酸化物半導体層230の第1部分B1を覆い、第1部分B1の両側の第2部分B2(すなわち、ソース電極およびドレイン電極221、222と接触する部分)を覆っていない。
At this time, the
その後、ゲート電極240およびその上部のフォトレジストパターン245を紫外線遮断マスクとして、紫外線(UV)照射を行う。これにより、酸化物半導体層230の第2部分B2には紫外線が照射される。一方、他の例として、フォトレジストパターン245を除去した後、ゲート電極240を紫外線遮断マスクとして用いて紫外線照射工程を行うこともできる。
Thereafter, ultraviolet (UV) irradiation is performed using the
このような紫外線照射工程を介して、酸化物半導体層230の比抵抗が減少できる。
Through such an ultraviolet irradiation process, the specific resistance of the
紫外線照射工程の後、フォトレジストパターン245を除去するストリップ工程を行う。
次に、図2dを参照すると、ゲート電極240の形成された基板210上に第2絶縁膜260を形成する。
After the ultraviolet irradiation process, a strip process for removing the
Next, referring to FIG. 2D, a second insulating
その後、マスク工程を行って第1および2絶縁膜235、260をパターニングすることにより、ソース電極221を露出させる第1コンタクトホール261、および第2電極255を露出させる第2コンタクトホール262を形成する。
Thereafter, a
次いで、第2絶縁膜260上に、少なくとも一つの金属物質からなる第4金属層を形成し、これに対してマスク工程を行ってパターニングする。これにより、第1コンタクトホール261を介してソース電極221に接続する読み出し配線271、および第2コンタクトホール262を介して第2電極255に接続するバイアス配線272を形成する。しかも、ゲート電極240を覆うブラックマトリックス273を形成することができる。
Next, a fourth metal layer made of at least one metal material is formed on the second
前述したような工程を介して、本発明の実施形態に係るイメージセンサーを製造することができる。 The image sensor according to the embodiment of the present invention can be manufactured through the processes as described above.
図3は本発明の実施形態に係るイメージセンサーの駆動電流特性を示す図、図4は本発明の実施形態に係るイメージセンサーの酸化物半導体の比抵抗特性を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing drive current characteristics of the image sensor according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing specific resistance characteristics of the oxide semiconductor of the image sensor according to the embodiment of the present invention.
図3では、薄膜トランジスタTFTのオン状態で、比較例として紫外線を照射していない場合の駆動電流特性グラフと、本実施例として紫外線を照射した場合の駆動電流特性グラフを一緒に示した。 FIG. 3 shows together a driving current characteristic graph in the case where the thin film transistor TFT is in an ON state and not irradiated with ultraviolet rays as a comparative example, and a driving current characteristic graph in the case where ultraviolet rays are irradiated as this embodiment.
図4では、比較例1としてアニーリングおよび紫外線照射が行われていない場合の酸化物半導体の比抵抗と、比較例2としてアニーリングのみが行われた場合の酸化物半導体の比抵抗と、本実施例としてUVを照射した場合の酸化物半導体の比抵抗を一緒に示した。 In FIG. 4, the resistivity of the oxide semiconductor when annealing and ultraviolet irradiation are not performed as Comparative Example 1, the resistivity of the oxide semiconductor when only annealing is performed as Comparative Example 2, and the present example The specific resistance of the oxide semiconductor when irradiated with UV is also shown.
まず、図3を参照すると、紫外線を照射した場合は、紫外線を照射していない場合と比較して駆動電流特性が著しく向上することを確認することができる。 First, referring to FIG. 3, it can be confirmed that the drive current characteristic is remarkably improved when the ultraviolet ray is irradiated as compared with the case where the ultraviolet ray is not irradiated.
図4を参照すると、アニーリングおよび紫外線照射が一緒に行われた場合に比抵抗が著しく減少することを確認することができる。 Referring to FIG. 4, it can be confirmed that the specific resistance is remarkably reduced when annealing and ultraviolet irradiation are performed together.
前述したように、本発明の実施形態によれば、酸化物半導体層は、ゲート電極によって覆われる紫外線非照射部分と、ゲート電極の外部に露出した紫外線照射部分とから構成される。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the oxide semiconductor layer includes the ultraviolet non-irradiated portion covered with the gate electrode and the ultraviolet irradiated portion exposed to the outside of the gate electrode.
これにより、酸化物半導体層の比抵抗が減少し、イメージセンサーの駆動電流が向上できてイメージセンサーの光センシング能力が向上できるようになる。 As a result, the specific resistance of the oxide semiconductor layer is reduced, the driving current of the image sensor can be improved, and the optical sensing capability of the image sensor can be improved.
前述した本発明の実施形態は、本発明の一例であって、本発明の精神に含まれる範囲内で自由な変形が可能である。よって、本発明は、添付された特許請求の範囲およびこれと等価の範囲内における本発明の変形を含む。 The above-described embodiment of the present invention is an example of the present invention, and can be freely modified within the scope of the spirit of the present invention. Thus, the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and the equivalents thereof.
200 イメージセンサー
210 基板
221 ソース電極
222 ドレイン電極
225 第1電極
230 酸化物半導体層
235 第1絶縁膜
240 ゲート電極
250 半導体層
251 n+層
252 i層
253 p+層
255 第2電極
260 第2絶縁膜
261 第1コンタクトホール
262 第2コンタクトホール
271 読み出し配線
272 バイアス配線
273 ブラックマトリックス
A1、A2 第1領域、第2領域
B1、B2 第1部分、第2部分
200
Claims (6)
前記ソース電極およびドレイン電極に接触する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ドレイン電極に接続されるフォトダイオードとを含んでなり、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極によって覆われる紫外線非照射部分と、前記ゲート電極によって覆われない紫外線照射部分とから構成されたことを特徴とする、イメージセンサー。 A source electrode and a drain electrode formed on the substrate;
An oxide semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode;
A first insulating film formed on the oxide semiconductor layer;
A gate electrode formed on the first insulating film;
A photodiode connected to the drain electrode,
The image sensor according to claim 1, wherein the oxide semiconductor layer includes an ultraviolet non-irradiated portion covered with the gate electrode and an ultraviolet irradiated portion not covered with the gate electrode.
前記第1絶縁膜は前記第2電極上に位置することを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサー。 The photodiode includes a first electrode extended from the drain electrode, a semiconductor layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the semiconductor layer,
The image sensor according to claim 1, wherein the first insulating film is located on the second electrode.
前記第2絶縁膜上に位置し、前記第1コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続される読み出し配線と、
前記第2絶縁膜上に位置し、前記第2コンタクトホールを介して前記第2電極に接続されるバイアス配線とを含むことを特徴とする、請求項2に記載のイメージセンサー。 A second insulating film located on the gate electrode and the first insulating film and including a first contact hole exposing the source electrode together with the first insulating film; and a second contact hole exposing the second electrode; ,
A readout wiring located on the second insulating film and connected to the source electrode through the first contact hole;
The image sensor according to claim 2, further comprising a bias wiring located on the second insulating film and connected to the second electrode through the second contact hole.
前記ソース電極およびドレイン電極に接触し、第1部分と第2部分からなる酸化物半導体層を形成する段階と、
前記酸化物半導体層上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜上に、前記第1部分を覆い且つ前記第2部分を覆わないゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を紫外線遮断マスクとして用いて紫外線照射を行う段階とを含んでなり、
前記ドレイン電極はフォトダイオードに接続されることを特徴とする、イメージセンサーの製造方法。 Forming a source electrode and a drain electrode on a substrate;
Contacting the source and drain electrodes to form an oxide semiconductor layer comprising a first portion and a second portion;
Forming a first insulating film on the oxide semiconductor layer;
Forming a gate electrode on the first insulating film that covers the first portion and does not cover the second portion;
Performing ultraviolet irradiation using the gate electrode as an ultraviolet blocking mask,
The method of manufacturing an image sensor, wherein the drain electrode is connected to a photodiode.
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