JP2016154191A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1および図2を用いて、本発明に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
エッチングガス:CF4
電力:100〜1500(W)
圧力:30〜750(mTorr)
エッチングガス:O2/N2
電力:100〜1500(W)
圧力:30〜750(mTorr)
図3および図4に本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す。第1の実施形態を説明する際に用いた符号と同じ符号は同じ部材を意味する。
図5および図6に本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す。上記実施形態を説明する際に用いた符号と同じ符号は同じ部材を意味する。
101 光電変換部
102 配線構造
103 パッド電極
104 保護膜
105 パッド開口
106 平坦化膜
110 平坦化膜
112 反射防止膜
113 レジストパターン
Claims (11)
- 半導体装置の製造方法であって、
パッド電極の上に有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記有機膜の上に、前記半導体装置のパッド電極に通じる開口を形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記パッド電極を露出しないように前記有機膜をプラズマドライエッチングする工程と、
前記レジストパターンを剥離液で除去する工程と、
前記レジストパターンを剥離液で除去する工程の後に、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程後に残存する前記無機膜をマスクとして、前記パッド電極を露出するように前記有機膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程は、CF系のガスを含む雰囲気で行われることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッド電極を露出しないように前記有機膜の一部をプラズマドライエッチングする工程は、O2またはN2のガスを含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッド電極を露出するように前記有機膜をエッチングする工程は、プラズマドライエッチングまたはウエットエッチングで行うことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッド電極を露出しないように前記有機膜の一部をプラズマドライエッチングする工程の後に残存している前記有機膜の膜厚は200nm以上500nm以下であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記有機膜は、前記パッド電極の上に形成される平坦化膜を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、撮像装置であって、
前記撮像装置は、カラーフィルタを有し、
前記有機膜は、前記カラーフィルタの上に形成される平坦化膜を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記有機膜は、前記カラーフィルタの材料からなる膜を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記撮像装置は、前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを有し、
前記有機膜は、前記マイクロレンズの材料からなる膜を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記撮像装置は、前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを有し、
前記無機膜は、前記マイクロレンズの上に形成された反射防止膜であることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、MOSトランジスタを有する撮像装置であって、該MOSトランジスタが有するゲート絶縁膜の膜厚は4.5nm以下であることを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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