JP2016139762A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016139762A JP2016139762A JP2015015483A JP2015015483A JP2016139762A JP 2016139762 A JP2016139762 A JP 2016139762A JP 2015015483 A JP2015015483 A JP 2015015483A JP 2015015483 A JP2015015483 A JP 2015015483A JP 2016139762 A JP2016139762 A JP 2016139762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- silicon substrate
- solar cell
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
太陽電池素子10は、図1乃至図3に示すように、主として光が入射する受光面である第1主面10aと、この第1主面10aの反対側に位置する第2主面10bとを有する。
ることによって、太陽電池素子10の光電変換効率を向上する効果を有する。反射防止層5は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン層等の絶縁膜、またはこれらの積層膜からなる。反射防止層5の屈折率および厚みは、太陽光のうち、シリコン基板1に吸収されて発電に寄与し得る波長範囲の光に対して低反射条件を実現できる屈折率および厚みを適宜採用すればよい。例えば、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法によって窒化シリコンから成る反射防止層5を成膜する場合では、屈折率は1.8〜2.5程度とし、厚みは60〜120nm程度とすることができる。
域には、シリコン基板1の第2表面1b上においてパッシベーション膜9および保護膜8が設けられていない。このような貫通部11の形状は、複数の孔状(ドット状)であってもよいし、複数の溝状(ライン状)であってもよい。貫通部11の径(幅)は10〜150μm、ピッチは0.05〜2mm程度であればよい。また、このよう貫通部11は、例えば、レーザービーム照射やフォトリソグラフィ法を用いたエッチングなどの方法で形成される。なお、上述のエッチングよりもYAGレーザーを用いる方法の方が簡便であるため、好適に使用できる。この貫通部11内部には、後述する第3電極7cが形成される。
次に、本発明の実施形態に係る太陽電池素子の製造方法の各工程について説明する。
(NH3)との混合ガスを窒素(N2)で希釈して供給し、反応圧力を50〜200Paにしてグロー放電分解でプラズマ化させて反応、堆積させることで反射防止層5が形成される。このときの成膜温度は、350〜650℃程度とする。また、グロー放電に必要な高周波電源の周波数としては10〜500kHzの周波数を使用する。また、ガス流量は反応室の大きさ等によって適宜決定されるが、例えばガスの流量としては、150〜6000sccmの範囲とすることが望ましく、シランの流量Aとアンモニアの流量Bとの流量比B/Aは0.5〜15であればよい。
1a:第1表面
1b:第2表面
2 :第1半導体層(p型半導体層)
3 :第2半導体層(n型半導体層)
5 :反射防止層
6 :表面電極
6a:バスバー電極
6b:フィンガー電極
6c:サブフィンガー電極
7 :裏面電極
7a:第1電極
7b:第2電極
7c:第3電極
8 :保護膜
9 :パッシベーション膜
10 :太陽電池素子
10a:第1主面
10b:第2主面
11 :貫通部
12 :BSF層
13 :酸化膜
14 :レーザー屑
16 :第1金属ペースト
17 :第2金属ペースト
18 :アルミニウムペースト
Claims (6)
- シリコン基板の表面に酸化物を含むパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、
前記パッシベーション膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記パッシベーション膜および前記保護膜を貫通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記貫通部を形成することによって前記シリコン基板の表面に生成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記貫通部に電極を形成する電極形成工程と、を備えた太陽電池素子の製造方法。 - 前記シリコン基板は、n型半導体を含む第1表面と、該第1表面の裏側に位置し、p型半導体を含む第2表面を有しており、
前記保護膜形成工程は、前記第1表面および前記第2表面のうち、該第2表面にのみ形成し、
前記酸化膜除去工程は、前記第1表面に形成された前記パッシベーション膜を除去する工程を含む、請求項1に記載の太陽電池素子の製造方法。 - 前記酸化膜除去工程において前記第1表面に形成された前記パッシベーション膜を除去した後に、前記第1表面に窒化シリコンを含む反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程をさらに備える、請求項2に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記電極形成工程は、前記貫通部内に位置する前記第2表面に高濃度ドープ層を形成する工程を含む、請求項2または請求項3に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記酸化膜除去工程は、フッ化水素水溶液中に前記シリコン基板を浸漬することによって行なう、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記貫通部形成工程は、前記パッシベーション膜および前記保護膜にレーザーを照射することによって行なう、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015015483A JP6426486B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015015483A JP6426486B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016139762A true JP2016139762A (ja) | 2016-08-04 |
JP6426486B2 JP6426486B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=56558354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015015483A Active JP6426486B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6426486B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018062088A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
WO2018079648A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
JP2018121087A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-08-02 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
JP2022502870A (ja) * | 2018-10-12 | 2022-01-11 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | 結晶シリコン太陽電池の表面の周縁めっきを除去する方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150609A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2010279972A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法および太陽電池の製造方法 |
US20120093845A1 (en) * | 2009-03-18 | 2012-04-19 | Oncotherapy Science, Inc. | Neil3 peptides and vaccines including the same |
JP2013183004A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
US20140000686A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Applied Materials, Inc. | Film stack and process design for back passivated solar cells and laser opening of contact |
WO2014000845A1 (de) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von solarzellen mit local back surface field (lbsf) |
JP2014086589A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Sharp Corp | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セル |
JP2014146553A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 太陽電池の電極用導電性ペーストおよびその製造方法 |
-
2015
- 2015-01-29 JP JP2015015483A patent/JP6426486B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150609A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
US20120093845A1 (en) * | 2009-03-18 | 2012-04-19 | Oncotherapy Science, Inc. | Neil3 peptides and vaccines including the same |
JP2010279972A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法および太陽電池の製造方法 |
JP2013183004A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
WO2014000845A1 (de) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von solarzellen mit local back surface field (lbsf) |
US20140000686A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Applied Materials, Inc. | Film stack and process design for back passivated solar cells and laser opening of contact |
JP2014086589A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Sharp Corp | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セル |
JP2014146553A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 太陽電池の電極用導電性ペーストおよびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018121087A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-08-02 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
WO2018062088A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
JP6370516B1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-08-08 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
CN109844959A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-06-04 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件及太阳能电池元件的制造方法 |
WO2018079648A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
JP6353624B1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-07-04 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
JP2022502870A (ja) * | 2018-10-12 | 2022-01-11 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | 結晶シリコン太陽電池の表面の周縁めっきを除去する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6426486B2 (ja) | 2018-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5172480B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP5490231B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
JP6285545B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
JP2008034609A (ja) | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 | |
KR20100138565A (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
US20170194519A1 (en) | Solar cell element | |
JP5991945B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
JP2008034543A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP2013161847A (ja) | 太陽電池 | |
JP2016122749A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
JP6426486B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP2014011246A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
WO2013100085A1 (ja) | 太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュール | |
JP2017033970A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP6555984B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP5830143B1 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP6330108B1 (ja) | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 | |
JP5623131B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
JP5645734B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
JP5744202B2 (ja) | アルミナ膜の形成方法 | |
KR100995654B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP2014146553A (ja) | 太陽電池の電極用導電性ペーストおよびその製造方法 | |
JP6224513B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP6430842B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP6571409B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6426486 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |