JP2016134535A - 光モジュール、及び光モジュールの製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】光結合効率の低下を抑制することができる光モジュール、及び光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】ｔＬＤ４１と、ｔＬＤ４１が出射する光を受ける変調器と、底面を有し、ｔＬＤ４１と変調器を当該底面上に搭載するハウジングと、出射光の光路上に設けられ、ｔＬＤ４１と変調器それぞれの光軸の当該底面に対する位置を整合するビームシフタ３３を備える。
【選択図】図７

Description

本発明は、光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関する。

特許文献１には、光通信用モジュールとその製造方法が記載されている。この光通信用モジュールは、レーザダイオード、第１レンズ、光アイソレータ、光増幅器、第２レンズ及び光ファイバを備えている。レーザダイオードから出射した光は、第１レンズ、光アイソレータ、光増幅器及び第２レンズを通り、光ファイバは第２レンズから出射した光を受光する。この光通信用モジュールでは、レーザダイオードの光軸と光増幅器の光軸とのずれが、光アイソレータの角度を調整することによって補正される。

特許文献２には、光導波路の光結合装置が記載されている。この光結合装置は、出射用光導波路と、出射用光導波路から出射した光を平行ビームに変換する第１レンズと、第１レンズから出射した平行ビームを収束光に変換する第２レンズと、第２レンズから出射した収束光を受光する入射用光導波路とを備えている。更に、出射用光導波路と第１レンズとの間には平行平板が配置されており、この平行平板の角度を調整することによって、出射用光導波路から出射した光の光路が変更される。

特開２００７−１０８５４号公報 特開２００４−２７２１４３号公報

上述した光モジュールは、光源から出射した光が光学部品に入射する構成を備えている。また、この種の光モジュールにおいて、例えば、光源はキャリアを介して熱電冷却素子（ＴＥＣ）に搭載されており、光学部品は別のキャリアを介して上記とは異なるＴＥＣに搭載されていることがある。ここで、光源と光学部品には、寸法公差等による高さのばらつきがある場合があり、このばらつきによって光学部品と光源との光結合効率が低下することがある。

本発明は、光結合効率の低下を抑制することができる光モジュール、及び光モジュールの製造方法を提供することを課題とする。

本発明の一形態による光モジュールは、光源と、光源が出射する出射光を受ける光学部品と、底面を有し、光源と光学部品を底面上に搭載するハウジングと、出射光の光路上に設けられ、光源と光学部品それぞれの光軸の底面に対する位置を整合する光軸調整部材、を備える。

本発明の一形態に係る光モジュールの製造方法は、光源と、光源が出射する光を集光する集光レンズと当該集光レンズにより集光された光が入射する光学部品と、底面を備え、光源と光学部品を当該底面上に搭載するハウジングを備えた光モジュールの製造方法であって、光源から出射する出射光の光路上であって光源と集光レンズとの間に、光源と光学部品それぞれの光軸の底面からの高さを整合する光軸調整部材を配置する工程と、光軸調整部材が出射する光を光学部品に結合する様に集光レンズを調整する工程、を備える。

本発明の一形態では、光結合効率の低下を抑制することができる。

実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。 図１の光モジュールの内部構造を示す平面図である。 図１の光モジュールの内部構造を示す斜視図である。 変調器ユニットの各部品を示す斜視図である。 図１の光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。 図１の光モジュールを構成する部品の搭載方法を模式的に示す図である。 図１の光モジュールを構成する部品の搭載方法を模式的に示す図である。 図１の光モジュールを構成する部品の搭載方法を模式的に示す図である。 図１の光モジュールを構成する部品を模式的に示す平面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る光モジュール及び光モジュールの製造方法の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本実施形態に係る光モジュール１の外観を示す斜視図である。図２は、光モジュール１の内部構造を示す平面図である。光モジュール１は、コヒーレント光通信に用いられる光モジュールである。コヒーレント光通信では、従来の光の有無で１ビットの情報を扱う方式に加え、光の位相について、その０°成分及び９０°成分のそれぞれも１ビットの情報として扱う。すなわち、０°及び９０°それぞれの位相における光信号の位相状態を１ビットの信号として扱うので、一本の光ファイバで同一波長の光について同時に２ビットの情報が伝送可能となる。

更に、光モジュール１では、位相情報に加えて、光の偏波方向についても独立の情報単位として扱う。すなわち、Ｘ方向偏波及びＹ方向偏波のそれぞれについて０°、９０°の位相状態を情報単位として扱うので、一本の光ファイバで同一波長の光について同時に４ビットの情報が伝送可能となる。このように、光モジュール１では位相情報と偏光情報とを情報単位として扱う。光モジュール１には、位相情報を再生するための局発光と信号光とを出力する波長可変レーザダイオード（tunable Laser Diode；ｔＬＤ）４１と、位相情報及び偏波情報を光信号化するための変調器１１とが搭載される。変調器１１はｔＬＤ４１からの信号光を受ける光学部品である。また、光モジュール１では、変調器１１と、ｔＬＤ４１とが一のハウジング２に収容される。

光モジュール１は、矩形状のハウジング２と、ハウジング２に設けられた局発光出力部（第１ポート）３ａ及び信号光出力部（第２ポート）３ｂとを備えている。第１ポート３ａ及び第２ポート３ｂは、ハウジング２の前壁２ｃにおいて幅方向に沿って並設されている。第１ポート３ａには偏波保持ファイバが接続され、第１ポート３ａから出力された局発光は偏波保持ファイバによって取り出される。

前壁２ｃから延び出す二つの側壁２ｄ，２ｆにはそれぞれリード端子４ａ，４ｂが設けられている。リード端子４ａ，４ｂは、ＤＣ信号用及び接地（ＧＮＤ）用のリード端子である。また、二つの側壁２ｄ，２ｆを接続するハウジング２の後壁２ｅにはリード端子５が側壁２ｆに寄って設けられている。このリード端子５は、ＲＦ信号用のリード端子である。

図３は、光モジュール１の内部構造を示す斜視図である。図２及び図３に示されるように、光モジュール１は、変調器ユニット１０と、光源ユニット４０と、波長検知ユニット５０とを備えている。変調器ユニット１０は半導体を主構成材料とする変調器１１を搭載し、光源ユニット４０はｔＬＤ４１を搭載した波長可変光源ユニットである。波長検知ユニット５０は、ｔＬＤ４１が出力する光の波長を特定する機能を有する。

変調器ユニット１０は、一方の側壁２ｆに沿って設けられている。光源ユニット４０は他方の側壁２ｄに沿って設けられており、波長検知ユニット５０は同様に側壁２ｄに沿って且つ光源ユニット４０の前壁２ｃ寄りに設けられている。

光モジュール１は、変調器ユニット１０に設けられた第１ＴＥＣ７０と、光源ユニット４０に設けられた第２ＴＥＣ８０と、波長検知ユニット５０に設けられた第３ＴＥＣ９０とを備えている。ＴＥＣ７０は変調器１１を搭載し、ＴＥＣ８０はｔＬＤ４１を搭載している。ｔＬＤ４１は、その発振波長が大きな温度依存性を有するデバイスである。よって、ｔＬＤ４１は、その発振波長を安定させるため、第２ＴＥＣ８０によって温度が一定に維持される。また、第３ＴＥＣ９０は、波長検知ユニット５０に搭載されたエタロンフィルタ５７の温度を一定に保つ。

図４は、変調器ユニット１０の各部品を示す斜視図である。図３及び図４に示されるように、変調器ユニット１０は、変調器１１を搭載するキャリア１２を備え、光源ユニット４０はｔＬＤ４１を搭載するキャリア４２を備え、波長検知ユニット５０はキャリア５２を備えている。キャリア１２，４２，５２は互いに独立している。キャリア１２，４２，５２には予め主要な光学部材が搭載されており、光学部材が搭載されたキャリア１２，４２，５２はそれぞれＴＥＣ７０，８０，９０に搭載される。

また、ｔＬＤ４１は、その出射光の波長を決定する電極と、光を生成するためのキャリアを注入する電極と、出力光の強度を制御する電極と、接地電極とを備えている。ｔＬＤ４１では、これらの電極に対して互いに独立したバイアスを必要としている。光モジュール１では、ｔＬＤ４１へのバイアスを側壁２ｆに設けられたＤＣ信号用のリード端子４ｂから供給している。すなわち、ｔＬＤ４１には、側壁２ｆの近傍から光源ユニット４０の近傍まで延びる配線基板４８と、側壁２ｆの近傍から光源ユニット４０と波長検知ユニット５０との間まで延びる配線基板４９と、を介してリード端子４ｂからバイアスが供給される。

ここで、例えば全ての光学部材がキャリアを介して一つのＴＥＣに搭載されている光モジュールでは、キャリア上で各光学部材の光学調心を行うことが可能である。しかし、本実施形態の光モジュール１では、各ＴＥＣ７０，８０，９０上に互いに独立したキャリア１２，４２，５２を搭載しているので、キャリア１２，４２，５２間の調心も必要となる。

変調器ユニット１０は、前述の第１ＴＥＣ７０及びキャリア１２と、ベース１３と、２個のモニタフォトダイオード（ｍＰＤ）１４と、終端ユニット１５と、バイアスユニット１６と、入力ユニット２０と、結合ユニット３０と、出力ユニット６０とを備えている。変調器１１とキャリア１２とは、ほぼ同一の平面形状を有する。キャリア１２、変調器１１の幅はＴＥＣ７０の幅より狭い。

入力ユニット２０は、キャリア２２と、第１レンズ２３と、第２レンズ２４と、ミラー２６とを備えている。キャリア２２は、長方形でありＡｌＮ製である。ミラー２６によって、ｔＬＤ４１が出力した光は、その光軸を９０°曲げられ、第２レンズ２４及び第１レンズ２３を透過して、変調器１１の入力ポートに入射する。ここで、ミラー２６は平行平板上に光学多層膜を形成したミラーであり、入射光の９５％以上を反射し、残余を透過する。このミラー２６を、いわゆる、二つのプリズムを用いたプリズムミラーで構成した場合には、上記の反射光：透過光の強度比を得ることができない。プリズムミラーではこの比が９０：１０程度が限界となる。本モジュールでは、この平行平板型ミラーを他の箇所、例えば、波長検知ユニット５０の二つのミラー５３、５４、あるいは、信号光の出力部に設けられている分岐ミラー７２も平行平板型ミラーを採用し、反射光：透過光の強度比を大きくしている。

結合ユニット３０は、長方形のキャリア３２を備えている。キャリア３２は、ビームシフタ３３と、アイソレータ３４を搭載する。ビームシフタ３３は光源ユニット４０側に、アイソレータ３４は入力ユニット２０側に配置されている。

光源ユニット４０は、前述のｔＬＤ４１、キャリア４２及びＴＥＣ８０の他に、２個のレンズキャリア４３と、各レンズキャリア４３に搭載される２個のレンズ４４，４５とを備えている。

キャリア４２及びレンズキャリア４３は長方形である。キャリア４２はＡｌＮ製である。レンズキャリア４３の厚さはキャリア４２の厚さよりも薄い。レンズキャリア４３は、ｔＬＤ４１の光軸とレンズ４４，４５の光軸とを一致させている。具体的には、レンズキャリア４３上には固定樹脂を介してレンズ４４，４５が搭載されるので、この樹脂の厚みを考慮してレンズキャリア４３の厚さを決定し、レンズ４４，４５の光軸をｔＬＤ４１の光軸に一致させている。

レンズ４４及びレンズ４５はいずれもコリメートレンズである。レンズ４４の光軸とレンズ４５の光軸とはキャリア４２の主面上で互いにオフセットしている。ｔＬＤ４１は、このオフセットを吸収するように、両レンズ４４，４５の光軸に対して有意の角度をもってキャリア４２上に搭載されている。ｔＬＤ４１の端面から出射した光は、レンズ４４によってコリメート光に変換されて波長検知ユニット５０に入射する。

以上のように構成される光モジュール１では、前述のように変調器ユニット１０と光源ユニット４０とが互いに独立した第１、第２ＴＥＣ７０，８０に搭載されている。ここで、光源ユニット４０の光軸と変調器ユニット１０の光軸について、それらの光軸の水平レベルが部品公差の範囲内で一致しない場合がある。

そこで、本実施形態の光モジュール１では、ビームシフタ３３が光源ユニット４０と変調器１１との間に搭載されている。ビームシフタ３３は、前述の光軸の水平レベルの相違（狂い）を吸収するために設けられる。すなわち、ビームシフタ３３は、光源ユニット４０から出射された光の光軸と、ベース１３に搭載されている変調器１１の光軸との間における水平レベルを補完する。ビームシフタ３３を光源ユニット４０と変調器１１との間に介在させることにより、光源ユニット４０から変調器１１に向かう光の光軸の水平レベルを調整することができる。光軸の水平レベルを調整することによって、ｔＬＤ４１と変調器１１との光結合効率の低下を抑制することができる。

ビームシフタ３３は、互いに対向する二つの面が平行に設定されたブロック状の透明光学部材である。このビームシフタ３３をレンズ４５の光軸に対して傾斜させてキャリア３２に搭載することにより、この傾斜の角度に応じて、入射光と出射光の光軸についてその平行度を維持した状態で、両光のキャリア３２からの高さについてオフセットを与えることができる。また、水平方向についても、ビームシフタ３３の光入射面をレンズ４５の光軸に対して数度傾けてキャリア３２上に搭載することにより、当該入射面で反射した光が再度光源ユニット４０に戻るのを抑制することができる。この場合、ビームシフタ３３の入射光と出射光との間で、キャリア３２の主面に平行な方向についてもオフセットが生ずるが、このオフセットは、ミラー２６等、他の光学部材により吸収することが可能である。

次に、光モジュール１の製造方法、特に変調器ユニット１０及び光源ユニット４０のハウジング２内への搭載と、入力光学系の部品搭載について図５〜図９を参照しながら説明する。図５は、光モジュール１の製造方法を示すフローチャートである。図６〜図８は、光モジュール１の部品の搭載方法を模式的に示す図である。図９は、光モジュール１の部品を模式的に示す平面図である。

図５に示されるように、本実施形態の製造方法は、ＴＥＣを固定する工程Ｓ１１、ＴＥＣ上にベースを固定する工程Ｓ１２、光源キャリア４２及び変調器キャリア１２を固定する工程Ｓ１３、コリメートレンズ４５を固定する工程Ｓ１４、ビームシフタ３３を固定する工程Ｓ１５、ミラー２６を固定する工程Ｓ１６、第１レンズ２３の位置調整の工程Ｓ１７、第１レンズ２３を固定する工程Ｓ１８、第２レンズ２４の位置調整の工程Ｓ１９、及び第２レンズ２４を固定する工程Ｓ２０を含む。

まず、ＴＥＣを固定する工程Ｓ１１ではハウジング２の底面に、変調器ユニット１０の第１ＴＥＣ７０と、光源ユニット４０の第２ＴＥＣ８０とを搭載する。このとき、ＴＥＣ７０，８０それぞれの下基板上に予め電極ポストを搭載してもよい。ベースを固定する工程Ｓ１２では、変調器ユニット１０のベース１３を第１ＴＥＣ７０上にマウントし、光源ユニット４０のベース４７を第２ＴＥＣ８０上にマウントする。光源キャリア及び変調器キャリアを固定する工程Ｓ１３では、各ユニットをベース１３上にマウントする。キャリア１２には変調器１１を両者の外形がほぼ一致しているので、目視により変調器１１をキャリア１２上に予め搭載し、この変調器１１を搭載したキャリア１２をベース１３上にマウントする。このとき、ベース１３の角部に設けられた切り欠き１３ａを介して第１ＴＥＣ７０の下基板角を目視することができ、キャリア１２の２辺を当該角部に整合する様にキャリア１２をベース１３に搭載する。また、変調器１１の電極パッドを目視で確認しつつ、終端ユニット１５及びバイアスユニット１６の位置を決定して終端ユニット１５及びバイアスユニット１６の搭載を行う。

また、ベース１３上に、入力ユニット２０のキャリア２２、出力ユニット６０のキャリア６２、及び結合ユニット３０のキャリア３２を搭載する。このとき、変調器１１にはその入力ポート位置に指標が形成されており、一方、キャリア２２には当該指標に整合する別の指標が予め形成されている。両者の指標を目視アライメントしキャリア２２の変調器１１に対する搭載位置を決定する。また、キャリア２２とキャリア３２には、それぞれ対向する辺に指標が設けられており、両者の指標を目視アライメントを行うことで、キャリア３２のキャリア２２に対する搭載位置を決定する。

ベース４７上には、ｔＬＤ４１が予め搭載されたキャリア４２を配置する。すなわち、キャリア４２を配置する前において、キャリア４２上にｔＬＤ４１をダイマウントし、このキャリア４２をベース４７上に搭載する。更にキャリア４２上の配線との間でワイヤボンディングを行う。この段階でｔＬＤ４１に対し基本的な電気的特性の試験を行うことができる。また、この段階で二つのレンズキャリア４３をキャリア４２を挟んでベース４７上に搭載してもよい。

コリメートレンズを固定する工程Ｓ１４では、実際にｔＬＤ４１を発光させ、出射光がレンズ４５によってコリメート光となる位置にレンズ４５を配置する。コリメート性の検証は、図６に模式的に示す様に、ビームシフタ３３が配置される位置に光軸変換治具８１を設置し、ｔＬＤ４１の出射光をハウジング２外に取り出す。そして、レンズ４５の遠点（光モジュール１から１ｍ程度離れた位置）において出力光のコヒーレント性を検証し、コヒーレント性が最も確保される位置にレンズ４５を固定する。

図７はビームシフタを固定する工程Ｓ１５を模式的に示す。この工程では、変調器１１の入力ポートの水平レベルと、レンズ４５が出射するコリメート光の水平レベルとを予め測定しておき、測定した２つの水平レベルの差を補償するビームシフタ３３の傾斜角度を算出する。具体的には、上記水平レベルの差をΔｄ、ビームシフタ３３の厚さをｔ、ビームシフタ３３の屈折率をｎとしたときに、ビームシフタ３３の傾斜角度θを下記の式によって算出する。

上記の式によって傾斜角度θを算出した後には、当該傾斜角度θだけビームシフタ３３を傾けてキャリア３２上に搭載する。この工程Ｓ１５ではアクティブ調芯は行わない。

図８はミラーを固定する工程Ｓ１６を模式的に示す図である。この工程Ｓ１６では、ミラー２６の搭載角度をハウジング２の側壁２ｄに対して４５°に設定し、変調器１１の入力ポートの延長線とレンズ４５からのコリメート光の光軸との交点の設計位置にミラー２６を搭載する。まず、ミラー２６の角度を決定する。ハウジング２外に設けられたコリメート光源８２から入力する入力コリメート光に対して調心を行う。この調心は、上記コリメート光源８２と、３ｄＢカプラ８３と、パワーモニタ８４と、光源８５とを用いて行う。

具体的には、コリメート光源８２、３ｄＢカプラ８３、パワーモニタ８４、および光源８５を準備する。そして、ハウジング２の側壁２ｄを光学基準面とし、コリメート光源８２の入出射光の光軸が、この側壁２ｄに対して４５°の角度を為すようにコリメート光源８２を配置する。この時、コリメート光源８２の光軸はハウジング２の上方空間を通過する。そして、当該上方空間においてコリメート光源８２の正対する位置にミラー２６を配置しその角度を微調整し、ミラー２６の裏面で反射された光を３ｄＢカプラ８３を介してパワーモニタ８４で検知する。検知強度が最大となるミラー２６の回転角度を決定する。そして、この回転角度を維持しつつミラー２６をハウジング２内に移動し、キャリア２２上の位置を調整する。すなわち、キャリア２２上で、ビームシフタ３３の出射光の光軸、および、変調器１１の入力ポートの光軸それぞれについてミラー２６を平行移動させ、最大光入力を与える位置を決定する。この時二つのレンズ２３、２４は介在しておらず、また、光入力強度は変調器１１に設けられている変調器出力光のモニタポートから出射される光をｍＰＤ１４で検出することにより行う。レンズ４５の出射光はコリメート光に変換されているので、上記の検知方法により最大光結合を与えるミラー２６の位置を決定することができる。

ところで、図９に示されるように、レンズ４５から変調器１１の入力ポートまでの入力光学系において、光軸をシフトする光学部材、すなわち、光軸を調心できる光学部材は、ビームシフタ３３、ミラー２６、第２レンズ２４及び第１レンズ２３である。本実施形態に係る調心工程のうち、実際に微調芯を行って最大結合効率を与える位置を探索するのは、第１レンズ２３及び第２レンズ２４の調心のみである。他の部品は、第１レンズ２３及び第２レンズ２４の微調心が可能な範囲にコリメート光を設定する機能を司る。

第１レンズの位置調整の工程Ｓ１７では、まず、第１レンズ２３を位置決めして第１レンズ２３を設計標準位置に位置させる。固定は行わない。そして、ｔＬＤ４１を実際に発光させて、ｔＬＤ４１からの光を第１レンズ２３によって変調器１１に集光する。

第１レンズを固定する工程Ｓ１８では、変調器１１のモニタポートから出力する光をｍＰＤ１４によって観測する。そして、ｍＰＤ１４の出力が最大となる位置を探索し、当該位置から変調器１１側に光軸にそって所定量だけオフセットさせた位置で第１レンズ２３を固定する。この固定では、紫外線硬化樹脂を用い、樹脂に紫外線を照射して第１レンズ２３を固定する。ここで、一般に紫外線硬化樹脂は硬化のときに数μｍ収縮し、この収縮によって第１レンズ２３の調心状態が変化し、光の結合効率に影響する場合がある。このため、第２レンズ２４の調心を行うことによって光の結合効率への影響を低減させる。

第２レンズの位置調整の工程Ｓ１９では、第１レンズ２３と同様、ｍＰＤ１４の出力を観測しつつ、設計中心位置に第２レンズ２４を位置させる。

第２レンズを固定する工程Ｓ２０では、設計中心位置に配置した第２レンズ２４に対し、光軸に対するＸ、Ｙ、Ｚの三方向について調心を行う。そして、ｍＰＤ１４の出力が最大となる第２レンズ２４の位置を探索し、その位置で紫外線硬化樹脂を硬化させることによって第２レンズ２４を固定する。

ここで、第２レンズ２４についても第１レンズ２３の場合と同様に、硬化に伴う紫外線硬化樹脂の収縮が懸念される。しかしながら、第２レンズ２４の結合トレランス（所定の結合効率の劣化を伴うレンズ位置の範囲）は、第１レンズ２３のそれと比較して格段に緩くなっている。すなわち、所定の結合ロス（光結合強度の劣化）を誘起する第１レンズ２３の許容位置ずれがサブミクロンレベルで非常に厳しい値であるのに対し、第２レンズ２４の許容位置ずれは、一桁以上、特に光軸に沿った方向については数十ミクロンものトレランスを有している。従って、第２レンズ２４の固定に伴って生じる紫外線硬化樹脂の収縮による位置ずれは実質上問題とならない。

以上のように第２レンズ２４の固定を行って、入力光学系の光学部品の搭載が完了する。

以上、本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。例えば、ビームシフタ３３と第２レンズ２４との間の光路にステアリングレンズを更に配置して、上記位置ずれを補正してもよい。

１…光モジュール、２…ハウジング、２ｃ…前壁、２ｄ，２ｆ…側壁、２ｅ…後壁、３ａ…第１ポート、３ｂ…第２ポート、４ａ，４ｂ，５…リード端子、１０…変調器ユニット、１１…変調器（光学部品）、１２…キャリア、１３…ベース、１４…ｍＰＤ、１５…終端ユニット、１６…バイアスユニット、２０…入力ユニット、２２，３２，５２，６２…キャリア、２３…第１レンズ（集光レンズ）、２４…第２レンズ（集光レンズ）、２６…ミラー、３０…結合ユニット、３３…ビームシフタ（光軸調整部材）、３４…アイソレータ、４０…光源ユニット、４１…ｔＬＤ（光源）、４２…キャリア、４３…レンズキャリア、４４，４５…レンズ（コリメートレンズ）、４７…ベース、４８，４９…配線基板、５０…波長検知ユニット、５３，５４…ミラー、６０…出力ユニット、７０…第１ＴＥＣ、７２…分岐ミラー、８０…第２ＴＥＣ、８１…光軸変換治具、８２…コリメート光源、８３…３ｄＢカプラ、８４…パワーモニタ、８５…光源、９０…第３ＴＥＣ、θ…傾斜角度。

Claims (8)

1. 光源と、
   前記光源が出射する光を受ける光学部品と、
   底面を有し、前記光源と前記光学部品を前記底面上に搭載するハウジングと、
   前記出射光の光路上に設けられ、前記光源と前記光学部品それぞれの光軸の前記底面に対する位置を整合する光軸調整部材、を備える光モジュール。
2. 更に、前記光源と前記光軸調整部材との間の光路上にコリメートレンズを備え、前記光軸調整部材は前記コリメートレンズの出射光と前記光学部品それぞれの光軸の前記底面に対する位置を整合する、請求項１に記載の光モジュール。
3. 更に、前記光軸調整部材と前記光学部品との間の光路上に設けられ、前記光軸調整部材から出射した出射光を前記光学部品に集光する集光レンズを備える、請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 更に、前記光軸調整部材と前記集光レンズとの間に、前記光軸調整部材から出射した出射光を前記光学部品に向けて反射するミラーを備え、前記集光レンズは前記ミラーが反射した反射光を前記光学部品に集光する、請求項３に記載の光モジュール。
5. 前記ミラーは光学多層膜を備える平板ミラーである、請求項４に記載の光モジュール。
6. 光源と、前記光源が出射する出射光を集光する集光レンズと当該集光レンズにより集光された光が入射する光学部品と、底面を備え、前記光源と前記光学部品を当該底面上に搭載するハウジングを備えた光モジュールの製造方法であって、
   前記光源から出射する出射光の光路上であって前記光源と前記集光レンズとの間に、前記光源と前記光学部品それぞれの光軸の前記底面からの高さを整合する光軸調整部材を配置する工程と、
   前記光軸調整部材が出射する光を前記光学部品に結合する様に前記集光レンズを調整する工程、を備える光モジュールの製造方法。
7. 前記光軸調整部材は、互いに平行な入射面と出射面とを有しており、
   前記光軸調整部材を配置する工程は、前記それぞれの光軸の前記底面からの高さの差を求め、当該差、前記光軸調整部材の入射面と出射面の間隔、および前記光軸調整部材の屈折率より前記光軸調整部材の前記底面に対する傾斜角度を算出し、
   前記光軸調整部材を前記算出傾斜角度だけ傾斜させ、前記光学部品に対する調芯を行うことなく配置する、請求項６に記載の光モジュールの製造方法。
8. 前記光軸調整部材が出射する出射光を前記光学部品に向け前記出射光の光軸を変換するミラーを備え、
   前記ミラーは、前記出射光の光軸および前記光学部品の光軸に対して回転角度を固定し前記光学部品の光軸に対して調芯する、請求項６に記載の光モジュールの製造方法。

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