JP2016131415A - ガス絶縁開閉装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガス絶縁開閉装置の接地タンクが振動した際に金属異物が位置ずれを起こした振動した場合でも、金属異物周辺の部分放電を抑制しつつ、接地タンクから金属異物への電荷流入を抑制する。【解決手段】絶縁ガスが充填された接地タンク2と、接地タンク2の内部に配置されて電圧が印加される中心導体3と、接地タンク2の下側の内表面に配置され、高抵抗率の絶縁材料からなる高抵抗絶縁部5と、高抵抗絶縁部の少なくとも一部の表面上に配置され、低抵抗率材料からなる低抵抗絶縁部6とを備え、低抵抗絶縁部6の電気抵抗率と、低抵抗絶縁部6の比誘電率と、真空の誘電率の掛け算で表わされる時定数が、接地タンク2内に混入した金属異物7に部分放電が発生するまでの放電遅れ時間より小さくする。【選択図】図1
Description
この発明は、高電圧が印加される中心導体を接地タンク内部に収容し、接地タンク内部に充填した絶縁ガスで中心導体と接地タンクとを絶縁したガス絶縁開閉装置に関するものである。
ガス絶縁開閉装置は、高電圧が印加される中心導体を金属製の接地タンクに収納し、接地タンクと中心導体の間の空間に絶縁ガスを封入することで絶縁性能を確保している。ただし、製作時や現地での据付作業時に異物(ちり・繊維・導電性または半導電性の固体等)が接地タンク内に混入し、絶縁性能が低下する恐れがある。混入した異物は通電時に発生する電界によって帯電し、接地タンクの内表面から浮上する方向に静電気力を受ける。静電気力が異物に働く重力より大きくなると異物は浮上し、中心導体に向かって移動する。異物周囲で電界は集中するため、異物が中心導体に接近したり付着したりすると局所的に高電界となり、装置の耐電圧性能が低下する恐れがある。特に異物が金属製でかつ線状の場合は異物先端で強く電界集中するため、絶縁性能の低下が大きい。
この金属異物の問題に対し、例えば特許文献1に示される従来のガス絶縁開閉装置では、タンク内表面に高抵抗率の絶縁膜とその上に機械的強度の大きい被膜の二層を設けることで、金属異物に流入する電荷を抑制することによって金属異物の帯電を防止し、金属異物の浮上を抑制している。
また異物浮上を抑制する目的ではないが、例えば特許文献2に示されるような、106〜1011Ωm程度の電気抵抗率を持つ抵抗膜の上に、金属箔等の良導体を備えた二層構造を持つガス絶縁装置もある。
また異物浮上を抑制する目的ではないが、例えば特許文献2に示されるような、106〜1011Ωm程度の電気抵抗率を持つ抵抗膜の上に、金属箔等の良導体を備えた二層構造を持つガス絶縁装置もある。
しかし、特許文献1に示された従来の技術では、遮断器の投入や地震等で接地タンクが振動した際に金属異物が位置ずれを起こした場合、金属異物と高抵抗膜の接触部近傍で部分放電が発生し、金属異物が帯電する恐れがある。
また、特許文献2に示された構造では、膜の抵抗率が低すぎ、接地タンクから流れる漏れ電流による金属異物への電荷流入が防げず、金属異物が帯電する恐れがある。これらにより、金属異物の電荷に作用する静電力が金属異物に働く重力を上回ると金属異物が浮上を開始し、ガス絶縁開閉機器の絶縁性能を大きく低下させることになる。
また、特許文献2に示された構造では、膜の抵抗率が低すぎ、接地タンクから流れる漏れ電流による金属異物への電荷流入が防げず、金属異物が帯電する恐れがある。これらにより、金属異物の電荷に作用する静電力が金属異物に働く重力を上回ると金属異物が浮上を開始し、ガス絶縁開閉機器の絶縁性能を大きく低下させることになる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、接地タンクが振動した場合でも金属異物周辺の部分放電を抑制しつつ、接地タンクから金属異物への電荷流入も抑制できるガス絶縁開閉装置を提供することを目的とする。
この発明に係るガス絶縁開閉装置は、絶縁ガスが充填された接地タンクと、接地タンクの内部に配置され、電圧が印加される中心導体と、接地タンクの下側の内表面に配置され、高抵抗率の絶縁材料からなる高抵抗絶縁部と、高抵抗絶縁部の少なくとも一部の表面上
に配置され、高抵抗絶縁部の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ低抵抗率材料からなる低抵抗絶縁部とを備え、低抵抗絶縁部の抵抗率と、低抵抗絶縁部の比誘電率と、真空の誘電率の掛け算で表わされる時定数が、接地タンク内に混入した金属異物に部分放電が発生するまでの放電遅れ時間より小さくしたものである。
に配置され、高抵抗絶縁部の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ低抵抗率材料からなる低抵抗絶縁部とを備え、低抵抗絶縁部の抵抗率と、低抵抗絶縁部の比誘電率と、真空の誘電率の掛け算で表わされる時定数が、接地タンク内に混入した金属異物に部分放電が発生するまでの放電遅れ時間より小さくしたものである。
この発明の構成とすることにより、接地タンクの振動により金属異物の位置ずれが発生しても、金属異物と接地タンクの接触部近傍で部分放電が発生する前に接触部近傍における電界を緩和でき、金属異物の帯電を抑制できる、という効果を奏する。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1に係るガス絶縁開閉装置を図1から図3に基づいて詳細に説明する。
図1は実施の形態1に係るガス絶縁開閉装置の軸方向断面図、図2は径方向の断面図である。これら図1および図2において、ガス絶縁開閉装置1は、圧力容器である円筒状の接地タンク2と、接地タンク2の内部に配置され、高電圧が印加される中心導体3と、接地タンク2に取付けられ、中心導体3を絶縁支持する絶縁支持部材4とを有する。中心導体3は固体絶縁物からなる絶縁支持部材4で接地タンク2と同軸中心の位置に固定されている。なお、図1は、ガス絶縁開閉装置1の一部を示したものであり、ガス絶縁開閉装置1は以上述べた構成要素の他、遮断器、断路器、計器用変流器等の機器を備えている。
以下、この発明の実施の形態1に係るガス絶縁開閉装置を図1から図3に基づいて詳細に説明する。
図1は実施の形態1に係るガス絶縁開閉装置の軸方向断面図、図2は径方向の断面図である。これら図1および図2において、ガス絶縁開閉装置1は、圧力容器である円筒状の接地タンク2と、接地タンク2の内部に配置され、高電圧が印加される中心導体3と、接地タンク2に取付けられ、中心導体3を絶縁支持する絶縁支持部材4とを有する。中心導体3は固体絶縁物からなる絶縁支持部材4で接地タンク2と同軸中心の位置に固定されている。なお、図1は、ガス絶縁開閉装置1の一部を示したものであり、ガス絶縁開閉装置1は以上述べた構成要素の他、遮断器、断路器、計器用変流器等の機器を備えている。
接地タンク2と中心導体3との間には、両者を絶縁するための絶縁ガス(図示せず)が充填されている。絶縁ガスとして、例えばSF6・乾燥空気・N2・CO2・O2・CF3Iなどの単体ガスが挙げられる。また、上記ガスを2種類もしくはそれ以上の種類で混合させたものを用いても良い。
接地タンク2の内表面には高抵抗絶縁膜5(高抵抗絶縁部)が配置されている。高抵抗絶縁膜5は、例えば接地タンク2の下側の内表面に配置されている。高抵抗絶縁膜5は樹脂を主成分とする絶縁材料で形成された被膜である。絶縁材料としては熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂が考えられる。熱可塑性樹脂であれば塩化ビニル系・ポリエステル系・ナイロン系等の樹脂が、熱硬化性樹脂であればエポキシ系・ウレタン系・アクリル系等の樹脂が使用される。また、高抵抗絶縁膜5の形成方法としては、はけ塗り・スプレー塗装・静電塗装(静電気を粉体に与えて目標物に付着させる)等で薄膜を形成後硬化させる方法がある。
また、この高抵抗絶縁膜5の上には高抵抗絶縁膜5を少なくとも部分的に被覆するように、高抵抗絶縁部5の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ低抵抗率材料からなる低抵抗絶縁膜6(低抵抗絶縁部)が配置されている。低抵抗絶縁膜6は、例えば図2のように、接地タンク2の下側内表面に配置された高抵抗絶縁膜5の表面に、接地タンク2に触れないように配置されている。低抵抗絶縁膜6の形成方法としては、例えば数μm〜数10μmの粒径を持った粉体粒子状の低抵抗材料を液状バインダ樹脂と混ぜあわせ、吹き付け塗装、はけ塗り、焼付け塗装、浸漬塗装などで薄膜を形成後硬化させる方法がある。
ただし、この場合は、低抵抗絶縁膜6の構成材として低抵抗材料と異なる材料を混合させるため、体積割合で低抵抗材料が他の混合物よりも多くの割合とする必要がある。またガス絶縁開閉装置に適用できる低抵抗材料は、絶縁物であること、分解ガスを生成しないこと、運転時間中に性能に対する経年劣化が小さいこと、100度前後の熱環境下で性能が落ちないことが挙げられる。
次に、この発明の実施の形態1に係るガス絶縁開閉装置1において生じる物理現象について説明する。
ガス絶縁開閉装置1を構成するほとんどのパーツは、工場内のクリーンルームで組み立てられて現地へ輸送されるが、輸送限界等により一部は現地で組み立てられる。そのため、現地組立時にガス絶縁開閉装置1の接地タンク2内に金属異物7が混入する(紛れ込む)可能性がある。これら金属異物7の大部分は検査工程で取り除かれるが、長さが3mm程度以下で、太さが0.2mm程度以下の金属異物7は発見が困難であり、検査で見落とされ、接地タンク2内に残される場合がある。
ガス絶縁開閉装置1を構成するほとんどのパーツは、工場内のクリーンルームで組み立てられて現地へ輸送されるが、輸送限界等により一部は現地で組み立てられる。そのため、現地組立時にガス絶縁開閉装置1の接地タンク2内に金属異物7が混入する(紛れ込む)可能性がある。これら金属異物7の大部分は検査工程で取り除かれるが、長さが3mm程度以下で、太さが0.2mm程度以下の金属異物7は発見が困難であり、検査で見落とされ、接地タンク2内に残される場合がある。
金属異物7は、発生した直後は重力によって接地タンク2内の底面に落下して平伏した状態となる。ここで、中心導体3に電圧が印加されている運転状態で、接地タンク2を構成する金属が直接金属異物7に接触する場合、静電誘導の現象が金属異物7に作用して接地タンク2から金属異物7に電荷が供給されて、金属異物7は帯電する。
一方、高抵抗絶縁膜5のみが接地タンク2の内面に形成されている場合、図3に示すように、金属異物7と高抵抗絶縁膜5の接触部近傍の微小ギャップによる放電で生成したイオンが金属異物7を帯電させる。帯電した金属異物7は、課電されている接地タンク2内では高電圧の中心導体3と接地タンク2の間で電界が発生しているため、帯電量に応じたクーロン力の作用を受けて、平伏した状態から起立、高電圧の中心導体3に向けて浮上する。その後、高電圧の中心導体3に接近して接触する。高電圧の中心導体3近傍は高電界であるため、金属異物7が高電圧の中心導体3に接近した状態で雷サージなどの過電圧が侵入すると、地絡に至る場合がある。
以上、接地タンク2底面に絶縁物などの被覆がない場合、あるいは接地タンク2底面に高抵抗絶縁膜5のみが被覆されている場合に、金属異物7が接地タンク2内で平伏した状態から起立、浮上する現象について説明したが、以下に、この発明の実施の形態1におけるガス絶縁開閉装置1の場合は、金属異物7が浮上しにくい現象について詳細に説明する。
接地タンク2に外部から機械的振動が加わると、静置状態では浮上に必要な電荷量を持たなかった金属異物7が振動によって運動し、運動したはずみに金属異物7と低抵抗絶縁膜6の接触点近傍の局所電界が変化し、部分放電が発生して金属異物7に電荷が供給され金属異物7が浮上してしまう可能性がある。
ここで言う、接地タンク2に加わる外部からの機械振動とは、例えば地震であったり、この接地タンク2に併設された機器(断路器、遮断器)等の動きで発生する振動であったりする。金属異物7が運動した瞬間に部分放電が発生しないためには、金属異物7と低抵抗絶縁膜6の接触点近傍の局所電界が、部分放電が発生する前に、金属異物7が静置状態の局所電界値とほぼ同等の値に戻る必要がある。この電界が元に戻る時間を時定数と定義する。
ここで言う、接地タンク2に加わる外部からの機械振動とは、例えば地震であったり、この接地タンク2に併設された機器(断路器、遮断器)等の動きで発生する振動であったりする。金属異物7が運動した瞬間に部分放電が発生しないためには、金属異物7と低抵抗絶縁膜6の接触点近傍の局所電界が、部分放電が発生する前に、金属異物7が静置状態の局所電界値とほぼ同等の値に戻る必要がある。この電界が元に戻る時間を時定数と定義する。
ここで、低抵抗絶縁膜6の時定数Tは以下の式(1)で表される。
T=εrεoρ ・・・(1)
εrは低抵抗絶縁膜6の比誘電率、
εoは真空の誘電率8.85×10−12m−3kg−1s4A2、
ρは低抵抗絶縁膜6の電気抵抗率である。
T=εrεoρ ・・・(1)
εrは低抵抗絶縁膜6の比誘電率、
εoは真空の誘電率8.85×10−12m−3kg−1s4A2、
ρは低抵抗絶縁膜6の電気抵抗率である。
一方で、金属異物7に部分放電が発生するまでは、放電遅れ時間と呼ばれる時間がある。放電遅れ時間は、電圧が印加されてから放電のタネとなる初期電子が発生するまでの統計的遅れ時間と、初期電子が発生してから放電に成長するまでの形成遅れ時間の和である。ガス中における放電の統計的遅れ時間は最短でほぼゼロsであり、形成遅れ時間は最短で数十nsである。
このことから放電遅れ時間の最短時間は数十nsとされる(例えば、文献『方形波インパルスによるSF6中準平等電界ギャップの短時間領域V−t特性の解明(著・財団法人電力中央研究所)』)。したがって、低抵抗絶縁膜6の時定数Tは、放電遅れ時間より小さくすることで、金属異物7と接地タンク2の接触部近傍で部分放電が発生する前に接触部近傍における電界を緩和でき、金属異物7の帯電を抑制できる。
因みに、数値例として放電遅れ時間=時定数を50ns、低抵抗絶縁膜6の比誘電率を10として式(1)に代入すると、低抵抗絶縁膜6の電気抵抗率は5.5×102Ωmとなる。
因みに、数値例として放電遅れ時間=時定数を50ns、低抵抗絶縁膜6の比誘電率を10として式(1)に代入すると、低抵抗絶縁膜6の電気抵抗率は5.5×102Ωmとなる。
しかし低抵抗絶縁膜6を接地タンク2の底面に直接被覆したのでは、上で述べた静電誘導の現象によって、接地タンク2の底面から低抵抗絶縁膜6を通して金属異物7に電荷が供給される恐れがある。したがって、接地タンク2に高抵抗絶縁膜5を、例えば金属異物7が接触する恐れのある底面に施し、この高抵抗絶縁膜5の上に低抵抗絶縁膜6を被覆するとよい。
上記のように実施の形態1の発明は、高抵抗絶縁膜5の上に低抵抗絶縁膜6を構成し、低抵抗絶縁膜6の時定数が金属異物7に部分放電が発生するまでの放電遅れ時間より小さくすることで、接地タンク2の振動により金属異物7の位置ずれが発生しても、金属異物7と接地タンク2の接触部近傍で部分放電が発生する前に接触部近傍における電界値を静置状態の局所電界値にまで戻すことができ、部分放電の発生を抑制できる。
実施の形態2.
実施の形態1では、振動が発生したときに変化する電界が、放電遅れ時間の最短時間よりも早く、静置状態の電界に戻るような低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態2では静電誘導による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べる。
実施の形態1では、振動が発生したときに変化する電界が、放電遅れ時間の最短時間よりも早く、静置状態の電界に戻るような低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態2では静電誘導による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べる。
静置状態の金属異物7に電荷流入が発生する要因として先に述べたように、静電誘導によって接地タンク2の底面等から電荷供給を受ける場合がある。漏れ電流による接地タンク2の底面からの静電誘導による電荷供給は、金属異物7と接地タンク2の底面の間に高抵抗絶縁膜5があれば防げる。しかし実施の形態1は、高抵抗絶縁膜5の上に低抵抗絶縁膜6があり、低抵抗絶縁膜6と金属異物7が接している。
低抵抗絶縁膜6の抵抗率が低すぎ、接地タンク2内が高電界となる電圧が高電圧の中心導体3に印加される場合、低抵抗絶縁膜6からの静電誘導によって金属異物7に電荷が供給される恐れがある。そのため例えば、接地タンク2内が高電界となる電圧が高電圧の中心導体3に印加される場合等は、低抵抗絶縁膜6の低抵抗材料の電気抵抗率は10Ωm程度以上あった方がのぞましい。
低抵抗絶縁膜6の抵抗率が低すぎ、接地タンク2内が高電界となる電圧が高電圧の中心導体3に印加される場合、低抵抗絶縁膜6からの静電誘導によって金属異物7に電荷が供給される恐れがある。そのため例えば、接地タンク2内が高電界となる電圧が高電圧の中心導体3に印加される場合等は、低抵抗絶縁膜6の低抵抗材料の電気抵抗率は10Ωm程度以上あった方がのぞましい。
上記のように実施の形態2の発明は、上記した実施の形態1の発明において、低抵抗絶縁膜6の低抵抗材料の電気抵抗率を10Ωm程度以上に構成すれば、静電誘導による金属異物7の帯電を抑制することができる。
実施の形態3.
実施の形態2では、静電誘導による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態3では部分放電による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べる。
実施の形態2では、静電誘導による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態3では部分放電による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べる。
図4は、実施の形態1における高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6において、金属異物7の周囲電界に対する金属異物7と絶縁膜5、6の接触点近傍の局所電界の依存性を示す図である。
金属異物7の周囲電界が高くなると、金属異物7と絶縁膜5、6の接触点近傍の局所電界も上昇する。また、金属異物7と高抵抗絶縁膜5の接触点近傍の局所電界の方が、金属異物7と低抵抗絶縁膜6の接触点近傍の局所電界よりも高くなる。一般的に金属異物7の周囲電界が同じ場合、局所電界が高電界である方が、部分放電が発生しやすくなる。このため、振動が少ない箇所であっても、金属異物7が接すると考えられる箇所には、電気抵抗率の高い高抵抗絶縁膜5を塗装した上に、電気抵抗率の低い低抵抗絶縁膜6を塗装するのが望ましい。
金属異物7の周囲電界が高くなると、金属異物7と絶縁膜5、6の接触点近傍の局所電界も上昇する。また、金属異物7と高抵抗絶縁膜5の接触点近傍の局所電界の方が、金属異物7と低抵抗絶縁膜6の接触点近傍の局所電界よりも高くなる。一般的に金属異物7の周囲電界が同じ場合、局所電界が高電界である方が、部分放電が発生しやすくなる。このため、振動が少ない箇所であっても、金属異物7が接すると考えられる箇所には、電気抵抗率の高い高抵抗絶縁膜5を塗装した上に、電気抵抗率の低い低抵抗絶縁膜6を塗装するのが望ましい。
上記のように実施の形態3の発明は、上記した実施の形態1の発明において、低抵抗絶縁膜6の電気抵抗率を、高抵抗絶縁膜5の電気抵抗率よりも低くすると、部分放電の発生を抑制し、金属異物7の帯電を抑える効果がある。
実施の形態4.
実施の形態3では部分放電による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態4では低抵抗絶縁膜6の構成要素である低抵抗材料の分布方法について述べる。
実施の形態3では部分放電による金属異物7の帯電を抑制するような高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6について述べたが、実施の形態4では低抵抗絶縁膜6の構成要素である低抵抗材料の分布方法について述べる。
図5は実施の形態4の発明において、接地タンク2の底面に被覆された高抵抗絶縁膜5と低抵抗絶縁膜6、および低抵抗絶縁膜6を構成する樹脂8と低抵抗材料9を示した図である。
低抵抗絶縁膜6を構成する低抵抗材料9は、例えば導電材料(金属酸化物、導電性カーボン)または半導体材料等が挙げられる。低抵抗材料9は粉体または微小球の形状であり、粒径の細かなものが用いられる。低抵抗材料9は樹脂8と混ぜて塗布される。このとき低抵抗材料9が樹脂8の底に沈降しないように、低抵抗材料9の粒径は数μm以下とする。また低抵抗材料9が底に沈降しないよう、低抵抗絶縁膜6中に均等に分布する方法として、低抵抗材料9に表面処理を施してから樹脂8と混合させる方法や、低抵抗材料9と一緒に分散安定剤を樹脂8に混合させる方法等がある。
低抵抗絶縁膜6を構成する低抵抗材料9は、例えば導電材料(金属酸化物、導電性カーボン)または半導体材料等が挙げられる。低抵抗材料9は粉体または微小球の形状であり、粒径の細かなものが用いられる。低抵抗材料9は樹脂8と混ぜて塗布される。このとき低抵抗材料9が樹脂8の底に沈降しないように、低抵抗材料9の粒径は数μm以下とする。また低抵抗材料9が底に沈降しないよう、低抵抗絶縁膜6中に均等に分布する方法として、低抵抗材料9に表面処理を施してから樹脂8と混合させる方法や、低抵抗材料9と一緒に分散安定剤を樹脂8に混合させる方法等がある。
上記のように実施の形態4の発明は、上記した実施の形態1の発明において、低抵抗絶縁膜6は、低抵抗材料9を沈降させないように樹脂8と混ぜ込んだ構成にすると、低抵抗絶縁膜6の中にある低抵抗材料9により金属異物7付近の電界を抑制でき、静置時または振動による金属異物が移動時も、部分放電の発生を抑制できる。
実施の形態5.
実施の形態4では、低抵抗絶縁膜6の作製方法として、低抵抗材料9の粉体を樹脂8と混ぜ込み塗布する方法を述べたが、実施の形態5の発明は、低抵抗絶縁膜6の作製方法として、低電気抵抗率の樹脂を塗布することで低抵抗絶縁膜6としたものである。
実施の形態4では、低抵抗絶縁膜6の作製方法として、低抵抗材料9の粉体を樹脂8と混ぜ込み塗布する方法を述べたが、実施の形態5の発明は、低抵抗絶縁膜6の作製方法として、低電気抵抗率の樹脂を塗布することで低抵抗絶縁膜6としたものである。
低電気抵抗率の樹脂として、導電性高分子を用いる。導電性高分子の例としてポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセン等が挙げられる。導電性高分子は樹脂そのものとして塗布可能であるため、低抵抗材料の粉体を利用するよりも製膜が容易である。
上記のように実施の形態5の発明は、上記した実施の形態1の発明において、低抵抗絶縁膜6を、低電気抵抗率の樹脂を塗布する構成にすると、金属異物7付近の電界を抑制でき、静置時または振動による金属異物が移動時も、部分放電の発生を抑制できる。
以上、この発明の実施の形態を記述したが、この発明は実施の形態に限定されるものではなく、種々の設計変更を行うことが可能であり、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1:ガス絶縁開閉装置、2:接地タンク、3:中心導体、4:絶縁支持部材、
5:高抵抗絶縁膜、6:低抵抗絶縁膜、7:金属異物、8:樹脂、9:低抵抗材料
5:高抵抗絶縁膜、6:低抵抗絶縁膜、7:金属異物、8:樹脂、9:低抵抗材料
Claims (4)
- 絶縁ガスが充填された接地タンクと、前記接地タンクの内部に配置され、電圧が印加される中心導体と、前記接地タンクの下側の内表面に配置され、高抵抗率の絶縁材料からなる高抵抗絶縁部と、前記高抵抗絶縁部の少なくとも一部の表面上に配置され、前記高抵抗絶縁部の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ低抵抗率材料からなる低抵抗絶縁部とを備え、
前記低抵抗絶縁部の抵抗率と、前記低抵抗絶縁部の比誘電率と、真空の誘電率の掛け算で表わされる時定数が、前記接地タンク内に混入した金属異物に部分放電が発生するまでの放電遅れ時間より小さいことを特徴とするガス絶縁開閉機器。 - 前記低抵抗絶縁部の低抵抗率材料の抵抗率は、10Ωm以上であることを特徴とする請求項1に記載のガス絶縁開閉機器。
- 前記低抵抗絶縁部の低抵抗材料は、導電材料または半導体材料を混合させた樹脂からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガス絶縁開閉機器
- 前記低抵抗絶縁部の低抵抗材料は、導電性高分子からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガス絶縁開閉機器。
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