JP2016128198A - Polishing pad - Google Patents

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康行 板井
Yasuyuki Itai
康行 板井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad that can feed a sufficient amount of polishing slurry to a place requiring polishing slurry for polishing and can reduce the amount of polishing slurry to be used.SOLUTION: A polishing pad, the surface of which polishing slurry is fed to, capable of polishing a workpiece while rotating comprises a polishing layer 1 configured so that one surface of which can polish a workpiece and a base layer 2 being laminated on the other surface of the polishing layer 1, in which the layer 1 has a plurality of through holes 1a that are opened in the thickness direction, the base layer 2 opens in one surface that is laminated with the polishing layer 1 and has groove parts 2a that communicate the through holes 1a, in which the groove parts 2a are configured to have circular arc shapes that extend from the center of the one surface of the base layer 2 to the circumference and protrude in the direction opposite to the rotation direction.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する研磨パッドに関する。   The present invention relates to a polishing pad for polishing an object to be polished such as a semiconductor wafer.

半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する方法としては、定盤に研磨面として構成されている表面が上向きになるように研磨パッドを装着し、該研磨パッドにキャリアに保持された被研磨物を押圧して、定盤及びキャリアを回転させると共に、スラリー供給装置のノズルから研磨パッド表面に研磨スラリーを供給しながら被研磨物の表面を研磨する方法がある。   As a method for polishing an object to be polished such as a semiconductor wafer, a polishing pad is mounted on a surface plate so that the surface configured as a polishing surface faces upward, and the object to be polished held by a carrier is mounted on the polishing pad. There is a method of rotating the surface plate and the carrier by pressing and polishing the surface of the object to be polished while supplying the polishing slurry from the nozzle of the slurry supply device to the surface of the polishing pad.

かかる方法において研磨パッド表面に研磨スラリーを供給する場合、研磨パッドの中心点近くの中心部に研磨スラリーを滴下する。研磨パッドは回転しているため、該回転による遠心力によって研磨スラリーは、中心部から研磨パッドの周縁端に向かって流れる。被研磨物を研磨する研磨位置は、通常は、研磨パッドの中心点と周縁端との中間付近の位置であるため、中心部から周縁端に向かって流れる研磨スラリーは、研磨位置付近に到達すれば被研磨物と研磨パッドとの間に流入しうる。   In this method, when supplying the polishing slurry to the surface of the polishing pad, the polishing slurry is dropped at the center near the center point of the polishing pad. Since the polishing pad is rotating, the polishing slurry flows from the central portion toward the peripheral edge of the polishing pad by the centrifugal force generated by the rotation. Since the polishing position for polishing the workpiece is usually a position near the center between the center point and the peripheral edge of the polishing pad, the polishing slurry flowing from the central portion toward the peripheral edge reaches the vicinity of the polishing position. For example, it can flow between the object to be polished and the polishing pad.

研磨スラリーを被研磨物と研磨パッドとの間に流入させやすくするために表面に溝が形成された研磨パッドが知られている。
例えば、特許文献1には、研磨パッドの表面の中心部から略半径方向に延びる溝であって、回転方向と同方向に突状となるカーブを描く溝を有する研磨パッドが記載されている。特許文献1に記載の研磨パッド表面の溝は遠心力によって流れる研磨スラリーの流動軌跡を考慮した形状の溝であるため、中心部から周縁端側への研磨スラリーの流れを促進でき、被研磨物と研磨パッドとの間に流入しやすくなる。
A polishing pad having a groove formed on the surface in order to facilitate the flow of the polishing slurry between an object to be polished and the polishing pad is known.
For example, Patent Document 1 describes a polishing pad having a groove extending in a substantially radial direction from the center of the surface of the polishing pad and having a groove that curves in the same direction as the rotation direction. Since the groove on the surface of the polishing pad described in Patent Document 1 is a groove having a shape that takes into account the flow trajectory of the polishing slurry that flows by centrifugal force, the flow of the polishing slurry from the center to the peripheral edge side can be promoted, and the object to be polished And between the polishing pad and the polishing pad.

しかし、上述のように、研磨スラリーを中心部から周縁端側へ流動させる場合、被研磨物と研磨パッドとの間に流入できなかった研磨スラリーはそのまま研磨パッドの周縁端から研磨パッドの外へ流出してしまい、無駄な研磨スラリーが発生する。よって、研磨位置に充分に研磨スラリーを供給するためには、過剰な研磨スラリーを研磨パッド表面に供給する必要があり、研磨スラリーの使用量が増大する。   However, as described above, when the polishing slurry is caused to flow from the central portion to the peripheral edge side, the polishing slurry that could not flow between the object to be polished and the polishing pad is directly moved from the peripheral edge of the polishing pad to the outside of the polishing pad. It flows out and wasteful polishing slurry is generated. Therefore, in order to sufficiently supply the polishing slurry to the polishing position, it is necessary to supply an excessive polishing slurry to the surface of the polishing pad, and the amount of polishing slurry used increases.

また、特許文献2には、第一研磨パッド部と該第一研磨パッド部の下面(第一研磨パッド部の研磨面となる面とは反対側に配置される面)に積層された第二研磨パッド部とからなる研磨パッドであって、前記第一研磨パッド部には研磨面から下層の第二研磨パッド部側に研磨スラリーが流入される第一の貫通孔と、第二研磨パッド部から第一研磨パッド部の研磨面側に流出させるための第二の貫通孔とを設け、第一の貫通孔から流入された研磨スラリーを第二の貫通孔へと導くスラリー通路用溝部が第二研磨パッド部に形成された研磨パッドが記載されている。
かかる、研磨パッドでは、前記第一研磨パッド部の研磨面に供給された研磨スラリーは、第一の貫通孔から第二研磨パッド部へ一時的に流入し、スラリー通路用溝部で研磨スラリーは回転の遠心力によって周縁端に向かって流れる。そして、スラリー通路用溝部の厚み方向の深さは周縁端側にいくにつれて浅くなっているため、研磨スラリーは周縁端側の端部でスラリー通路用溝部から溢れ、該位置の上方に配置されている第二の貫通孔から第一研磨パッド部に流出する。よって、第一研磨パッドの研磨面に均等に研磨スラリーを流入しやすくできることが記載されている。
Further, Patent Document 2 discloses a second polishing layer laminated on a first polishing pad portion and a lower surface of the first polishing pad portion (a surface disposed on a side opposite to a surface serving as a polishing surface of the first polishing pad portion). A polishing pad comprising a polishing pad portion, wherein the first polishing pad portion has a first through hole into which polishing slurry flows from the polishing surface to the lower second polishing pad portion side, and a second polishing pad portion. A second through hole for allowing the first polishing pad portion to flow out to the polishing surface side of the first polishing pad portion, and a slurry passage groove portion for guiding the polishing slurry introduced from the first through hole to the second through hole is provided in the first through hole. A polishing pad formed on the two polishing pad portions is described.
In such a polishing pad, the polishing slurry supplied to the polishing surface of the first polishing pad portion temporarily flows into the second polishing pad portion from the first through hole, and the polishing slurry rotates in the slurry passage groove portion. It flows toward the peripheral edge by centrifugal force. And since the depth in the thickness direction of the groove portion for the slurry passage becomes shallower toward the peripheral edge side, the polishing slurry overflows from the slurry passage groove portion at the edge portion on the peripheral edge side and is disposed above the position. It flows out to the first polishing pad portion from the second through hole. Therefore, it is described that the polishing slurry can easily flow into the polishing surface of the first polishing pad evenly.

しかしながら、特許文献2に記載のスラリー通路用溝部は、第二研磨パッド部上面の中心部から半径方向に放射線状に伸びる直線状の溝部から構成されている。従って、研磨スラリーはスラリー通路用溝部内を中心部から周縁端側に向かって流れ、スラリー通路用溝部の周縁端側に集まりやすくなる。その結果、該周縁端側付近に配置された第二の貫通孔から第一研磨パッド部の研磨面に研磨スラリーが供給されやすくなり、第一研磨パッド部の研磨面において被研磨物と研磨パッドとの間に流入できずに周縁端から流出する無駄な研磨スラリーが多く発生することになる。よって、研磨スラリーの使用量は充分に低減できないという問題がある。   However, the slurry passage groove portion described in Patent Document 2 is composed of a linear groove portion extending radially from the center of the upper surface of the second polishing pad portion in the radial direction. Accordingly, the polishing slurry flows from the center portion toward the peripheral edge side in the slurry passage groove portion, and easily collects on the peripheral edge side of the slurry passage groove portion. As a result, the polishing slurry is easily supplied to the polishing surface of the first polishing pad portion from the second through-hole arranged near the peripheral edge side, and the object to be polished and the polishing pad on the polishing surface of the first polishing pad portion A lot of useless polishing slurry that cannot flow in between and flows out of the peripheral edge is generated. Therefore, there is a problem that the amount of polishing slurry used cannot be reduced sufficiently.

特開2002−144219号公報JP 2002-144219 A 特開2004−82270号公報JP 2004-82270 A

そこで、本発明は、上記のような従来の問題を鑑みて、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給でき、且つ、研磨スラリーの使用量を充分に低減することができる研磨パッドを提供することを課題とする。   Therefore, in view of the conventional problems as described above, the present invention provides a polishing pad that can sufficiently supply the polishing slurry to a location necessary for polishing and that can sufficiently reduce the amount of the polishing slurry used. The task is to do.

本発明に係る研磨パッドは、表面に研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、一面が被研磨物を研磨可能に構成されている研磨層と、該研磨層の他面に積層される下地層とを備え、前記研磨層は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔を有しており、前記下地層は、前記研磨層と積層される一面に開口し前記貫通孔と連通する溝部を有しており、前記溝部は、前記下地層の前記一面の中心部から周縁端に向かって伸び且つ回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されている。   A polishing pad according to the present invention is a polishing pad that is supplied with polishing slurry on its surface and is capable of polishing an object to be polished while rotating, a polishing layer having one surface configured to polish the object to be polished, and the polishing An underlayer laminated on the other surface of the layer, the polishing layer has a plurality of through holes penetrating in the thickness direction, and the underlayer opens on one surface laminated with the polishing layer. The groove portion communicates with the through-hole, and the groove portion has an arc shape extending from the center portion of the one surface of the base layer toward the peripheral edge and projecting in a direction opposite to the rotation direction. It is configured as follows.

本発明に係る研磨パッドによれば、まず、回転する研磨パッドの研磨層の一面に研磨スラリーが供給されると、研磨スラリーは回転の遠心力により中心部から研磨層の周縁端に向かって流れていくが、研磨層は厚み方向に貫通する複数の貫通孔を有しているため、研磨層に過剰に存在する研磨スラリーは該貫通孔を通過して、研磨層の他面に積層された下地層側に流入する。下地層は、前記研磨層と積層される一面に開口し前記貫通孔と連通する溝部を有しているため、研磨スラリーは貫通孔から溝部に流入する。さらに、該溝部は下地層の一面の中心部から周縁端側に向かって伸び且つ回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されているため、研磨スラリーは溝部において次のような流れを生じる。すなわち、遠心力により研磨スラリーは下地層の周縁端側に向かって流れるものの、遠心力と溝部の円弧形状との相互作用で、研磨スラリーには周縁端に到達する途中において、中心部側に戻ろうとする力が働くことになり、研磨スラリーが逆に流れることになる。よって、研磨スラリーは下地層の周縁端側に向う流れと、中心側に向かう流れとがぶつかる位置に集まることになる。かかる位置で集まった研磨スラリーは、該位置の溝部と連通するように配置された貫通孔を通過して研磨層側に再度流出することになる。よって、研磨層表面の中心部と周縁端との中間の位置に研磨スラリーを再度供給することができる。
以上より、研磨層において研磨に使用されない位置に供給された研磨スラリーを、研磨層の他面に積層された下地層側に一度流入させた後に、研磨層の研磨位置付近に戻すことができる。そのため、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給できると同時に、無駄な研磨スラリーの発生を抑制することで、研磨スラリーの使用量を充分に低減することができる。
According to the polishing pad of the present invention, first, when the polishing slurry is supplied to one surface of the polishing layer of the rotating polishing pad, the polishing slurry flows from the center toward the peripheral edge of the polishing layer by the centrifugal force of rotation. However, since the polishing layer has a plurality of through holes penetrating in the thickness direction, the polishing slurry excessively present in the polishing layer passes through the through holes and is laminated on the other surface of the polishing layer. It flows into the underlayer side. Since the underlayer has a groove portion that opens in one surface laminated with the polishing layer and communicates with the through hole, the polishing slurry flows into the groove portion from the through hole. Further, since the groove portion is configured to have an arc shape extending from the center portion of one surface of the base layer toward the peripheral edge side and projecting in the direction opposite to the rotation direction, the polishing slurry is formed in the groove portion. The following flow occurs. That is, although the polishing slurry flows toward the peripheral edge side of the underlayer due to centrifugal force, the polishing slurry returns to the center side in the middle of reaching the peripheral edge due to the interaction between the centrifugal force and the arc shape of the groove. The force to try will work, and the polishing slurry will flow in reverse. Therefore, the polishing slurry is collected at a position where the flow toward the peripheral edge of the underlayer and the flow toward the center meet. The polishing slurry collected at such a position passes through the through-hole disposed so as to communicate with the groove at the position and flows out again to the polishing layer side. Therefore, the polishing slurry can be supplied again to a position intermediate between the center portion and the peripheral edge of the polishing layer surface.
As described above, the polishing slurry supplied to a position not used for polishing in the polishing layer can be once returned to the base layer laminated on the other surface of the polishing layer and then returned to the vicinity of the polishing position of the polishing layer. Therefore, it is possible to sufficiently supply the polishing slurry to a location necessary for polishing, and at the same time, it is possible to sufficiently reduce the amount of the polishing slurry used by suppressing the generation of useless polishing slurry.

本発明において、前記下地層の周縁端の側面に開口していなくてもよい。   In this invention, it does not need to open to the side surface of the peripheral edge of the said base layer.

前記溝部が前記下地層の周縁端の側面に開口していない場合には、下地層の周縁端から研磨スラリーが流出しにくくなる。よって、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給できると同時に、研磨スラリーの使用量をより充分に低減することができる。   When the groove is not open on the side surface at the peripheral edge of the underlayer, the polishing slurry is difficult to flow out from the peripheral edge of the underlayer. Therefore, the polishing slurry can be sufficiently supplied to a location necessary for polishing, and at the same time, the amount of the polishing slurry used can be more sufficiently reduced.

本発明において、前記溝部の幅は、前記貫通孔の内径よりも大となるように構成されていてもよい。   In the present invention, the width of the groove may be configured to be larger than the inner diameter of the through hole.

前記溝部の幅は、前記貫通孔の内径よりも大となるように構成されている場合には、溝部に流入した研磨スラリーの流れを良好にできると同時に、研磨スラリー中の砥粒の凝集体や研磨屑等を溝部に保持して、凝集体や研磨屑等が研磨層に流入することを抑制することができる。よって、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給でき、研磨スラリーの使用量をより充分に低減することができると同時に、研磨性能の低下を抑制することができる。   In the case where the width of the groove is configured to be larger than the inner diameter of the through-hole, the abrasive slurry flowing into the groove can be favorably flowed, and at the same time, an aggregate of abrasive grains in the polishing slurry. In addition, it is possible to hold the polishing debris or the like in the groove portion and suppress the agglomerates, the polishing debris or the like from flowing into the polishing layer. Therefore, the polishing slurry can be sufficiently supplied to a location necessary for polishing, and the amount of the polishing slurry used can be more sufficiently reduced, and at the same time, a decrease in polishing performance can be suppressed.

以上のように、本発明によれば、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給でき、且つ、研磨スラリーの使用量を充分に低減することができる研磨パッドを提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a polishing pad that can sufficiently supply the polishing slurry to a location necessary for polishing and that can sufficiently reduce the amount of the polishing slurry used.

一実施形態の研磨パッドを示す平面図。The top view which shows the polishing pad of one Embodiment. 図1のI−I線断面図。II sectional view taken on the line of FIG. 図2のA部拡大断面図。The A section expanded sectional view of FIG. 本実施形態の下地層を示す平面図。The top view which shows the base layer of this embodiment. 研磨パッドの使用状態を示す概略正面図。The schematic front view which shows the use condition of a polishing pad. 研磨パッドの使用状態を示す斜視図。The perspective view which shows the use condition of a polishing pad. 他の実施形態の研磨パッドを示す平面図。The top view which shows the polishing pad of other embodiment. 他の実施形態の研磨パッドを示す平面図。The top view which shows the polishing pad of other embodiment.

以下、図面に基づいて本発明に係る研磨パッドの実施形態について説明する。尚、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of a polishing pad according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

本実施形態の研磨パッド10は、図1乃至4に示すように、表面に研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、一面が被研磨物を研磨可能に構成されている研磨層1と、該研磨層1の他面に積層される下地層2とを備え、前記研磨層1は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔1aを有しており、前記下地層2は、前記研磨層1と積層される一面に開口し前記貫通孔1aと連通する溝部2aを有しており、前記溝部2aは、前記下地層2の前記一面の中心部から周縁端に向かって伸び且つ回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されている。   As shown in FIGS. 1 to 4, the polishing pad 10 of the present embodiment is a polishing pad that is supplied with a polishing slurry and can polish an object to be polished while rotating, and one surface can polish the object to be polished. The polishing layer 1 includes a base layer 2 that is laminated on the other surface of the polishing layer 1, and the polishing layer 1 has a plurality of through holes 1 a that penetrate in the thickness direction. The underlayer 2 has a groove portion 2a that opens to one surface laminated with the polishing layer 1 and communicates with the through hole 1a. The groove portion 2a is a peripheral edge from the center of the one surface of the underlayer 2 It is comprised so that it may become circular arc shape which extends toward the direction and becomes a protrusion in the direction opposite to a rotation direction.

本実施形態の研磨パッド10は、前記研磨層1の一面を上から見た場合(以下、上面視ともいう。)において正円形状のシート体である。かかる研磨パッドは、例えば、半導体装置の製造工程において実施される化学機械研磨(CMP:chemical mechanical polishing)法で使用される研磨パッド等である。   The polishing pad 10 of the present embodiment is a regular circular sheet when one surface of the polishing layer 1 is viewed from above (hereinafter also referred to as a top view). Such a polishing pad is, for example, a polishing pad used in a chemical mechanical polishing (CMP) method performed in a manufacturing process of a semiconductor device.

本実施形態の研磨パッド10は、研磨層1と下地層2とを備えている。
前記研磨層1の一面は被研磨物が研磨可能である研磨面として構成されており、下地層2は前記研磨層1の他面に積層されている。本実施形態の研磨パッド10は、さらに、クッション層3を備えており、該クッション層3は下地層2の下面に積層されている。
尚、本実施形態において各層の上面、下面とは、研磨パッド10を研磨層1の一面(研磨可能な面)が上になるように配置した場合に、上側に配置される面を上面、下側に配置される面を下面という。すなわち、研磨層1の一面は上面ともいい、研磨層1の他面は下面ともいう。
The polishing pad 10 of this embodiment includes a polishing layer 1 and an underlayer 2.
One surface of the polishing layer 1 is configured as a polishing surface on which an object to be polished can be polished, and the base layer 2 is laminated on the other surface of the polishing layer 1. The polishing pad 10 of this embodiment further includes a cushion layer 3, and the cushion layer 3 is laminated on the lower surface of the base layer 2.
In the present embodiment, the upper surface and the lower surface of each layer refer to the upper surface and the lower surface when the polishing pad 10 is disposed so that one surface of the polishing layer 1 (the surface that can be polished) is upward. The surface arranged on the side is called the lower surface. That is, one surface of the polishing layer 1 is also referred to as an upper surface, and the other surface of the polishing layer 1 is also referred to as a lower surface.

研磨層1、下地層2及びクッション層3は、同じサイズの円形状シートから構成されている。
研磨パッド10は、研磨層1及び下地層2のみ備えていてもよいが、クッション層3を備えることで研磨性能をより向上させることができる。
The polishing layer 1, the base layer 2, and the cushion layer 3 are composed of circular sheets of the same size.
The polishing pad 10 may include only the polishing layer 1 and the base layer 2, but the polishing performance can be further improved by including the cushion layer 3.

研磨層1を構成する材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。研磨層1としては前記樹脂を発泡させた発泡シートが好ましく、より好ましくは、発泡性ポリウレタン樹脂シートが挙げられる。   Although it does not specifically limit as a material which comprises the grinding | polishing layer 1, For example, resin, such as a thermoplastic resin and a thermosetting resin, is mentioned. As the polishing layer 1, a foamed sheet obtained by foaming the resin is preferable, and a foamable polyurethane resin sheet is more preferable.

下地層2を構成する材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記研磨層1と同様の材質が挙げられる。下地層2を構成する材質は、研磨層1を構成する材質と同じ材質であってもよく、或いは異なる材質であってもよい。研磨層1と下地層2とが同じ材質である場合には、研磨層1と下地層2との貼り合わせ強度を高くしやすいという利点がある。   The material constituting the foundation layer 2 is not particularly limited, and examples thereof include the same material as that of the polishing layer 1. The material constituting the underlayer 2 may be the same as the material constituting the polishing layer 1 or may be a different material. When the polishing layer 1 and the underlayer 2 are made of the same material, there is an advantage that the bonding strength between the polishing layer 1 and the underlayer 2 can be easily increased.

研磨層1には、厚み方向に貫通する貫通孔1aが複数備えられている。本実施形態の研磨パッド10において、研磨層1の全面に均等に貫通孔1aが形成されている。貫通孔1aの数、サイズは特に限定されるものではないが、通常のパーフォレーション加工で形成可能な貫通孔が挙げられる。具体的には、内径Dが1mm以上3mm以下、好ましくは1mm以上2mm以下等が挙げられる。また、貫通孔1aのピッチは、2.0mm以上5.5mm以下、好ましくは、2.5mm以上5.0mm以下等が挙げられる。
尚、貫通孔1aのピッチとは、貫通孔1aの上面視が円形状である場合に、隣合う貫通孔1aの中心点同士の距離をいう。
The polishing layer 1 is provided with a plurality of through holes 1a penetrating in the thickness direction. In the polishing pad 10 of the present embodiment, the through holes 1 a are formed uniformly over the entire surface of the polishing layer 1. The number and size of the through holes 1a are not particularly limited, and examples thereof include through holes that can be formed by normal perforation processing. Specifically, the inner diameter D is 1 mm or more and 3 mm or less, preferably 1 mm or more and 2 mm or less. Moreover, the pitch of the through-hole 1a is 2.0 mm or more and 5.5 mm or less, Preferably 2.5 mm or more and 5.0 mm or less etc. are mentioned.
In addition, the pitch of the through-hole 1a means the distance of the center points of the adjacent through-hole 1a, when the top view of the through-hole 1a is circular.

研磨層1には、環状形状の環状溝部11が、研磨層1の周縁端の内側に配置されている。具体的には、研磨層1の上面の中心点と周縁端との中間位置であって、被研磨物を研磨する研磨位置付近を通る正円を描く環状溝部11が形成されている。本実施形態の研磨パッド10において、該環状溝部11の底面部にも貫通孔1aは形成されている。   In the polishing layer 1, an annular groove 11 having an annular shape is disposed inside the peripheral edge of the polishing layer 1. Specifically, an annular groove portion 11 is formed that is a midpoint between the center point and the peripheral edge of the upper surface of the polishing layer 1 and draws a perfect circle passing through the vicinity of the polishing position for polishing the object to be polished. In the polishing pad 10 of the present embodiment, the through hole 1 a is also formed in the bottom surface portion of the annular groove portion 11.

下地層2の上面、すなわち、研磨層1の下面に接する面には、該下地層2の上面に開口し前記貫通孔1aと連通する溝部2aが備えられている。具体的には、溝部2は、図4に示すように、下地層2の上面の中心点Cから周縁端に向かって放射状に伸びた複数本(本実施形態では6本)の溝であって、各溝部2aは回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されている。   On the upper surface of the underlayer 2, that is, the surface in contact with the lower surface of the polishing layer 1, a groove 2 a that opens to the upper surface of the underlayer 2 and communicates with the through hole 1 a is provided. Specifically, as shown in FIG. 4, the groove portion 2 is a plurality of (six in this embodiment) grooves extending radially from the center point C on the upper surface of the base layer 2 toward the peripheral edge. Each groove 2a is configured to have an arc shape that protrudes in a direction opposite to the rotation direction.

尚、本実施形態において研磨層1及び下地層2の中心部とは、正円形状のシートからなる研磨層1及び下地層2の上面における周端縁より内側の部分をいう。
また、中心点とは、研磨層1及び下地層2の周縁端によって描かれる正円の中心点をいう。
In the present embodiment, the central portions of the polishing layer 1 and the underlayer 2 refer to portions inside the peripheral edge on the upper surfaces of the polishing layer 1 and the underlayer 2 made of a regular circular sheet.
The center point refers to the center point of a perfect circle drawn by the peripheral edges of the polishing layer 1 and the underlayer 2.

本実施形態の溝部2aは下地層2の周縁端の側面に開口していない。すなわち、各溝部2aの周縁端側の端部は、下地層2の周縁端より内側に配置されている。   The groove portion 2 a of the present embodiment is not opened on the side surface at the peripheral edge of the base layer 2. That is, the end portion on the peripheral edge side of each groove portion 2 a is disposed inside the peripheral edge of the foundation layer 2.

溝部2aの厚み方向の深さ、及び上面視における幅等は特に限定されるものではないが、例えば、溝部2aの厚み方向の深さHは、0.25mm以上0.75m以下、好ましくは0.35mm以上、0.6mm以下等であることが挙げられる。また、溝部2aの幅Wは、0.1mm以上5.0mm以下、好ましくは0.2mm以上4.0mm以下、さらに好ましくは、1mm以上5.0mm以下、最も好ましくは3mm以上4.0mm以下である。   The depth in the thickness direction of the groove 2a and the width in the top view are not particularly limited. For example, the depth H in the thickness direction of the groove 2a is 0.25 mm or more and 0.75 m or less, preferably 0. .35 mm or more and 0.6 mm or less. The width W of the groove 2a is 0.1 mm to 5.0 mm, preferably 0.2 mm to 4.0 mm, more preferably 1 mm to 5.0 mm, and most preferably 3 mm to 4.0 mm. is there.

本実施形態の溝部2aは、前記研磨層1の貫通孔1aと連通するような位置、すなわち、貫通孔1aの下方に配置されている。本実施形態の研磨層1には複数の貫通孔1aが形成されているが、すべての貫通孔1aの下方に溝部2aが配置される必要はない。少なくとも、後述するように、研磨層1の上面に供給された研磨スラリーが下地層2側に流れる位置、及び該位置よりも研磨層1の周縁端側であって下地層2の溝部2a内を流れる研磨スラリーが研磨層1側に戻る位置において、貫通孔1aと溝部2aとが連通するように貫通孔1aと溝部2aとが配置されていればよい。   The groove portion 2a of the present embodiment is disposed at a position communicating with the through hole 1a of the polishing layer 1, that is, below the through hole 1a. Although the plurality of through holes 1a are formed in the polishing layer 1 of the present embodiment, it is not necessary to arrange the groove portions 2a below all the through holes 1a. As will be described later, at least the position where the polishing slurry supplied to the upper surface of the polishing layer 1 flows to the underlayer 2 side, and the edge of the polishing layer 1 from the position, the groove 2a of the underlayer 2 is inside. The through-hole 1a and the groove part 2a should just be arrange | positioned so that the through-hole 1a and the groove part 2a may communicate in the position where the flowing polishing slurry returns to the polishing layer 1 side.

また、本実施形態の溝部2aは幅Wが前記貫通孔1aの内径Dよりも大となるように構成されている。この場合、図3に示すように、溝部2aが貫通孔1aの下方に配置された際に、貫通孔1aの内径Dよりも溝部2aの幅Wが広いため貫通孔1aの開口が溝部2aの開口の内側に収まるように貫通孔1aと溝部2aとを配置することができる。
尚、本実施形態において、貫通孔の内径Dとは貫通孔の内径のうち最も大きい値をいう。また、溝部の幅Wとは、溝部の内側の幅のうち最も大きい箇所の幅をいう。
Moreover, the groove part 2a of this embodiment is comprised so that the width W may become larger than the internal diameter D of the said through-hole 1a. In this case, as shown in FIG. 3, when the groove 2a is arranged below the through hole 1a, the width W of the groove 2a is wider than the inner diameter D of the through hole 1a, so that the opening of the through hole 1a is not in the groove 2a. The through hole 1a and the groove 2a can be arranged so as to be inside the opening.
In the present embodiment, the inner diameter D of the through hole refers to the largest value among the inner diameters of the through holes. The width W of the groove portion refers to the width of the largest portion among the inner widths of the groove portion.

本実施形態の研磨パッド10は、クッション層3をさらに備えている。クッション層3は、研磨層1及び下地層2のクッションとなるような材質から構成されていれば、特に限定されるものではなく通常の研磨パッドのクッション層として用いられるものが採用できる。例えば、ポリウレタン等が挙げられる。   The polishing pad 10 of this embodiment further includes a cushion layer 3. The cushion layer 3 is not particularly limited as long as the cushion layer 3 is made of a material that can be used as a cushion for the polishing layer 1 and the base layer 2, and a cushion layer that is used as a cushion layer for a normal polishing pad can be employed. For example, a polyurethane etc. are mentioned.

本実施形態の研磨パッド10は、研磨層1、下地層2及びクッション層3が接着剤等を介して積層されて構成されている。
本実施形態の下地層2とクッション層3とは全面が接触するように積層されるため、例えば、下地層2とクッション層3とが異なる材質から構成されている層であっても、接着面積が大きいため接着強度が低下することが抑制できる。
The polishing pad 10 of this embodiment is configured by laminating a polishing layer 1, an underlayer 2 and a cushion layer 3 via an adhesive or the like.
Since the base layer 2 and the cushion layer 3 of the present embodiment are laminated so that the entire surface is in contact, for example, even if the base layer 2 and the cushion layer 3 are made of different materials, the bonding area Therefore, it can suppress that adhesive strength falls.

次に、上述のような本実施形態の研磨パッド10を被研磨物の研磨に使用する場合について説明する。
研磨パッド10は、例えば、図5に示すような半導体装置100を用いて半導体ウエハ(被研磨物)Oを研磨する際に用いられる。
使用方法の例としては、回転可能な定盤101上に研磨パッド10を研磨層1の上面(研磨面である一面)が上になるように装着し、上方から回転可能なキャリア102に保持されたウエハOを研磨パッド10の研磨層1の上面に接触させる。そして、研磨層1の上面の中心点付近の中心部に研磨スラリーSを供給ノズル103から供給する。一方、キャリア102から研磨パッド10へ荷重を与えながらキャリア102及び定盤101を回転させる。かかる状態でウエハOと研磨層1との間に研磨スラリーSを流入させて被研磨物Oを研磨する。
Next, the case where the polishing pad 10 of the present embodiment as described above is used for polishing an object to be polished will be described.
The polishing pad 10 is used, for example, when a semiconductor wafer (object to be polished) O is polished using a semiconductor device 100 as shown in FIG.
As an example of the usage method, the polishing pad 10 is mounted on a rotatable surface plate 101 so that the upper surface (one surface which is a polishing surface) of the polishing layer 1 is up, and is held by a carrier 102 which can be rotated from above. The wafer O is brought into contact with the upper surface of the polishing layer 1 of the polishing pad 10. Then, the polishing slurry S is supplied from the supply nozzle 103 to the central portion near the center point of the upper surface of the polishing layer 1. On the other hand, the carrier 102 and the surface plate 101 are rotated while applying a load from the carrier 102 to the polishing pad 10. In this state, the polishing slurry S is caused to flow between the wafer O and the polishing layer 1 to polish the object to be polished O.

研磨パッド1の研磨層1の中心部に供給された研磨スラリーSは、研磨パッド10が回転しているため、図6に示すように、遠心力によって中心部から周縁端へ向かって流れ(F1)、一部の研磨スラリーは研磨層1とウエハO表面との間に流入する。一方、研磨層1には複数の貫通孔1aが形成されているため、一部の研磨スラリーは貫通孔1aを通過して、下地層2側に流入する(F2)。
下地層2の上面には該上面に開口する溝部2aが形成されており、該溝部2aが貫通孔1aの下方に配置されている場合には、貫通孔1aを通って該溝部2a内に研磨スラリーが流入する。
Since the polishing pad 10 is rotating, the polishing slurry S supplied to the center portion of the polishing layer 1 of the polishing pad 1 flows from the center portion toward the peripheral edge by a centrifugal force (F1) as shown in FIG. ), A part of the polishing slurry flows between the polishing layer 1 and the wafer O surface. On the other hand, since a plurality of through holes 1a are formed in the polishing layer 1, a part of the polishing slurry passes through the through holes 1a and flows into the base layer 2 side (F2).
A groove 2a that opens to the upper surface is formed on the upper surface of the base layer 2, and when the groove 2a is disposed below the through hole 1a, the groove 2a is polished into the groove 2a through the through hole 1a. Slurry flows in.

尚、図6は、研磨層1と下地層2との間で研磨スラリーがどのように流れるかを示すために、模式的に研磨層1と下地層2とが分離された状態で両者を示しているが、実際は、研磨層1の下面と下地層2の上面とは接着され密着された状態である。また、貫通孔1aも模式的に二箇所のみ示し、大きさ等も実際とは異なる比率で示している。   FIG. 6 schematically shows the polishing slurry 1 and the underlayer 2 separated from each other in order to show how the polishing slurry flows between the polishing layer 1 and the underlayer 2. However, in reality, the lower surface of the polishing layer 1 and the upper surface of the underlayer 2 are in a state of being bonded and in close contact. Moreover, the through-hole 1a is also typically shown only in two places, and the size and the like are also shown at a different ratio from the actual.

下地層2の溝部2a内に流入した研磨スラリーは、図4及び図6に示すように、研磨パッド10の回転による遠心力によって、中心点寄りの中心部では、周縁端へ向かって流れるが(F3)、溝部2aは回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されているため、溝部2aのある位置から周縁端側では、遠心力と溝部2aの円弧形状との相互作用で、中心点側に戻ろうとする力が働くことになり、研磨スラリーが逆向きに流れる(F4)。
従って、下地層2の中心部において、研磨スラリーは下地層の周縁端側に向う流れと中心側に向かう流れとがぶつかり溝部2aから溢れる位置Bが形成される。
かかる位置Bにおいて、研磨層1に貫通孔1aが存在すると、図6に示すように貫通孔1aにおいて研磨スラリーが研磨層1側に流れ(F5)、研磨層1の上面に研磨スラリー−Sが再度流出することになる。
As shown in FIGS. 4 and 6, the polishing slurry that has flowed into the groove 2 a of the underlayer 2 flows toward the peripheral edge at the center near the center point due to the centrifugal force generated by the rotation of the polishing pad 10 ( F3), since the groove 2a is configured to have an arc shape that protrudes in the direction opposite to the rotation direction, from the position where the groove 2a is located to the peripheral edge side, the centrifugal force and the arc shape of the groove 2a By this interaction, a force to return to the center point side works, and the polishing slurry flows in the opposite direction (F4).
Accordingly, in the center portion of the underlayer 2, a position B is formed where the polishing slurry collides with the flow toward the peripheral edge of the underlayer and the flow toward the center, and overflows from the groove 2a.
In this position B, when the through hole 1a exists in the polishing layer 1, the polishing slurry flows to the polishing layer 1 side in the through hole 1a as shown in FIG. 6 (F5), and the polishing slurry -S is formed on the upper surface of the polishing layer 1. It will flow again.

通常、研磨パッド10上で被研磨物Oを研磨する位置は、通常、研磨層1の中心点と周縁端との中間の中心部である。上述のとおり下地層2の中心点と周縁端との間の位置において、研磨スラリーは下地層の周縁端側に向う流れと中心側に向かう流れとがぶつかって溝部2aから溢れる位置Bが形成されるため、研磨層1の上面において研磨スラリーが流出する位置もこの位置Bの上方に相当する位置である。従って、研磨層1の表面において被研磨物Oを研磨する位置付近に研磨スラリーを供給することができる。また、本実施形態の溝部2aは下地層2の周縁端の側面に開口していないため、下地層2の周端縁から研磨スラリーSが研磨パッド10の外に排出されることが抑制でき、研磨スラリーSの無駄を抑制できる。   Usually, the position where the object to be polished O is polished on the polishing pad 10 is usually the center portion between the center point of the polishing layer 1 and the peripheral edge. As described above, at the position between the center point and the peripheral edge of the underlayer 2, the polishing slurry has a position B where the flow toward the peripheral edge of the underlayer collides with the flow toward the center and overflows from the groove 2a. Therefore, the position where the polishing slurry flows out on the upper surface of the polishing layer 1 is also a position corresponding to the position B above. Therefore, the polishing slurry can be supplied near the position where the object to be polished O is polished on the surface of the polishing layer 1. Further, since the groove portion 2a of the present embodiment does not open to the side surface of the peripheral edge of the underlayer 2, it is possible to suppress the polishing slurry S from being discharged out of the polishing pad 10 from the peripheral edge of the underlayer 2, Waste of the polishing slurry S can be suppressed.

本実施形態の研磨層1には、被研磨物を研磨する研磨位置付近を通る環状の環状溝部11が形成されており、該環状溝部11の底面にも貫通孔1aは形成されている。よって、該環状溝部11の底面に形成された貫通孔1aから研磨層1表面に研磨スラリーSが流出することで被研磨物Oを研磨する位置付近により多くの研磨スラリーSを供給することができる。
また、環状溝部11が形成されていることで、研磨スラリーSが研磨層1の周縁端から外に流出することを抑制でき、研磨位置付近に研磨スラリーSを保持することができる。よって、より研磨スラリーSの無駄を低減することができる。
In the polishing layer 1 of the present embodiment, an annular groove 11 that passes through the vicinity of a polishing position for polishing an object to be polished is formed, and a through hole 1 a is also formed on the bottom surface of the annular groove 11. Therefore, more polishing slurry S can be supplied to the vicinity of the position where the object to be polished O is polished by flowing out the polishing slurry S from the through hole 1a formed in the bottom surface of the annular groove 11 to the surface of the polishing layer 1. .
Further, since the annular groove portion 11 is formed, the polishing slurry S can be prevented from flowing out from the peripheral edge of the polishing layer 1, and the polishing slurry S can be held near the polishing position. Therefore, the waste of the polishing slurry S can be further reduced.

また、本実施形態の研磨パッド10は、溝部2aの幅Wが前記貫通孔1aの内径Dよりも大となるように構成されている。
溝部2a内に流入した研磨スラリー中に砥粒凝集体や研磨屑が存在する場合に、これらの粒子は溝部2a内で沈殿するが、貫通孔1aの内径Dが溝部2aの幅Wよりも狭いため、溝部2aから貫通孔1aへ研磨スラリーが戻る際に、沈殿した粒子が研磨スラリーSと共に研磨層1側へ流出することを抑制できる。
Further, the polishing pad 10 of the present embodiment is configured such that the width W of the groove 2a is larger than the inner diameter D of the through hole 1a.
When abrasive agglomerates and debris are present in the polishing slurry flowing into the groove 2a, these particles settle in the groove 2a, but the inner diameter D of the through hole 1a is narrower than the width W of the groove 2a. Therefore, when the polishing slurry returns from the groove 2a to the through hole 1a, it is possible to suppress the precipitated particles from flowing out to the polishing layer 1 side together with the polishing slurry S.

以上のように、本実施形態の研磨パッド10は、研磨層1上面において研磨に使用されない位置に存在する研磨スラリーを、研磨層1の下面の下地層2側に一度流入させた後に、研磨層1の研磨位置付近に戻すことができる。よって、研磨スラリーを研磨に必要な箇所に充分に供給できる。よって、過剰に研磨スラリーを研磨層1に供給しなくても研磨に必要な箇所に研磨スラリーを流入させることができ、研磨スラリーの使用量を充分に低減することができる。   As described above, the polishing pad 10 according to the present embodiment allows the polishing slurry existing in a position not used for polishing on the upper surface of the polishing layer 1 to flow once into the base layer 2 side on the lower surface of the polishing layer 1 and then the polishing layer. 1 can be returned to the vicinity of the polishing position. Therefore, the polishing slurry can be sufficiently supplied to a place necessary for polishing. Therefore, even if the polishing slurry is not supplied to the polishing layer 1 excessively, the polishing slurry can be caused to flow into a location necessary for polishing, and the amount of the polishing slurry used can be sufficiently reduced.

尚、本実施形態の研磨層1は全面に形成された複数の貫通孔1aを備えるものとしたが、貫通孔1aは研磨層1の全面に形成されることには限定されるものではない。
例えば、変形例として、図7に示すように、研磨層1の中心部には貫通孔1aが形成されていない非貫通部Eを備えた研磨層1であってもよい。
あるいは、図8に示すように、下地層2の溝部2aの上方に当たる位置にのみ貫通孔1aが形成されていてもよい。
Although the polishing layer 1 of the present embodiment includes the plurality of through holes 1a formed on the entire surface, the through holes 1a are not limited to being formed on the entire surface of the polishing layer 1.
For example, as a modified example, as shown in FIG. 7, the polishing layer 1 may include a non-penetrating portion E in which a through hole 1 a is not formed in the central portion of the polishing layer 1.
Or as shown in FIG. 8, the through-hole 1a may be formed only in the position which hits the upper part of the groove part 2a of the base layer 2. As shown in FIG.

また、本実施形態の研磨層1は環状溝部11を備えるものとしたが、かかる環状溝部11を備えることに限定されるものではなく、研磨層1には他の溝部が形成されていてもよく、さらには溝部が形成されていなくてもよい。   Moreover, although the polishing layer 1 of this embodiment shall be provided with the annular groove part 11, it is not limited to providing this annular groove part 11, The other groove part may be formed in the polishing layer 1. Furthermore, the groove portion may not be formed.

さらに、溝部2aが描く円弧形状、溝部2aの長さ、幅、本数等は上記実施形態に限定されるものではなく、研磨パッド10の大きさ、研磨位置、回転速度等によって適宜調整することができる。すなわち、研磨パッド10の回転による遠心力と円弧形状との相互作用で、研磨スラリーの流れを中心部から周縁端に向かう流れと、周縁端側から中心部側へ戻る流れとが、一の溝部の両端部の間でぶつかり合うような円弧形状を描く溝部2aであればよい。   Furthermore, the arc shape drawn by the groove 2a, the length, width, number, etc. of the groove 2a are not limited to the above embodiment, and can be appropriately adjusted according to the size, polishing position, rotation speed, etc. of the polishing pad 10. it can. That is, due to the interaction between the centrifugal force generated by the rotation of the polishing pad 10 and the circular arc shape, the flow of the polishing slurry from the central portion to the peripheral end and the flow returning from the peripheral end to the central portion are one groove portion. What is necessary is just the groove part 2a which draws the circular arc shape which collides between both ends.

また、本実施形態の溝部2aは下地層2の周縁端の側面に開口していないように構成されているが、溝部2aは下地層2の周縁端の側面に開口していてもよい。   Moreover, although the groove part 2a of this embodiment is comprised so that it may not open to the side surface of the peripheral edge of the base layer 2, the groove part 2a may open to the side surface of the peripheral edge of the base layer 2. FIG.

本実施形態にかかる研磨パッドは以上のとおりであるが、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は前記説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   Although the polishing pad concerning this embodiment is as above, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 研磨層、1a 貫通孔、11 環状溝部、2 下地層、2a 溝部、3 クッション層、10 研磨パッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing layer, 1a Through-hole, 11 Annular groove part, 2 Underlayer, 2a Groove part, 3 Cushion layer, 10 Polishing pad

Claims (3)

表面に研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、
一面が被研磨物を研磨可能に構成されている研磨層と、該研磨層の他面に積層される下地層とを備え、
前記研磨層は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔を有しており、
前記下地層は、前記研磨層と積層される一面に開口し前記貫通孔と連通する溝部を有しており、
前記溝部は、前記下地層の前記一面の中心部から周縁端に向かって伸び且つ回転方向の反対方向に突状となるような円弧形状となるように構成されている研磨パッド。
A polishing pad capable of polishing an object to be polished while being supplied with a polishing slurry and rotating,
A polishing layer having one surface configured to be able to polish an object to be polished, and a base layer laminated on the other surface of the polishing layer,
The polishing layer has a plurality of through holes penetrating in the thickness direction,
The underlayer has a groove portion that opens in one surface laminated with the polishing layer and communicates with the through hole,
The polishing pad is configured to have an arc shape extending from a central portion of the one surface of the base layer toward a peripheral edge and projecting in a direction opposite to the rotation direction.
前記溝部は、前記下地層の周縁端の側面に開口していない請求項1に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1, wherein the groove is not opened on a side surface of a peripheral edge of the foundation layer. 前記溝部の幅は、前記貫通孔の内径よりも大となるように構成されている請求項1又は2に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1 or 2, wherein a width of the groove is configured to be larger than an inner diameter of the through hole.
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