JP2016115946A - マルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
Description
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部を有し、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数の第1のブランカーと、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを複数の第1のブランカーの偏向方向と直交する方向に偏向する複数の第2のブランカーと、
複数の第1のブランカーと複数の第2のブランカーとのうち少なくとも一方によってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出処理部と、
を備えたことを特徴とする。
機械的スイッチ機構のリレー回路と、
をさらに備え、
複数の第2のブランカーは、定電圧源とリレー回路とによって駆動されると好適である。
荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の開口部を有するアパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、
不良ビームがビームOFFに制御された状態で残りのマルチビームのうちの少なくとも1つを用いて、不良ビームの位置が重ならないように位置をずらしながら多重描画を行う工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート214、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、電流量測定部の一例としてのファラディーカップ106と、XYステージ105の位置測定用のミラー210とが配置される。また、ブランキングプレート214の上面には、不良ビームカット用の複数のブランカー212(第2のブランカー)が配置され、下面には、ブランキング偏向を行う複数のブランカー204(第1のブランカー)が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングプレートの上面および下面の一部を示す図である。図4(a)は、ブランキングプレートの上面の一部を示している。図4(b)は、ブランキングプレートの下面の一部を示している。ブランキングプレート214は、アパーチャ部材203の各穴22の配置位置に合わせて通過孔(開口部)が形成され、各通過孔には、上面側にブランカー212が、下面側にブランカー204がそれぞれ配置される。
22,23 穴
24,25,26,27 電極
30 描画領域
32,33 ストライプ領域
34 照射領域
36 ショットパターン
40 部分領域
50 検出処理部
51 設定部
52 描画処理制御部
54 描画データ処理部
56 ずらし幅設定部
58 リスト作成部
60 照射量算出部
62 照射量補正部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106 ファラディーカップ
110 制御計算機
112 メモリ
120 定電圧電源
122 リレー回路
130,132 偏向制御回路
134,136 DACアンプ
138 電流検出器
139 ステージ位置検出部
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204,212 ブランカー
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
209 検出器
210 ミラー
214 ブランキングプレート
Claims (2)
- 荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の開口部を有するアパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、
前記不良ビームがビームOFFに制御された状態で残りのマルチビームのうちの少なくとも1つを用いて、不良ビームの位置が重ならないように位置をずらしながら多重描画を行う工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記不良ビームの位置になり照射されなかった分の照射量を多重描画する他のビームの照射量に加算することを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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