JP2016111345A - 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 - Google Patents
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- 238000011161 development Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 84
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 37
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract description 22
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 219
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 49
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】現像処理方法であって、ウェハの中心部に、純水で希釈した希釈現像液の液溜りを形成し(時間t1)、その後、ウェハを第1の回転速度まで加速して前記希釈現像液の液溜りをウェハの全面に拡散させ、当該ウェハ表面に前記希釈現像液の液膜を形成する(時間t2)。その後、ウェハと平行な接液面を有する現像液供給ノズルと当該ウェハとの間に所定の間隔の隙間を確保した状態で、前記現像液供給ノズルからウェハの中心部に現像液を供給して、ウェハと当該現像液供給ノズルの接液面との間に現像液の液溜りを形成する(時間t3)。現像液供給ノズルから現像液の供給を継続しながら、ウェハを回転させると共に、前記現像液供給ノズルをウェハの中心部からウェハの外周部に移動させる。
【選択図】図8
Description
30 現像処理装置
31 下部反射防止膜形成装置
32 レジスト塗布装置
33 上部反射防止膜形成装置
40 熱処理装置
154 純水供給ノズル
158 希釈用現像液供給ノズル
161 現像液供給ノズル
200 制御部
P 純水
Q 現像液
R レジスト膜
W ウェハ
Claims (14)
- 基板上に現像液を供給して、所定のパターンを露光した基板上のレジスト膜を現像する現像処理方法であって、
基板の中心部に、純水で希釈した希釈現像液の液溜りを形成する液溜り形成工程と、
その後、基板の回転を加速して前記希釈現像液の液溜りを基板の全面に拡散させ、当該基板表面に前記希釈現像液の液膜を形成する液膜形成工程と、
その後、接液面を有する現像液供給ノズルと前記基板との間に所定の間隔の隙間を確保した状態で、前記現像液供給ノズルから現像液を供給して、前記基板と当該現像液供給ノズルの接液面との間に現像液の液溜りを形成しつつ、基板中心を通る径方向に当該現像液供給ノズルを移動させて、基板上に現像液を供給する現像液供給工程と、を有することを特徴とする、現像処理方法。 - 前記現像液供給工程における前記現像液供給ノズルの移動の開始地点は、前記基板の中心部であり、前記現像液供給ノズルの移動の終了地点は、前記基板の外周部であることを特徴とする、請求項1に記載の現像処理方法。
- 前記現像液供給工程における前記現像液供給ノズルの移動の開始地点は、前記基板の外周部であり、前記現像液供給ノズルの移動の終了地点は、前記基板の中心部であることを特徴とする、請求項1に記載の現像処理方法。
- 前記液溜り形成工程における希釈現像液の液溜りの形成は、
静止した基板の中心部に純水を供給して純水の液溜りを形成し、
次いで、前記純水の液溜り上に現像液を供給することにより行われることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の現像処理方法。 - 前記液溜り形成工程における希釈現像液の液溜りの形成は、
静止した基板の中心部に、予め純水で希釈した希釈現像液を供給することにより行われることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の現像処理方法。 - 前記現像液供給工程における前記現像液供給ノズルの移動は、前記現像液供給ノズルの下面を、前記基板の回転方向と逆方向に自転させながら行われることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の現像処理方法。
- 前記液膜形成工程は、基板を第1の回転速度まで加速して前記希釈現像液の液溜りを基板の全面に拡散させ、
前記現像液供給工程は、基板を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で回転させながら、前記現像液供給ノズルを基板の中心部から基板の外周部に移動させることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の現像処理方法。 - 前記第1の回転速度は、1500rpm〜2000rpmであり、
前記第2の回転速度は、15rpm〜30rpmであることを特徴とする、請求項7に記載の現像処理方法。 - 前記液膜形成工程において、静止した基板を第1の回転速度よりも遅い第3の回転速度まで加速し、
その後、基板の回転速度を第3の回転速度よりも遅い第4の回転速度まで減速し、
その後、基板を第1の回転速度まで加速することを特徴とする、請求項7または8のいずれか一項に記載の現像処理方法。 - 前記第3の回転速度は、200rpm〜400rpmであることを特徴とする、請求項9に記載の現像処理方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の現像処理方法を現像処理装置によって実行させるように、当該現像処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 基板上に現像液を供給して、所定のパターンを露光した基板上のレジスト膜を現像する現像処理装置であって、
基板の裏面を保持し、当該保持した基板を鉛直軸を中心に回転させる基板保持部と、
接液面を有し、当該接液面に現像液を供給する供給孔が形成された現像液供給ノズルと、
前記現像液供給ノズルを移動させる移動機構と、
基板上に純水を供給する純水供給ノズルと、
前記純水供給ノズルを移動させる他の移動機構と、を有することを特徴とする、現像処理装置。 - 基板上に現像液を供給して、所定のパターンを露光した基板上のレジスト膜を現像する現像処理装置であって、
基板の裏面を保持し、当該保持した基板を鉛直軸を中心に回転させる基板保持部と、
接液面を有し、当該接液面に現像液を供給する供給孔が形成された現像液供給ノズルと、
前記現像液供給ノズルを移動させる移動機構と、
基板上に希釈現像液を供給する希釈現像液供給ノズルと、
前記希釈現像液供給ノズルを移動させる他の移動機構と、を有することを特徴とする、現像処理装置。 - 前記現像液供給ノズルと、前記希釈現像液供給ノズルとは、供給孔を共有していることを特徴とする、請求項13に記載の現像処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/953,109 US10459340B2 (en) | 2014-12-01 | 2015-11-27 | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus |
KR1020150167777A KR102403094B1 (ko) | 2014-12-01 | 2015-11-27 | 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 |
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014243139 | 2014-12-01 | ||
JP2014243139 | 2014-12-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016111345A true JP2016111345A (ja) | 2016-06-20 |
JP6449752B2 JP6449752B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=56122401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015212830A Active JP6449752B2 (ja) | 2014-12-01 | 2015-10-29 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6449752B2 (ja) |
KR (1) | KR102403094B1 (ja) |
CN (1) | CN105652610A (ja) |
TW (1) | TWI657318B (ja) |
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JP2018186259A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR20180063821A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
KR102414893B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-06-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
KR102628747B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2024-01-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 처리 장치, 현상 처리 방법 및 기억 매체 |
KR20190040898A (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 처리 장치, 현상 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2019071385A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP6994346B2 (ja) | 2017-10-11 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
WO2020222311A1 (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | デクセリアルズ株式会社 | 摺動対象物の表面に対する摺動処理物の供給又は排除方法 |
WO2020222310A1 (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | デクセリアルズ株式会社 | 摺動装置 |
JP7513873B2 (ja) | 2019-04-30 | 2024-07-10 | デクセリアルズ株式会社 | 摺動装置 |
JP7477758B2 (ja) | 2019-04-30 | 2024-05-02 | デクセリアルズ株式会社 | 摺動対象物の表面に対する摺動処理物の供給又は排除方法 |
KR20220014295A (ko) | 2020-07-28 | 2022-02-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
US11774854B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-10-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium, and substrate processing apparatus |
US11480881B2 (en) | 2020-07-28 | 2022-10-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium, and substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102403094B1 (ko) | 2022-05-27 |
CN105652610A (zh) | 2016-06-08 |
TWI657318B (zh) | 2019-04-21 |
KR20160065757A (ko) | 2016-06-09 |
TW201629640A (zh) | 2016-08-16 |
JP6449752B2 (ja) | 2019-01-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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