JP2016111090A - Lithography accuracy evaluation method for charged particle beam lithography apparatus - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To determine a high-reliability corner R value while suppressing a difference of a design dimension or influences of process fluctuation or the like.SOLUTION: A lithography accuracy evaluation method for a charged particle beam lithography apparatus includes: drawing a rectangular first pattern by irradiating a resist film on a substrate with a charged particle beam; forming a resist pattern by performing development processing; forming a second pattern on a lower layer film by performing etching processing while using the resist pattern as a mask; and calculating a corner R value of the second pattern. The method also includes: drawing a plurality of first patterns with different charged particle beam irradiation amounts and design dimensions on the resist film; detecting a second pattern of which the edge position is matched with edge positions of peripheral patterns for each irradiation amount; calculating a first corner R value from the detected second pattern; and calculating a second corner R value from a plurality of calculated first corner R values.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法に関する。   The present invention relates to a writing accuracy evaluation method for a charged particle beam writing apparatus.

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。   As LSIs are highly integrated, circuit line widths required for semiconductor devices have been reduced year by year. In order to form a desired circuit pattern on a semiconductor device, a reduction projection type exposure apparatus is used to form a high-precision original pattern pattern formed on quartz (a mask, or a pattern used particularly in a stepper or scanner is also called a reticle). )) Is reduced and transferred onto the wafer. A high-precision original pattern is drawn by an electron beam drawing apparatus, and so-called electron beam lithography technology is used.

電子ビーム描画装置では、矩形ビームの形状忠実性を評価する指標として、四隅の丸み度を示すコーナＲ値が用いられている。例えば、ガラス基板上にクロム膜などの遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスク基板に電子ビームを照射して、矩形パターンを描画する。次に、矩形パターンが描画された基板を現像し、レジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクにして露出した遮光膜をエッチングして、遮光膜パターンを形成する。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて遮光膜パターンを撮像し、撮像した像からコーナＲ値を求めていた。   In the electron beam drawing apparatus, corner R values indicating the roundness of four corners are used as an index for evaluating the shape fidelity of a rectangular beam. For example, a rectangular pattern is drawn by irradiating an electron beam onto a mask substrate in which a light shielding film such as a chromium film and a resist film are stacked on a glass substrate. Next, the substrate on which the rectangular pattern is drawn is developed to form a resist pattern. Then, the exposed light shielding film is etched using the resist pattern as a mask to form a light shielding film pattern. A light shielding film pattern was imaged using a scanning electron microscope (SEM), and a corner R value was obtained from the captured image.

しかし、コーナＲ値は、設計寸法の違い、プロセス変動、パターン形状のバラツキ等により変化するため、信頼性が高くないという問題があった。   However, since the corner R value changes due to a difference in design dimension, process variation, pattern shape variation, and the like, there is a problem that reliability is not high.

特許第４８７５５６８号公報Japanese Patent No. 4875568

本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、設計寸法の違いやプロセス変動等の影響を抑制した、信頼性の高いコーナＲ値を決定できる荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and evaluates the drawing accuracy of a charged particle beam drawing apparatus capable of determining a highly reliable corner R value while suppressing the influence of a difference in design dimension, process variation, and the like. It is an object to provide a method.

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法は、基板上のレジスト膜に、荷電粒子ビームを照射して矩形の第１パターンを描画し、現像処理を行ってレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、下層膜に第２パターンを形成し、該第２パターンのコーナＲ値を算出する荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法であって、前記レジスト膜に、荷電粒子ビームの照射量及び設計寸法の異なる複数の第１パターンを描画し、照射量毎に、エッジ位置が周囲のパターンのエッジ位置と一致する第２パターンを検出し、検出した第２パターンから第１コーナＲ値を算出し、算出した複数の第１コーナＲ値から第２コーナＲ値を算出することを特徴とする。   According to one aspect of the present invention, there is provided a method for evaluating a writing accuracy of a charged particle beam writing apparatus, wherein a resist film on a substrate is irradiated with a charged particle beam to draw a rectangular first pattern, and a development process is performed to form a resist pattern. A method for evaluating the drawing accuracy of a charged particle beam drawing apparatus that performs an etching process using the resist pattern as a mask, forms a second pattern in a lower layer film, and calculates a corner R value of the second pattern. A plurality of first patterns having different irradiation doses and design dimensions of the charged particle beam are drawn on the film, and second patterns whose edge positions coincide with the edge positions of the surrounding patterns are detected for each irradiation dose. A first corner R value is calculated from two patterns, and a second corner R value is calculated from a plurality of calculated first corner R values.

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法において、前記第１コーナＲ値は、検出した第２パターンの面積に基づいて算出してもよい。   In the drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to an aspect of the present invention, the first corner R value may be calculated based on the area of the detected second pattern.

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法において、前記第２コーナＲ値は、算出した複数の第１コーナＲ値を設計寸法に基づいてプロットし、プロット点に対する近似直線に基づいて算出してもよい。   In the drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to an aspect of the present invention, the second corner R value is plotted based on a design dimension and a plurality of calculated first corner R values are approximated to a plot point. You may calculate based on.

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法において、第１領域におけるプロット点に対する第１近似直線、及び該第１領域よりも設計寸法の大きい第２領域におけるプロット点に対する第２近似直線を求め、前記第１近似直線及び前記第２近似直線の交点から前記第２コーナＲ値を算出してもよい。   In the drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to an aspect of the present invention, a first approximate straight line with respect to a plot point in the first region and a second with respect to a plot point in a second region having a design dimension larger than the first region. An approximate straight line may be obtained, and the second corner R value may be calculated from the intersection of the first approximate straight line and the second approximate straight line.

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法において、前記第１パターンは、寸法毎にマトリクス状に配置された複数の種パターンを有し、前記種パターンは、中心パターンと、該中心パターンの周囲に配置された第１周囲パターン及び第２周囲パターンとを含み、前記第１周囲パターンは、右エッジが前記中心パターンの左エッジと同一直線上に位置するか、又は左エッジが前記中心パターンの右エッジと同一直線上に位置しており、前記第２周囲パターンは、上エッジが前記中心パターンの下エッジと同一直線上に位置するか、又は下エッジが前記中心パターンの上エッジと同一直線上に位置していてもよい。   In the drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to an aspect of the present invention, the first pattern has a plurality of seed patterns arranged in a matrix for each dimension, and the seed pattern includes a center pattern, A first peripheral pattern and a second peripheral pattern disposed around the central pattern, wherein the first peripheral pattern has a right edge that is collinear with a left edge of the central pattern, or a left edge Is located on the same straight line as the right edge of the central pattern, and the second peripheral pattern has an upper edge located on the same straight line as a lower edge of the central pattern, or a lower edge of the central pattern. It may be located on the same straight line as the upper edge.

本発明によれば、設計寸法の違いやプロセス変動等の影響を抑制した、信頼性の高いコーナＲ値を決定できる。   According to the present invention, it is possible to determine a highly reliable corner R value that suppresses the influence of differences in design dimensions, process variations, and the like.

設計パターンと、形成される遮光膜パターンの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the design pattern and the light shielding film pattern formed. 設計寸法とコーナＲ値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between a design dimension and a corner R value. 現像時間を変えた場合の設計寸法とコーナＲ値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the design dimension at the time of developing time changing, and a corner R value. 現実プロセスで形成されるパターンの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the pattern formed in a real process. 現実プロセスで形成されるパターンの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the pattern formed in a real process. 本実施形態によるコーナＲ値の算出方法を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the calculation method of the corner R value by this embodiment. 描画パターンを示す図である。It is a figure which shows a drawing pattern. 種パターンを示す図である。It is a figure which shows a seed pattern. 電子ビーム描画装置の概略図である。It is the schematic of an electron beam drawing apparatus. 中心パターンと周囲パターンのエッジ位置を示す図である。It is a figure which shows the edge position of a center pattern and a surrounding pattern. 中心パターンの周囲パターンのエッジ位置座標を示す図である。It is a figure which shows the edge position coordinate of the surrounding pattern of a center pattern. 照射量とエッジ位置との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between an irradiation amount and an edge position. エッジ位置が一致する矩形パターン形成領域を示す図である。It is a figure which shows the rectangular pattern formation area where an edge position corresponds. エッジ位置の比較方法を示す図である。It is a figure which shows the comparison method of edge position. 面積に基づくコーナＲ値の算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of the corner R value based on an area. 設計寸法とコーナＲ値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between a design dimension and a corner R value.

本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者らが本発明をなすに至った経緯について説明する。ガラス基板上にクロム膜などの遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスク基板に電子ビームを照射し、現像、エッチングを行って遮光膜パターンを形成する場合を考える。図１（ａ）は３つの異なる設計寸法を有するコンタクトホールの設計パターンの例を示し、図１（ｂ）は各設計パターンに対し理想的なプロセスで形成される遮光膜パターンの例を示し、図１（ｃ）は現実のプロセスで形成される遮光膜パターンの例を示す。図２は、理想プロセスで形成される遮光膜パターン及び現実プロセスで形成される遮光膜パターンの設計寸法とコーナＲ値との関係を示すグラフである。   Prior to the description of the embodiments of the present invention, the background to which the inventors have made the present invention will be described. Consider a case in which a mask substrate in which a light shielding film such as a chromium film and a resist film are laminated on a glass substrate is irradiated with an electron beam, developed and etched to form a light shielding film pattern. FIG. 1A shows an example of a design pattern of contact holes having three different design dimensions, and FIG. 1B shows an example of a light shielding film pattern formed by an ideal process for each design pattern. FIG. 1C shows an example of a light shielding film pattern formed by an actual process. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the design dimension and the corner R value of the light shielding film pattern formed by the ideal process and the light shielding film pattern formed by the actual process.

図２に示すように、理想プロセスでは、設計寸法がｄ０以上の領域Ａ２において、コーナＲ値は一定値Ｒ１となる。また、設計寸法がｄ０未満の領域Ａ１では、遮光膜パターンが設計パターンの内接円となるため、コーナＲ値は設計寸法の１／２となる。   As shown in FIG. 2, in the ideal process, the corner R value becomes a constant value R1 in the region A2 where the design dimension is d0 or more. Further, in the region A1 where the design dimension is less than d0, the light shielding film pattern is an inscribed circle of the design pattern, and thus the corner R value is ½ of the design dimension.

しかし、現実プロセスでは、設計寸法が小さくなると、現像液やエッチングガスが浸透し難くなり、図１（ｃ）に示すように、仕上がり寸法は小さくなる。図２に示すように、現実プロセスでは、コーナＲ値が設計寸法に応じて変化する。このように、コーナＲ値は設計寸法に対する依存性を持っていた。   However, in the actual process, when the design dimension is small, it becomes difficult for the developer and the etching gas to permeate, and the finished dimension is small as shown in FIG. As shown in FIG. 2, in the real process, the corner R value changes according to the design dimension. Thus, the corner R value has a dependency on the design dimension.

図３は、現像時間を変えた場合の設計寸法とコーナＲ値の関係を示すグラフである。図３から、現像時間が長い程、コーナＲ値が増加することがわかる。このように、コーナＲ値はプロセス変動の影響を受けるものであった。   FIG. 3 is a graph showing the relationship between the design dimension and the corner R value when the development time is changed. FIG. 3 shows that the corner R value increases as the development time increases. Thus, the corner R value was affected by process variations.

図４（ａ）（ｂ）は、現実プロセスで形成される遮光膜パターンの例を示す。図４（ａ）に示すようにパターンに直線部分がある程度残っており、矩形性を維持している場合、設計寸法と仕上がり寸法とが一致しているか否か容易に判断できる。しかし、図４（ｂ）に示すように、設計寸法が小さく、パターンの形状が崩れている場合、設計寸法と仕上がり寸法とが一致しているか否かの判断が困難であった。   4A and 4B show examples of light shielding film patterns formed by an actual process. As shown in FIG. 4A, when a straight line portion remains in the pattern to some extent and the rectangularity is maintained, it can be easily determined whether or not the design dimension and the finished dimension match. However, as shown in FIG. 4B, when the design dimension is small and the pattern shape is broken, it is difficult to determine whether or not the design dimension and the finished dimension match.

また、図５に示すように、同じ設計寸法でもパターン形状にバラツキがある場合、どのコーナ部分を測定対象とするかで、コーナＲ値は変わっていた。   Further, as shown in FIG. 5, when the pattern shape varies even with the same design dimension, the corner R value varies depending on which corner portion is the measurement target.

このように、コーナＲ値は、設計寸法の違い、プロセス変動、パターン形状のバラツキ等の影響を受けるものであり、信頼性の高いコーナＲ値を算出することが求められていた。   Thus, the corner R value is affected by differences in design dimensions, process variations, pattern shape variations, and the like, and it has been required to calculate a corner R value with high reliability.

以下の実施形態では、上記のような課題を解決する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。   In the following embodiment, the above problems are solved. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図６は、本実施形態によるコーナＲ値の算出方法を説明するフローチャートである。図６に示すように、コーナＲ値算出方法は、基板上のレジスト膜に照射量を変えながら電子ビームを照射し、寸法の異なる矩形パターンを描画する工程（ステップＳ１０１）と、現像処理を行ってレジストパターンを形成する工程（ステップＳ１０２）と、レジストパターンをマスクにしてエッチング処理を行い、遮光膜に評価パターンを形成する工程（ステップＳ１０３）と、照射量毎に、仕上がり寸法と設計寸法とが一致する評価パターンを検出する工程（ステップＳ１０４）と、照射量毎に検出した評価パターンからコーナＲ値を算出する工程（ステップＳ１０５）と、照射量毎のコーナＲ値から、描画装置が作成する矩形ビームの形状忠実性を評価する指標となる一意的なコーナＲ値を算出する工程（ステップＳ１０６）とを備える。   FIG. 6 is a flowchart for explaining a corner R value calculation method according to this embodiment. As shown in FIG. 6, in the corner R value calculation method, a resist film on a substrate is irradiated with an electron beam while changing the irradiation amount to draw rectangular patterns having different dimensions (step S101), and development processing is performed. A step of forming a resist pattern (step S102), a step of performing an etching process using the resist pattern as a mask to form an evaluation pattern on the light shielding film (step S103), and a finished size and a design size for each dose. A drawing apparatus creates a step (step S104) for detecting an evaluation pattern that matches, a step for calculating a corner R value from the evaluation pattern detected for each irradiation amount (step S105), and a corner R value for each irradiation amount. A step of calculating a unique corner R value that serves as an index for evaluating the shape fidelity of the rectangular beam to be performed (step S106).

まず、ガラス基板上にクロム膜などの遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスク基板を準備する。ステップＳ１０１の描画工程では、電子ビーム描画装置を用いて、マスク基板のレジスト膜に矩形ビームを照射する。照射量を変えながら、レジスト膜に寸法の異なる矩形パターンを描画する。   First, a mask substrate in which a light shielding film such as a chromium film and a resist film are stacked on a glass substrate is prepared. In the drawing process in step S101, the resist film on the mask substrate is irradiated with a rectangular beam using an electron beam drawing apparatus. A rectangular pattern having different dimensions is drawn on the resist film while changing the irradiation amount.

例えば、図７に示すように、評価用のマスク基板１０表面のレジスト膜１１のＭ個（Ｍは２以上の整数）の領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍの各々に、設計寸法の異なる複数の矩形パターンを描画する。例えば、領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍの各々に、設計寸法４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１２０ｎｍ、１６０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍの矩形パターン形成領域１が設けられる。 For example, as shown in FIG. 7, a plurality of rectangular patterns having different design dimensions are provided in each of M (M is an integer of 2 or more) regions R _{1 to} R _M of the resist film 11 on the surface of the mask substrate 10 for evaluation. Draw. For example, a rectangular pattern forming region 1 having a design dimension of 40 nm, 50 nm, 60 nm, 80 nm, 100 nm, 120 nm, 160 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 400 nm, 500 nm, and 600 nm is provided in each of the regions R _{1 to} R _M.

各寸法の矩形パターン形成領域１には、種パターン２がマトリクス状の仮想領域に複数配置される。この種パターン２は、図８に示すように、中心に位置する矩形パターンである中心パターンＰ１と、中心パターンＰ１の周囲に配置された矩形パターンであるパターンＰ２〜Ｐ５の各々を指す。中心パターンＰ１及びパターンＰ２〜Ｐ５は、図中破線で示す格子に合わせて配置される。格子１マスの寸法が設計寸法に対応する。   In the rectangular pattern forming region 1 of each dimension, a plurality of seed patterns 2 are arranged in a matrix-like virtual region. As shown in FIG. 8, the seed pattern 2 indicates a center pattern P1 that is a rectangular pattern located at the center and patterns P2 to P5 that are rectangular patterns arranged around the center pattern P1. The center pattern P1 and the patterns P2 to P5 are arranged in accordance with a lattice indicated by broken lines in the drawing. The dimension of one grid cell corresponds to the design dimension.

パターンＰ２は、中心パターンＰ１からみて＋ｘ方向に１マス、＋ｙ方向に２マス離れた位置（図中右上）に配置される。パターンＰ３は、中心パターンＰ１からみて＋ｘ方向に２マス、−ｙ方向に１マス離れた位置（図中右下）に配置される。パターンＰ４は、中心パターンＰ１からみて−ｘ方向に１マス、−ｙ方向に２マス離れた位置（図中左下）に配置される。パターンＰ５は、中心パターンＰ１からみて−ｘ方向に２マス、＋ｙ方向に１マス離れた位置（図中左上）に配置される。   The pattern P2 is arranged at a position (upper right in the figure) that is 1 square away from the central pattern P1 and 2 squares away from the + y direction. The pattern P3 is disposed at a position (lower right in the figure) that is 2 squares in the + x direction and 1 square in the -y direction when viewed from the center pattern P1. The pattern P4 is arranged at a position (lower left in the figure) that is 1 square away from the central pattern P1 and 2 squares away from the -y direction. The pattern P5 is arranged at a position (upper left in the figure) that is 2 squares away from the central pattern P1 and 1 square away from the + y direction.

従って、中心パターンＰ１の右エッジとパターンＰ２の左エッジとが同一直線上に位置し、エッジ位置が一致する。中心パターンＰ１の左エッジとパターンＰ４の右エッジとが同一直線上に位置し、エッジ位置が一致する。中心パターンＰ１の上エッジとパターンＰ５の下エッジとが同一直線上に位置し、エッジ位置が一致する。中心パターンＰ１の下エッジとパターンＰ３の上エッジとが同一直線上に位置し、エッジ位置が一致する。つまり、中心パターンＰ１の左右のエッジと上下のエッジが同一のＸ座標とＹ座標とでモニタできるように中心パターンＰ１の周辺に他の４つの種パターンＰ２〜Ｐ５を配置する。   Therefore, the right edge of the center pattern P1 and the left edge of the pattern P2 are located on the same straight line, and the edge positions match. The left edge of the center pattern P1 and the right edge of the pattern P4 are located on the same straight line, and the edge positions match. The upper edge of the center pattern P1 and the lower edge of the pattern P5 are located on the same straight line, and the edge positions coincide. The lower edge of the center pattern P1 and the upper edge of the pattern P3 are located on the same straight line, and the edge positions coincide. That is, the other four seed patterns P2 to P5 are arranged around the center pattern P1 so that the left and right edges and the upper and lower edges of the center pattern P1 can be monitored by the same X coordinate and Y coordinate.

例えば、各寸法の矩形パターン形成領域１に、このような種パターン２がｘ方向に５つ、ｙ方向に５つ配置される。この場合、１つの矩形パターン形成領域１には、１２５個（＝５×５×５）の矩形パターンが描画されることになる。   For example, five such seed patterns 2 are arranged in the x direction and five in the y direction in the rectangular pattern forming region 1 of each dimension. In this case, 125 (= 5 × 5 × 5) rectangular patterns are drawn in one rectangular pattern formation region 1.

領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍはそれぞれ異なる照射量とする。例えば、異なる設計寸法パターンに対し、領域Ｒ_１は照射量Ｄ_１、領域Ｒ_２は照射量Ｄ_２、領域Ｒ_３は照射量Ｄ_３、・・・、領域Ｒ_Ｍは照射量Ｄ_Ｍとし、Ｄ_１＜Ｄ_２＜Ｄ_３＜・・・＜Ｄ_Ｍとする。 Regions _R 1 to R _M is different dose, respectively. For example, for different design dimension patterns, the region R ₁ is the dose D ₁ , the region R ₂ is the dose D ₂ , the region R ₃ is the dose D ₃ ,..., And the region _RM is the dose D _M. D ₁ <and _{D 2 <D 3 <··· <} D M.

このように、レジスト膜１１に、寸法の異なる矩形パターンを、照射量を変えて描画する。   In this manner, rectangular patterns having different dimensions are drawn on the resist film 11 while changing the irradiation amount.

図９は電子ビーム描画装置の概略図である。電子ビーム描画装置は、電子ビーム鏡筒４０及び描画室５０を有している。電子ビーム鏡筒４０内には、電子銃４１、ブランキングアパーチャ４２、第１アパーチャ４３、第２アパーチャ４４、ブランキング偏向器４５、成形偏向器４６、対物偏向器４７、レンズ４８（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））が配置されている。   FIG. 9 is a schematic diagram of an electron beam drawing apparatus. The electron beam drawing apparatus has an electron beam column 40 and a drawing chamber 50. In the electron beam column 40, an electron gun 41, a blanking aperture 42, a first aperture 43, a second aperture 44, a blanking deflector 45, a shaping deflector 46, an objective deflector 47, a lens 48 (illumination lens ( CL), a projection lens (PL), and an objective lens (OL)) are arranged.

描画室５０内には、ＸＹステージ５２が配置される。ＸＹステージ５２上には、描画対象となるマスク基板１０が載置されている。   An XY stage 52 is arranged in the drawing chamber 50. On the XY stage 52, a mask substrate 10 to be drawn is placed.

電子銃４１から放出された電子ビーム４９は、照明レンズ４８（ＣＬ）により矩形、例えば正方形の穴を持つ第１アパーチャ４３全体を照明する。ここで、電子ビーム４９をまず矩形、例えば正方形に成形する。そして、第１アパーチャ４３を通過した第１アパーチャ像の電子ビームは、投影レンズ４８（ＰＬ）により第２アパーチャ４４上に投影される。第２アパーチャ４４上での第１アパーチャ像の位置は、成形偏向器４６によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２アパーチャ４４を通過した第２アパーチャ像の電子ビームは、対物レンズ４８（ＯＬ）により焦点が合わされ、対物偏向器４７により偏向されて、移動可能に配置されたＸ−Ｙステージ５２上のマスク基板１０の所望する位置に照射される。   The electron beam 49 emitted from the electron gun 41 illuminates the entire first aperture 43 having a rectangular hole, for example, a square hole, by the illumination lens 48 (CL). Here, the electron beam 49 is first shaped into a rectangle, for example, a square. The electron beam of the first aperture image that has passed through the first aperture 43 is projected onto the second aperture 44 by the projection lens 48 (PL). The position of the first aperture image on the second aperture 44 is controlled by the shaping deflector 46, and the beam shape and size can be changed. The electron beam of the second aperture image that has passed through the second aperture 44 is focused by the objective lens 48 (OL), deflected by the objective deflector 47, and movably arranged on the XY stage 52. The desired position of the mask substrate 10 is irradiated.

電子銃４１から放出された電子ビーム４９は、ブランキング偏向器４５によって、ビームオンの状態では、ブランキングアパーチャ４２を通過するように制御され、ビームオフの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ４２で遮蔽されるように偏向される。ビームオフの状態からビームオンとなり、その後ビームオフになるまでにブランキングアパーチャ４２を通過した電子ビームが１回の電子ビームのショットとなる。各ショットの照射時間により、マスク基板１０に照射される電子ビームのショットあたりの照射量が調整されることになる。   The electron beam 49 emitted from the electron gun 41 is controlled by the blanking deflector 45 so as to pass through the blanking aperture 42 in the beam-on state, and is shielded by the blanking aperture 42 in the beam-off state. To be deflected. An electron beam that has passed through the blanking aperture 42 until the beam is turned off after the beam is turned off becomes one shot of the electron beam. The irradiation amount per shot of the electron beam irradiated to the mask substrate 10 is adjusted according to the irradiation time of each shot.

電子ビーム描画装置の各部は図示しない制御装置により制御される。例えば、制御装置は、対物偏向器４７の偏向量及びＸ−Ｙステージ５２の移動量を制御して、電子ビームの照射位置を変える。また、制御装置は、ブランキング偏向器４５によるビームオン／オフを制御して照射時間を変える。これにより、マスク基板１０上のレジスト膜１１の領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍに対し、照射量を変えて電子ビームを照射することができる。 Each part of the electron beam drawing apparatus is controlled by a control device (not shown). For example, the control device controls the deflection amount of the objective deflector 47 and the movement amount of the XY stage 52 to change the irradiation position of the electron beam. Further, the control device controls the beam on / off by the blanking deflector 45 to change the irradiation time. Thus, for a region R ₁ to R _M of the resist film 11 on the mask substrate 10 can be irradiated with electron beam by changing the amount of irradiation.

図６のステップＳ１０２では、公知の現像装置及び現像液を用いて、電子ビームが照射されたレジスト膜１１を現像する。レジスト膜１１のうち、電子ビームが照射された箇所が現像液に対して可溶化し、レジストパターンが形成される。   In step S102 of FIG. 6, the resist film 11 irradiated with the electron beam is developed using a known developing device and developer. Of the resist film 11, the portion irradiated with the electron beam is solubilized in the developer, and a resist pattern is formed.

ステップＳ１０３では、レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングする。これにより、遮光膜が加工され、評価パターンが形成される。エッチング処理後、アッシング等によりレジストパターンを除去する。   In step S103, the exposed light shielding film is etched using the resist pattern as a mask. Thereby, the light shielding film is processed and an evaluation pattern is formed. After the etching process, the resist pattern is removed by ashing or the like.

ステップＳ１０４では、領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍの各々において、設計通りに形成された評価パターンを検出する。照射量が適正であり、仕上がり寸法が設計寸法と一致する場合、図１０（ａ）に示すように、評価パターン内の種パターン２０において、中心パターンＰ１１は周囲のパターンＰ１２〜Ｐ１５とエッジ位置が一致する。なお、種パターン２０、中心パターンＰ１１、パターンＰ１２〜Ｐ１５は、図８の種パターン２、中心パターンＰ１、パターンＰ２〜Ｐ５に対応するものである。 In step S104, an evaluation pattern formed as designed is detected in each of the regions R _{1 to} R _M. When the irradiation amount is appropriate and the finished dimension matches the design dimension, as shown in FIG. 10A, in the seed pattern 20 in the evaluation pattern, the center pattern P11 has the edge positions of the surrounding patterns P12 to P15. Match. The seed pattern 20, the center pattern P11, and the patterns P12 to P15 correspond to the seed pattern 2, the center pattern P1, and the patterns P2 to P5 in FIG.

一方、照射量が適正値より小さい場合や大きい場合は、仕上がり寸法が設計寸法と一致せず、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）に示すように、評価パターン内の種パターン２０において、中心パターンＰ１１のエッジ位置と周囲のパターンＰ１２〜Ｐ１５のエッジ位置には矢印で示す差分が生じる。   On the other hand, when the irradiation amount is smaller or larger than the appropriate value, the finished dimension does not match the design dimension, and as shown in FIGS. 10B and 10C, in the seed pattern 20 in the evaluation pattern, A difference indicated by an arrow is generated between the edge position of the central pattern P11 and the edge positions of the surrounding patterns P12 to P15.

本ステップでは、仕上がり寸法と設計寸法とが一致しているか否かを、種パターン２０における中心パターンＰ１１と周囲のパターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致するか否かで判定する。   In this step, it is determined whether or not the finished dimensions and the design dimensions match with each other based on whether or not the edge positions of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12 to P15 in the seed pattern 20 match.

図１１に示すように、パターンＰ１４の右エッジのｘ座標をｘ１、中心パターンＰ１１の左エッジのｘ座標をｘ２とした場合、ｘ１及びｘ２が一致する寸法は照射量によって異なる。これは、設計寸法が小さい程、現像液やエッチングガスが浸透し難く、仕上がり寸法と設計寸法とを一致させるために高い照射量が必要になるためである。   As shown in FIG. 11, when the x coordinate of the right edge of the pattern P14 is x1, and the x coordinate of the left edge of the center pattern P11 is x2, the dimension at which x1 and x2 match varies depending on the dose. This is because as the design dimension is smaller, the developer and the etching gas are less likely to permeate, and a higher dose is required to match the finished dimension and the design dimension.

図１２は設計寸法が４０ｎｍ、１００ｎｍ、６００ｎｍの種パターン２０についての、照射量と、パターンＰ１４の右エッジのｘ座標ｘ１、中心パターンＰ１１の左エッジのｘ座標ｘ２との関係を示すグラフである。図１２に示すように、設計寸法が小さい程、高照射量側の種パターン２０においてｘ１とｘ２とが一致する。   FIG. 12 is a graph showing the relationship between the irradiation amount, the x coordinate x1 of the right edge of the pattern P14, and the x coordinate x2 of the left edge of the center pattern P11 for the seed pattern 20 having a design dimension of 40 nm, 100 nm, and 600 nm. . As shown in FIG. 12, as the design dimension is smaller, x1 and x2 match in the seed pattern 20 on the high dose side.

従って、領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍの各々において、中心パターンＰ１１と周囲のパターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致する評価パターンを含む矩形パターン形成領域は、図１３のようになる。 Accordingly, in each of the regions R _{1 to} R _M, the rectangular pattern forming region including the evaluation pattern in which the edge positions of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12 to P15 coincide is as shown in FIG.

図１４は、エッジ位置の一致／不一致の検出方法の一例を示す。図１４に示すように、パターンＰ１４、及び上側に隣接する種パターン２０のパターンＰ１４の右エッジと、中心パターンＰ１１の左エッジとが一致するか否かを判定する。また、パターンＰ１５、及び右側に隣接する種パターン２０のパターンＰ１５の下エッジと、中心パターンＰ１１の上エッジとが一致するか否かを判定する。これらのエッジ位置が一致している場合、仕上がり寸法と設計寸法とが一致していると判定する。   FIG. 14 shows an example of an edge position match / mismatch detection method. As shown in FIG. 14, it is determined whether or not the right edge of the pattern P14 and the pattern P14 of the seed pattern 20 adjacent on the upper side matches the left edge of the center pattern P11. Further, it is determined whether or not the pattern P15 and the lower edge of the pattern P15 of the seed pattern 20 adjacent on the right side coincide with the upper edge of the center pattern P11. If these edge positions match, it is determined that the finished dimensions and the design dimensions match.

中心パターンＰ１１の左エッジとの比較対象となる周囲パターンの右エッジを、パターンＰ１４の最右端と、上側に隣接する種パターン２０のパターンＰ１４の最右端とを結んだ直線とする。これにより、設計寸法が小さく、矩形パターンの形状が崩れた場合でも、エッジ位置を精度良く比較し、仕上がり寸法と設計寸法とが一致しているか否か容易に判定できる。   The right edge of the surrounding pattern to be compared with the left edge of the center pattern P11 is a straight line connecting the rightmost end of the pattern P14 and the rightmost end of the pattern P14 of the seed pattern 20 adjacent on the upper side. Thereby, even when the design dimension is small and the shape of the rectangular pattern is collapsed, the edge positions are compared with high accuracy, and it can be easily determined whether or not the finished dimension and the design dimension match.

このようにして、ステップＳ１０４では、領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍの各々において、中心パターンＰ１１と周囲のパターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致する評価パターンを検出する。 In this manner, in step S104, an evaluation pattern in which the edge positions of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12 to P15 coincide with each other in each of the regions R _{1 to} R _M is detected.

例えば、照射量Ｄ_１の領域Ｒ_１では、設計寸法６００ｎｍの矩形パターン形成領域において中心パターンＰ１１と周囲パターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致し、この設計寸法６００ｎｍの中心パターンＰ１１を検出する。照射量Ｄ_２の領域Ｒ_２では、設計寸法５００ｎｍの矩形パターン形成領域において中心パターンＰ１１と周囲パターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致し、この設計寸法５００ｎｍの中心パターンＰ１１を検出する。照射量Ｄ_Ｍの領域Ｒ_Ｍでは、設計寸法４０ｎｍの矩形パターン形成領域において中心パターンＰ１１と周囲パターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致し、この設計寸法４０ｎｍの中心パターンＰ１１を検出する。 For example, in the region _{R 1} of the dose _{D 1,} the edge position of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12~P15 matches the rectangular pattern forming area of the design dimension 600 nm, to detect the center pattern P11 of the design dimensions 600 nm. In the region _{R 2} of the dose _{D 2,} the edge position of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12~P15 matches the rectangular pattern forming area of the design dimension 500 nm, to detect the center pattern P11 of the design dimensions 500 nm. In the region _{R M} of the dose _{D M,} the edge position of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12~P15 matches the rectangular pattern forming area of the design dimension 40 nm, to detect the center pattern P11 of the design dimensions 40 nm.

ステップＳ１０５では、ステップＳ１０４において照射量毎に検出した評価パターン（中心パターンＰ１１）から、コーナＲ値を算出する。検出した評価パターンをＳＥＭで撮像し、ＳＥＭ画像から評価パターンの面積を測定し、測定面積に基づいてコーナＲ値を算出する。面積は画素数をカウントすることで容易に求まる。コーナＲ値は以下の数式から算出される。   In step S105, a corner R value is calculated from the evaluation pattern (center pattern P11) detected for each dose in step S104. The detected evaluation pattern is imaged with the SEM, the area of the evaluation pattern is measured from the SEM image, and the corner R value is calculated based on the measurement area. The area can be easily obtained by counting the number of pixels. The corner R value is calculated from the following formula.

以下の数式において、Ｎは面積測定した評価パターン（中心パターンＰ１１）の数であり、例えば矩形パターン形成領域に種パターン２０がｘ方向に５つ、ｙ方向に５つ形成される場合、Ｎ＝２５となる。Ｓ_ｋはｋ番目の評価パターンの面積の実測値である。Ｓ_ｍｅａｎは評価パターンの面積の平均値である。ΔＳは、矩形パターンの四隅の丸みにより矩形から欠けた面積であり、図１５の斜線部に相当する。ｄは設計寸法の１／２である。ｒはコーナＲ値である。 In the following formula, N is the number of evaluation patterns (center pattern P11) whose area is measured. For example, when five seed patterns 20 are formed in the x direction and five in the y direction in the rectangular pattern formation region, N = 25. S _k is an actual measurement value of the area of the k-th evaluation pattern. S _mean is the average value of the area of the evaluation pattern. ΔS is an area missing from the rectangle due to rounding of the four corners of the rectangular pattern, and corresponds to the hatched portion in FIG. d is 1/2 of the design dimension. r is a corner R value.

ΔＳを消去してｒについて解く。   Remove ΔS and solve for r.

例えば、照射量Ｄ_１の領域Ｒ_１において、設計寸法６００ｎｍの２５個の中心パターンＰ１１の面積を測定し、設計寸法６００ｎｍに対応するコーナＲ値ｒを算出する。また、照射量Ｄ_２の領域Ｒ_２において、設計寸法５００ｎｍの２５個の中心パターンＰ１１の面積を測定し、設計寸法５００ｎｍに対応するコーナＲ値ｒを算出する。同様に、照射量Ｄ_Ｍの領域Ｒ_Ｍにおいて、設計寸法４０ｎｍの２５個の中心パターンＰ１１の面積を測定し、設計寸法４０ｎｍに対応するコーナＲ値ｒを算出する。このようにして、Ｍ個のコーナＲ値ｒが算出される。 For example, in the region R ₁ of the irradiation amount D _1, the area of 25 central patterns P11 having a design dimension of 600 nm is measured, and a corner R value r corresponding to the design dimension 600 nm is calculated. Further, in the region R ₂ of the irradiation amount D _2, the areas of 25 central patterns P11 having a design dimension of 500 nm are measured, and a corner R value r corresponding to the design dimension of 500 nm is calculated. Similarly, in the region _{R M} of the dose _{D M,} measured 25 area of the center pattern P11 of the design dimensions 40 nm, to calculate the corner R value r corresponding to the design dimensions 40 nm. In this way, M corner R values r are calculated.

ステップＳ１０６では、ステップＳ１０５で算出したＭ個のコーナＲ値ｒをプロットし、プロット点に対する近似直線から一意的なコーナＲ値ｒ_ｏを算出する。このコーナＲ値ｒ_ｏは、電子ビーム描画装置が作成する矩形ビームの形状忠実性を評価する指標となる。 In step S106, the M corner R values r calculated in step S105 are plotted, and a unique corner R value _ro is calculated from the approximate straight line with respect to the plotted points. The corner R value r _o is an index for evaluating the rectangular beam shape fidelity electron beam drawing device creates.

図１６は、ステップＳ１０５で算出したＭ個のコーナＲ値の分布例を示すグラフである。図１６に示すように、コーナＲ値の変化には、傾きが急峻な領域Ａ１１と、傾きが緩やかな領域Ａ１２とがある。領域Ａ１１、Ａ１２は、それぞれ、図２に示す理想プロセスでのコーナＲ値変化の領域Ａ１、Ａ２に対応する。理想プロセスの領域Ａ２ではコーナＲ値が一定であるのに対し、領域Ａ１２では傾きを持っているのは、電子ビームのクーロン反発等によるものである。   FIG. 16 is a graph showing a distribution example of M corner R values calculated in step S105. As shown in FIG. 16, the change in the corner R value includes a region A11 having a steep slope and a region A12 having a gentle slope. The areas A11 and A12 correspond to the areas A1 and A2 of the corner R value change in the ideal process shown in FIG. The corner R value is constant in the ideal process region A2, while the slope in the region A12 is due to the Coulomb repulsion of the electron beam.

領域Ａ１１におけるコーナＲ値変化と、領域Ａ１２におけるコーナＲ値変化の各々に線形フィッティングを行って近似直線Ｌ１、Ｌ２を求め、これらの交点から一意的なコーナＲ値ｒ_ｏを算出する。 Linear fitting is performed on each of the corner R value change in the region A11 and the corner R value change in the region A12 to obtain approximate straight lines L1 and L2, and a unique corner R value _ro is calculated from these intersection points.

本実施形態によれば、図１４に示すように、中心パターンＰ１１と周囲パターンＰ１２〜Ｐ１５とのエッジ位置が一致するか否かを検出する。そのため、形状が崩れて寸法測定が困難なパターンであっても、周囲パターンとの相対的位置関係から、設計寸法と仕上がり寸法とが一致するか否かを判定することができる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 14, it is detected whether or not the edge positions of the center pattern P11 and the surrounding patterns P12 to P15 match. Therefore, even if the pattern is broken and it is difficult to measure the dimensions, it can be determined from the relative positional relationship with the surrounding pattern whether the design dimension and the finished dimension match.

また、設計寸法と仕上がり寸法とが一致するパターンからコーナＲ値ｒを算出することで、現像やエッチングのプロセス変動の影響を除去することができる。   Further, by calculating the corner R value r from a pattern in which the design dimension and the finished dimension coincide with each other, it is possible to eliminate the influence of development and etching process variations.

図７に示すように、描画する矩形パターンは、照射量及び寸法を変えたものであるため、仕上がり寸法の厳密管理が可能となる。   As shown in FIG. 7, since the rectangular pattern to be drawn is obtained by changing the irradiation amount and dimensions, it is possible to strictly manage the finished dimensions.

コーナＲ値ｒは、評価パターンの面積から算出するため、パターン形状のバラツキを平均的に取り込むことができる。また、領域Ｒ_１〜Ｒ_Ｍから複数の設計寸法の評価パターンを抽出し、設計寸法毎にコーナＲ値ｒ（第１のコーナＲ値）を算出し、複数のコーナＲ値ｒから一意的なコーナＲ値ｒ_ｏ（第２のコーナＲ値）を算出することで、設計寸法に依存しないコーナＲ値ｒ_ｏを決定できる。そのため、設計寸法の違いやプロセス変動の影響を抑制した、信頼性の高いコーナＲ値ｒ_ｏを決定できる。 Since the corner R value r is calculated from the area of the evaluation pattern, variations in pattern shape can be taken in on average. Also, extracting a rating pattern of a plurality of design dimension from the region R ₁ to R _M, calculates the corner R value r (first corner R values) for each design dimension, unique from a plurality of corner R value r by calculating the corner R value r _{o (second} corner R value) may be determined corner R value r _o that is independent of design size. Therefore, to suppress the influence of differences and process variations designed size, reliable corner R value r _o can be determined.

上記実施形態において、コーナＲ値ｒの算出方法は面積に基づくものに限定されず、エッジフィッティング関数の曲率半径、プルバッグ、又は内接円の半径に基づいて算出してもよい。   In the above embodiment, the method of calculating the corner R value r is not limited to that based on the area, and may be calculated based on the radius of curvature of the edge fitting function, the pull bag, or the radius of the inscribed circle.

一意のコーナＲ値ｒ_ｏは、近似直線Ｌ１、Ｌ２の交点の値に限定されず、交点に対応するコーナＲ値を所定倍したものでもよい。また、近似直線Ｌ２のみからコーナＲ値ｒ_ｏを決定してもよい。 The unique corner R value _ro is not limited to the value of the intersection of the approximate lines L1 and L2, and may be a value obtained by multiplying the corner R value corresponding to the intersection by a predetermined value. It is also possible to determine the corner R value r _o only approximate line L2.

種パターン２は、中心パターンＰ１及び周囲パターンＰ２〜Ｐ５の５つの矩形パターンから構成されるものに限定されない。周囲パターンは、中心パターンＰ１のｘ方向のエッジ及びｙ方向のエッジとの一致が比較できるように複数設けられていればよく、２個、３個、又は５個以上としてもよい。   The seed pattern 2 is not limited to a pattern composed of five rectangular patterns of the center pattern P1 and the surrounding patterns P2 to P5. A plurality of surrounding patterns may be provided so that the coincidence between the edge in the x direction and the edge in the y direction of the center pattern P1 can be compared, and may be two, three, or five or more.

１つの矩形パターン形成領域には、種パターン２がマトリクス状に配置されていればよく、ｘ方向及びｙ方向における配置数は限定されない。種パターン２の配置数は、開口率が、実際に描画する回路パターンの開口率と同程度となるようにすることが好ましい。   The number of arrangements in the x direction and the y direction is not limited as long as the seed patterns 2 are arranged in a matrix in one rectangular pattern formation region. The number of seed patterns 2 is preferably set so that the aperture ratio is substantially the same as the aperture ratio of the circuit pattern to be actually drawn.

図１４では、中心パターンＰ１１の左エッジ及び上エッジが、周囲パターンのエッジと一致するか否か測定する例について説明したが、左エッジの代わりに右エッジとしてもよく、左エッジ及び右エッジの両方としてもよい。また、上エッジの代わりに下エッジとしてもよく、上エッジ及び下エッジの両方としてもよい。   In FIG. 14, the example of measuring whether the left edge and the upper edge of the center pattern P11 coincide with the edges of the surrounding pattern has been described. However, instead of the left edge, the right edge may be used. Both are good. Moreover, it is good also as a lower edge instead of an upper edge, and it is good also as both an upper edge and a lower edge.

上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。   In the above embodiment, a configuration using an electron beam has been described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and may be another charged particle beam such as an ion beam.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

１０ マスク基板
１１ レジスト膜
４０ 電子ビーム鏡筒
４１ 電子銃
４２ ブランキングアパーチャ
４３ 第１アパーチャ
４４ 第２アパーチャ
４５ ブランキング偏向器
４６ 成形偏向器
４７ 対物偏向器
４８ レンズ
５０ 描画室 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Mask substrate 11 Resist film 40 Electron beam column 41 Electron gun 42 Blanking aperture 43 1st aperture 44 2nd aperture 45 Blanking deflector 46 Molding deflector 47 Objective deflector 48 Lens 50 Drawing chamber

Claims (5)

基板上のレジスト膜に、荷電粒子ビームを照射して矩形の第１パターンを描画し、現像処理を行ってレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、下層膜に第２パターンを形成し、該第２パターンのコーナＲ値を算出する荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法であって、
前記レジスト膜に、荷電粒子ビームの照射量及び設計寸法の異なる複数の第１パターンを描画し、
照射量毎に、エッジ位置が周囲のパターンのエッジ位置と一致する第２パターンを検出し、
検出した第２パターンから第１コーナＲ値を算出し、
算出した複数の第１コーナＲ値から第２コーナＲ値を算出することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法。 A resist film on the substrate is irradiated with a charged particle beam to draw a first rectangular pattern, developed to form a resist pattern, and etched using the resist pattern as a mask. A charged particle beam writing apparatus writing accuracy evaluation method for forming a pattern and calculating a corner R value of the second pattern,
Drawing a plurality of first patterns with different charged particle beam doses and design dimensions on the resist film,
For each dose, detect a second pattern whose edge position matches the edge position of the surrounding pattern,
The first corner R value is calculated from the detected second pattern,
2. A drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus, wherein a second corner R value is calculated from a plurality of calculated first corner R values. 前記第１コーナＲ値は、検出した第２パターンの面積に基づいて算出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法。   The method for evaluating the drawing accuracy of a charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the first corner R value is calculated based on the area of the detected second pattern. 前記第２コーナＲ値は、算出した複数の第１コーナＲ値を設計寸法に基づいてプロットし、プロット点に対する近似直線に基づいて算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法。   3. The charge according to claim 1, wherein the second corner R value is calculated on the basis of an approximate straight line with respect to a plot point by plotting a plurality of calculated first corner R values based on a design dimension. A drawing accuracy evaluation method of a particle beam drawing apparatus. 第１領域におけるプロット点に対する第１近似直線、及び該第１領域よりも設計寸法の大きい第２領域におけるプロット点に対する第２近似直線を求め、
前記第１近似直線及び前記第２近似直線の交点から前記第２コーナＲ値を算出することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法。 Obtaining a first approximate line for plot points in the first region and a second approximate line for plot points in a second region having a design dimension larger than the first region;
4. The drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to claim 3, wherein the second corner R value is calculated from an intersection of the first approximate line and the second approximate line. 前記第１パターンは、寸法毎にマトリクス状に配置された複数の種パターンを有し、
前記種パターンは、中心パターンと、該中心パターンの周囲に配置された第１周囲パターン及び第２周囲パターンとを含み、
前記第１周囲パターンは、右エッジが前記中心パターンの左エッジと同一直線上に位置するか、又は左エッジが前記中心パターンの右エッジと同一直線上に位置しており、
前記第２周囲パターンは、上エッジが前記中心パターンの下エッジと同一直線上に位置するか、又は下エッジが前記中心パターンの上エッジと同一直線上に位置していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画精度評価方法。 The first pattern has a plurality of seed patterns arranged in a matrix for each dimension,
The seed pattern includes a central pattern, and a first peripheral pattern and a second peripheral pattern disposed around the central pattern,
The first peripheral pattern has a right edge located on the same straight line as the left edge of the central pattern, or a left edge located on the same straight line as the right edge of the central pattern,
The upper peripheral edge of the second peripheral pattern is located on the same straight line as the lower edge of the central pattern, or the lower edge is located on the same straight line as the upper edge of the central pattern. Item 5. A drawing accuracy evaluation method for a charged particle beam drawing apparatus according to any one of Items 1 to 4.

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