JP2016105052A - 基板検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 検査対象基板が薄くなっても、表裏分離して基板の表面側及びその裏面側を高精度かつ迅速に検査できる、基板検査装置を提供すること。
【解決手段】 基板保持部と照明部と、分岐偏光部と、Ｓ偏光撮像部と、Ｐ偏光撮像部と、異物検査部を備え、
異物検査部には、Ｓ偏光撮像部で撮像し検査した結果と、Ｐ偏光撮像部で撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、当該検査対象となる基板の表面側又は裏面側のどちらに異物が付着しているかを判定する異物付着面判定部が備えられた、基板検査装置である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ガラス基板などの透明体（いわゆる、基板）の表面側又はその裏面側に付着した異物や傷などの欠陥の有無を光学的に検査する装置に関する。

従来の液晶パネルの表面欠陥検査では、基板の表面側とその裏面側のそれぞれに検出光学系を対称的に配置し、表面側の欠陥と裏面側の欠陥とを別々に検査している。（例えば、特許文献１）。

また、検査対象基板に対して斜め方向からライン状の照明光を照射し、検査対象基板の厚みよりも小さい焦点深度の結像光学系を基板表面に対して９０度の受光角度に配置し、検査対象基板の表面側と裏面側を混同することなく、一度に検査できる技術が実用化されている（例えば、特許文献２）。

図１０は、従来の基板検査装置の一例を示す外観図である。従来の基板検査装置１ｚは、検査対象となる基板Ｗｚの検査対象領域Ｒｚに向けて照明部３ｚから照明光３２ｚを照射し、検査対象領域Ｒｚから放出された散乱光を、基板Ｗｚの上方に備えられた撮像部４ｚの撮像カメラ４２ｚ、レンズ４３ｚを用いて撮像し、撮像した画像に基づいて検査を行っている。なお、基板Ｗｚは、基板載置台２０の上に保持されており、基板載置台２０は、装置フレーム１１ｚ上に取り付けられたＸ軸ステージ６１とＹ軸ステージ６２の上に取り付けられており、ＸＹ方向に所定の速度で移動し、所定の位置に停止することができる。また、撮像カメラ４２ｚは、基板Ｗｚの検査対象領域Ｒｚの法線と光軸方向が一致するように（つまり、基板Ｗｚの表面に対して垂直方向に）、連結部材１５ｚを介して装置フレーム１１ｚに取り付けられている。そのため、基板Ｗｚと撮像部４ｚとを相対させて（つまり、基板Ｗｚ全体をＸ方向に複数分割し、Ｙ方向に一定速度でスキャン動作させる動作を繰り返して）撮像・検査を行うことができる。

このとき、撮像部４では、まず基板Ｗｚの表面側に合焦させた状態でスキャンおよび撮像を行い、続いて基板Ｗｚの裏面側に合焦させた状態でスキャンおよび撮像が行われる。つまり、従来の基板検査装置１ｚでは、いわゆる２スキャンでの撮像を行って、検査が行われていた。

特開平３−１８８４９１号公報 特許４１０４９２４号公報 特開平５−５２７６２号公報

検査対象基板の表面側及び裏面側に付着した異物や傷などの欠陥の有無を迅速に検査したい場合、特許文献１に示す様な、検査用の光学系を２組必要とする装置構成では、検査装置自体のコストアップやサイズアップとなってしまう。

一方、特許文献２に示す様な、検査用の光学系を１つとし、検査対象基板の表面側及びその裏面側を分離して検査できる装置を用いて、１スキャンでの撮像・検査を行う場合でも、検査対象基板がますます薄くなると（例えば、厚みが０．４ｍｍよりも薄くなると）、以下に述べるような理由で表裏分離が困難になる。

図１１は、従来の基板検査装置を用いて基板の表裏面を検査する様子を示す概念図であり、検査対象となる基板Ｗｚに照明光３２ｚを照射して基板に付着した異物で乱反射した散乱光を撮像する様子と、撮像部で撮像した異物Ｘ１，Ｘ２からの散乱光の強度を複合的に図示したものである。なお、図１１（ａ）は、従来より検査対象とされてきた基板Ｗｚ（厚みｔｚ：０．５〜０．７ｍｍ）について検査する様子が示されており、図１１（ｂ）は、従来より薄い基板Ｗ（厚みｔ：０．４ｍｍ以下）について検査する様子が示されている。照明部から照射された照明光３２ｚは、基板Ｗｚ，Ｗの表面側に付着した異物Ｘ１、基板Ｗｚ，Ｗの裏面側に付着した異物Ｘ２の表面でそれぞれ乱反射し、それらの散乱光が、撮像部４ｚのレンズ４３ｚを通過し、結像して、撮像カメラ４２ｚにて撮像される。

従来の基板Ｗｚであれば、表面側の異物Ｘ１，裏面側の異物Ｘ２の散乱光はそれぞれ離れた位置に結像するため、分離した状態で検出することができた。しかし、従来より薄い基板Ｗでは、表面側の異物Ｘ１，裏面側の異物Ｘ２の散乱光が重なり合うため、分離して検出することが困難となる。

また、特許文献３に示す様な構成では、受光系の受光角度が基板の表面の法線に対して８０度前後に設定される。しかしこの場合、基板裏面側からの散乱光は基板内面で反射するため、受光系にて観察される光は極めて微弱なものとなり、裏面側の異物を安定的に検査することが困難である。

そこで、本発明は、検査対象基板が薄くなっても、表裏分離して基板の表面側及びその裏面側を高精度かつ迅速に検査できる、基板検査装置を提供することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明は、
検査対象となる基板を保持する基板保持部と、
前記基板上に設定された検査対象領域に向けて照明光を照射する照明部と、
前記検査対象領域から発せられる散乱光をＳ偏光状態の光およびＰ偏光状態の光に分岐する分岐偏光部と、
前記散乱光のうち分岐されたＳ偏光状態の光を撮像するＳ偏光撮像部と、
前記散乱光のうち分岐されたＰ偏光状態の光を撮像するＰ偏光撮像部と、
前記Ｓ偏光撮像部および前記Ｐ偏光撮像部で撮像した画像に基づいて当該検査対象となる基板の表面側又は裏面側に付着した異物の位置及び大きさを検査する異物検査部を備え、
前記異物検査部には、
前記Ｓ偏光撮像部で撮像し検査した結果と、前記Ｐ偏光撮像部で撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、
当該検査対象となる基板の表面側又は裏面側のどちらに異物が付着しているかを判定する異物付着面判定部が備えられた、基板検査装置である。

この構成によれば、検査対象となる基板の表面側及びその裏面側について、Ｓ偏光状態及びＰ偏光状態に分岐した光を一度に撮像し、基板から散乱光が発せられた各場所について、Ｓ偏光成分が強ければ表面側に異物があり、Ｐ偏光成分が強ければ裏面側に異物があると判定することができる。なお、この判定は、屈折率の異なる物質（つまり、基板材料とその周りの雰囲気）の界面における物理現象に依るものであり、基板の厚みが薄くなっても適用することができる。

また、上述の構成によれば、一度に撮像した同じ位置にある異物に対して、基板の表面側又はその裏面側のどちらに異物が付着しているかを判定するため、ミスカウントやダブルカウントなどの誤検出を防ぐことができる。つまり、同じ検査対象部位については一度の撮像を行えば良いので、迅速な検査が行える。

検査対象基板が薄くなっても、表裏分離して基板の表面側及びその裏面側を高精度かつ迅速に検査できる。

本発明を具現化する形態の一例を示す斜視図。 本発明を具現化する形態の一例の要部と撮像した散乱光強度とを複合的に示す図。 基板の表裏面に付着した異物からの散乱光強度を比較した相関図。 本発明の具現化する形態の一例における検査処理を時系列的に示すフロー図。 本発明を具現化する形態の一例にて検査対象とする基板の一例を示す平面図。 本発明を具現化する形態の一例にて検査した各結果の一例を示すイメージ図。 本発明を具現化する形態の別の一例を示す斜視図。 本発明を具現化する形態の別の一例の要部と撮像した散乱光強度とを複合的に示す図。 本発明を具現化する形態のさらに別の一例の要部を示す正面図。 従来の基板検査装置の一例を示す外観図。 従来の基板検査装置を用いて基板の表裏面を検査する様子を示す概念図。

本発明を実施するための形態について、図を用いながら説明する。
図１は、本発明を具現化する形態の一例を示す外観図である。
図１には、基板を撮像した画像に基づいて光学的な検査を行う基板検査装置１について、各構成機器の斜視図と、画像取得して検査に必要な構成のブロック図が複合的に記載されている。なお、各図においては、直交座標系の３軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、ＸＹ平面を水平面、Ｚ方向を鉛直方向とする。特にＺ方向は矢印の方向を上とし、その逆方向を下と表現する。また、検査対象となる基板Ｗは、第１主面Ｓ１と、この第１主面Ｓ１とは表裏の関係にある第２主面Ｓ２がある。なお、本願では、この第１主面Ｓ１側を第１主面側又は表面側と呼び、それと表裏の関係にある第２主面Ｓ２側を第２主面側又は裏面側と呼ぶ。また、基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒのうち、第１主面側を第１主面側検査対象領域Ｒ１と、第２主面側を第２主面側検査対象領域Ｒ２と呼ぶ。なお、基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒは、基板のサイズや品種毎に設定されており、基板上の所定の領域ないし外周部を除いた基板全面が設定される。

本発明を具現化する形態の一例に係る基板検査装置１は、基板保持部２と、照明部３と、分岐偏光部５と、Ｓ偏光撮像部４ｓと、Ｐ偏光撮像部４ｐと、異物検査部７を備えて構成されている。この基板検査装置１は、基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒに向けて、照明光を照射し、この検査対象領域Ｒ内にある異物からの散乱光を分岐してＳ偏光状態およびＰ偏光状態の光にし、Ｓ偏光状態およびＰ偏光状態の光をそれぞれ別個に撮像画像を取得し、異物検査部７にて異物を抽出するものである。さらに異物検査部７では、これら抽出した異物について、Ｓ偏光状態の光を撮像したときの散乱光強度と、Ｐ偏光状態の光を撮像したときの散乱光強度とを比較して、その大小関係から異物が基板Ｗの第１主面Ｓ１側（つまり表面側）にあるのか第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）にあるのかを判定する。なお、基板検査装置１は、必要に応じて、相対移動部８を備えた構成としても良い。

基板保持部２は、検査対象となる基板Ｗを保持するものである。
具体的には、基板保持部２は、基板載置台２０により構成することができる。基板載置台２０は、基板Ｗの外形寸法より少し内側であって基板Ｗの検査対象領域となる部分よりも外側が空洞若しくは凹んだ断面形状をしている。また、基板載置台２０は、基板Ｗの外形寸法より少し外側に位置決め用基準ピン２１が備えられている。

照明部３は、基板Ｗの上に設定された検査対象領域Ｒに向けて照明光３２を照射するものである。具体的には、照明部３は、キセノンランプやハロゲンランプ、メタルハライドランプなどのランプ光源や、半導体レーザやＬＥＤなどを用いたものが例示でき、レンズやミラーなどを介して照明光が検査対象領域に向けて照射される。

ここでは、照明部３として、キセノンランプを用いた構成を例示して説明する。また、照明部３からは、細長い帯状（いわゆる、ライトシート状）の照明光を検査対象領域Ｒに向けて照射し、後述する撮像部５の撮像カメラには、撮像素子としてラインセンサが備えられている形態を例示する。

照明部３には、光源部と、導光ファイバ部と、照明ユニット３１が備えられている。
光源部（図示せず）には、キセノンランプと、それを発光させる電源と、発光した光を効率よく反射させる楕円ミラーが備えられている。導光ファイバ部は、光源部から放出される光を外部へ導光する光ファイバの束が備えられている。照明ユニット３１は、内部にシリンドリカルレンズが備えられており、導光された光を検査対象領域Ｒに向けてライトシート状の光として照射することができる。

分岐偏光部５は、散乱光をＳ偏光状態の光およびＰ偏光状態の光に分岐するものである。具体的には、偏光部５には、偏光ビームスプリッタ５０と呼ばれる光学素子が備えられている。偏光ビームスプリッタ５０は、多層膜コーティングが施されたプリズムなどの光学素子を組み合わせて構成されており、入射光のうち、Ｐ偏光成分の光を直進通過させつつ、Ｓ偏光成分の光を反射させて（つまり、９０度光路を折り曲げて）通過させるものが例示できる。

図２は、本発明を具現化する形態の一例の要部と撮像した散乱光強度とを複合的に示す図である。図２は、本発明を具現化する基板検査装置を用いて、従来よりも薄い基板の表裏面を検査する様子を概念的に示しており、検査対象となる基板Ｗに照明光を照射して基板Ｗに付着した異物Ｘ１，Ｘ２で乱反射した散乱光を撮像する様子と、撮像部で撮像した異物Ｘ１，Ｘ２からの散乱光の強度を複合的に図示したものである。

照明ユニット３１は、照射された検査に用いる照明光３２が、基板Ｗの第１主面Ｓ１の法線Ｈ１に対して所定の角度θ１をなして、矢印３３の方向に照明光３２を照射するように配置されている。つまり、基板Ｗの第１主面Ｓ１に対して、斜め上方向から照明光３２が照射される。そして、照明光３２は、基板Ｗの第１主面側に付着した異物Ｘ１の表面と、基板Ｗの第２主面側に付着した異物Ｘ２の表面（つまり、基板Ｗの第２主面側）とでそれぞれ乱反射し、それらの散乱光が、分岐偏光部５にてＳ偏光状態およびＰ偏光状態に分岐されて、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐにて撮像される。

そのため、偏光ビームスプリッタ５０は、検査対象領域Ｒに付着した異物Ｘ１，Ｘ２から放出された散乱光５１ａ，５２ａを、それぞれＳ偏光状態にした光５１ｓ，５２ｓと、Ｐ偏光状態にした光５１ｐ、５２ｐに分岐することができる。なお、Ｓ偏光とは、水平方向（つまり、Ｘ方向）に振動しながら進む光を意味する。一方、Ｐ偏光とは、水平方向（つまり、Ｘ方向）及び光が進む方向と直交する方向に振動しながら進む光を意味する。また、ここで言うＳ偏光状態とは、望ましくは完全にＳ偏光成分の光のみとなる状態に限らず、Ｐ偏光成分の光をいくらか含みつつＳ偏光成分の光が主成分である状態を意味する。同様に、ここで言うＰ偏光状態とは、望ましくは完全にＰ偏光成分の光のみとなる状態に限らず、Ｓ偏光成分の光をいくらか含みつつＰ偏光成分の光が主成分である状態を意味する。

なお、偏光ビームスプリッタを通過するＰ偏光状態の光とＳ偏光状態の光の比率は、多層膜コーティングの材質や膜厚などにより適宜設定できるが、ここでは１：１で分岐する例を示す（図１参照）。

Ｓ偏光撮像部４ｓは、検査対象領域から発せられる散乱光のうち、分岐偏光部５にて散乱光を分岐してＳ偏光状態にした光を撮像するものである。Ｐ偏光撮像部４ｐは、検査対象領域から発せられる散乱光のうち、分岐偏光部５にて散乱光を分岐してＰ偏光状態にした光を撮像するものである。具体的には、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは、基板Ｗの第１主面Ｓ１側に設定された第１主面側検査対象領域Ｒ１または基板Ｗの第２主面Ｓ２側に設定された第２主面側検査対象領域Ｒ２を、第１主面Ｓ１側から撮像するものである。そして、分岐偏光部５およびＰ偏光撮像部４ｐは、基板Ｗの第１主面Ｓ１に対して所定の角度θ２をなして第１主面側検査対象領域Ｒ１を撮像するように配置されており、Ｓ偏光撮像部４ｓは、分岐偏光部５で９０度光路を折り曲げられて第１主面側検査対象領域Ｒ１を撮像するように配置されている。つまり、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは、基板Ｗの第１主面Ｓ１に対して、斜め上方向から検査対象領域Ｒを撮像する構成をしている。

より具体的には、Ｓ偏光撮像部４ｓは、撮像カメラ４２ｓと、レンズ４３ｓとを備えている。一方、Ｐ偏光撮像部４ｐは、撮像カメラ４２ｐと、レンズ４３ｐとを備えている。撮像カメラ４２ｓ，４２ｐは、撮像素子で受光した像に対応した映像信号や画像データを外部へ出力するものであり、この撮像素子としては、ＣＣＤ，ＣＭＯＳを用いたラインセンサが例示できる。レンズ４３ｓ，４３ｐは、基板Ｗに付着した異物からの散乱光を、撮像カメラ４２ｓ，４２ｐの撮像素子に集光し結像させるものである。

なお、撮像カメラ４２ｓ，４２ｐの撮像素子は、ラインセンサに限らず、ＴＤＩセンサであっても良い。或いは、撮像カメラ４２ｓ，４２ｐの撮像素子は、エリアセンサを採用しても良い。

Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは、レンズ４３ｓ，４３ｐの被写界深度が基板Ｗの厚みｔ以上あるものを備え、基板Ｗとの距離が固定された状態で連結部材１５を介して装置フレーム１１に取り付けられた構成としておく。このとき、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは、基板Ｗの第１主面Ｓ１及び基板Ｗの第２主面Ｓ２の双方に焦点が合う状態にしておく。

図３は、基板の表裏面に付着した異物からの散乱光強度を比較した相関図である。図３（ａ）には、異物として粒径の異なる標準粒子を基板Ｗの第１主面Ｓ１側のみに付着させ、検査に用いる照明光のＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度がそれぞれ同じになるようにして照射し、Ｓ偏光撮像部４ｓとＰ偏光撮像部４ｐで撮像したときの散乱光強度をそれぞれ示したものである。一方、図３（ｂ）には、異物として粒径の異なる標準粒子を基板Ｗの裏面Ｓ２側のみに付着させ、検査に用いる照明光のＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度がそれぞれ同じになるようにして照射し、Ｓ偏光撮像部４ｓとＰ偏光撮像部４ｐで撮像したときの散乱光強度をそれぞれ示したものである。

このとき、基板Ｗの第１主面Ｓ１の法線Ｈ１に対して、照明部３から検査対象領域Ｒに向けて照射される光３２の角度θ１が８０度±５度以内、撮像カメラ４２で撮像する角度θ２が４５度±５度以内となるよう、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐの各機器が配置されている。

図３（ａ）（ｂ）を見れば、粒径が異なっていても、異物が基板Ｗの表面Ｓ１側に付着していれば、Ｓ偏光状態での散乱光強度が、Ｐ偏光状態での散乱光強度よりも強いことが分かる。一方、粒径が異なっていても、異物が基板Ｗの裏面Ｓ２側に付着していれば、Ｐ偏光状態での散乱光強度が、Ｓ偏光状態での散乱光強度よりも強いことが分かる。

そのため、図２に示す様に、基板Ｗの第１主面に付着した異物Ｘ１からの散乱光５１ａは、Ｓ偏光成分の強度が強く、Ｐ偏光成分の強度が弱い。そのため、偏光ビームスプリッタ５０で分岐したＳ偏光状態の光５１ｓの強度は、分岐したＰ偏光状態の光５１ｐの強度よりも強い。一方、基板Ｗの第２主面に付着した異物Ｘ２からの散乱光５２ａは、Ｐ偏光成分の強度が強く、Ｓ偏光成分の強度が弱い。そのため、偏光ビームスプリッタ５０で分岐したＰ偏光状態の光５２ｐの強度は、分岐したＳ偏光状態の光５２ｓの強度よりも強い。

なお、この様な特性は、屈折率の異なる物質（つまり、基板材料とその周りの雰囲気）の界面における物理現象に依るものであり、基板Ｗの厚みが薄くなっても成り立つ。

異物検査部７は、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐで撮像した画像に基づいて基板Ｗの第１主面Ｓ１側（つまり表面側）及び第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）に付着した異物の位置及び大きさを検査するものである。さらに異物検査部７は、詳細を後述するが、検出した異物が基板Ｗの第１主面Ｓ１側（つまり表面側）にあるか第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）にあるかを個々に判定するものである。

異物検査部７には、Ｓ偏光画像検査部、Ｐ偏光画像検査部、検査結果比較部および異物付着面判定部が備えられている。
Ｓ偏光画像検査部は、分岐偏光部５を通過したＳ偏光状態の光を撮像した画像（つまり、撮像カメラ４２ｓから出力された画像）に基づいて、異物の検出を行うものである。
Ｐ偏光画像検査部は、分岐偏光部５を通過したＰ偏光状態の光を撮像した画像（つまり、撮像カメラ４２ｐから出力された画像）に基づいて、異物の検出を行うものである。
さらに、Ｓ偏光画像検査部およびＰ偏光画像検査部は、必要に応じて検出した異物の位置や大きさを求める演算処理等を行い、検査結果として出力する。

検査結果比較部は、Ｓ偏光画像検査部およびＰ偏光画像検査部における検査結果を比較するものである。
異物付着面判定部は、当該検査対象となる基板の表側または裏面側のどちらに異物が付着しているかを判定するものである。具体的には、異物付着面判定部は、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度について、検査結果比較部で比較した結果、
Ｓ偏光状態での散乱光強度＞Ｐ偏光状態での散乱光強度 なら当該検査対象となる基板の表面側に異物が付着していると判定し、
Ｐ偏光状態での散乱光強度＞Ｓ偏光状態での散乱光強度 なら当該検査対象となる基板の裏面側に異物が付着していると判定する。

より具体的には、異物検査部７ならびにＳ偏光画像検査部、Ｐ偏光画像検査部、検査結果比較部および異物付着面判定部は、いわゆる画像処理装置（ハードウェア）と、画像処理プログラム（ソフトウェア）により構成することができる。そして、撮像カメラ４２ｓ，４２ｐから出力された映像信号や画像データは、画像処理装置に入力された後、異物検査部７のＳ偏光画像検査部、Ｐ偏光画像検査部、検査結果比較部および異物付着面判定部では、所定の画像処理を行いつつ、予め設定された検査基準に基づく検査が行われる。

異物検査部７のＳ偏光画像検査部およびＰ偏光画像検査部における具体的な画像処理として、画像に含まれる輝点を検出し、それぞれの輝点の輝度情報や占有画素数などから異物としての粒径を判定し、撮像視野内での座標情報と紐付けしながらラベリング処理し、基板上にどれくらいの大きさの粒径の異物が何個存在するかを検査（いわゆる異物検出検査）する形態が例示できる。なお、Ｓ偏光画像検査部での検査結果をＳ偏光検査結果、Ｐ偏光画像検査部での検査結果をＰ偏光検査結果と呼ぶ。

異物検査部７の検査結果比較部では、Ｓ偏光検査結果およびＰ偏光検査結果について、基板上の同一座標上にラベリング処理された異物をピックアップし、それぞれについて、Ｓ偏光検査結果およびＰ偏光検査結果のいずれの散乱光強度が強いかを比較する。

異物検査部７の異物付着面判定部では、散乱光強度の強い方を異物として処理し、当該異物が基板Ｗの第１主面Ｓ１側または第２主面Ｓ２側のいずれに付着しているかを判定する。そして、異物検査部７では、当該異物の大きさに対応する散乱光強度から、当該異物粒径に換算し、異物検査の結果として出力する。なお、Ｓ偏光検査結果およびＰ偏光検査結果として、散乱光強度を粒径に換算して検査結果として出力する形態の場合は、いずれの粒径が大きいかを比較する。

［異物検査部での処理フロー］
図４は、本発明の具現化する形態の一例における検査処理を時系列的に示すフロー図であり、本発明に係る異物検査部における検査処理の一例を示すものである。

まず、検査対象となる基板Ｗを基板載置台２０に載置する（ステップｓ１０）。

そして、照明ユニット３１から検査対象領域Ｒに向けて照明光３２を照射し（ステップｓ１１）、基板Ｗの表面に付着した異物からの散乱光を、分岐偏光部５にて分岐・偏光させる（ステップｓ１２）。

そして、Ｓ偏光状態で撮像した画像を画像処理装置に取得し（ステップｓ１３）、この画像に基づいて検査を行い、検査結果（つまり、Ｓ偏光検査結果）を取得する（ステップｓ１４）。

これと並行して、Ｐ偏光状態で撮像した画像を画像処理装置に取得し（ステップｓ１５）、この画像に基づいて検査を行い、検査結果（つまり、Ｐ偏光検査結果）を取得する（ステップｓ１６）。

そして、画像処理装置内で、Ｓ偏光検査結果とＰ偏光検査結果と比較する（ステップｓ１７）。このとき、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐの撮像カメラ４２ｓ，４２ｐが、基板Ｗの法線に対して角度θ２に設定されて配置されているため、検出された異物の位置情報は、基板Ｗの厚みに起因して第１主面Ｓ１側（つまり表面側）と第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）とでズレが生じないよう、基板Ｗを平面視した座標系に位置補正をしておく。

そして、基板Ｗを平面視した座標系の同じ位置にある異物に対して比較処理を行い、
Ｓ偏光状態での散乱光強度＞Ｐ偏光状態での散乱光強度 なら基板の表面側に、
Ｐ偏光状態での散乱光強度＞Ｓ偏光状態での散乱光強度 なら基板の裏面側に、異物が付着していると判定する（ステップｓ１８）。

そして、必要に応じて、基板Ｗの第１主面Ｓ１側および第２主面Ｓ２側に付着した異物の大きさや個数などの表面状態に関する検査結果を出力する（ステップｓ１９）。

［検査対象と検査結果の例］
図５は、本発明を具現化する形態の一例にて検査対象とする基板の一例を示す平面図である。図５には、検査対象となる基板Ｗの第１主面Ｓ１側（つまり表面側）に大きな異物Ｘ１と小さな異物Ｘ２が、基板Ｗの第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）に大きな異物Ｘ３と小さな異物Ｘ４が付着している様子が示されている。
図６は、本発明を具現化する形態の一例にて検査した各結果の一例を示すイメージ図である。図６（ａ）には、上述のステップｓ１３（つまりＳ偏光状態）での撮像画像が、図６（ｂ）には、上述のステップｓ１４（つまりＰ偏光状態）での撮像画像が示されている。

そして、図６（ｃ）には、上述のステップｓ１８で出力される基板Ｗの第１主面Ｓ１側（つまり表面側）の検査結果として、大きな異物Ｘ１と小さな異物Ｘ３が付着している様子が示されている。
さらに、、図６（ｄ）には、上述のステップｓ１８で出力される基板Ｗの第２主面Ｓ２側（つまり裏面側）の検査結果として、大きな異物Ｘ２と小さな異物Ｘ４が付着している様子が示されている。

なお、検査結果の出力例として図６（ｃ）（ｄ）には、各異物Ｘ１〜４を、基板ＷのＸＹ座標上にプロットする形態を例示しているが、この様な形態に限らず、数値データによる出力する形態であっても良い。

相対移動部８は、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐの位置関係は維持しつつ、これらに対して検査対象となる基板Ｗを相対的に移動させるものである。相対移動部８は、基板Ｗの一部の領域しか撮像できない構成の照明部３、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐを用いつつ、スキャン動作やステップアンドリピート動作により、基板Ｗに設定された検査対象領域の全てを撮像可能にするものである。

具体的には、相対移動部８は、いわゆるＸＹステージを用いて具現化することができ、装置フレーム１１上に取り付けられてスライダーをＸ方向に所定の速度で移動させ所定の位置で静止させるＸ軸ステージ８１と、Ｘ軸ステージ８１のスライダー上に取り付けられてスライダーをＹ方向に所定の速度で移動させ所定の位置で静止させるＹ軸ステージ８２を備えて構成されている。Ｙ軸ステージ８２のスライダー上には、基板載置台２０が取り付けられている。そうすることで、基板載置台２０に載置された基板Ｗを、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐに対して相対移動させることができ、基板Ｗ全体を複数回分割スキャンして撮像・検査することができる。

また、必要に応じて、Ｙ軸ステージ８２のスライダーと基板載置台２０との間には、回転テーブル機構を備えた構成であっても良い。そうすることで、基板Ｗの角度を変更することができ、基板Ｗの位置ずれ修正をしたり、基板の撮像・検査や受取・受渡などの方向を９０度、１８０度、２７０度と変更したりすることができる。

なお、本発明を適用するにあたり、上述では、照明部３からライトシート状の照明光を照射しながら、基板Ｗを連続移動させて、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐのラインセンサにて撮像する構成を示した。この様な構成であれば、Ｙ方向に連続移動させながら撮像を行うことができるので時間短縮が可能であり、光学的に特殊な補正が不要となるため、迅速な検査が可能となる。

本発明に係る基板検査装置１は、この様な構成をしているため、基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒに付着した異物の位置及び大きさを検出するとともに、それぞれの異物が基板Ｗの表面Ｓ１側・裏面Ｓ２側のどちらに付着しているかを精度良く判定することができる。そして、検査対象基板が薄くなっても、Ｓ偏光撮像部４ｓで撮像し検査した結果と、Ｐ偏光撮像部４ｐで撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、基板に付着した異物が当該基板の表面側・裏面側どちらに付着しているかを表裏分離して検査できる。

［照明光と撮像の角度設定］
なお、上述では、基板Ｗの第１主面Ｓ１の法線Ｈ１に対して、照明部３から検査対象領域Ｒに向けて照射される光３２の角度θ１が８０度±５度以内、撮像カメラ４２で撮像する角度θ２が４５度±５度以内となるよう、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐの各機器が配置されている構成を例示した。

一般に、異物からの散乱光が角度により強弱の差が生じることと、この強弱の差が異物の粒径の違いにより異なる。しかし、上述の様な角度θ１，θ２に設定すれば、種々の粒径の異物に対して本発明を適用することができことが分かった。

さらに、これら角度θ１，θ２とのなす角度（つまり、θ１＋θ２）が、１２５度±１０度以内であれば、同様の結果を得られることも分かった。

［照明光と撮像の他の角度設定］
また、異物の分布傾向を知りたい場合や、さほど厳格性を要求されない場合、検査対象となる異物の粒径が予め判明している場合などであれば、上述の条件に限らず、以下に示す条件にて本発明を適用することができることも分かった。

つまり、基板Ｗの第１主面Ｓ１の法線Ｈ１に対して、照明部３から検査対象領域Ｒに向けて照射される光３２の角度θ１が４０〜８５度の範囲内であって、撮像カメラ４２で撮像する角度θ２が０〜６０の範囲内となるよう、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐの各機器を配置しておく。

なお、上述の基板Ｗは、厚さｔが０．３ｍｍの無アルカリガラスを用いた場合について例示したが、他の厚みの無アルカリガラスであっても、本発明を適用することができる。さらに、基板Ｗの表面Ｓ１側や裏面Ｓ２側に、ＩＴＯやＳｉＯ２などの薄膜がコーティングされた場合であっても、異物からの散乱光強度に影響を及ぼさなければ、本発明を適用することができる。

また、上述したような角度θ１，θ２の条件や、基板Ｗの材質、厚みに限定されず、それ以外の条件であっても、基板の表面Ｓ１側に付着した異物について、Ｓ偏光状態での散乱光強度＞Ｐ偏光状態での散乱光強度 であり、基板の裏面Ｓ２側に付着した異物について、Ｐ偏光状態での散乱光強度＞Ｓ偏光状態での散乱光強度 の関係（前提条件）が成立するなら、上述の判定手順と同様、Ｓ偏光撮像部４ｓで撮像し検査した結果と、Ｐ偏光撮像部４ｐで撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、Ｓ偏光状態での散乱光強度＞Ｐ偏光状態での散乱光強度 なら基板の表面側に異物が付着しており、Ｐ偏光状態での散乱光強度＞Ｓ偏光状態での散乱光強度 なら基板の裏面側に異物が付着していると判定し、本発明を適用することができる。

［第２の観点の形態への適用］
上述では、偏光ビームスプリッタ５０が、Ｓ偏光状態の光およびＰ偏光状態の光を、それぞれ１：１で分岐する例を示し、Ｓ偏光状態での散乱光強度とＰ偏光状態での散乱光強度に対して、単なる大小比較をする形態（つまり、第１の観点の形態）について説明を行った。

しかし、偏光ビームスプリッタ５０を製作する上で、Ｓ偏光／Ｐ偏光を完全に１：１に分岐することが難しく、偏りを生じる場合がある。この様な場合にも対応すべく、本発明に係る基板検査装置は、以下に示すような形態（つまり、第２の観点の形態）であっても良い。

つまり、Ｓ偏光状態での散乱光強度とＰ偏光状態での散乱光強度のいずれかに倍率係数を乗じてから、異物検査部の検査結果比較部で比較しても良い。或いは、Ｓ偏光状態での散乱光強度とＰ偏光状態での散乱光強度のそれぞれに異なる倍率係数を乗じてから異物検査部の検査結果比較部で比較する。

そして、異物検査部の異物付着面判定部では、
検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度について、異物検査部の検査結果比較部で比較した結果、
Ｓ偏光状態での散乱光強度÷Ｐ偏光状態での散乱光強度＞ｋ（ｋは定数） となる条件なら当該検査対象となる基板の表面側に異物が付着していると判定し、
Ｓ偏光状態での散乱光強度÷Ｐ偏光状態での散乱光強度＜ｋ（ｋは定数） となる条件なら当該検査対象となる基板の裏面側に異物が付着していると判定する。

この場合、倍率係数や、判定基準となる定数ｋの値については、基板Ｗの表面Ｓ１上または裏面Ｓ２上に標準粒子を散布してＳ偏光状態での散乱光強度とＰ偏光状態での散乱光強度とを測定するなどして、予め把握した上で異物検査部に設定しておく。

そうすることで、第１の観点の形態に示した散乱光強度の大小比較条件以外であっても、Ｓ偏光撮像部４ｓで撮像し検査した結果と、Ｐ偏光撮像部４ｐで撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、基板に付着した異物が表面側・裏面側どちらに付着しているかを表裏分離して検査できる。その結果、種々の材質や厚みの基板に対して本発明を適用することができる。

［変形例］
上述では、検査対象となる基板Ｗに対して、照明部３、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐを相対的に移動させる相対移動部８を備え、
Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは、相対的に移動させる方向と直交する方向に所定の長さを有するラインセンサを備え、
照明部３は、ラインセンサで撮像する検査対象領域に対してライトシート状の照明光を照射するものである構成について示した。

この構成であれば、解像度の高いラインセンサを用いて検査を行うことができ、照明光線の照射範囲を最小限にすることができるため、コストダウンやサイズダウンが容易となる。さらに、同一面（第１主面の検査時なら第１主面）や反対側（第１主面の検査時なら第２主面）に存在する他の異物からの散乱光を同時に撮像してしまうことに起因して、所望の検査結果を正しく得ることができないと言う不具合を防ぐことができるので、より好ましい形態と言える。

しかし、本発明を具現化する上では、この形態に限らず、下記の様な構成として良い。つまり、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐにはエリアセンサを用い、照明部３は、エリアセンサーで撮像する検査対象領域を含む範囲に照明光を照射する構成である。この場合、検査対象となる基板Ｗに対して照明部３、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐを相対的に移動させる相対移動部８を備え、
Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐを相対移動させながら照明光をストロボ発光させて撮像を繰り返す（いわゆる、分割撮像を行う）構成とする。

或いは、相対移動部８ではステップ・アンド・リピート方式で基板Ｗを移動・静止させつつ、照明部には面照明を備え、撮像部にはエリアセンサを備え、断続的に基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒを分割撮像する構成としても良い。

或いは、相対移動部８を備えず、検査対象領域Ｒをエリアセンサーカメラを用いて一括で撮像する構成としても良い。

なお、ステップ・アンド・リピート方式や一括撮像方式で撮像を行う場合、分岐偏光部５、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐは所定の角度θ２で基板Ｗに設定された検査対象領域Ｒの法線Ｈ１に対して傾いているため、台形上に撮像された画像を矩形に補正したり、あおり補正レンズを用いて撮像したりすれば良い。

また、上述の様な分割撮像はせず、基板Ｗの全面を検査対象領域Ｒとして設定し、当該検査対象領域Ｒに向けて一度に照明光を照射する照明部と、当該検査対象領域Ｒを撮像するエリアセンサーカメラ及びレンズを備えた撮像部を用いて一度に撮像を行う構成（いわゆる、一括撮像方式）としても良い。

なお、相対移動部８は、上述の様な構成に限らず、基板Ｗを回転ローラを用いて搬送を行う構成（いわゆる、コンベア搬送）や、ウォーキングビームと把持部を用いて搬送を行う構成（いわゆる、シャトル搬送）などであっても良い。

［変形例］
なお、上述では、分岐偏光部５として、偏光ビームスプリッタ５０を備えた構成を例示した。この構成であれば、入射した散乱光を効率よくＳ偏光状態およびＰ偏光状態に分岐できるので、照明光の強度を強くできない場合や、散乱光の強度が弱い場合に好適である。しかし、照明光の強度を強くできる場合や、散乱光の強度がある程度強い場合には、この様な構成のみならず、以下の様な構成により、本発明に係る分岐偏光部を構成することができる。

図７は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す斜視図である。

図８は、本発明を具現化する形態の別の一例の要部と撮像した散乱光強度とを複合的に示す図である。
図７，８には、図１，２に示した分岐偏光部５とは構成と異なる、分岐偏光部５Ｂが示されている。

分岐偏光部５Ｂには、ハーフミラー５０Ｂと、Ｓ偏光フィルタ５４ｓと、Ｐ偏光フィルタ５４ｐが備えられている。
ハーフミラー５０Ｂは、入射した光５１ａ，５２ａの一部５１ｂ，５２ｂを９０度折り曲げて反射させ、一部５１ｃ，５２ｃを直進通過させるものである。ここでは、入射した光の半分を折り曲げて反射させ、残り半分を直進通過させる（つまり、入射光を１：１に分岐する）構成を例示して説明する。

分岐された光の内、一方（ここでは、折り曲げ反射側）５１ｂ，５２ｂはＳ偏光フィルタ、他方（ここでは、直進通過側）５１ｃ，５２ｃはＰ偏光フィルタを通過させる。Ｓ偏光フィルタとは、Ｓ偏光成分の光を効率よく透過させ、Ｐ偏光成分の光を効率よく吸収または反射するものである。一方、Ｐ偏光フィルタとは、Ｐ偏光成分の光を効率よく透過させ、Ｓ偏光成分の光を効率よく吸収または反射するものである。

Ｓ偏光フィルタを通過した光５１ｓ’，５２ｓ’は、それぞれＳ偏光撮像部４ｓで撮像され、Ｐ偏光フィルタを通過した光５１ｐ’，５２ｐ’は、それぞれＰ偏光撮像部４ｐで撮像される。これ以降の検査フローは、上述と同様であるため説明は省略する。

なお、照明光３２の強度が強い場合や異物の粒径が大きいなど、散乱光の強度がある程度強い場合は、ハーフミラーにて分岐（つまり、光量が半分に減衰）した後でも、Ｓ偏光またはＰ偏光フィルタを通過する光の強度が確保されるため、正確な検査を行うことができる。

［変形例］
なお、上述では、照明部の光源部にキセノンランプ等が備えられた構成を例示して説明した。しかし、本発明を具現化する上では、この様な構成に限らず、他の光源手段を備えた構成としても良い。照明部の光源手段としては、例えば、蛍光灯やＬＥＤ、半導体レーザ発振器等を例示できる。特に、照明部には半導体レーザ発振器が備えられており、照明部から検査対象領域に向けて照射される照明光が、半導体レーザ発振器にて励起された光であることが好ましい。

半導体レーザ発振器にて励起された光は、他の光源手段と比較して、波長や振幅にバラツキが少なく、位相も揃っており、いわゆるコヒーレント光である。そのため、位相板を用いて偏光方向を調節することが容易に行える。

例えば、半導体レーザ発振器が備えられた照明部からの照明光が、Ｘ方向に直線偏光であれば、円偏光の光に変換して、検査対象領域に向けて照射する。或いは、光の進む方向を回転中心として、Ｘ方向に水平な方向から４５度回転させた状態（つまり、Ｓ偏光とＰ偏光とが１：１となる状態）にした直線偏光の光を検査対象領域に向けて照射する。この４５度回転させた状態にした直線偏光の光は、半導体レーザ発振器を４５度回転させた状態で配置しても良いし、位相板を用いて具現化しても良い。

また、１つの半導体レーザ発振器を用いる構成に限らず、偏光方向の異なる２つの半導体レーザ発振器を用いて、Ｓ偏光成分の光とＰ偏光成分の光が混合された状態にして検査対象領域に向けて照射しても良い。

なお、半導体レーザ発振器を備えた照明部から照射される照明光は、Ｓ偏光成分およびＰ偏光成分が同じ比率であることが好ましい。そうすれば、Ｓ偏光撮像部で撮像されたＳ偏光状態の散乱光強度とＰ偏光撮像部で撮像されたＰ偏光状態の散乱光強度のどちらが大きいかを比較するだけで、異物が基板の第１主面もしくは第２主面のどちらに付着しているかを容易に判定できる。

しかし、半導体レーザ発振器を備えた照明部から照射される照明光は、Ｓ偏光成分およびＰ偏光成分が同じ比率でなくても、Ｓ偏光撮像部で撮像されたＳ偏光状態の散乱光強度とＰ偏光撮像部で撮像されたＰ偏光状態の散乱光強度の少なくとも一方に倍率係数を乗じて比較することで、これらの大小関係から、異物が基板の第１主面もしくは第２主面のどちらに付着しているかを容易に判定できる。

［変形例］
なお、上述では、図１，２，７，８に示す様に、照明部３から検査対象領域Ｒに向けて照射される照明光３２として、直接的に検査対象領域Ｒに照射する構成を示した。しかし、本発明を具現化する上では、この様な構成に限らず、図９に示す様な構成としても良い。

図９は、本発明を具現化する形態のさらに別の一例の要部を示す正面図である。
図９には、図１，２に示した照明部３の構成とは異なる、照明部３Ｂ、照射部３Ｂから照射された光３３等が示されている。

具体的には、照射部３Ｂは、ライトシート状の照明光３２を概ね垂直方向下向きに照射するよう配置されたライトシート照明ユニット３１と、その下方に配置された反射ミラー３５とが備えられている。反射ミラー３５は、ライトシート状の照明光３２の方向を変えて、反射した照明光３６として検査対象領域Ｒに照射するものである。そして、この照明光３６が基板Ｗの検査対象領域Ｒに照射され、異物Ｘ１，Ｘ２から放出される散乱光５１ａ，５２ａが、分岐偏光部５に入射する。

［変形例］
なお、上述では、Ｓ偏光撮像部４ｓおよびＰ偏光撮像部４ｐには、それぞれ個別のレンズ４３ｓ、４３ｐが備えられた構成を示した。しかし、この様な構成に限らず、個別のレンズ４３ｓ、４３ｐを用いる代わりに、分岐偏光部５の入射側に共通のレンズ４３（図１中に破線で示す）を備えた構成としても良い。

１ 基板検査装置
２ 基板保持部
３ 照明部
５ 分岐偏光部
４ 撮像部
４ｓ Ｓ偏光撮像部
４ｐ Ｐ偏光撮像部
７ 異物検査部
８ 相対移動部
１１ 装置フレーム
１５ 連結部材
２０ 基板載置台
２１ 位置決め基準ピン
３１ 照明ユニット
３２ 照明光
３３ 矢印（光の進む方向）
３５ 反射ミラー
３６ 照明光（ミラーにて反射された光）
５０ 偏光ビームスプリッタ
５０Ｂ ハーフミラー
５１ａ 異物Ｘ１からの散乱光
５１ｓ Ｓ偏光された異物Ｘ１からの散乱光
５１ｐ Ｐ偏光された異物Ｘ１からの散乱光
５２ａ 異物Ｘ２からの散乱光
５２ｓ Ｓ偏光された異物Ｘ２からの散乱光
５２ｐ Ｐ偏光された異物Ｘ２からの散乱光
５４ｓ Ｓ偏光フィルタ
５４ｐ Ｐ偏光フィルタ
４２ｓ 撮像カメラ（Ｓ偏光検査用）
４２ｐ 撮像カメラ（Ｐ偏光検査用）
４３ｓ レンズ（Ｓ偏光検査用）
４３ｐ レンズ（Ｐ偏光検査用）
４４ 接続
Ｒ 検査対象領域
Ｒ１ 検査対象領域（第１主面側）
Ｒ２ 検査対象領域（第２主面側）
Ｗ 基板
Ｓ１ 基板の第１主面（基板の表面）
Ｓ２ 基板の第２主面（基板の裏面）
θ１ 所定の角度（偏光された照明光の角度）
θ２ 所定の角度（撮像カメラの角度）
Ｘ１ 異物
Ｘ２ 異物
Ｘ３ 異物
Ｘ４ 異物

Claims (8)

1. 検査対象となる基板を保持する基板保持部と、
   前記基板上に設定された検査対象領域に向けて照明光を照射する照明部と、
   前記検査対象領域から発せられる散乱光をＳ偏光状態の光およびＰ偏光状態の光に分岐する分岐偏光部と、
   前記散乱光のうち分岐されたＳ偏光状態の光を撮像するＳ偏光撮像部と、
   前記散乱光のうち分岐されたＰ偏光状態の光を撮像するＰ偏光撮像部と、
   前記Ｓ偏光撮像部および前記Ｐ偏光撮像部で撮像した画像に基づいて当該検査対象となる基板の表面側又は裏面側に付着した異物の位置及び大きさを検査する異物検査部を備え、
   前記異物検査部には、
   前記Ｓ偏光撮像部で撮像し検査した結果と、前記Ｐ偏光撮像部で撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係から、
   当該検査対象となる基板の表面側又は裏面側のどちらに異物が付着しているかを判定する異物付着面判定部が備えられた、基板検査装置。
2. 前記異物検査部は、
   前記Ｓ偏光撮像部で撮像し検査した結果と、前記Ｐ偏光撮像部で撮像し検査した結果とを比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係が、
   Ｓ偏光状態の散乱光強度＞Ｐ偏光状態の散乱光強度 なら当該検査対象となる基板の表面側に異物が付着していると判定し、
   Ｐ偏光状態の散乱光強度＞Ｓ偏光状態の散乱光強度 なら当該検査対象となる基板の裏面側に異物が付着していると判定する、
   請求項１に記載の基板検査装置。
3. 前記異物検査部は、
   前記Ｓ偏光撮像部で撮像し検査した結果と、前記Ｐ偏光撮像部で撮像し検査した結果とについて、少なくとも一方に倍率係数を乗じた上で比較し、検査対象となる基板上の同じ位置における散乱光強度の大小関係が、
   Ｓ偏光状態の散乱光強度÷Ｐ偏光状態の散乱光強度＞ｋ（ｋは定数）なら当該検査対象となる基板の表面側に異物が付着していると判定し、
   Ｓ偏光状態の散乱光強度÷Ｐ偏光状態の散乱光強度＜ｋ（ｋは定数）なら当該検査対象となる基板の裏面側に異物が付着していると判定する、異物付着面判定部が備えられた、請求項１に記載の基板検査装置。
4. 前記照明部には半導体レーザ発振器が備えられており、
   前記照明部から照射される照明光が、半導体レーザ発振器にて励起された光であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板検査装置。
5. 前記照明部から照射される照明光が、Ｓ偏光成分およびＰ偏光成分が同じ比率であることを特徴とする、請求項４に記載の基板検査装置。
6. 前記検査対象となる基板が透明なガラス基板であって、
   前記照明部は、前記照明部から照射される照明光が前記検査対象領域の法線に対して４０〜８５度の角度で照射されるように配置されており、
   前記撮像部は、前記検査対象領域の法線に対して０〜６０度の角度で前記検査対象領域を撮像するように配置されている
   ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の基板検査装置。
7. 前記検査対象となる基板が透明なガラス基板であって、
   前記偏光部で偏光されて検査対象領域に向けて照射される光と、前記撮像部で撮像される前記散乱光とが、前記検査対象領域の法線を挟んで、１２５度±１０度以内に設定されている
   ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の基板検査装置。
8. 前記検査対象となる基板が透明なガラス基板であって、
   前記偏光部で偏光されて検査対象領域に向けて照射される光が、前記検査対象領域の法線に対して８０度±５度以内の入射角度で照射されるように配置されており、
   前記撮像部は、前記検査対象領域の法線に対して４５度±５度以内の角度で前記検査対象領域を撮像するように配置されている
   ことを特徴とする、請求項７に記載の基板検査装置。

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