JP2016100352A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パッドとハンダバンプとの接続の信頼性の向上、および、半導体素子とプリント配線板との熱膨張係数の差に基づく応力の緩和。
【解決手段】第１面１１ａ、および第２面１１ｂを有する樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側に電子部品を搭載するためのパッド１２ｃおよび配線パターン１２ｂを含む第１導体層１２が形成され、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂに第２導体層１４が形成されている。そして、パッド１２ｃは、樹脂絶縁層１１内に埋め込まれるベース部１２ｃ１と樹脂絶縁層１１から突出しているポスト部１２ｃ２とからなると共に、ポスト部１２ｃ２の幅ｄはベース部１２ｃ１の幅ｗより小さく、かつ、ベース部１２ｃ１のポスト１２ｃ２側の面が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと面一であり、パッド１２ｃは、ベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２とが一体に形成された電気めっき膜である。
【選択図】図１

Description

本発明は、プリント配線板およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、表面に半導体素子などが搭載される際に、半導体素子の電極端子と接続されるパッドの構造が改善されたプリント配線板およびその製造方法に関する。

特許文献１には、その一面側に半導体素子がハンダバンプを介して搭載される多層基板が示されている。しかし、この特許文献１に記載される多層基板では、半導体素子が接続されるパッドの表面が平坦で、パッド周囲の最外層の表面と同一の高さか、または、最外層の表面に対して凹んでいる。

特開２０００−３２３６１３号公報

特許文献１に示されるような、表面が平坦なパッドで、その表面が、パッド周囲の表面と同一または凹んでいると、ハンダバンプの高さを高くすることが難しいと考えられる。このため、半導体素子と多層基板との熱膨張係数の差に起因する応力を高さの高いハンダバンプにより吸収し難くなったり、多層基板と半導体素子間にアンダーフィル樹脂を充填し難くなったりすると考えられる。また、パッドとハンダバンプとの接触面積が平坦部だけで小さいので、ハンダ付けの信頼性も低下すると考えられる。

本発明の目的は、パッドとハンダバンプとの接続の信頼性を向上させると共に、半導体素子とプリント配線板との熱膨張係数の差に基づく応力を緩和しやすい、すなわち高さの高いバンプを形成することができるプリント配線板およびその製造方法を提供することである。

本発明のプリント配線板は、第１面、および該第１面と反対側の第２面を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面側に形成されている、電子部品を搭載するためのパッドおよび配線パターンを含む第１導体層と、前記樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通して形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体と、を有している。そして、前記パッドは、前記樹脂絶縁層内に埋め込まれるベース部と前記樹脂絶縁層から突出しているポスト部とからなると共に、前記ポスト部の幅は前記ベース部の幅より小さく、かつ、前記ベース部の前記ポスト側の面が前記樹脂絶縁層の前記第１面と面一であり、前記パッドは、前記ベース部と前記ポスト部とが一体に形成された電気めっき膜である。

本発明のプリント配線板の製造方法は、金属膜上に第１のめっきレジスト膜のパターンを形成することと、前記第１のめっきレジスト膜のパターンから露出する前記金属膜の表面に電気めっき膜を形成することと、前記第１のめっきレジスト膜を除去することと、前記第１のめっきレジスト膜の除去により露出する前記金属膜および前記電気めっき膜の表面にバリア層を形成することと、前記バリア層上に第２のめっきレジスト膜のパターンを形成することと、前記第２のめっきレジスト膜のパターンから露出する前記バリア層上に電気めっき膜を形成することにより、パッドのパターンを含む第１導体層を形成することと、前記第２のめっきレジスト膜を除去することと、前記第１導体層のパターンの間隙部および表面に形成され、前記第１導体層側を第１面、該第１面と反対面を第２面とする樹脂絶縁層を形成することと、前記樹脂絶縁層の前記第２面側から開口を形成し、該開口内にビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第２面に、前記ビア導体を介して前記第１導体層と接続される第２導体層を形成することと、前記金属膜および該金属膜上に形成された前記電気めっき膜を除去することと、前記バリア層を全面に亘って除去することと、を含む。

本発明の一実施形態のプリント配線板の断面説明図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。 図１のプリント配線板の製造工程を示す図。

本発明の一実施形態のプリント配線板およびその製造方法が、図面を参照して説明される。図１は、本実施形態のプリント配線板１の断面説明図である。本実施形態のプリント配線板１は、第１面１１ａ、およびその第１面１１ａと反対側の第２面１１ｂを有する樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側に電子部品を搭載するためのパッド１２ｃ、第１パターン１２ａ、および配線パターン１２ｂを含む第１導体層１２が形成されている。そして、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂに第２導体層１４が形成され、さらに、樹脂絶縁層１１を貫通して、第１導体層１２と第２導体層１４とを接続するビア導体１５が形成されている。そして、パッド１２ｃは、樹脂絶縁層１１内に埋め込まれるベース部１２ｃ１と樹脂絶縁層１１から突出しているポスト部１２ｃ２とからなると共に、ポスト部１２ｃ２の幅ｄはベース部１２ｃ１の幅ｗより小さく、かつ、ベース部１２ｃ１のポスト１２ｃ２側の面が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと面一であり、パッド１２ｃは、ベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２とが一体に形成された電気めっき膜である。

ここにポスト部１２ｃ２およびベース部１２ｃ１の「幅」とは、ポスト部１２ｃ２およびベース部１２ｃ１の樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと略平行な面での断面形状で端から端までの一番長い部分の距離を意味し、断面が円形であれば直径を、矩形であれば対角線の長さ、楕円形状であれば長径の長さを意味する。

すなわち、本実施形態のプリント配線板１は、樹脂絶縁層１１の第１面側の図示しない半導体素子が搭載される第１導体層１２のパッド１２ｃが、ベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２とを有する構造に形成され、しかも電気めっきにより一体に形成されている。さらに、このベース部１２ｃ１は、第１パターン１２ａおよび配線パターン１２ｂと同様に、樹脂絶縁層１１内に埋め込まれ、その一面のみが樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと面一で露出し、ポスト部１２ｃ２は、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから突出していることに特徴がある。

このような構造に形成されることにより、このパッドに図示しない半導体素子の電極端子がハンダバンプにより接続される場合に、ポスト部１２ｃ２の上面との間でハンダ付けされるため、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと半導体素子の電極端子が設けられる面との間の距離を大きくすることができる。その結果、プリント配線板１と半導体素子との間での熱膨張係数の違いにより生じる応力が吸収されやすくなる。また、その間の隙間にアンダーフィルとする樹脂層が流れ込みやすくなる。しかも、本実施形態によれば、パッド１２ｃのベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２とが一体に形成されているため、例えば銅めっきなどにより形成されれば、非常に電気抵抗を小さくすることができ、表面にニッケルメッキなどが施された場合と比べて、電気特性の優れたプリント配線板が得られる。

さらに、パッドがベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２とで形成されており、ポスト部１２ｃ２が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａよりも突出しているので、ハンダ付けがされた場合に、ポスト部１２ｃ２の側面およびベース部１２ｃ１の露出面にもハンダが濡れやすく、広い面積で接着されるため、ハンダ付けの信頼性が向上する。しかも、パッド１２ｃの表面には、パッド１２ｃが、たとえば銅で形成された場合に、銅よりも電気抵抗が高いニッケルメッキやスズめっきのような膜が設けられないので、ハンダバンプなどと、電気抵抗の低い銅からなるパッド１２ｃとが直接接合されることが可能となり、図示しない半導体素子などとの接続部の電気抵抗が小さくなることがある。

さらに、本実施形態のプリント配線板１は、後述する製造方法の実施形態で示されるように、バリア層２３（図２Ｄ参照）としてニッケルめっき膜も使用されるが、そのニッケルめっき膜は、エッチングの際のバリア層として用いられるもので、パッドの部分だけに形成されるのではなく、全面に形成され、後に全てエッチングにより除去されるものである。そのため、パッド１２ｃにバリア層として形成されたものが後にエッチング除去された場合と異なり、ベース部１２ｃ１の表面が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａよりも凹むことがなく、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと面一に形成され得る。すなわち、パッド１２ｃの部分だけに、たとえばニッケルめっき膜が施されて製造され、最終的にそのニッケルめっき膜がエッチングにより除去されると、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａからそのニッケルめっき膜の厚さ分だけ凹むことになる。その凹み分だけバンプが下がることになるため、樹脂絶縁層１１と半導体素子との間隙が小さくなる。しかし、本実施形態のプリント配線板では、ニッケルめっき膜は全面に形成され、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａとパッド１２ｃのベース部１２ｃ１の表面とは同じニッケルめっき膜に面しているため、ニッケルめっき膜がエッチング除去されても、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａとパッド１２ｃのベース部１２ｃ１の表面とは面一になる。その結果、ハンダバンプはたとえベース部１２ｃ１の露出面までハンダが濡れ広がっても、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａよりも下がることはない。そのため、ハンダバンプの高さを高くすることができる。

樹脂絶縁層１１は、第１面１１ａと、第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂとを有する絶縁層である。樹脂絶縁層１１は、たとえばガラス繊維のような芯材にフィラーを含む樹脂組成物を含浸させたものでもよく、芯材を含まないで、フィラーを含む樹脂組成物だけで形成されたものでもよい。また、１層であってもよく、複数の絶縁層から形成されていてもよい。樹脂絶縁層１１は、複数の絶縁層から形成されるならば、たとえば熱膨張率、柔軟性、厚さが容易に調整され得る。樹脂としては、エポキシ等が例示される。樹脂絶縁層１１の厚さとしては、２５〜１００μｍが例示される。第１面１１ａ側には、第１導体層１２が一面だけ露出するように、樹脂絶縁層１１内に埋め込まれて形成され、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂには、第２導体層１４が形成されている。

第１導体層１２は、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側の樹脂絶縁層１１内に埋め込まれて形成されるパターンである。パターンとしては、第２導体層１４と接続するためのビア導体１５と接続される第１パターン１２ａ、配線パターン１２ｂ、前述の半導体素子と接続するためのパッド１２ｃなどが形成されている。第１導体層１２を形成する方法は、特に限定されない。好ましくは、第１導体層１２は、電気めっきにより形成される。しかし、他の金属箔などを含んでもよい。第１導体層１２が主として電気めっき膜であるならば、純粋な金属膜として形成されるという利点がある。第１導体層１２を構成する材料は、銅が例示される。銅は、電気めっきが容易でありながら、電気抵抗が小さく腐食の問題も生じにくい。この第１導体層１２の厚さは、１０〜２０μｍが例示される。

この第１導体層１２は、後述する製造方法の例で明らかになるように、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側に埋め込んで形成されながら、パッド１２ｃのポスト部１２ｃ２だけが樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから突出している。後述されるように、ベース部１２ｃ１とポスト部１２ｃ２の凹凸部と逆パターンの金属膜１９と電気めっき膜２２（図２Ｃ参照）により形成された凹凸の表面にニッケルなどのめっき膜が形成され、その凹部内に銅などの電気めっき膜が埋め込まれることにより形成される。従って、ベース部１２ｃ１とその中心部に立ち上がっているポスト部１２ｃ２とからなる逆Ｔ字型のパッド１２ｃが電気めっきにより一体に形成されている。

第２導体層１４は、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ上に形成されている。すなわち、この第２導体層１４は樹脂絶縁層１１内には埋め込まれないで、第２面１１ｂ上に形成されている。第２導体層１４を形成する方法は、特に限定されない。第２導体層１４を構成する材料は、銅が例示される。しかし、これには限定されない。第２導体層１４の構成は、たとえば金属箔１４ａと、無電解めっきなどからなる金属被膜１４ｂ（図２Ｊ参照）と、電気めっき膜１４ｃ（図２Ｋ参照）などとにより形成されてもよいし、金属箔がなくて、金属被膜１４ａと電気めっき膜１４ｃとで構成されてもよい。本実施形態では、銅箔１４ａと無電解銅めっきからなる金属被膜１４ｂと電気めっき膜１４ｃとで構成されている。第２導体層１４の厚さは、１０〜２０μｍが例示される。第２導体層１４は、図１では、これらの合成層として１層で示されている。この電気めっき膜により形成される場合、予め不要な部分にレジスト膜が形成されて電気めっきが行われるアディティブ法でもよいし、全面に電気めっき膜が形成された後に、不要部分がエッチングにより除去されるサブトラクト法で形成されてもよい。しかし、ファインピッチの配線層を形成するには、パターニングの点で、アディティブ法の方が好ましい。いずれにしても所望の回路パターンが形成されることにより、第２導体層１４が形成される。

ビア導体１５は、樹脂絶縁層１１を貫通し、第１導体層１２と第２導体層１４とを電気的に接続している。ビア導体１５は、後述する製造方法で説明されるように、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂに設けられる金属箔１４ａの上からレーザ光照射による加工により第１導体層１２が底面となるような開口１１ｄが形成され、その開口１１ｄ内に導体を埋めることにより形成されている。ビア導体１５としては、たとえば銅が例示され、本実施形態では、第２導体層１４の形成と同時に銅の電気めっきにより埋め込まれているので、銅めっき膜により形成される。

第１導体層１２の図示しない電子部品が搭載されるパッド１２ｃには、ＯＳＰなどの保護膜が形成される。後述するハンダバンプなどとの接続性を向上させる。保護膜は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎ等の表面処理でもよいが、たとえばパッド１２ｃが銅で形成される場合に、前述のように、電気抵抗の良好なパッド１２ｃの銅とハンダバンプなどとが直接接合されることにより接合部の電気抵抗が低くなるという観点から、前述のＯＳＰが好ましい。

次に、図１に示されるプリント配線板の製造方法が図２Ａ〜２Ｏを参照しながら説明される。

まず、図２Ａに示されるように、金属膜１９上に第１のめっきレジスト膜２１のパターンが形成される。具体的には、まず、ダミー基板１８ａの両面に、キャリア銅箔のようなキャリア金属箔１８ｂが貼り付けられた金属膜１９のキャリア金属箔１８ｂ側がダミー基板１８ａに貼り付けられて、ダミー基板１８ａとキャリア金属箔１８ｂとで支持基板１８が形成され、その支持基板１８の表面に金属膜１９が貼り付けられたものが準備される。この例では、キャリア金属箔１８ｂと金蔵膜１９とが先に接着され、その後にダミー基板１８ａ側にキャリア金属箔１８ｂを向けて、熱圧着により接合される。この金属膜１９の表面にめっきレジスト膜が設けられ、パターニングされることにより第１のめっきレジスト膜２１が形成される。この第１のめっきレジスト膜２１は、前述のパッド１２ｃのポスト部１２ｃ２に相当する部分であるので、そのパターンに合せてパターニングされる。しかし、後述するニッケルめっき膜２３（図２Ｄ参照）の厚さ分だけ大きく形成される。

図２Ａに示される例では、支持基板１８の両面に金属膜１９が、接着剤等により貼り付けられる。ダミー基板１８ａおよびキャリア金属箔１８ｂは、後で除去して廃棄されるものなので、支持基板１８の両面に金属膜１９が形成されることにより、材料の有効利用が図られている。しかし、片面だけで製造されてもよいし、両面で異なるプリント配線板が形成されてもよい。この実施例では、支持基板１８の両面に金属膜１９が設けられても、図の支持基板１８の上側と下側は全く同じ構造のプリント配線板が形成されており、以下の説明では、主として上側だけについての説明がなされ、図面の符号も下側の部分については適当に省略されている。また、支持基板１８は、廃棄されるものであるため、材料も特に限定されないが、キャリア金属箔１８ｂとしては、たとえば銅、ニッケルなどが用いられる。このキャリア金属箔１８ｂと金属膜１９とは、後で分離されるため、分離しやすい接着剤、たとえば熱可塑性樹脂により全面が接着されてもよい。このような接着剤で接着されることにより、後の工程で温度を上昇させて引き剥されることにより、金属膜１９と支持基板１８とは容易に分離される。

または、たとえば支持基板１８の周囲だけで通常の接着剤により貼り付けられてもよい。周囲が切断除去されることにより、容易に分離されるからである。以下に説明される実施形態では、前者の方法を採用している。この支持基板１８と金属膜１９の両者間には、熱膨張率などの差が無いことが望ましいため、金属膜１９にニッケルが用いられるのであれば、支持基板１８の表面に設けられる金属箔もニッケルが望ましい。しかし、これには制約されない。また、この支持基板１８の金属膜１９が設けられる面には、適宜、剥離層が設けられても良い。

次に、図２Ｂに示されるように、第１のめっきレジスト膜２１のパターンから露出する金属膜１９の表面に電気めっき膜２２が形成される。具体的には、金属膜１９を給電層として、たとえば銅の電気めっきを行うことにより、第１のめっきレジスト膜２１が形成されないで金属膜１９が露出する部分だけ電気めっき膜２２が形成される。この電気めっきは、通常の方法で行われる。

次に、図２Ｃに示されるように、第１のめっきレジスト膜２１が除去される。具体的には、たとえばレジスト剥離液に浸漬することにより、第１のめっきレジスト膜２１のみが除去されて、電気めっき膜２２のパターンのみが残る。このパターンは、前述の第１のめっきレジスト膜２１のパターンと逆のパターン、すなわち第１のめっきレジスト膜２１のパターンのなかったところに電気めっき膜２２のパターンが形成され、第１のめっきレジスト膜２１のパターンの部分がなくなったものである。

その後、図２Ｄに示されるように、第１のめっきレジスト膜２１の除去により露出する金属膜１９および電気めっき膜２２の表面にバリア層２３が形成される。具体的には、たとえば電気めっき膜２２と金属膜１９を給電層としてニッケルなどの電気めっきを行うことにより、露出面の全面にニッケル膜からなるバリア層２３が形成される。このバリア層２３は、後述する電気めっき膜２２がエッチングにより除去される際（図２Ｎ参照）に、下層のパッド部１２ｃ２などの第１導体層１２がエッチングされないようにするものであるため、ニッケルめっきでなくても、電気めっき膜２２と異なる材料であればよい。また、このバリア層２３の厚さは、数μｍ程度あれば充分である。

その後、図２Ｅに示されるように、バリア層２３上に第２のめっきレジスト膜２４のパターンが形成される。この第２のめっきレジスト膜２４のパターンは、第１導体層１２のパターンを形成するもので、前述の第１パターン１２ａ、配線パターン１２ｂ、パッド１２ｃが形成される部分が露出するようにパターニングされる。すなわち、第１導体層１２のパターンの部分のみが除去されて、第１導体層１２のパターンのない部分のみに第２のめっきレジスト膜２４のパターンが形成される。具体的には、めっきレジスト用フィルムの積層または塗付により全面にめっきレジスト膜が形成され、写真食刻により所望のパターンが形成される。

その後、図２Ｆに示されるように、第２のめっきレジスト膜２４のパターンから露出するバリア層２３上に電気めっき膜が形成されることにより、パッド１２ｃなどのパターンを含む第１導体層１２が形成される。具体的には、バリア層２３を給電層として電気めっきが施されることにより、バリア層２３の露出面、すなわち、前述の電気めっき膜２２のパターンの凹部内およびそのパターンの表面上に、バリア層２３を介して電気めっき膜が形成され、第１導体層１２が形成される。この第１導体層１２は、前述のように、ビア導体１５が接続される第１パターン１２ａと、配線パターン１２ｂと、パッド１２ｃとが形成されている。すなわち、このパターンが形成されるように、前述の第２のめっきレジスト膜２４のパターンが形成されている。このパッド１２ｃのパターンは、前述のように、電気めっき膜２２の凹部内に形成されたポスト部１２ｃ２と、第１パターン１２ａなどと同一層に形成されるベース部１２ｃ１とで一体に形成されている。この電気めっき膜は、電気抵抗が小さいことから銅が好ましいが、銅に限定されるものではない。

次に、図２Ｇに示されるように、第２のめっきレジスト膜２４が除去される。この第２のめっきレジスト膜２４の除去も、前述の第１のめっきレジスト膜２１の除去と同様に、することにより、第２のめっきレジスト膜２２のみが簡単に除去される。その結果、図２Ｇに示されるように、第１導体層１２のパターンが顕在化する。

次に、図２Ｈに示されるように、第１導体層１２のパターンの間隙部および第１導体層１２の表面に樹脂絶縁層１１が形成され、第１導体層１２側を第１面１１ａ、その第１面１１ａと反対面を第２面１１ｂとする樹脂絶縁層１１とされる。具体的には、樹脂フィルム状のプリプレグと第２導体層１４の一部となる金属箔１４ａが積層されて接着される。このプリプレグおよび金属箔１４ａの接着は、加圧および加熱して貼り合わせる方法が用いられる。この金属箔１４ａは、無くても構わない。設けられる場合でも、薄くてよく、２〜５μｍ程度の厚さがあれば充分である。なお、樹脂絶縁層１１と面する側の第１導体層１２などの面は粗面に形成されていることが望ましいが、図では省略されている。粗面にする方法としては、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理などが例示される。また、粗化処理の前に、粗化を安定させるために電気めっき銅の結晶を成長させるアニール処理が行われてもよい。

次に、図２Ｉに示されるように、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側から開口１１ｄが形成される。この開口１１ｄを形成する方法は、レーザ光照射の方法が用いられる。すなわち、第１樹脂絶縁層１１の両面に設けられる第１導体層１２と第２導体層１４とが接続される部分に形成され、第２導体層１４の一部となる第２金属箔１４ａの表面から第１導体層１２の第１パターン１２ａの底面に向けて、ＣＯ₂レーザ光等が照射されることにより加工される。その結果、樹脂絶縁層１１に、ビア導体１５用の開口１１ｄが形成される。

その後、図２Ｊに示されるように、開口１１ｄの内面および第２金属箔１４ａ上に無電解めっき膜等の金属被膜１４ｂが形成される。この金属被膜１４ｂは、開口１１ｄ内の樹脂絶縁層１１上に電気めっき膜を形成するための給電層とするためである。この金属被膜１４ｂは、無電解メッキ法でなくても、スパッタリングや真空蒸着などで形成されてもよい。そして、その表面にレジスト膜２５が形成される。このレジスト膜２５は、第２導体層１４のパターン以外のところに電気めっき膜が付着しないように、カバーするもので、このようなアディティブ法を用いないで、後からパターニングをするサブトラクト法を用いるなら、このレジスト膜２５の形成は不要である。

その後、図２Ｋに示されるように、金属被膜１４ｂを給電層としてその表面に、たとえば電気めっきにより、開口１１ｄ内にビア導体１５が形成されると共に、金属箔１４ａ上の金属被膜１４ｂの表面に電気めっき膜１４ｃの層が形成される。この電気めっき膜１４ｃは、たとえば全面に形成されて、第２導体層１４の形成と共に同時にパターニングされてもよいが、この例では、前述の図２Ｊに示されるように、レジスト膜２５が形成され、第２導体層１４のパターンの部分だけを開口して、その開口部のみに電気めっきが施されることにより、パターンめっきが施されている。本実施形態では、この金属箔１４ａ、金属被膜１４ｂおよび電気めっき膜１４ｃにより第２導体層１４が構成され、図１では、これらをまとめて１層で第２導体層１４として示されている。なお、図２Ｋにおいては、金属箔１４ａと金属被膜１４ｂがまだ全面に設けられたままで、完全にはパターニングされていないが、便宜上第２導体層１４とされている。

その後、たとえば図２Ｌに示されるように、支持基板１８が除去される。なお、支持基板１８が除去されることにより２個の積層体が得られるが、図２Ｌにおいて、支持基板１８の下側の積層体のみが示されている。前述のように、支持基板１８（ダミー基板１８ａの表面に貼り付けられるキャリア銅箔１８ｂ）と金属膜１９とは、たとえば温度を上昇させてずらせることにより剥離することができるような熱可塑性樹脂により接着されているだけであるため、温度を上昇させて力が加えられるだけで、支持基板１８は簡単に分離される。その結果、図２Ｌに示されるように、金属膜１９の支持基板１８との接合面が露出する。なお、このダミー基板１８と金属膜１３とがその周囲で接着されている場合には、その接着されている部分の内側（製品群側）で切断されることにより、簡単に分離され得る。

次に、図２Ｍに示されるように、第２導体層１４側の全面に、たとえばＰＥＴフィルムなどからなる保護フィルム２６が貼り付けられる。次の工程での金属膜１９および電気めっき膜２２のエッチング除去の際に第２導体層１４もエッチングされないように、保護するためである。従って、エッチング液から第２導体層１４が保護されれば、ＰＥＴフィルムに限定されず、他の材料からなる保護フィルムであってもよい。

その後、金属膜１９および金属膜１９上に形成された電気めっき膜２２を除去する。具体的には、金属膜１９および電気めっき膜２２は、通常銅により形成されているので、たとえば銅をエッチングするエッチング液に浸漬することにより、金属膜１９および電気めっき膜２２をエッチング除去する。エッチング液により、金属膜１９および電気めっき膜２２の銅が溶解して除去される。しかし、その下のバリア層２３は、たとえばニッケルなどの異なる金属により形成されているので、エッチングされず、バリア層２３が露出すると、エッチングは止まる。このバリア層２３はニッケルでなくても、金属膜１９や電気めっき膜２２に用いられる材料と異なる材料であれば、他の材料でもよい。要は、金属膜１９および電気めっき膜２２のエッチングの際に、その境界部でエッチングが止まる材料であればよい。

その後、図２Ｏに示されるように、バリア層２３が全面に亘って除去される。具体的には、バリア層２３がニッケルで形成されている場合、ニッケルをエッチングし、銅をエッチングしない、たとえば硫酸と過酸化水素を含むエッチング液に浸漬することにより、バリア層２３のみが溶解して除去され、第１導体層１２が露出する。第１導体層１２は、全くエッチングされないため、バリア層２３の面に並んでいた樹脂絶縁層１１の第１面１１ａと第１導体層１２の各パターンの露出面とは面一になって露出する。

その後、保護フィルム２６が剥離され、さらに、軽く銅をエッチングするエッチング液に全体を浸漬する。第２導体層の金属箔１４ａと金属被膜１４ｂが全面に形成されて第２導体層の各パターンを連結している状態になっているので、第２導体層１４の各パターン間をエッチングして除去し、各パターンを分離するためである。なお、このエッチングは、金属箔１４ａおよび金属被膜１４ｂが共に非常に薄く、数μｍ程度であるため、他の部分をマスクすることなく、全体をエッチング液に浸漬することにより、各パターンを分離独立させることができる。その状態が図１に示されている。なお、この図１では、第２導体層１４の金属箔１４ａおよび金属被膜１４ｂの区別は図示されていない。

なお、この第２導電層１４側に、さらに樹脂絶縁層や導体層が積層され、多層プリント配線板とされることもできる。さらに、最外層にはソルダーレジスト層が設けられ、接続部だけに開口部が形成されるが、上記実施例では省略されている。なお、図示しないソルダーレジスト層の開口部から露出するパッド１２ｃや配線パターン１２ｂの露出部の表面には、ＯＳＰ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎなどの表面処理が行われる。パッド１２ｃには、前述のようにＯＳＰが塗布されることが好ましい。

１ プリント配線板
１１ 樹脂絶縁層
１１ａ 第１面
１１ｂ 第２面
１１ｄ 開口
１２ 第１導体層
１２ａ 第１パターン
１２ｂ 配線パターン
１２ｃ パッド
１２ｃ１ ベース部
１２ｃ２ ポスト部
１４ 第２導体層
１４ａ 金属箔
１４ｂ 金属被膜
１４ｃ 電気めっき膜
１５ ビア導体
１８ 支持基板
１９ 金属膜
２１ 第１のめっきレジスト膜
２２ 電気めっき膜
２３ バリア層
２４ 第２のめっきレジスト膜
２５ レジスト膜
２６ 保護フィルム

Claims (11)

1. 第１面、および該第１面と反対側の第２面を有する樹脂絶縁層と、
   前記樹脂絶縁層の前記第１面側に形成されている、電子部品を搭載するためのパッドおよび配線パターンを含む第１導体層と、
   前記樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、
   前記樹脂絶縁層を貫通して形成され、前記パッドと前記第２導体層とを接続するビア導体と、
   を有するプリント配線板であって、
   前記パッドは、前記樹脂絶縁層内に埋め込まれるベース部と前記樹脂絶縁層から突出しているポスト部とからなると共に、前記ポスト部の幅は前記ベース部の幅より小さく、かつ、前記ベース部の前記ポスト側の面が前記樹脂絶縁層の前記第１面と面一であり、
   前記パッドは、前記ベース部と前記ポスト部とが一体に形成された電気めっき膜である。
2. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は芯材を含んでいる。
3. 請求項１または２記載のプリント配線板であって、前記パッドのベース部およびポスト部の露出面に表面保護層が被覆されている。
4. 請求項３記載のプリント配線板であって、前記表面保護層が、スズ被膜、ハンダ被膜、ニッケル被膜およびＯＳＰより選ばれる少なくとも１種からなる。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記パッドの表面にハンダバンプが形成されている。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記ベース部の側面および底面に粗面化処理が施されている。
7. プリント配線板の製造方法であって、
   金属膜上に第１のめっきレジスト膜のパターンを形成することと、
   前記第１のめっきレジスト膜のパターンから露出する前記金属膜の表面に電気めっき膜を形成することと、
   前記第１のめっきレジスト膜を除去することと、
   前記第１のめっきレジスト膜の除去により露出する前記金属膜および前記電気めっき膜の表面にバリア層を形成することと、
   前記バリア層上に第２のめっきレジスト膜のパターンを形成することと、
   前記第２のめっきレジスト膜のパターンから露出する前記バリア層上に電気めっき膜を形成することにより、パッドのパターンを含む第１導体層を形成することと、
   前記第２のめっきレジスト膜を除去することと、
   前記第１導体層のパターンの間隙部および表面に形成され、前記第１導体層側を第１面、該第１面と反対面を第２面とする樹脂絶縁層を形成することと、
   前記樹脂絶縁層の前記第２面側から開口を形成し、該開口内にビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第２面に、前記ビア導体を介して前記第１導体層と接続される第２導体層を形成することと、
   前記金属膜および該金属膜上に形成された前記電気めっき膜を除去することと、
   前記バリア層を全面に亘って除去することと、
   を含む。
8. 請求項７記載のプリント配線板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の形成を、芯材を含むプリプレグを熱プレスにより圧接することにより行う。
9. 請求項７または８記載のプリント配線板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層を形成する際に、前記樹脂絶縁層の第２面側に金属箔を積層して行う。
10. 請求項７〜９のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記金属膜が支持板の両面に接着されたキャリア金属箔のそれぞれと接着されており、前記金属膜を除去する前の工程で前記支持板および前記キャリア金属箔を除去することをさらに有する。
11. 請求項７〜１０のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記パッドの露出面に表面保護層を形成することをさらに有する。

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