JP2016070935A - 異なる寸法のmim構造体を有する放射検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】大きな吸収有効表面積を有する放射検出器を提案する。
【解決手段】LWIR範囲の波長の放射検出器であって、基板、支持要素によって前記基板上に吊るされた膜と、各々が下部金属要素、各MIM構造体に特有の上部金属要素、並びに、前記下部及び上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、を含み、前記膜が、各MIM構造体の前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有し、前記MIM構造体の各々の誘電体要素が、前記LWIR範囲の振動モードを有する以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む、放射検出器。
【選択図】図5
【解決手段】LWIR範囲の波長の放射検出器であって、基板、支持要素によって前記基板上に吊るされた膜と、各々が下部金属要素、各MIM構造体に特有の上部金属要素、並びに、前記下部及び上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、を含み、前記膜が、各MIM構造体の前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有し、前記MIM構造体の各々の誘電体要素が、前記LWIR範囲の振動モードを有する以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む、放射検出器。
【選択図】図5
Description
本発明は、熱検出器、特に、抵抗タイプの放射検出器若しくはボロメータ又はマイクロボロメータ等の、冷却されない熱検出器の分野に関する。本発明による放射検出器は、有利には、特に、例えば、赤外イメージング、ナイトビジョン、セキュリティ、モニタリング、サーモグラフィ及び生物学研究等の用途の範囲内における赤外範囲における広範な波長の検出を行う、又は、ガス検出を実現するために使用される。
赤外範囲の検出を実現するために、冷却されない熱赤外検出器は、通常、受感要素を含み、その温度は、例えば、このタイプの検出器で観測される要素の放射率及び温度の特性であるバンドIII又は長波長赤外線(LWIR)にその波長(遠赤外線、すなわち、約8μmから12μmの波長、又は約7μmから14μmの波長)が属する赤外放射線を受感要素が受け取ったときに増加する。この受感要素の温度増加は、この受感要素の材料の電子特性の変化を引き起こす:焦電効果による受感要素の材料内の電解の発生、その誘電定数の変化による受感要素の材料の容量の変化、受感要素の半導体材料又は金属材料の電気抵抗の変化等。
このような熱赤外検出器の正常動作を得るために、受感要素の材料は、好ましくは、3つの条件に適合すべきである:それは、低い熱容量、その支持体(これらの第1の条件は、受感要素が薄層として作られることを暗に示す)に対する活性層(受感要素を含む)の良好な断熱、及び、最終的に、電気信号へのこの材料の熱の強い感度の変換効果を有しなければならい。
室温において動作するモノリシック赤外撮像は、例えば、CMOS又はCCDタイプのシリコン多重化回路に受感要素のアレイを直接接続することによって作られる。
性能の利得を得るために、熱赤外検出器は、真空中又は殆ど熱伝導性ではない気体を含む雰囲気で封入され得る。熱赤外検出器が封入されるケーシングは、熱赤外検出器によって検出される赤外放射線に対する透明窓を含む。
抵抗タイプの放射検出器において、入射赤外放射線は、検出器の受感要素によって吸収され、それは、その温度の増加を引き起こし、受感要素の電気抵抗の変化を生じさせる。この抵抗の変化は、検出器の端子の電圧又は電流の変化を生じさせ、検出器によって運ばれる信号を形成する。
図1から図3はそれぞれ、放射検出器1の斜視図、上面図及びプロファイル図を示す。このタイプの検出器1は、支持基板13上に吊るされた薄膜10を含む。この膜10は、検出器の吸収要素及び温度測定要素を形成する。図1から図3に示されるものと同様の他の検出器は、通常、支持基板13に存在する。膜10は、膜10に機械的に接続される断熱アーム12が取り付けられる支持要素11を介して基板13上に機械的に吊るされる。
検出器1によって受け取られる入射放射線の影響下で、膜10は、加熱し、その電気抵抗は、それに伴って変化する。支持基板13は、シリコンウエハに集積される電子回路を含み、この回路は、検出器1の各々の温度測定要素に対する励起及び読み取りデバイスを含み、一方で、これらの信号が通常の撮像システムによって利用され得るように低下した数の出口に対して直列の異なる温度測定要素からの信号を押し出す可能性を与える多重化部品を含む。熱検出器の感度は、支持基板13及び膜10の間の熱接続における断熱アーム12の存在によって大幅に改善され、これらのアームは、膜10の熱損失の制限を可能にし、従ってその加熱を保持する。検出器1の温度測定要素及び電子回路の読み出し要素の間の電子相互接続は、通常、断熱アーム12上に位置する金属層である導電層及び導電性である支持要素11によって保証される。
良好なTCR(温度に対する相対的な抵抗変化、又は“抵抗温度係数”)及び低い1/fノイズを有する種々の材料は、有利には、例えば、酸化バナジウム(VOX)、非晶質シリコン(a−Si)又はGeXSi1−XOYである膜10を製造するために使用される。
反射器14及び膜10が共に、ファブリーペロータイプの共鳴光学キャビティを形成するように、検出器1はまた、基板13上に、膜10に面して位置する金属反射器14を含む。膜10及び反射器14の間の距離は、それがλ/4であるように選択され、λは、検出器1によって受け取られる波長に対応し、この波長における強い吸収を有するために最大吸収が求められる。この距離は、吸収される波長によって変化し、8から12μmの波長の範囲に対して、例えば、約2から3μmである。
あるいは、検出器1は、図4におけるプロファイル図に示されるように製造され得る。この代替案において、共鳴キャビティは、その厚さがλ/(4n)であるように作られる膜自体によって形成され、nは、膜10の屈折率に対応する。反射器14は、さらに、もはや基板13に位置しないが、膜10の下部面に対して位置する。例えば非晶質シリコンで作られる膜10の厚さは、8〜12μmの波長の範囲に対して約550nmから830nmの範囲で変わる。
放射検出器の性能は、様々な形態の利点によって特徴づけられる:雑音等価温度差(NETD)、応答度(R)、ノイズ等価電力(NEP)及び検知度(D)。NETDは、ノイズに等しい出力信号を生成するソースにおける温度差であると定義される。NETDは、赤外検出器の最も重要なパラメータの1つであり、その値は、検出器の幾つかの物理的特性に依存する:検出器の表面、膜(抵抗材料)の充填率及び膜のTCR。大きな感度を有する検出器を得るために、低いNETDが望まれ、それは、抵抗材料の大きなTCR、大きな表面及び大きな充填率を必要とする。
良好な性能を維持しながら、小さな寸法の放射検出器を有することに関心がある。しかしながら、検出器の寸法の単純な減少は、その光学的な活性面積の減少を引き起こし、従って、活性面積によって集められる放射線の減少を引き起こす。さらに、抵抗材料のために取っておかれた表面も低減され、それは、検出器の性能を劣化させる。
放射検出器におけるMIM(金属−絶縁体−金属、すなわち2つの金属層の間に位置する誘電体部分)の使用は、より大きな効率的な吸収表面積を検出器に与える利点を有し、検出器は、その実際の表面積より大きな表面積において受け取る放射線を吸収する。従って、このようなMIM構造体は、検出器の膜の端部(例えば、断熱アーム又は膜の支持要素)に到達し、如何なるMIM構造体が無い場合に失われる放射線を検知する可能性を与える。このような放射検出器は、例えば、特許文献1に開示されている。
他方で、MIM構造体を含む放射検出器は、波長に敏感である。例えば、幅S=λ/(2n)の正方形の断面(検出器の膜の平面における)を有するMIM構造体に関して、一次共鳴は、吸収量が最大であり、その値が、MIM構造体の金属層の間に位置する要素の平均屈折率に近い波長λにおいて得られ、nは、MIM構造体の有効屈折率に対応する。
従って、このようなMIM構造体は、波長選択性放射検出器を製造するのに有利であるが、あらゆるスペクトル選択性なしに又は低いスペクトル選択性を有する放射検出器を製造するのに有利ではない。
本発明の目的は、大きな吸収有効表面積を有する放射検出器、すなわち、その性能を低下させることなく小さな寸法を有して作られ得るLWIR範囲のスペクトル選択性を有しない又は殆ど有しない放射検出器を提案することである。
このために、本発明は、LWIR範囲の波長を検出することができる放射検出器であって、
−基板、
−支持要素を用いて前記基板上に吊るされた膜と、
−各々が下部金属要素、MIM構造体の各々に特有の上部金属要素、並びに、前記下部金属要素及び前記上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、
−少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、
を含み、
−前記膜が、少なくとも前記MIM構造体の各々の前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、
−少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有し、
−前記MIM構造体の各々の誘電体要素が、前記LWIR範囲の振動モードを有する以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む、放射検出器を提案する。
−基板、
−支持要素を用いて前記基板上に吊るされた膜と、
−各々が下部金属要素、MIM構造体の各々に特有の上部金属要素、並びに、前記下部金属要素及び前記上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、
−少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、
を含み、
−前記膜が、少なくとも前記MIM構造体の各々の前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、
−少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有し、
−前記MIM構造体の各々の誘電体要素が、前記LWIR範囲の振動モードを有する以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む、放射検出器を提案する。
少なくとも、
−基板、
−支持要素を用いて前記基板上に吊るされた膜と、
−各々が下部金属要素、MIM構造体の各々に特有の上部金属要素、並びに、前記下部金属要素及び前記上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、
−少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、
を含み、
前記膜が、少なくとも前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記MIM構造体の各々の前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有する、放射検出器がまた開示される。
−基板、
−支持要素を用いて前記基板上に吊るされた膜と、
−各々が下部金属要素、MIM構造体の各々に特有の上部金属要素、並びに、前記下部金属要素及び前記上部金属要素の間に位置する誘電体要素で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、
−少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素と、
を含み、
前記膜が、少なくとも前記上部金属要素、前記温度測定材料及び前記MIM構造体の各々の前記誘電体要素の少なくとも一部を含み、少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素が、前記膜の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有する、放射検出器がまた開示される。
放射検出器は、異なる寸法のいくつかのMIM構造体を含む。従って、放射検出器のMIM構造体は、互いに異なる特定の共振波長を有し、それは、あらゆるMIM構造体を有しない、又は、単一のMIM構造体を含む、又は、同一の寸法の幾つかのMIM構造体を含む同様の放射検出器と比較して放射検出器の全吸収スペクトルの拡大の効果を有する。本発明による検出器は、幾つかの吸収ピークを含む吸収スペクトルを有するマルチスペクトルの検出器と異なる一方で、本発明による検出器の吸収スペクトルは、スペクトル選択性を有しない、又は、ほんの僅かのスペクトル選択性を有する。
MIM構造体を用いて得られる大きな有効吸収表面積のために、放射検出器は、あらゆるMIM構造体を含まない放射検出器と比較して、低減した寸法で作られ得る。
さらに、MIM構造体の上部金属要素の二次元構造体のために(上部金属要素は、膜の主要面において構造化される)、完全な構造体、すなわち全てのMIM構造体が4分の1の回転(90°)の場合に対称性を有するとき、放射検出器によって達成される吸収は、放射検出器によって受け取られる入射光線の偏光状態に依存しない。このような対称性がないとき、放射検出器によって生じる吸収は、各構造体MIMが正方形又は円形部分を含む場合、例えば偏光に対して低い感度を有する。
“MIM構造体”との表現は、本明細書において、上部金属要素及び下部金属要素の間に位置し、その寸法及び構造体の材料による波長の範囲の吸収を実現することができる少なくとも1つの誘電体要素を含む積層体を指す。
“下部金属要素”という表現は、MIM構造体の各々の上部金属要素及び基板の間に位置するMIM構造体の各々の金属要素を指す。
“膜の主要面”という表現は、膜の2つの最大表面に平行な、又は、膜内で互いに接触する異なる材料層の主要面に平行な平面を指す。この膜の主要面はまた、膜に面する基板の面に平行であり得る。
LWIR範囲は、本明細書において、約8μmから12μm、又は7μmから14μmの波長に相当する。
MIM構造体の上部金属要素は、有利には、同様の形状(例えば、正方形、長方形、円盤形状、多角形等)を有し得る。
MIM構造体の各々の誘電体要素は、放射検出器によって検出されるLWIR範囲において振動モード(すなわち、誘電体要素の材料の1つ又は幾つかの分子における原子振動に相当するモード)を有する少なくとも1つの材料を含み得る。誘電体要素の材料の1つ又は幾つかにおけるこの振動共鳴は、屈折率(誘電率)の虚数部kの波長の大幅で局所的な増加によって表され、kは、振動モードの波長において1程度以上である。kの個の増加は、この指数の実数部nの低下によって達成され、n及びkは、クラマース・クローニッヒの関係式によって互いに関連付けられる。振動共鳴の波長は、n値の最小値に対応するものと見なされ得る。このような材料の存在において、この材料の固有吸収に関連する吸収ピークは、MIM構造体のスペクトル応答において、MIM構造体の特定の共鳴(吸収ピーク)に加えられ、それによって、検出器の吸収スペクトルを拡大する。この材料の振動共鳴波長及びMIM構造体の特定の共鳴波長の両方は、検出器の対象のスペクトル範囲に含まれる。
誘電体材料の振動共鳴の波長は、有利には、MIM構造体の共鳴波長とは異なる。しかしながら、吸収スペクトルの拡大は、誘電体材料の振動共鳴のこの波長がMIM構造体の共鳴波長と等しい場合でさえ得られる。
この場合、誘電体要素は、以下の材料:SiO2、SiN、SiO、Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含み得る。
本発明によれば、誘電体要素は、以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む。
前記MIM構造体は、前記MIM構造体のアレイを形成するために互いに規則的に離隔して位置し得る。
この場合、前記放射検出器は、2×2のアレイを形成することによって位置する4つのMIM構造体含み得、
−前記4つのMIM構造体は、前記膜の主要面において、対での同様の寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体の各々は、前記膜の主要面において、前記他のMIM構造体の寸法と比較して異なる寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体は、前記膜の主要面において、互いに相対的に同様の寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第2の2つの構造体は、互いに相対的に異なる寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体の寸法と異なる。
−前記4つのMIM構造体は、前記膜の主要面において、対での同様の寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体の各々は、前記膜の主要面において、前記他のMIM構造体の寸法と比較して異なる寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体は、前記膜の主要面において、互いに相対的に同様の寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第2の2つの構造体は、互いに相対的に異なる寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体の寸法と異なる。
前記膜の主要面における前記MIM構造体の寸法は、前記放射検出器が前記LWIR範囲の検出を実現するためのものであるとき、例えば、約1000nmから2000nmであり得、又は、前記放射検出器が前記MWIR範囲の検出を実現するためのものであるとき、例えば、約300nmから700nmであり得、及び/又は、前記MIM構造体は、典型的には、前記放射検出器が前記LWIR範囲の検出を実現するためのものであるとき、例えば、2000nmから3000nmのピッチで傍に位置し得、又は、前記放射検出器が前記MWIR範囲の検出を実現するためのものであるとき、例えば、700nmから1000nmのピッチで並んで位置し得る。
前記温度測定材料は、前記MIM構造体の各々の誘電体要素の一部であり得、又は、前記温度測定材料は、前記MIM構造体上に位置し得る。MIM構造体の誘電体要素の部分を形成する温度測定材料を使用することによって、放射検出器は、撮像装置内の放射検出器の使用と比較できる良好な熱時定数を有する。さらに、このような放射検出器の構造は、検出器の吸収要素を形成する使用可能な材料の選択を制限せず、それは、弱いままである低周波数ノイズのために放射検出器の性能にペナルティを与えない。
前記温度測定材料が、前記MIM構造体の各々の誘電体要素の一部であるとき、前記膜は、前記MIM構造体の各々において、前記温度測定材料に対して前記上部金属要素を電気的に絶縁する第1の誘電層、及び、前記温度測定材料に対して前記下部金属要素を電気的に絶縁する第2の誘電層をさらに含み得、前記第1の誘電層及び第2の誘電層は、前記MIM構造体の各々の誘電体要素の一部であり得る。
前記第1の誘電層及び前記第2の誘電層は、前記MIM構造体の全てに共通し得、前記温度測定材料は、前記MIM構造体の全てに共通する層で形成され得る。
第1の実施形態によれば、前記膜は、前記MIM構造体の各々の下部金属要素を含み得る。この構成において、MIM構造体は、放射検出器の膜によって全体的に形成される。
第2の実施形態によれば、前記MIM構造体の各々の誘電体要素の一部である空間が、前記MIM構造体の各々の下部金属要素と膜との間に位置するように、前記MIM構造体の各々の下部金属要素が前記基板上に位置し得る。この構成において、膜は、放射検出器のMIM構造体の部分を形成するだけである。
前記下部金属要素は、前記MIM構造体の全てに共通の少なくとも1つの金属層で形成され得、又は、前記下部金属要素は、前記MIM構造体の各々と異なり得る。
前記温度測定材料は、前記膜の少なくとも1つの導電層及び前記支持要素を介して前記基板の電気回路に電気的に接続され得る。
前記膜は、断熱アームを介して前記支持要素に機械的及び電気的に接続され得る。これらの断熱アームは、膜内に存在する材料で形成され得る。
MIM構造体の各々において、下部金属要素及び上部金属要素の間の距離は、約λ/(4n)以下であり得、有利には約λ/(10n)であり得、λは、放射検出器の吸収量が最大である波長に対応し、nは、MIM構造体の有効屈折率に対応する。さらに、MIM構造体の下のλ/2の反射キャビティは、望まれない。
本発明はまた、以上に記載された幾つかの放射検出器を含む熱検出デバイスを取扱い、各放射検出器が前記アレイの単一の画素を形成するように前記放射検出器は画素のアレイを形成することによって位置し得る。
前記放射検出器は、幾つかのサブアレイを形成することによって配置され、前記サブアレイの各々の放射検出器は、前記他のサブアレイのサブアレイの放射検出器によって検出されるための波長と異なる波長の範囲の検出を実現することができ得る。
前記アレイは、前記基板上に吊るされて前記基板に熱的に接続された膜を含む少なくとも1つの基準の放射検出器を含み得る。
前記アレイは、何れのMIM構造体も含まない少なくとも1つの参照放射検出器を含み得る。
本発明は、添付の図面を参照して限定的ではなく単に例示目的として与えられる実施形態の詳細な説明を参照することによって、より理解されるだろう。
以下に記載される種々の図面の同一、類似又は等価な部分は、ある図面から他の図面に容易に移ることができるように同一の参照符号が付される。
図面に示された種々の部分は、より図面を判読可能にするために、必ずしも均一のスケールに従って示されていない。
種々の可能性(代替案及び実施形態)は、互いに排他的ではないものと理解されなければならず、共に組み合わせることができる。
初めに、第1の実施形態による、放射検出器100又は赤外線加熱検出器の段階南面プロファイル図及び上面図をそれぞれ示す図5及び図6が参照される。図5に示される断面プロファイル図は、図6に示される軸AA’に沿って作られる。放射検出器100は、赤外範囲の検出、特にバンドIII、すなわち、約8μmから12μm又は約7μmから14μmの波長の検出を実現するためのボロメータ又はマイクロボロメータに対応する。
放射検出器100は、放射検出器100の機械的支持体を形成する、例えばシリコンのウエハ又はプレートレットである基板102を含む。基板102は、特に、放射検出器100に電力を供給し、放射検出器100によって運ばれる信号を読み取る集積電子回路(図5及び図6では見られない)を含む。この電子回路はまた、基板102上に作られる、図5及び図6に示されるものと同様の幾つかの放射検出器100によって運ばれた信号を処理する可能性をもたらす多重化回路を含み得る。各放射検出器100は、基板102上に形成され、電子回路に電気的に接続される検出器アレイの画素に対応する。
放射検出器100は、膜104が機械的に接続される断熱アーム106を介して、並びに、膜104及び基板102上の断熱アーム106の機械的保持を保証する、固着パッド又はネイルを形成する支持要素108を介して、基板102上に吊るされた又は基板102に面する膜104を含む。厚さe(この厚さは、膜104及び基板102の間の寸法に対応する)を有するキャビティを形成する空間110は、基板102及び断熱アーム106の間と同様に、基板102及び膜104の間に存在する。膜104及び基板102の間の断熱は、空間110と共に、断熱アーム106によって保証される。基板102及び膜104の間の距離は、検出器100によって受け取られて検出される放射線の波長とは無関係であり、厚さeの値は、基板102及び膜104の間に断熱が維持される瞬間から可能な限り小さくなり得る。
膜140は、放射検出器100の吸収要素及び温度測定要素を含む。吸収要素は、互いに傍に作られる幾つかのMIM構造体で形成され、有利にはN個のMIM構造体を用いた二次元アレイとして形成される。図5及び図6の実施例において、膜104は、3×3アレイとして位置する9個のMIM構造体を含み、あるいは、MIM構造体が、異なる数の行及び/又は列を含むアレイの少なくとも一部を形成することによって位置する、又は、MIM構造体が、アレイのパターンと異なるパターンによって互いに傍らに位置することが可能である。一般的に、膜104は、2以上のMIM構造体の数Nを有する。
MIM構造体の各々は、第1の実施形態において、膜104のMIM構造体の全てに共通する金属層の部分として作られる下部金属要素112(すなわち連続層として)を含み、それは、放射検出器100のMIM構造体によって実現される吸収を最大化する可能性をもたらす。本明細書における下部金属要素112を形成する金属層は、均一な厚さを有し、MIM構造体の全てにおいて同様である。
MIM構造体の各々はまた、上部金属要素114を含む。例えば本明細書における上部金属要素114の各々は、膜104に面する基板102の一面に平行な(図5及び図6における平面(X、Y)に平行な)平面において、又は、膜104の主要面において、正方形状の区域を有する。あるいは、上部金属要素114の形状は、種々であり得、例えば、円形、長方形、三角形、六角形、十字形、多角形等であり得る。金属要素112及び114は、有利には、アルミニウム、チタン、タングステン、金、銀等の1つ又は幾つかの金属を含む。
幾つかの放射検出器で形成される検出アレイの単一画素に相当する放射検出器100が、数個のMIM構造体を含むという事実は、各々が効率的な大きな吸収表面積を有するMIM構造体を用いてフィルタリングされた/吸収された多量の入射光のために、より多くの光が捕捉されること、すなわち、放射検出器100の吸収量を改善することを可能にする。
下部金属要素1112及び上部金属要素114の厚さは、膜104の熱容量を増加しないように小さく、さらに、使用される材料の表皮厚さの約2倍より大きい。上部金属要素114の厚さ(Z軸に沿った寸法)は、例えば、約30nmを超え、例えば、約30nmから100nmであり、下部金属要素112の厚さは、例えば、約50nm以上である。さらに、金属要素112及び114は、約1Ω/スクエア以下のシート抵抗を有し得る。
MIM構造体はまた、下部金属要素112及び上部金属要素114の間に、放射検出器100によって検出するための波長の全範囲にわたってプラズモン共鳴をMIM構造体が励起することを可能にする誘電体要素を含む。これらのプラズモン共鳴は、上部金属要素114に面する、MIM構造体の誘電体要素において側方に起こる(平面(X、Y))。
これらの誘電体要素は、温度測定材料層116を含み、それは、放射検出器100の吸収要素と共に形成する放射検出器100の温度測定材料及びMIM構造体の誘電体要素又は絶縁体の両方として使用される。温度測定材料層116の厚さ(Z軸に沿った寸法)は、吸収される最小波長の約4分の1以下であり、例えば、約150nmから250nmである。本明細書における温度測定材料層116は、均一な厚さを有し、MIM構造体の全てに対して同様であり、この層は、連続的であり、MIM構造体の全てに対して共通する。
MIM構造体の誘電体要素はまた、本明細書においてMIM構造体の全てに共通し、上部金属要素114及び温度測定材料層116の間、従って放射検出器100の温度測定要素及び吸収要素の間における電気絶縁体及び拡散障壁の役割を保証する第1の誘電体層118に加えて、下部金属要素112を形成する層及び温度測定材料層116の間における電気絶縁体及び拡散障壁の役割を保証する第2の誘電体層120を含む。第1及び第2の誘電体層118及び120の各々は、誘電体層又は幾つかの非常に薄い誘電体層の積層体に対応し、その厚さは、例えば、約5nmから20nmであり、例えば、SiN、SiO、SiO2、Al2O3、AlN又はTiO2を含み、温度測定材料層116及び金属要素112及び114の間に電気絶縁体を保証しながら、これらの材料は、それらが、検出器100の対象の波長の範囲で振動モードを有するように選択される。LWIR範囲において、誘電体材料は、Al2O3、AlN又はTiO2を含む。これらの誘電体層118、120の材料及び厚さは、これらの層が、放射検出器100によって検出される波長に対して透過性であり、殆ど吸収性ではないように、選択される。本明細書における誘電体層118及び120の各々は、均一な厚さを有し、MIM構造体の全てにおいて同様であり、これらの層は、連続的であり、MIM構造体の全てに対して共通する。
さらに、単一の放射検出器100内に、上部金属要素114は、膜104の平面(すなわち、膜104を形成するために互いに対して位置する種々の層の主要面に平行な平面、本明細書における平面(X、Y)に平行な)において、全てが同様ではない寸法(側方、直径等)を有する。従って、放射検出器100のN個(N≧2)の上部金属要素114のうちから、これらのN個の上部金属要素114の少なくとも2つは、膜104の平面において互いに異なる寸法を有する。例えば、放射検出器100内に、上部金属要素の全てが互いに膜104の平面において異なる寸法を有することが可能である。第1のセットの上部金属要素114が1つ又は幾つかの他のセットの上部金属要素114に対して異なる寸法を有し、これらの他のセットのこの1つの要素又は各々の要素が互いに同様の寸法を有し、これらのセットの要素114の各々が少なくとも1つの要素114で形成される。図5及び図6に示される実施例において、3つの第1の要素114の各々は、寸法S1を有する側部を有し、3つの第2の要素114の各々は、寸法S2の側部を有し、3つの第3の要素114の各々は、寸法S3の側部を有し、S1<S2<S3である。膜104に平面において、これらの要素114の各々の寸法は、例えば、LWIR範囲の動作において約1000nmから2000nmであり、MWIR範囲の動作において約300nmから700nmである。要素114が作られる間隔又は周期は、例えば、LWIR範囲の動作において約2000nmから3000nmであり、MWIR範囲の動作において約700nmから1000nmである。
従って、検出器100によって検出される波長の範囲が、平面(X、Y)におけるMIM構造体の上部金属要素114の寸法に依存するので(約λ/(2n)又はλ/(2n)の奇数倍に等しい寸法であり、λは、吸収量が最大である波長に対応し、nは、MIM構造体の有効屈折率に対応し、その値は、MIM構造体の金属要素の間に含まれる層の平均屈折率に近い)、放射検出器100の吸収スペクトルは、異なる寸法のMIM構造体の種々のスペクトルの重ね合わせに対応し、従って、波長の広い範囲を取り扱い得る。さらに、回折が起こるのを避けるために、上部金属要素114は、吸収量が最大である波長未満のピッチで互いに傍に作られる。
MIM構造体の各々において、上部金属要素114及び下部金属要素112の間に位置する要素の総厚、すなわち、第1の誘電体層118、第2の誘電体層120、及び温度測定材料116の合計は、金属要素112及び114の間の距離に対応するが、約λ/(4n)以下であり、ここで、λは、吸収される最小波長に対応する。有利には、MIM構造体の誘電体要素のこの総厚は、約λ/(10n)以下である。
検出器100はさらに、膜104及び断熱アーム106に共通である第3の誘電体層122を含み、その上に膜104及び断熱アーム106も共通する導電層124が位置する。導電層124は、例えばTi、TiN又はPtを含み、例えば、約5nmから100nmの厚さを有し、約100から1000Ω/スクエアのシート抵抗を有する。第3の絶縁体層122は、例えばSiO2又はSiONを含み、例えば約5nmから50nmの厚さを有する。最後に、誘電体部分126は、断熱アーム106に位置する導電層124の部分を覆う。誘電体部分126の材料及び厚さは、例えば、第3の誘電体層122の厚さと同様である。
膜104において、導電層124の部分は、温度測定材料層116に電気的に接触し、それによって、膜104の電力供給及び生成された検出信号の読出を保証する可能性をもたらす。さらに、断熱アーム106において、導電層124の部分は、支持要素108に電気的に接触する。従って、支持要素108が、例えばAl、Cu又はWSi等の導電材料を含み、基板102に集積される電子回路の入力ステージに電気的に接続され、膜104の導電層124及び断熱アーム106の部分が、連続的な電気接続を形成するので、温度測定材料層116は、基板102に集積される電子回路に支持体要素108及び導電層124を介して電気的に接続される。
膜104を形成する要素の材料及び厚さは、膜104の曲げを避けるために基板102上において膜104が良好な機械的強度を有するように選択される。
放射検出器100において、温度測定材料116は、有利には、放射検出器100のMIM構造体内において、放射検出器100の熱温度測定要素及び放射検出器100の吸収要素の誘電体要素の両方として使用される。温度測定材料116がこれらの機能の両方を果たすことを保証するために、後者は、有利には、電気抵抗率が約0.1Ω・cm以上である材料から選択される。従って、例えば温度測定材料116は、非晶質シリコン、ゲルマニウム、SiGe、ZnS等を含む。これらの材料の例は全て、Ti、Pt、又は約0.1Ω・cm未満の低すぎる抵抗率を有するランタンマンガナイトに対応する温度測定材料と異なり、MIM構造体の光学作用を変えないように十分な抵抗率、及び例えば約1%から5%のTCRを有する。さらに、温度測定材料116に関して既に言及された材料の例は、放射検出器100によって検出される波長に対して透過性であり、又は若干吸収性であり、強い温度係数及び弱い低周波数ノイズを有する。
この第1の実施形態において、空間110の厚さ又は高さeは、放射検出器100の吸収量に関係しない。従って、この厚さは、あらゆる値であり得るが、少なくとも、膜104が経験し得る機械的及び静電的圧力のために膜104及び基板102が互いに接触を避けるために十分な距離だけ互いに離隔するようなものである。この厚さeはまた、絶縁アーム106及び温度測定材料116に接触する導電層124の部分によって形成される接触領域からの寄生吸収を制限するように調整され得る。この厚さeは、例えば、約1μmから約5μmである。
図7は、例えば、既に記載された第1の実施形態の代替案による放射検出器100の上面図を示す。
この代替案において、検出器100は、各々が、図5及び図6のように4つのMIM構造体に共通する層によって形成される下部金属要素112及び上部金属要素114.1−114.4の1つを有する、4つのMIM構造体を含む。上部金属要素114.1−114.4の膜104(平面(X、Y))の平面における寸法は、同様ではない。従って、
−膜104の平面における上部金属要素114.1−114.4の寸法が、要素114.1−114.4の全てにおいて異なる(例えば、要素114.1−114.4において、各々が、膜104の平面において、正方形で、寸法S1(要素114.1)、S2(要素114.2)、S3(要素114.3)又はS4(要素114.4)を有する断面を有し、これらの寸法が、S1≠S2≠S3≠S4である)、又は、
−膜104の平面における要素114.1−114.4のうちの2つの寸法が、他の2つの要素114.1−114.4の寸法と異なる(例えば、S1=S3及びS2=S4、並びにS1≠S2であり、図7に示された例の場合のようなものである)、又は、
−要素114.1−114.4の1つの膜の平面における寸法が、他の要素114.1−114.4のものと異なる(例えば、S1=S2=S3及びS4≠S1)、
ことが可能である。
−膜104の平面における上部金属要素114.1−114.4の寸法が、要素114.1−114.4の全てにおいて異なる(例えば、要素114.1−114.4において、各々が、膜104の平面において、正方形で、寸法S1(要素114.1)、S2(要素114.2)、S3(要素114.3)又はS4(要素114.4)を有する断面を有し、これらの寸法が、S1≠S2≠S3≠S4である)、又は、
−膜104の平面における要素114.1−114.4のうちの2つの寸法が、他の2つの要素114.1−114.4の寸法と異なる(例えば、S1=S3及びS2=S4、並びにS1≠S2であり、図7に示された例の場合のようなものである)、又は、
−要素114.1−114.4の1つの膜の平面における寸法が、他の要素114.1−114.4のものと異なる(例えば、S1=S2=S3及びS4≠S1)、
ことが可能である。
図8に示される曲線200は、S1=S3=1.2μm及びS2=S4=1.125μmであるときに8〜12μmの範囲で得られる図7の検出器100の吸収スペクトルに対応する。
図8に示される曲線202は、S1=1.275μm、S2=1.125μm、S3=1.2μm及びS4=1.3125μmであるときに8〜12μmの範囲で得られる図7の検出器100の吸収スペクトルに対応する。
図8に示される曲線204は、S1=1.3875μm、S2=1.125μm、S3=1.125μm及びS4=1.3125μmであるときに8〜12μmの範囲で得られる図7の検出器100の吸収スペクトルに対応する。
図8に示される曲線200、202及び204は、100nmの厚さで下部金属要素112を形成する金属層、150nmの厚さで非晶質シリコン層によって形成される温度測定材料116、10nmの厚さの誘電体層118、120を用いて、1.5μmの間隔又は周期及び50nmの厚さで要素114.1−114.4を生成することによって得られる。
図9に示される曲線206は、上部金属部分114.1−114.4を形成するためにチタンが使用されるときに、S1=S3=0.7μm及びS2=S4=0.8μmのときに8〜12μmの範囲で得られる図7の検出器100の吸収スペクトルに対応する。
以上に記載された第1の実施形態の代替案として、第1の誘電体層118は、上部金属要素114のパターンと同様のパターンに従って構成され得る。この場合、MIM構造体の各々は、上部金属部分114と同様の形状及び寸法を有する誘電体部分に位置する上部金属要素114を含む。この組織構造がまた、温度測定材料層116を介して、任意に第2の誘電体層120を介して拡張され、この層又はこれらの層(118+116又は118+116+120)がまた、この場合に上部金属要素114のパターンと同様のパターンに従って構成されることも可能である。図10は、それによって生成されたMIM構造体、なわち、第1の誘電体層118、温度測定材料層116及び第2の誘電体層120がまた、上部金属要素114のパターンと同様のパターンに従って構成されるMIM構造体を概略的に示す。
第2の実施形態による放射検出器100の断面プロファイルを示す図11がここで参照される。
既に記載された第1の実施形態と比較して、膜104は、MIM構造体の全てに共通の単一の金属層を含まず、MIM構造体の下部金属要素112を形成する。ここで、放射検出器100の吸収要素のMIM構造体の各々は、別個の下部金属要素112を含む。下部金属要素112の各々は、上部金属要素114の1つに面して位置し、ここで、平面(X、Y)において、それが面して位置する上部金属要素114の寸法と実質的に同様の寸法を有する。下部金属要素112の間の空間、すなわち、これらの要素112の間隔はまた、上部金属要素114の間の間隔と同様である。あるいは、下部金属要素112の寸法及び/又は形状及び/又は間隔は、上部金属要素114のものと異なり得る。下部金属要素112の厚さは、ここでは、互いに同様であり、例えば、第1の実施形態の下部金属要素112を形成する層の値と同一の値である。さらに、第2の誘電体層120の部分は、互いにそれらを絶縁するために下部金属要素112の間に位置する。この第2の実施形態による放射検出器100の他の要素は、第1の実施形態による放射検出器100のものと同様である。
第1の実施形態のような放射検出器100の吸収要素のMIM構造体の全ての下部金属要素112を形成する単一の連続層と比較して、この第2の実施形態による放射検出器100のMIM構造体の各々における幾つかの別個の下部金属要素112の使用によって、放射検出器100の熱定数の低下が可能になる。
さらに、幾つかの別個の下部金属要素112の使用は、この構成が、求められる共鳴の外側で受け取られる電磁放射エネルギーを消散させ得るこの領域の制限を可能にし、高いシート抵抗を有する導電性領域が、入射光線に晒されることを避ける可能性をもたらす限りにおいて、得られる残余の吸収に関してペナルティではない。
第1の実施形態に対して既に記載された代替案(第1の誘電体層118、温度測定材料層116及び第2の誘電体層120の少なくとも1つの構成)はまた、第2の実施形態に適用され得る。
図12は、第3の実施形態による放射検出器100の断面プロファイルを示す。
第1の実施形態と同様に、MIM構造体の全てに共通する単一の連続的な金属層は、放射検出器100の吸収要素のMIM構造体の下部金属要素112を形成する。一方で、下部金属層が基板102上に吊るされる膜104内に位置する第1の実施形態と異なり、それは、ここでは、吊るされた膜104に位置せず、キャビティ110が下部金属要素112及び膜104の間に形成されるように基板102上に位置する。この第3の実施形態において、MIM構造体の誘電体要素は、温度測定材料116、第1の誘電体層118、第2の誘電体層120(場合によっては、省略され得る)、第3の誘電体層122に加えてキャビティ110で形成される。この第3の実施形態において、キャビティ110の厚さeは、λ/4n以下、又は有利にはλ/10n以下であり得る、MIM構造体の誘電体の厚さの計算を考慮する。
この第3の実施形態において、下部金属層の厚さは、その内側のジュール効果による損失を制限するために、例えば下部金属要素112の抵抗率が約0.1Ω/スクエア以下であるように、十分に厚くなるように選択される。
第1の実施形態と比較して、この第3の実施形態は、放射検出器100の時定数を低下させる利点を有する。さらに、この第3の実施形態による放射検出器は、この放射検出器を作るために適用される方法が、ボロメータを作るために適用される標準的なステップのプロセスに従うので、安価に作られ得る。さらに、従来技術の放射検出器と比較して、単一の追加的なフォトグラフィレベルが、上部金属要素114を形成するために行われ得る。
この第3の実施形態の代替案として、各々がMIM構造体の1つの下部金属要素を形成する幾つかの別個の下部金属要素112は、単一の連続的な金属層の代わりに基板102上に位置し得る。第1の実施形態に関して既に記載された他の代替案はまた、第3の実施形態に適用され得る。
既に記載された実施形態の代替案として、温度測定材料層116が、MIM構造体内、すなわち金属要素112及び114の間に位置せず、MIM構造体上に位置する。この場合、温度測定材料層115は、膜104のMIM構造体に載っている。
図13Aから図13Hは、各々が異なる寸法の幾つかのMIM構造体を含む2つの放射検出器100の製造方法のステップを示す。
この方法は、集積電子回路を含み基板102から適用される。支持要素108が接続されるものである電子接触パッド128は、基板102の前面に作られる。第1の犠牲層130は、次いで、基板102の前面に、パッド128を覆って、例えばポリイミドで、約1μmから5μmの厚さを有して堆積される(図13A)。この第1の犠牲層124の厚さ(Z軸に沿った寸法)は、膜104及び基板102の間に形成されるキャビティ110の厚さeに対応する。
第3の絶縁体層122は、第1の犠牲層130の上に堆積され、例えばアルミニウムを含む第1の金属層132は、第3の絶縁体層122に堆積される(図13B)。第1の金属層132は、検出器100の下部金属要素112を形成するものである。第1の金属層132の材料及び厚さは、従って、下部金属要素122に対する所望の特性に依存して選択される。
第3の誘電体層122及び第1の金属層132は、次いで、例えばリソグラフィ及びエッチングによって形付けられる。第1の金属層13の残りの部分は、検出器100の下部金属要素112を形成する。
例えば第1の犠牲層130の材料と同様の材料を含む第2の犠牲層134は、次いで堆積され、次いで下部金属要素112で停止するように平坦化される。
2つの誘電体層の間に位置する温度測定材料層を含む層136の積層体は、次いで、第2の犠牲層134の残っている部分及び下部金属要素112の上に堆積される(図13C)。積層体136の層の材料及び厚さは、検出器100の温度測定材料層116及び誘電体層118、120の所望の材料及び厚さに依存して選択される。
積層体136の残っている部分が、検出器100の各MIM構造体の温度測定材料層116及び誘電体層118、120を形成するように、層136の積層体は、次いで例えばエッチングによって形付けられる。
例えば第1及び第2の犠牲層130及び134の材料と同様の材料を含む第3の犠牲層138は、次いで堆積され、次いで積層体136の残っている部分136で停止するように平坦化される(図13D)。
アルミニウムを含む第2の金属層140は、積層体136及び第3の犠牲層138の残っている部分に堆積される(図13E)。第2の金属層140は、上部金属要素114を形成するものである。第2の金属層140の材料及び厚さは、従って、上部金属要素114に対する所望の特性に依存して選択される。
第2の金属層140は、次いで、この層の残っている部分が上部金属要素114を形成するように、例えばリソグラフィ及びエッチングによって形付けられる(図13F)。
導電ビアは、次いで、層130、134及び138の犠牲材料を通して作られ、検出器100の支持要素108を形成する。検出器100の間に位置する犠牲層130、134及び138の部分は、例えばエッチングによって除去される(図13G)。
最後に、検出器100の作成は、依然として存在する犠牲層130、134及び138の残っている部分をエッチングすることによって、従って基板102に対して検出器100の膜104を開放することによって完成される(図13H)。
各検出器100において、膜104は、有利には、薄層内に形成され、放射検出器100の断熱アーム106は、基板102及び基板102内の電子回路に対する膜104の効率的な断熱を実現するように、正確に画定される。
第3の実施形態の場合において、下部金属要素112を形成する下部金属層は、次いで下部金属層を覆うことによって堆積される犠牲層の前に基板102に作られる。
膜104の薄い絶縁層、すなわち第1の誘電体層118、第2の誘電体層120及び第3の誘電体層122は、例えば、カソードスパッタリング又はプラズマ分解(PECVD)による堆積等の低温堆積によって作られる。それらの堆積後に適用されるこれらの層のエッチングは、プラズマ助長化学エッチングによって実現され得る。
導電層124は、例えば、カソードスパッタリングである堆積を用いて作られ、例えば、化学エッチング又はプラズマを用いたエッチングによって構造化される。
温度測定材料116は、例えば、カソードスパッタリング、熱分解(LPCVD)又はプラズマを用いた熱分解(PECVD)によって、例えば、低温で堆積される。温度測定材料116の任意のドーピングは、ドーピングガス(例えば、BF3又はPH3)をその堆積に使用される反応器に導入することによって、又はイオン注入によって実現される。温度測定材料116のエッチングは、通常、プラズマ助長化学エッチング法を用いて行われる。
この実施形態にかかわらず、幾つかの放射検出器100は、有利には、アレイとして互いに傍に集約的に作られ、各々の検出器100は、この検出器アレイの画素を形成する。
各放射検出器100において、温度測定材料の抵抗は、撮像場面の温度に依存して変化する。しかしながら、測定される場面の温度の変化は、非常に小さい。これらの変化をより容易に検出するために、基板102に集積される電子回路は、放射検出器100によって運ばれる信号を増幅するために強い利得の増幅器又は積分器ステージを含む。放射検出器100の読み取り感度を増加するために、検出器の所謂“ベースライニング”ブランチにおいて、それを飽和させることを避けるために、電子回路の増幅器又は積分器ステージに対して測定される温度の変化に対応する、電流の変動部分を送るだけのために、撮像場面の背景温度に対応する、測定される電流の不変量を得ることができる。このために、これらのベースライニングボロメータが、あらゆる断熱アームを含まず、従って支持要素を介して基板に熱的に接続されるそれらの膜を含むので、ある方法は、放射検出器100を製造するために使用される同一の材料で作られ、焦点面の温度において任意に熱平衡化され、場面の温度の検出を実現しない、所謂ベースライニングボロメータのベースライニング抵抗として使用することからなり得る。
さらに、放射検出器100のアレイが、各々が既に記載された1つ又は幾つかの放射検出器100を含む幾つかのサブアレイで形成されることが可能であり、各サブアレイが、他のサブアレイによって検出されることが可能である波長と異なる波長の範囲の検出器を実現することができる。
図14は、マルチスペクトル検出器アレイを含む検出デバイス1000の部分を概略的に示す。
このマルチスペクトル検出器アレイは、各々が、既に定義されるような1つ又は幾つかの放射検出器100を含む、2つのサブアレイ1002.1及び1002.2を含む。サブアレイの各々は、各サブアレイの放射検出器のMIM構造体のパラメータ(寸法、形状、間隔)によって画定される波長の範囲の検出を実現することができる。図14の実施例において、第1のサブアレイ1002.1の検出器100は、LWIR範囲の検出を実現することができ、第2のサブアレイ1002.2の検出器は、MWIR範囲の検出を実現することができる。検出デバイス1000は、検出されるスペクトル範囲に従って多数のサブアレイを含み得る。
サブアレイの1つ(例えば第3のサブアレイ)の検出器は、他のサブアレイの放射検出器に対する参照として使用され得る。参照として使用されるこの(これらの)検出器は、検出デバイスによって、例えば、それらが他のサブアレイの放射検出器のようなあらゆるMIM構造体を含まないように、この(これらの)検出器を作ることによって、受け取られる放射線に影響を受け易いのではない。従って、他のサブアレイの放射検出器によって運ばれる信号の値から、この参照サブアレイの検出器によって運ばれるこれらの信号の値を減算することによって、他のサブアレイの検出器によって運ばれる信号に存在する共通モードを抑制することが可能である。
さらに、1つ又は幾つかサブアレイは、既に記載されたような、所謂ベースライニングボロメータを含み得る。
この実施形態にかかわらず。放射検出器100の寸法は、放射検出器100を用いて形成される画素のサイズに依存する。
1 検出器
10 薄膜
11 支持要素
12 断熱アーム
13 基板
14 反射器
100 放射検出器
102 基板
104 膜
106 断熱アーム
108 支持要素
110 誘電体要素
112 下部金属要素
114 上部金属要素
114.1 上部金属要素
114.2 上部金属要素
114.3 上部金属要素
114.4 上部金属要素
116 誘電体要素
118 誘電体要素
120 誘電体要素
122 誘電体要素
124 導電層
126 誘電体部分
128 電子接触パッド
130 第1の犠牲層
132 第1の金属層
134 第2の犠牲層
136 積層体
138 第3の犠牲層
200 曲線
202 曲線
204 曲線
206 曲線
1000 熱検出デバイス
1002.1 サブアレイ
1002.2 サブアレイ
10 薄膜
11 支持要素
12 断熱アーム
13 基板
14 反射器
100 放射検出器
102 基板
104 膜
106 断熱アーム
108 支持要素
110 誘電体要素
112 下部金属要素
114 上部金属要素
114.1 上部金属要素
114.2 上部金属要素
114.3 上部金属要素
114.4 上部金属要素
116 誘電体要素
118 誘電体要素
120 誘電体要素
122 誘電体要素
124 導電層
126 誘電体部分
128 電子接触パッド
130 第1の犠牲層
132 第1の金属層
134 第2の犠牲層
136 積層体
138 第3の犠牲層
200 曲線
202 曲線
204 曲線
206 曲線
1000 熱検出デバイス
1002.1 サブアレイ
1002.2 サブアレイ
Claims (16)
- LWIR範囲の波長を検出することができる放射検出器(100)であって、
−基板(102)、
−支持要素(108)によって前記基板(102)上に吊るされた膜(104)と、
−各々が下部金属要素(112)、MIM構造体の各々に特有の上部金属要素(114)、並びに、前記下部金属要素(112)及び前記上部金属要素(114)の間に位置する誘電体要素(110、116、118、120、122)で形成された幾つかのMIM構造体を含む吸収要素と、
−少なくとも1つの温度測定材料(116)を含む温度測定要素と、
を含み、
−前記膜(104)が、少なくとも前記MIM構造体の各々の前記上部金属要素(114)、前記温度測定材料(116)及び前記誘電体要素(110、116、118、120、122)の少なくとも一部を含み、
−少なくとも2つの前記MIM構造体の上部金属要素(114)が、前記膜(104)の主要面において互いに相対的に異なる寸法を有し、
−前記MIM構造体の各々の誘電体要素(110、116、118、120、122)が、前記LWIR範囲の振動モードを有する以下の材料:Al2O3、AlN、TiO2の少なくとも1つを含む、放射検出器(100)。 - 前記MIM構造体が、前記MIM構造体のアレイを形成するために互いに規則的に離隔して位置する、請求項1に記載の放射検出器(100)。
- 2×2のアレイを形成するように位置する4つのMIM構造体含み、
−前記4つのMIM構造体が、前記膜の主要面において、対での同様の寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体の各々が、前記膜の主要面において、前記他のMIM構造体の寸法と相対的に異なる寸法を有し、
−前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体が、前記膜の主要面において、互いに相対的に同様の寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第2の2つの構造体が、互いに相対的に異なる寸法を有し、前記4つのMIM構造体のうちの第1の2つの構造体の寸法と異なる、請求項2に記載の放射検出器(100)。 - 前記膜(104)の主要面における前記MIM構造体の寸法が、約1000nmから2000nmであり、及び/又は、前記MIM構造体が、約2000nmから3000nmのピッチで並んで位置する、請求項1から3の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記温度測定材料(116)が、前記MIM構造体の各々の誘電体要素(110、116、118、120、122)の一部であり、又は、前記温度測定材料(116)が、前記MIM構造体上に位置する、請求項1から4の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記温度測定材料(116)が、前記MIM構造体の各々の誘電体要素(110、116、118、120、122)の一部であるとき、前記膜(104)が、前記MIM構造体の各々において、前記上部金属要素(114)を前記温度測定材料(116)から電気的に絶縁する第1の誘電層(118)、及び、前記下部金属要素(112)を前記温度測定材料(116)から電気的に絶縁する第2の誘電層(120)をさらに含み、前記第1の誘電層(118)及び第2の誘電層(120)が、前記MIM構造体の各々の誘電体要素(110、116、118、120、122)の一部である、請求項5に記載の放射検出器(100)。
- 前記第1の誘電層(118)及び前記第2の誘電層(120)が、前記MIM構造体の全てに共通し、前記温度測定材料(116)が、前記MIM構造体の全てに共通する層で形成される、請求項6に記載の放射検出器(100)。
- 前記膜(104)が、前記MIM構造体の各々の下部金属要素(112)を含む、請求項1から7の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記MIM構造体の各々の誘電体要素(110、116、118、120、122)の一部である空間(110)が、前記MIM構造体の各々の下部金属要素(112)と膜(104)との間に位置するように、前記MIM構造体の各々の下部金属要素(112)が前記基板(102)上に位置する、請求項1から7の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記下部金属要素(112)が、前記MIM構造体の全てに共通の少なくとも1つの金属層で形成され、又は、前記下部金属要素(112)が、前記MIM構造体の各々と異なる、請求項1から9の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記温度測定材料(116)が、前記膜(104)の少なくとも1つの導電層(124)及び前記支持要素(108)を介して前記基板(102)の電気回路に電気的に接続される、請求項1から10の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 前記膜(104)が、断熱アーム(106)を介して前記支持要素(108)に機械的及び電気的に接続される、請求項1から11の何れか一項に記載の放射検出器(100)。
- 各放射検出器が前記アレイの単一の画素を形成するように前記放射検出器(100)が画素のアレイを形成するように位置する、請求項1から12の何れか一項に記載の幾つかの放射検出器を含む熱検出デバイス(1000)。
- 前記放射検出器(100)が、幾つかのサブアレイ(1002.1、1002.2)を形成しながら配置され、前記サブアレイ(1002.1、1002.2)の各々の放射検出器(100)が、前記他のサブアレイ(1002.1、1002.2)の放射検出器によって検出されるための波長と異なる波長の範囲の検出を実現することができる、請求項13に記載の放射検出器(100)。
- 前記アレイが、前記基板上に吊るされて前記基板に熱的に接続された膜を含む少なくとも1つの基準の放射検出器を含む、請求項13又は14に記載のデバイス(1000)。
- 前記アレイが、何れのMIM構造体も含まない少なくとも1つの参照放射検出器を含む、請求項13から15の何れか一項に記載にデバイス(1000)。
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