JP2016067135A - 非接触給電装置 - Google Patents

Abstract

【課題】送電コイルから放射される高調波ノイズを抑制するソフトスイッチングを行う増幅器を送電回路に用いた非接触給電装置を提供する。
【解決手段】送電コイルから受電コイルに対して非接触で給電する非接触給電装置１０は、送電コイル１２と、基本周波数に共振してスイッチングを行う送電回路１１と、送電コイルと並列に設けられ、基本周波数の特定の高調波に共振する直列ＬＣ共振回路６０とを有している。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、送電装置から受電装置に非接触で電力を給電する非接触給電装置に関する。

近年、非接触で電力を給電する非接触給電装置が普及してきている。非接触給電装置は、電磁誘導や磁界共鳴などの電磁結合を利用して、送電装置から携帯端末やタブレット端末などの受電装置に非接触で電力を給電する装置である。非接触給電装置は、電力を送電するための送電回路及び送電コイルを備えている。受電装置は、電力を受電するための受電コイルと、受電した電力を自機の駆動に利用するための受電回路や、自機に搭載した２次電池に充電するための充電回路などを備えている。

非接触給電装置においては１〜２ｃｍ以上離れても受電装置に給電できるようにするために、コイルのＱ値を高くすることが可能な数ＭＨｚ以上のスイッチング周波数が使われることがある。例えば、６．７８ＭＨｚや１３．５６ＭＨｚなどが利用される。コイルのＱ値を高くすると、送電コイルと受電コイルの間の距離が離れても、効率よく給電できる特性が得られるためである。

非接触給電装置では、受電装置に対して電力を高い効率で給電することと同時に、放射ノイズを低く抑えることが要求される。放射ノイズを抑制するために、非接触給電装置の送電回路には、ゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）やゼロ電流スイッチング（ＺＣＳ）によってスイッチング損失を小さくした、Ｅ級増幅器などの共振を利用した増幅器がしばしば使われる。ＺＶＳとはゼロ電圧状態でＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子のスイッチングを行うものであり、ＺＣＳとはゼロ電流状態でＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子のスイッチングを行うもので、ソフトスイッチングと呼ばれている。ソフトスイッチングは、スイッチング損失を低減でき、高効率の送電回路を実現できる。

送電コイルと受電コイルとが１〜２ｃｍ、さらには数ｃｍ以上離れても受電装置に電力を給電できるようにした非接触給電装置においては、受電コイルが送電コイルと密に結合しないため、送電コイルから空間に電磁波が放射されやすい。送電コイルから空間に放射される放射ノイズを低減するために、送電コイルの前段にローパスフィルタを挿入して、高調波成分を低減することが必要となる。しかし、非接触給電装置の増幅器は、送電コイルのＬ分も含めて、ＬＣ共振を利用してＺＶＳやＺＣＳなどのソフトスイッチングを行っているため、ＬＣフィルタを単に挿入しただけでは共振条件がずれてソフトスイッチングが正しく動作しなくなる。結果として、回路が正常動作しなくなるという問題点がある。また、ＬＣフィルタを挿入しても共振条件がずれないようにするためには、回路定数の見直しが必要になるが、現実には回路定数の調整が非常に難しいという問題がある。

非接触給電装置に用いられる送電回路を有する装置として、特許文献１のような非接触給電装置付き誘導加熱装置が知られている。誘導加熱装置に適用された非接触給電装置の送電回路は、２相発振器で駆動されるスイッチング素子によって構成された高周波インバータから、送電コイルに電力を供給するように構成されている。送電コイルから放射される高調波成分を低減するため、スイッチング素子と送電コイルとの間にインダクタンスとコンデンサからなるＬ形共振回路を設けている。Ｌ型共振回路はローパスフィルタとして機能している。誘導加熱装置のスイッチング周波数は８０ＫＨｚになっている。

ローパスフィルタとして機能するＬ形共振回路の共振周波数は、スイッチング周波数よりも低くする必要があるため、比較的大きな値のインダクタンスを、スイッチング素子と送電コイルの間に直列に接続する必要がある。大きな値のインダクタンスを使うために、送電コイルに十分な電流を供給することができなくなり、結果として給電電力も低下してしまう。

特開２０１０−１１３９９２公報

上記のように、非接触給電装置の増幅器の共振回路内に、共振条件を変えずにＬＣから成るローパスフィルタを挿入することは難しく、放射ノイズを低減し難いという課題があった。

本発明が解決しようとする課題は、ＺＶＳやＺＣＳなどのソフトスイッチングを行う増幅器を送電回路に用いた非接触給電装置において、送電コイルから放射される高調波ノイズを抑制することである。

実施形態に係る送電コイルから受電コイルに対して非接触で給電する非接触給電装置は、送電コイルと、基本周波数に共振してスイッチングを行う送電回路と、前記送電コイルと並列に設けられ、前記基本周波数の高調波の周波数に共振する直列ＬＣ共振回路とを有している。

第１の実施形態に係る非接触給電システムの構成を示すブロック図。 第１の実施形態に係る非接触給電装置の送電回路の概略構成図。 第１の実施形態に係る、非接触給電装置の送電回路のＺＶＳ動作波形を示す図。 第１の実施形態に係る非接触給電装置の送電コイルの電圧波形を示す図。 第１の実施形態に係る非接触給電装置の送電コイルの電圧波形をＦＦＴした図。 第２の実施形態に係る非接触給電装置の送電回路の概略構成図。 第２の実施形態に係る非接触給電装置の送電コイルの電圧波形を示す図。 第２の実施形態に係る非接触給電装置の送電コイルの電圧波形をＦＦＴした図。 従来使用される非接触給電装置の送電回路の概略構成図。 従来使用される非接触給電装置の送電コイルの電圧波形を示す図。 従来使用される非接触給電装置の送電コイルの電圧波形をＦＦＴした図。

以下、実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図面で同じ番号は同じ構成または類似した構成を示している。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る非接触給電システムの、給電装置と受電装置を含む構成を示すブロック図である。図１に示すように、非接触給電システムとしては、電力を給電する非接触給電装置１０と、給電された電力を受電する受電装置２０とを備えている。非接触給電装置１０は送電回路１１と送電コイル１２を備え、受電装置２０は受電コイル２１を有している。非接触給電装置１０から出力された電力は、送電コイル１２と受電コイル２１との間の電磁誘導または磁界共鳴等の電磁結合を利用して、受電装置２０に給電される。

非接触給電装置１０には、外部からＡＣアダプタ等の直流電源１３を介して直流電力が供給される。非接触給電装置１０は、高周波電力を発生する送電回路１１、直列ＬＣ共振回路６０、送電コイル１２、電圧変換回路１４、発振回路１５、制御回路１６を備えている。

図２に送電回路１１を含む非接触給電装置１０の回路構成を示す。送電回路１１はスイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴ３１を有し、直流電源１３からチョークコイル３２を介して直流電力が供給される。直流電源１３は電圧２４Ｖを出力し、プラス側はチョークコイル３２に接続され、マイナス側は接地されている。コンデンサ１７と送電コイル１２は直列に接続され、直列接続されたコンデンサ１７と送電コイル１２に並列にコンデンサ１８が接続されている。コンデンサ１８はＭＯＳＦＥＴ３１に並列に接続されている。

発振回路１５の出力でＭＯＳＦＥＴ３１をオン／オフする構成になっている。送電コイル１２、コンデンサ１７、１８は共振回路を形成し、ＭＯＳＦＥＴ３１のオンオフに合わせて共振動作するように構成されている。即ち、ＭＯＳＦＥＴ３１のドレイン電圧ＶｄｓがゼロになったときにＭＯＳＦＥＴ３１がオンするように、ゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）を行う、Ｅ級増幅器の構成となっている。ゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）はソフトスイッチングとして動作している。チョークコイル３２は４．７μＨ、送電コイル１２は３．５μＨ、コンデンサ１７は１２５ｐＦ、コンデンサ１８は１００ｐＦになっている。発振回路１５の発振周波数、すなわちＭＯＳＦＥＴ３１のスイッチング周波数は、６．７８ＭＨｚになっている。

ソフトスイッチングは、共振現象を利用し、電圧または電流がゼロになるタイミングでスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ３１）のオン/オフの切り替えを行うものである。これにより、スイッチング損失を低減することが可能になる。また、電圧波形または電流波形の変化が緩やかであることから、スイッチングノイズや伝導ノイズ、放射ノイズを低減可能である。そのため、スイッチング周波数を高めて、キャパシタ/インダクタンスを小型化することが可能である。

なお、発振回路１５の発振周波数は、送電コイル１２及びコンデンサ１７、１８で構成される共振回路の自己共振周波数と同一、或いはほぼ同一の周波数となっている。

インダクタンス６１とキャパシタンス６２で構成される直列ＬＣ共振回路６０は特定の高調波を低減するために非接触給電装置１０内に設けられている。低減したい高調波に共振する、インダクタンス６１とコンデンサ６２を直列に接続した直列ＬＣ共振回路６０が送電コイル１２と並列に接続されている。スイッチング周波数６．７８ＭＨｚの３倍の高調波である２０．３４ＭＨｚの利得を低減させるために、インダクタンス６１は１．３ｕＨ、コンデンサ６２は４７ｐＦとし、２０．３４ＭＨｚで共振するようになっている。ここで直列ＬＣ共振回路６０の共振周波数ｆ６０は、次式で算出した値になっている。
ｆ６０＝１／２π√ＬＣ＝２０．３７ＭＨｚ≒２０．３４ＭＨｚ

送電コイル１２と受電コイル２１との距離を１〜２ｃｍ以上確保するという点から、数ＭＨｚ〜十数ＭＨｚのスイッチング周波数を使用することが多い。具体的には６．７８ＭＨｚや１３．５６ＭＨｚである。送電コイル１２と受電コイル２１との距離が短ければ、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数に対しても本実施形態の構成を適用することは可能である。ただし、インダクタンス値やコンデンサ値は周波数に合わせて異なっている。

電圧変換回路１４は、直流電源１３から入力された電圧を、発振回路１５や制御回路１６が動作可能な適正な電圧に変換する。直流電源１３の出力が２４Ｖであり、電圧変換回路１４で５Ｖもしくは３．３Ｖなどの電圧に変換する。

制御回路１６はマイコンである。制御回路１６は送電回路１１の動作を必要に応じて動作または停止させるような制御や、受電装置２０との間の通信制御などを行う。

受電装置２０は、受電コイル２１とコンデンサ２２によって構成される共振素子と、整流回路２３と、電圧変換回路２４と、負荷回路２５と、制御回路２６とを備えている。整流回路２３は共振素子によって発生した交流電圧を直流電圧に変換する。電圧変換回路２４は整流回路２３で出力された直流電圧を所望の直流電圧に変換する。制御回路２６は負荷回路２５を制御する。

受電装置２０の受電コイル２１とコンデンサ２２によって構成される共振素子の自己共振周波数は、送電装置１１のＭＯＳＦＥＴ３１のスイッチング周波数と同一、或いはほぼ同一になっている。すなわち、自己共振周波数とスイッチング周波数は６．７８ＭＨｚになっている。非接触給電装置１０の送電コイル１２と受電装置２０の受電コイル２１とが互いに電磁結合することで、送電側から受電側に効率よく電力を伝送する。

負荷回路２５は、携帯端末やタブレット端末等の電子機器の回路である。受電装置２０で受電した電力は、電子機器の動作や、電子機器が内蔵するバッテリーの充電等に利用される。制御回路２６はマイコンである。制御回路２６は受電電力を負荷回路２５へ必要に応じて供給または停止させるような制御や、非接触給電装置１０との間の通信制御などを行う。

非接触給電装置１０の送電動作を説明する。図３は、シミュレーション波形で、ＭＯＳＦＥＴ３１をスイッチングするための電圧Ｖｇｓと、ＭＯＳＦＥＴ３１の出力電圧（ドレイン電圧）Ｖｄｓの波形を示す。

送電回路１１のスイッチング周波数は６．７８ＭＨｚになっている。６．７８ＭＨｚでの動作は波長０．１４７μｓであり、発振回路１５の出力Ｖｇｓは波長０．１４７μｓの方形波になっている。図３において（ａ）はＭＯＳＦＥＴ３１をオフするタイミングを示し、（ｂ）はＭＯＳＦＥＴ３１をオンするタイミングを示している。（ａ）のタイミングではＶｇｓが５Ｖから０Ｖに変化する。（ｂ）のタイミングでは、Ｖｄｓが０ＶになったタイミングでＭＯＳＦＥＴ３１をオンし、Ｖｇｓが０Ｖから５Ｖに変化する。なお、図３の横軸は時間を示し、縦軸は電圧を表し、Ｖｇｓは１０倍の表示になっている。ＶｇｓがオンになるとＭＯＳＦＥＴ３１に電流が流れ始める。このように、Ｖｄｓが０ＶになったタイミングでＭＯＳＦＥＴ３１をオンするので、ゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）と呼ばれ、スイッチング損失を少なくできるという利点がある。

送電コイル１２に印加される電圧のシミュレーション波形を図４に示している。図４の横軸は時間を示し、縦軸は電圧を表している。電圧のシミュレーション波形は６．７８ＭＨｚのやや丸みを帯びた波形となっている。電圧波形をＦＦＴ（高速フーリエ変換）した波形を図５に示す。図５の横軸は周波数を示し、縦軸は利得を表している。

送電コイル１２と並列に配置された直列ＬＣ共振回路６０によって、基本波８０（６．７８ＭＨｚ）と３次高調波８１（２０．３４ＭＨｚ）との差は４９ｄＢになっている。すなわち、３次高調波８１を基本波に対して４９ｄＢ低減させことがわかる。

この効果を定性的に説明すると、直列ＬＣ共振回路は、共振周波数においては低インピーダンスとなる。低インピーダンスの共振周波数付近において、送電回路１１で発生した電圧は送電コイル１２にほとんど印加されることなく、グランド（接地される）になる。逆に基本周波数などの共振周波数以外の周波数に対しては、直列ＬＣ共振回路はインピーダンスが高くなるため、電圧波形に対し影響を与えにくい。そのため、多少の共振周波数の調整のみで、Ｅ級増幅器の動作が可能となる。

本実施形態では基本周波数が６．７８ＭＨｚで、３次高調波の２０．３４ＭＨｚを送電コイル１２から放射させ難くするような構成について述べた。特に周波数を６．７８ＭＨｚに限定するものではなく、他の周波数に対しても有効であり、送電コイル１２と並列に挿入する直列ＬＣ共振回路の共振周波数は、３次高調波に限定するものではない。

スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを１個用いた回路について説明した。１個のＭＯＳＦＥＴに限定するものではなく、他のスイッチング素子を利用することも可能である。また、スイッチング素子を２個以上使って、例えばハーフブリッジのような送電回路を構成することも可能である。ハーブブリッジ構成の場合には、チョークコイル３２の代わりにＭＯＳＦＥＴを使い、２つのＭＯＳＦＥＴが交互にＯＮするように制御する。

ソフトスイッチングの例としてＺＶＳについて述べた。特にＺＶＳに限定するものではなく、ＺＣＳを行うようにしてもよい。

以上述べた構成により、ソフトスイッチングを行う、直列ＬＣ共振回路を持つ増幅器を送電回路に用いた非接触給電装置において、送電コイルから放射される高調波ノイズを簡易な構成で抑制することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、一つの高調波ノイズを低減するだけでなく、複数の高調波の低減が可能な非接触給電装置について説明する。

図６は第２の実施形態で示す非接触給電装置１０の構成図である。ＭＯＳＦＥＴ３１をスイッチングする基本周波数は６．７８ＭＨｚで、第１の実施形態と同様である。送電コイル１２から放射される高調波ノイズを低減するために、送電コイル１２と並列に、インダクタンスとコンデンサを直列に接続した２つの直列ＬＣ共振回路６０及び９０を設けている。直列ＬＣ共振回路６０は第１の実施形態に示したものと同様、３次高調波の２０．３４ＭＨｚに共振する。直列ＬＣ共振回路６０は２０．３４ＭＨｚに共振するように、インダクタンス６１は１．３ｕＨ、コンデンサ６２は４７ｐＦになっている。直列ＬＣ共振回路９０は５次高調波の３３．９ＭＨｚに共振するように定数を選定している。直列ＬＣ共振回路９０は１．２ｕＨのインダクタンス９１と１８ｐＦのコンデンサ９２を直列に接続した構成になっている。共振周波数ｆ９０は下記式で算出される３３．９ＭＨｚになる。
ｆ９０＝１／２π√ＬＣ＝３４．２６ＭＨｚ≒３３．９ＭＨｚ

基本波である６．７８ＭＨｚに対して、直列ＬＣ共振回路６０及び９０は十分インピーダンスが高くなっている。高インピーダンスになっているので、直列ＬＣ共振回路６０及び９０が送電コイル１２と並列に挿入されても、送電回路１１の共振動作への影響は少なくなっている。２個の直列ＬＣ共振回路を送電コイル１２に並列に配置した第２の実施形態では、図２に示すコンデンサ１７の定数を１２５ｐＦから１００ｐＦに変更するのみで、Ｅ級増幅器として動作させることが可能になる。

図７は送電コイル１２に印加される電圧の波形を示したものであり、第１の実施形態で示した図４の電圧波形と比較すると、より正弦波に近い電圧波形になっている。即ち、高調波成分が少なくなっていると考えられる。図８は第２実施形態の電圧波形をＦＦＴしたものを示している。縦軸は利得を示し、横軸は周波数を示している。基本波８０（６．７８ＭＨｚ）に対して、３次高調波８１の成分と、５次高調波８２の成分が大きく低減していることがわかる。基本波８０との比較では、３次高調波８１で５４ｄＢ、５次高調波８２で５８ｄＢ程度、基本波８０のレベルから低減している。

第２の実施形態では、インダクタンスとコンデンサから成る２つの直列ＬＣ共振回路６０、９０を、送電コイル１２と並列に備えた非接触給電装置１０になっている。直列ＬＣ共振回路６０、９０により送電コイル１２に印加される電圧波形から直列ＬＣ共振回路６０、９０の共振周波数にそれぞれ対応した周波数成分を除去することができる。結果として、非接触給電時に送電コイル１２から放射される３次高調波または５次高調波のノイズを低減することが可能になる。直列ＬＣ共振回路６０、９０に加えて、さらに特定の周波数成分を除去するための直列ＬＣ共振回路を送電コイル１２に並列に設けることも可能である。また、高調波成分に限らず、任意の周波数に共振する直列ＬＣ共振回路を挿入するようにしてもよい。

直列ＬＣ共振回路は、基本波に対しては高いインピーダンスを示すため、基本波の共振動作に対しては影響を与えにくいという利点がある。それ故、直列ＬＣ共振回路は、送電回路１１において、ＺＶＳなどのソフトスイッチング動作をさせやすいという点で好適な構成である。

比較のために、図９に直列ＬＣ共振回路を有しない非接触給電装置の回路１００を示す。図９の回路１００は、図２に記載の直列ＬＣ共振回路６０を除きかつコンデンサ１７を１２５ｐＦから２３０ｐＦに変更した以外は、図２の回路構成と同じになっている。コンデンサ１７を２３０ｐＦに変更し、基本波６．７８ＭＨｚで共振するようにしている。図１０は回路１００による送電コイル１２に印加される電圧波形を示す。図１１は電圧波形をＦＦＴした図である。

非接触給電装置の回路１００はスイッチング周波数の６．７８ＭＨｚに共振するように構成され、送電コイル１２に印加される電圧波形は正弦波状になる。しかし、実際には高調波成分を多く含んでいる。図１１に示すように、６．７８ＭＨｚの基本波５０の他、２次や３次の高調波の他に、多くの高調波成分を含んでいることがわかる。３次の高調波５１（２０．３４ＭＨｚ）は基本波５０に対して利得が２１ｄＢ程度しか低下していない。

非接触給電装置を製品化するに当たっては、各国での放射ノイズ（ＥＭＩ）に対する規制値を満足する必要がある。伝導ノイズ等で規制される３０ＭＨｚ以下の周波数で考えると、スイッチング周波数である６．７８ＭＨｚは国際的にＩＳＭ周波数であるため規制値は緩い。ＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｙ−Ｓｃｉｅｎｃｅ−Ｍｅｄｉｃａｌ）周波数は産業科学医療用周波数を示している。また６．７８ＭＨｚの２倍の１３．５６ＭＨｚや４倍の２７．１２ＭＨｚもＩＳＭ周波数であるため規制は緩い。一方、３倍の高調波の２０．３４ＭＨｚはＩＳＭ周波数ではないため、放射ノイズを低く抑える必要がある。

非接触給電装置１００から放射されるノイズは、特に送電コイル１２から放射されるため、送電コイル１２に加わる電力から高調波歪を除去する必要がある。実施形態に示した方法によれば、３次高調波や５次高調波など、特定の周波数のノイズを大きく減衰させることが可能で、ノイズ低減に非常に効果がある。

第１の実施形態では、直列ＬＣ共振回路６０を送電コイル１２と並列に挿入した構成によって、３次高調波８１は基本波８０に対して４９ｄＢ低減できた。これに対して、直列ＬＣ共振回路を有しない回路１００では、３次高調波５１は基本波５０（６．７８ＭＨｚ）に対して２１ｄＢ程度の低下であった。言い換えれば、直列ＬＣ共振回路を有する第１の実施形態では直列ＬＣ共振回路を有しない回路１００に比べ２８ｄＢも３次高調波のレベルを低減させることができた。また、第２の実施形態では、直列ＬＣ共振回路を有しない回路１００に比べ３３ｄＢも３次高調波のレベルを低減させることができた。

基本波のスイッチング周波数が６．７８ＭＨｚの場合、３０ＭＨｚ以下のノイズに対しては３次高調波である２０．３４ＭＨｚを除去できれば、ＥＭＩ規制を満足できる可能性が高い。言い換えれば、ＩＳＭ周波数を考慮して特定な周波数の高調波を低減するまたは除去すれば、ＥＭＩ規制を満たす非接触給電装置を提供できる。本実施形態では、簡単な回路構成でＥＭＩ規制を満たす高調波を抑制した非接触給電装置を実現可能である。

尚、本発明のいくつかの実施形態を述べたが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０…非接触給電装置
１１…送電回路
１２…送電コイル
１３…直流電源
１４、２４…電圧変換回路
１５…発振回路
１６…制御回路
２０…受電装置
２１…受電コイル
１７、１８、２２、６２…コンデンサ
２３…整流回路
２５…負荷回路
２６…制御回路
３２、６１…コイル

Claims (4)

1. 送電コイルと、
   基本周波数に共振してスイッチングを行う送電回路と、
   前記送電コイルと並列に設けられ、前記基本周波数の高調波の周波数に共振する直列ＬＣ共振回路とを備え、
   前記送電コイルから受電コイルに対して非接触で給電する非接触給電装置。
2. 電源と、
   非接触で電力を給電する送電コイルと、
   前記電源に接続されたチョークコイルと、前記チョークコイルに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に並列に接続された第１のコンデンサと、前記スイッチング素子と前記チョークコイルとの接続点と、前記送電コイルとの間に接続された第２のコンデンサと、前記第１および第２のコンデンサと前記送電コイルとが基本周波数に共振する共振回路を形成して、ソフトスイッチング動作を行う送電回路と、
   前記送電コイルと並列に設けられ、基本周波数の高調波の周波数に共振する直列ＬＣ共振回路とを備え、
   前記送電コイルから受電コイルに対して非接触で給電する非接触給電装置。
3. 前記直列ＬＣ共振素子を複数備える請求項1または請求項２に記載の非接触給電装置。
4. 基本周波数は６．７８ＭＨｚであり、前記直列ＬＣ共振回路は３次の高調波に共振する請求項1または請求項２に記載の非接触給電装置。
   
   
   

Images