JP2016066710A - フレックスリジッド配線板 - Google Patents
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Abstract
【課題】スタックビアにかかる応力を緩和することが可能なフレックスリジッド配線板の提供を目的とする。【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板10は、可撓性基材15と、可撓性基材15の側方に配置される非可撓性基材30と、可撓性基材15と非可撓性基材30の両面に積層されて主リジッド部12Aを形成すると共に、可撓性基材15の一部をフレックス部11として露出させるビルドアップ絶縁層51F,51Sと、主リジッド部12Aの表裏の両面に形成される第1パッド41F及び第2パッド41Sと、非可撓性基材30及びビルドアップ絶縁層51F,51Sを貫通して、第1パッド41Fと第2パッド41Sとを接続するスタックビア42と、を有し、非可撓性基材30のうちスタックビア42が貫通する部分が、ビルドアップ絶縁層51F,51Sより熱膨張率の低い低熱膨張率材70で構成されている。【選択図】図1
Description
本発明は、可撓性を有するフレックス部に非可撓性のリジッド部が接続されているフレックスリジッド配線板に関する。
従来、この種のフレックスリジッド配線板として、リジッド部の表裏の両面に形成される実装パッドが、リジッド部を貫通するスタックビアで接続されているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上述した従来のフレックスリジッド配線板では、スタックビアの中間部に応力が集中し、スタックビアの破損や接続不良が生じるという問題が考えられる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、スタックビアにかかる応力を緩和することが可能なフレックスリジッド配線板の提供を目的とする。
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフレックスリジッド配線板は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の側方に位置して、フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、可撓性基材と、厚さ方向から見たときに可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、可撓性基材及び非可撓性基材の表裏の両面に積層されてリジッド部を形成すると共に、可撓性基材の一部をフレックス部として露出させる絶縁層と、リジッド部の表裏の両面に形成される複数の実装パッドと、非可撓性基材及び絶縁層を貫通して、表側の実装パッドと裏側の実装パッドとを接続するスタックビアと、を有し、非可撓性基材のうちスタックビアが貫通する部分又は非可撓性基材全体が、絶縁層より熱膨張率の低い低熱膨張率材で構成されている。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図13に基づいて説明する。本実施形態のフレックスリジッド配線板10は、可撓性基材15と、厚さ方向から見たときに可撓性基材15を挟むように配置される非可撓性基材30,30とを備えている。可撓性基材15及び非可撓性基材30,30の表裏の両面には、ビルドアップ層50F,50Sが積層されている。
ビルドアップ層50F,50Sは、可撓性基材15の両側部を覆い、可撓性基材15の中央部を露出させる。そして、可撓性基材15の露出部分によって、可撓性を有するフレックス部11が形成され、フレックス部11の両側に、非可撓性基材30とビルドアップ層50F,50Sとを含む主リジッド部12A及び副リジッド部12Bが形成される。主リジッド部12Aと副リジッド部12Bとは、本発明の「リジッド部」を構成し、フレックス部11を介して折り曲げ可能に接続されている。なお、可撓性基材15の両側部は、主リジッド部12A及び副リジッド部12Bに若干入り込んでいる。
可撓性基材15は、例えば、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム25Kの両面に接着層25Aを積層してなる可撓性中間基材25と、可撓性中間基材25の表裏の一方側の面である第1面25F上に形成される第1配線層24Fと、可撓性中間基材25の表裏の他方側の面である第2面25S上に形成される第2配線層24Sと、を備える。第1配線層24F及び第2配線層24Sは、主リジッド部12Aと副リジッド部12Bとを連絡する直線状に複数形成されている(図2参照。同図には、第1配線層24Fのみが示されている。)。詳細には、第1配線層24F及び第2配線層24Sの両端部は、可撓性中間基材25から側方に突出して非可撓性基材30内に入り込んでいる。なお、第1配線層24Fと第2配線層24Sとは、可撓性中間基材25を貫通するビアを介して接続されていてもよい。
第1配線層24F上には、接着層81Fが形成され、この接着層81F上にカバーレイ(被覆層)80Fが形成されている。また、第2配線層24S上には、接着層81Sが形成され、この接着層81S上にカバーレイ(被覆層)80Sが形成されている。カバーレイ80F,80Sは、ソルダーレジスト層84F,84Sにて被覆されている。なお、カバーレイ80F,80Sは、ポリイミド等の絶縁膜から構成されている。
非可撓性基材30は、例えば、プリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)等の絶縁性材料からなる非可撓性中間基材31と、非可撓性中間基材31を貫通する開口31Aに受容されると共に非可撓性中間基材31よりも熱膨張率の低い材料からなる低熱膨張率基材70(本発明の「低熱膨張率材」に相当する。)と、を有している。非可撓性中間基材31の表裏の一方側の面である第1面31F上には、第1中間導体層32Fが形成され、他方側の面である第2面31S上には、第2中間導体層32Sが形成されている。第1中間導体層32Fと第2中間導体層32Sとは、非可撓性中間基材31及び低熱膨張率基材70を貫通するビア導体33を介して接続されている。低熱膨張率基材70を構成する材料としては、非可撓性中間基材31におけるシリカ、アルミナ等の無機フィラーの含有率を上げたもの(例えば、通常の基材で50重量%程度の含有率であるのに対し、含有率を55重量%以上にしたもの)や、非可撓性中間基材31の心材となるガラスクロスに含まれるシリカ、アルミナ等の成分比率を高めたもの(例えば、通常の心材でシリカ、アルミナ等の含有率が60〜70重量%程度であるのに対し、75〜90重量%にしたもの)等が挙げられる。
第1中間導体層32F上には、ビルドアップ絶縁層51Fと、ビルドアップ導体層53Fと、が交互に積層されている。また、第2中間導体層32S上には、ビルドアップ絶縁層51Sと、ビルドアップ導体層53Sと、が交互に積層されている。そして、ビルドアップ絶縁層51Fとビルドアップ導体層53Fとによって上述のビルドアップ層50Fが形成され、ビルドアップ絶縁層51Sとビルドアップ導体層53Sとによって上述のビルドアップ層50Sが形成されている。ビルドアップ絶縁層51F,51Sは、非可撓性中間基材31と同じ材質で構成され、本発明の「絶縁層」に相当する。
最も外側に配置されるビルドアップ導体層53F,53S(以下、適宜、「最外ビルドアップ導体層53FA,53SA」という。)の上には、ソルダーレジスト層67F,67Sが積層されている。ソルダーレジスト層67Fは、フレックスリジッド配線板10の表裏の一方側の第1面10Fを構成し、ソルダーレジスト層67Sは、フレックスリジッド配線板10の表裏の他方側の第2面10Sを構成する。
フレックスリジッド配線板10の第1面10F側のソルダーレジスト層67Fには、最外ビルドアップ導体層53FAの一部を露出させる開口68Fが複数形成されている。そして、それら複数の開口68Fによって、主リジッド部12Aの表裏の一方側の第1面12AFに、最外ビルドアップ導体層53FAの一部を露出させてなる電子部品実装用の第1パッド41Fが複数形成され、副リジッド部12Bの表裏の一方側の第1面12BFに、最外ビルドアップ導体層53FAの一部を露出させてなる実装パッド43Fが複数形成される。また、フレックスリジッド配線板10の第2面10S側のソルダーレジスト層67Sには、最外ビルドアップ導体層53SAの一部を露出させる開口68Sが複数形成されている。そして、それら複数の開口68Sによって、主リジッド部12Aの表裏の他方側の第2面12ASに、最外ビルドアップ導体層53SAの一部を露出させてなる電子部品実装用の第2パッド41Sが複数形成され、副リジッド部12Bの表裏の他方側の第2面12BSに、最外ビルドアップ導体層53SAの一部を露出させてなる実装パッド43Sが複数形成される。なお、本実施形態では、第1パッド41Fと第2パッド41Sとにより本発明の「複数の実装パッド」が構成されている。
図2に示すように、主リジッド部12Aの表裏の両面に形成される複数の第1パッド41F及び複数の第2パッド41Sは、グリッド状に配列されている(図2には、第1パッド41Fのみが示されている。)。第1パッド41Fのピッチ及び第2パッド41Sのピッチは共に、250〜500μmになっている。ここで、上述したように、可撓性基材15の両側部は、主リジッド部12A及び副リジッド部12Bに入り込んでいる(図2では、可撓性基材15の両側部が点線で示されている。)。そして、主リジッド部12Aを厚さ方向から見たときに、可撓性基材15の主リジッド12A側の端部は、第1パッド41Fが配列されている配列領域R1の外側に配置されている。
図1に示すように、フレックスリジッド配線板10の第1面10F側の第1パッド41Fの一部は、可撓性基材15の第1配線層24Fを介して、副リジッド部12Bに接続される。具体的には、図1及び図2に示すように、第1パッド41Fのうち配列領域R1の外周部に配置される外側パッド41FAが、副リジッド部12Bに接続され、複数の第1パッド41Fのうち外側パッド41FAよりも配列領域R1の内側に配置される内側パッド41FBが、主リジッド部12Aの第2面12AS側の第2パッド41Sに接続される。ここで、本実施形態では、内側パッド41FBが配列される配列領域R2(図2参照)は、第2パッド41Sが配列される配列領域R3(図1参照)に一致する。なお、図2の例では、第1パッド41Fが配列される配列領域R1と、内側パッド41FBが配列される内側領域R2とが、共に、四角形状に示されている。
図1に示すように、外側パッド41FAと第1配線層24Fとの間を接続する配線45は、ビルドアップ導体層53Fの一部に配線パターンを形成することで構成される。図3に示すように、配線45は、内側パッド41FBが配列される内側領域R2の外側に配置され、内側パッド41FB同士の間を通らないようになっている。これにより、内側パッド41FBのピッチを小さくすることが可能となり、内側パッド41FBの高密度化が図られる。
図1に示すように、第1パッド41Fの内側パッド41FBと第2パッド41Sとは、主リジッド部12Aを貫通するスタックビア42を介して接続される。スタックビア42は、非可撓性基材30を貫通するビア導体33と、ビルドアップ絶縁層51Fを貫通する複数のビア導体54Fと、ビルドアップ絶縁層51Sを貫通する複数のビア導体54Sと、を直線状に積み重ねて形成されている。
ここで、上述したように、ビア導体33は、低熱膨張率基材70に貫通形成されている。また、ビルドアップ絶縁層51F,51Sは、非可撓性中間基材31と同じ材質で構成され、低熱膨張率基材70は、非可撓性中間基材31より熱膨張率の低い材料で構成されている。従って、非可撓性基材30のうちスタックビア42が貫通する部分は、ビルドアップ絶縁層51F,51Sよりも熱膨張率の低い材料で構成されている。
図1及び図4に示すように、第1パッド41Fには、能動部品90が実装され、第2パッド41Sには、受動部品91が実装される。そして、フレックスリジッド配線板10と、能動部品90と、受動部品91とで、半導体モジュール100が構成される。能動部品90は、第1パッド41Fの内側パッド41FB(図1参照)を介して、受動部品91に接続される。また、能動部品90は、第1パッド41の外側パッド41FA(図1参照)を介して、副リジッド部12Bに接続され、さらに、副リジッド部12B内に形成される配線(図示せず)によって実装パッド43F,43Sに接続される。なお、実装パッド43F,43Sには、コネクタ等の電子部品93が実装されてもよい。能動部品90の例としては、半導体素子やIC等が挙げられるが、本実施形態では、ICである。受動部品91の例としては、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、圧電素子等が挙げられる。
フレックスリジッド配線板10の構造に関する説明は以上である。次に図5〜図13に基づいて、フレックスリジッド配線板10の製造方法について説明する。
フレックスリジッド配線板10は、以下のように製造される。
(1)図5(A)に示すように、絶縁基材21Kの上面に銅箔21Cが積層されたキャリア21が、支持基板23上に積層される。なお、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間、及び、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間の接着力は、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間の接着力よりも弱くなっている。
(1)図5(A)に示すように、絶縁基材21Kの上面に銅箔21Cが積層されたキャリア21が、支持基板23上に積層される。なお、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間、及び、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間の接着力は、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間の接着力よりも弱くなっている。
(2)銅箔21C上に、レジスト処理、電解めっき処理が行われて、銅箔21C上に、所定パターンの第1配線層24Fと第1中間導体層32Fとが形成される(図5(B)参照)。このとき、第1中間導体層32Fは、キャリア21の両端部の上に配置され、第1配線層24Fは、キャリア21の中央寄り部分の上に配置される。
(3)図5(C)に示すように、樹脂フィルム25Kの両面に接着層25Aを積層してなる可撓性中間基材25が準備されると共に、非可撓性中間基材31,31が、可撓性中間基材25を受容可能な隙間を空けて配置される。また、一方の非可撓性中間基材31を貫通する開口31Aが形成されると共に、その開口31Aに収容可能な大きさで非可撓性中間基材31よりも熱膨張率の低い絶縁性材料からなる低熱膨張率基材70が準備される。なお、可撓性中間基材25の厚さと、低熱膨張率基材70の厚さと、非可撓性中間基材31の厚さとは、略同じになっている。
(4)図6(A)に示すように、キャリア21上に、可撓性中間基材25及び非可撓性中間基材31が積層されると共に、非可撓性中間基材31の開口31Aに低熱膨張率基材70が収容される。そして、可撓性中間基材25、低熱膨張率基材70及び非可撓性中間基材31の上に銅箔34が積層されて、プレスが行われる。このとき、可撓性中間基材25は、第1配線層24F上に配置され、非可撓性中間基材31,31は、水平方向で可撓性中間基材25を挟むように配置される。また、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fは、可撓性中間基材25、非可撓性中間基材31及び低熱膨張率基材70にめり込む。
(5)レーザ加工によって、非可撓性中間基材31及び低熱膨張率基材70と、銅箔34とに第1中間導体層32Fを露出させる開口35が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、図6(B)に示すように、めっきレジストの非形成部分に第2配線層24S及び第2中間導体層32Sが形成されると共に、開口35内にビア導体33が形成される。なお、第2配線層24Sは、非可撓性中間基材31,31同士を連絡する線状に複数形成され(図2参照)、第2配線層24Sの両端部は、非可撓性中間基材31,31の第2面31S,31S上に配置される。
(6)図7(A)に示すように、キャリア21の絶縁基材21Kと、支持基板23とが剥離され、非可撓性中間基材31の第1面31F側に銅箔21Cが露出する。
(7)図7(B)に示すように、エッチング処理によって、銅箔21C及び銅箔34が除去される。このとき、第2配線層24S及び第2中間導体層32Sは、可撓性中間基材25の第2面25S及び非可撓性中間基材31の第2面31Sから突出し、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fは、可撓性中間基材25及び非可撓性中間基材31内に埋設される。
(8)第1配線層24Fの中間部に接着層81Fを介してカバーレイ80Fが積層されると共に、第2配線層24Sの中間部に接着層81Sを介してカバーレイ80Sが積層される。また、非可撓性中間基材31の第1面31F側と第1配線層24Fの両端部とに、プリプレグからなるビルドアップ絶縁層51Fが積層されると共に、非可撓性中間基材31の第2面31S側と第2配線層24Sの両端部とに、ビルドアップ絶縁層51Sが積層される。そして、カバーレイ80F,80Sとビルドアップ絶縁層51F,51Sの上に銅箔52F,52Sが積層される(図8(A)参照)。
(9)レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層51Fに、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fを露出させる開口55Fが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層51Sに、第2配線層24S及び第2中間導体層32Sを露出させる開口55Sが形成され、上記(5)〜(7)の工程と同様にして、ビア導体54F,54Sと、ビルドアップ導体層53F,53Sが形成される(図8(B)参照)。
(10)図9(A)に示すように、カバーレイ80F上にソルダーレジスト層84Fが形成されると共に、ソルダーレジスト層84F上に剥離層86Fが形成され、さらに、カバーレイ80S上にソルダーレジスト層84Sが形成されると共に、ソルダーレジスト層84S上に剥離層86Sが形成される。
(11)図9(B)に示すように、ソルダーレジスト層84F及び剥離層86Fの水平方向両側にビルドアップ絶縁層51Fが形成されると共に、ソルダーレジスト層84S及び剥離層86Sの水平方向両側にビルドアップ絶縁層51Sが形成され、それらビルドアップ絶縁層51F,51S上に銅箔62F,62Sが積層される。
(12)上記(9)の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層51F,51Sに開口55F,55Sが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層51F,51Sを貫通するビア導体54F,54Sが形成され、ビルドアップ絶縁層51F,51S上にビルドアップ導体層53F,53Sが形成される。また、剥離層86F,86S上には、端部に銅箔62F,62Sを露出させた状態で剥離用導体61F,61Sが形成される(図10参照)。
(13)ビルドアップ導体層53F,53S上と、剥離用導体61F.61S上とに、ビルドアップ絶縁層51F,51Sと、銅箔64F,64Sが積層される。そして、レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層51F,51Sに、ビルドアップ導体層53F,53Sを露出させる開口55F,55Sが形成されると共に、剥離用導体61F,61Sの外周の銅箔62F,62Sを露出させるスリット66F,66Sが形成される(図11参照)。
(14)上記(9)の工程と同様に、ビルドアップ絶縁層51F,51Sを貫通するビア導体54F,54Sが形成され、ビルドアップ絶縁層51F,51S上にビルドアップ導体層53F,53Sが形成される。なお、これらビルドアップ導体層53F,53Sが最外ビルドアップ導体層53FA,53SAとなる。また、スリット66F,66Sの底部から剥離層86F,86Sの外側にはみ出す銅箔62F,62Sが除去される(図12参照)。なお、このとき、可撓性中間基材25に対して左右方向の一方側(図12の例では左側)に位置するビア導体33には、複数のビア導体54Fと複数のビア導体54Sとが厚さ方向に重ねて接続され、それらビア導体33,54F,54Sによってスタックビア42が形成される。
(15)図13に示すように、ソルダーレジスト層84F,84S上の剥離層86F,86S及びスリット66F,66Sの内側に位置するビルドアップ絶縁層51S,51Fが除去される。このとき、可撓性中間基材25、カバーレイ80F,80S及びソルダーレジスト層84F,84Sを備える可撓性基材15の一部が露出し、その露出部分によってフレックス部11が形成される。
(16)ビルドアップ絶縁層51F,51S上にソルダーレジスト層67F,67S(図1参照)が形成されて、フレックス部11に対して左右方向の一方側に、スタックビア42を有する主リジッド部12Aが形成されると共に、フレックス部11を挟んで主リジッド部12Aと反対側に、副リジッド部12Bが形成される。そして、ソルダーレジスト層67F,67Sに開口68F,68Sが形成されて、主リジッド部12Aにおける最外ビルドアップ導体層53FA,53SAの一部が第1パッド41F及び第2パッド41Sとして露出し、副リジッド部12Bにおける最外ビルドアップ導体層53FA,53SAの一部が実装パッド43F,43Sとして露出する。以上により、図1に示したフレックスリジッド配線板10が完成する。
本実施形態のフレックスリジッド配線板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、フレックスリジッド配線板10の作用効果について説明する。
本実施形態のフレックスリジッド配線板10では、非可撓性基材30のうちスタックビア42が貫通する部分が、ビルドアップ絶縁層15より熱膨張率の低い材料からなる低熱膨張率基材70で構成されているので、低熱膨張率基材70の周辺でスタックビア42にかかる応力を緩和することが可能になる。また、非可撓性基材30は、フレックス部11を構成する可撓性基材15の側方に並べて配置されるので、フレックス部11の側方のスペースを有効に活用することが可能となる。
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板10では、非可撓性基材30の表裏の一方側(第1面10F側)に積層されるビルドアップ絶縁層51Fの数と、他方側(第2面10S側)に積層されるビルドアップ絶縁層51Sの数が同じになっているので、スタックビア42のうち最も応力がかかる長手方向の中央部が低熱膨張率基材70を貫通することとなり、スタックビア42にかかる応力を効果的に緩和することが可能となる。
[他の実施形態]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、非可撓性基材30が、非可撓性中間基材31と低熱膨張率基材70とで構成されていたが、図14に示すように、非可撓性基材30が低熱膨張率基材70のみからなる、即ち、非可撓性基材30全体がビルドアップ絶縁層15より熱膨張率の低い材料からなる構成であってもよい。なお、このような構成は、シート状の低熱膨張率基材70に形成された開口部に可撓性中間基材25を収容し、その後、上記実施形態の工程(4)〜(16)(図6〜図13参照)と同様の工程を行うことで製造することができる。
(2)上記実施形態では、非可撓性基材30が、非可撓性中間基材31と低熱膨張率基材70とで構成されていたが、図15に示すように、さらに、ビルドアップ絶縁層15より熱伝導率の高い材料からなる放熱基材75を備える構成であってもよい。本構成によれば、フレックス部11の側方のスペースを有効に活用しつつ、フレックスリジッド配線板10の放熱性能を向上することが可能となる。なお、放熱基材75は、同図の例に示すように、端部を露出させるように配置されることが好ましい。
(3)上記実施形態では、フレックスリジッド配線板10が、主リジッド部12Aの側方にフレックス部11と副リジッド部12Bを1つずつ備える構成であったが、図16の例に示すフレックスリジッド配線板10Vのように、フレックス部11と副リジッド部12Bを複数ずつ備える構成であってもよい(図16の例では、フレックス部11及び副リジッド部12Bを2つずつ備えている。)。
(4)図17に示すように、副リジッド部12Bを貫通して表裏の実装パッド43,43同士を接続するスタックビア47を設け、副リジッド部12Bにおける非可撓性基材30のうちスタックビア47が貫通する部分を、低熱膨張率基材70で構成してもよい。
(5)上記実施形態では、フレックスリジッド配線板10が、2つのリジッド部(主リジッド部12Aと副リジッド部12B)を備える構成であったが、リジッド部を1つのみ備える構成であってもよい。具体的には、上記実施形態における主リジッド部12Aのみを備える構成であってもよい(図18参照)。
(6)図19に示すように、非可撓性基材30の第1面30F側に積層されるビルドアップ絶縁層51Fの数と、第2面30S側に積層されるビルドアップ絶縁層51Sの数が異なる構成であってもよい。
10,10V フレックスリジッド配線板
11 フレックス部
12A 主リジッド部
12B 副リジッド部
15 可撓性基材
30 非可撓性基材
41F 第1パッド(実装パッド)
41S 第2パッド(実装パッド)
42 スタックビア
51F,51S ビルドアップ絶縁層(絶縁層)
70 低熱膨張率材
11 フレックス部
12A 主リジッド部
12B 副リジッド部
15 可撓性基材
30 非可撓性基材
41F 第1パッド(実装パッド)
41S 第2パッド(実装パッド)
42 スタックビア
51F,51S ビルドアップ絶縁層(絶縁層)
70 低熱膨張率材
Claims (5)
- 可撓性を有するフレックス部と、
前記フレックス部の側方に位置して、前記フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、
可撓性基材と、
厚さ方向から見たときに前記可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、
前記可撓性基材及び前記非可撓性基材の表裏の両面に積層されて前記リジッド部を形成すると共に、前記可撓性基材の一部を前記フレックス部として露出させる絶縁層と、
前記リジッド部の表裏の両面に形成される複数の実装パッドと、
前記非可撓性基材及び前記絶縁層を貫通して、表側の前記実装パッドと裏側の前記実装パッドとを接続するスタックビアと、を有し、
前記非可撓性基材のうち前記スタックビアが貫通する部分又は前記非可撓性基材全体が、前記絶縁層よりも熱膨張率の低い低熱膨張率材で構成されている。 - 請求項1に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記低熱膨張率材は、前記非可撓性基材のうち前記スタックビアが貫通する部分に選択的に配置されている。 - 請求項1又は2に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記非可撓性基材の表側と裏側に積層される前記絶縁層の数が同じである。 - 請求項1乃至3のうち何れか1の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
表裏の一方側の前記実装パッドは、能動部品実装用であって、
表裏の他方側の前記実装パッドは、受動部品実装用である。 - 請求項1乃至4のうち何れか1の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部には、前記フレックス部を挟むように配置される主リジッド部と副リジッド部とが設けられ、
前記複数の実装パッドは、前記主リジッド部と副リジッド部のうち何れか一方に形成されている。
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JP2014194864A JP2016066710A (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | フレックスリジッド配線板 |
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JP (1) | JP2016066710A (ja) |
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2014
- 2014-09-25 JP JP2014194864A patent/JP2016066710A/ja active Pending
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