JP2016058619A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2016058619A
JP2016058619A JP2014185302A JP2014185302A JP2016058619A JP 2016058619 A JP2016058619 A JP 2016058619A JP 2014185302 A JP2014185302 A JP 2014185302A JP 2014185302 A JP2014185302 A JP 2014185302A JP 2016058619 A JP2016058619 A JP 2016058619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
ceramic
reflective layer
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014185302A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
健太 渡邉
Kenta Watanabe
健太 渡邉
淳志 元家
Atsushi Motoie
淳志 元家
俊雄 森
Toshio Mori
俊雄 森
松尾　和尋
Kazuhiro Matsuo
和尋 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2014185302A priority Critical patent/JP2016058619A/en
Priority to DE102015113692.9A priority patent/DE102015113692A1/en
Priority to CN201510510691.4A priority patent/CN105423238B/en
Priority to US14/832,117 priority patent/US9785039B2/en
Publication of JP2016058619A publication Critical patent/JP2016058619A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of improving heat dissipation while maintaining a high reflection rate.SOLUTION: A light-emitting device 1 includes: a laser excitation ceramic phosphor 20; and a light reflective layer 30 which is formed over a plane different from a laser irradiation surface of the ceramic phosphor 20 in contact therewith.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

従来、レーザ励起の蛍光体を利用した発光装置が知られている（例えば、特許文献１及び２を参照）。蛍光体は、レーザ光が照射された場合に、電子が励起されて基底状態に戻るときに光（蛍光）を発する。蛍光体から発せられた蛍光を所望の方向に出射することで、照明装置などに利用することができる。   Conventionally, light emitting devices using laser-excited phosphors are known (see, for example, Patent Documents 1 and 2). When irradiated with laser light, the phosphor emits light (fluorescence) when electrons are excited to return to the ground state. By emitting the fluorescence emitted from the phosphor in a desired direction, it can be used for an illumination device or the like.

例えば、特許文献１には、蛍光体にレーザ光を直射することで蛍光体から発せられた蛍光を、蛍光体の上方に設けられた透光窓から取り出す照明装置が開示されている。また、特許文献２には、蛍光体から発せられた蛍光を所定の方向に出射するための反射鏡を備えるレーザ光源装置が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses an illumination device that takes out fluorescence emitted from a phosphor by directing laser light on the phosphor from a light-transmitting window provided above the phosphor. Patent Document 2 discloses a laser light source device that includes a reflecting mirror for emitting fluorescence emitted from a phosphor in a predetermined direction.

特開２０１２−５４２７２号公報JP 2012-54272 A 特開２０１３−１２３５８号公報JP 2013-12358 A

しかしながら、上記従来の発光装置では、高い反射率を維持しつつ、放熱性を高めることが困難である。   However, in the conventional light emitting device, it is difficult to improve heat dissipation while maintaining high reflectance.

そこで、本発明は、高い反射率を維持しつつ、放熱性を高めることができる装置を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the apparatus which can improve heat dissipation, maintaining a high reflectance.

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る発光装置は、レーザ励起のセラミック蛍光体と、前記セラミック蛍光体のレーザ照射面とは異なる面に接触して設けられた、光反射性を有する反射層とを備える。   In order to achieve the above object, a light-emitting device according to one embodiment of the present invention has a light-reflecting property that is provided in contact with a laser-excited ceramic phosphor and a surface different from the laser irradiation surface of the ceramic phosphor. And a reflective layer.

本発明によれば、高い反射率を維持しつつ、放熱性を高めることができる。   According to the present invention, heat dissipation can be enhanced while maintaining a high reflectance.

本発明の実施の形態に係る発光装置の概観斜視図である。1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光装置のセラミック蛍光体とヒートシンクとの間の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section between the ceramic fluorescent substance and heat sink of the light-emitting device which concern on embodiment of this invention.

以下では、本発明の実施の形態に係る発光装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Hereinafter, a light-emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Each of the embodiments described below shows a preferred specific example of the present invention. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, component arrangements, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims showing the highest concept of the present invention are described as optional constituent elements.

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。   Each figure is a mimetic diagram and is not necessarily illustrated strictly. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the same structural member.

（実施の形態）
［発光装置］
まず、本実施の形態に係る発光装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る発光装置１の概観斜視図である。図２は、本実施の形態に係る発光装置１の断面図である。 (Embodiment)
[Light emitting device]
First, a light-emitting device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 according to the present embodiment.

図１及び図２に示すように、発光装置１は、レーザ光源１０と、セラミック蛍光体２０と、反射層３０と、ヒートシンク４０と、接着層５０とを備える。   As shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 1 includes a laser light source 10, a ceramic phosphor 20, a reflective layer 30, a heat sink 40, and an adhesive layer 50.

レーザ光源１０がセラミック蛍光体２０に向けてレーザ光１１を照射した場合に、セラミック蛍光体２０は、光２１を出射する。セラミック蛍光体２０は、ヒートシンク４０の戴置面４１に、反射層３０及び接着層５０を挟んで戴置されて固定されている。   When the laser light source 10 irradiates the laser light 11 toward the ceramic phosphor 20, the ceramic phosphor 20 emits light 21. The ceramic phosphor 20 is placed and fixed on the placement surface 41 of the heat sink 40 with the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 interposed therebetween.

なお、図１及び図２において、ヒートシンク４０の戴置面４１の法線方向をＺ軸方向とし、当該法線方向に平行で、かつ、互いに直交する２つの方向をそれぞれ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向とする。つまり、戴置面４１は、ＸＹ平面に平行である。   1 and 2, the normal direction of the mounting surface 41 of the heat sink 40 is the Z-axis direction, and two directions parallel to and perpendicular to the normal direction are respectively the X-axis direction and the Y-axis direction. Axial direction. That is, the placement surface 41 is parallel to the XY plane.

以下では、本実施の形態に係る発光装置１の各構成部材について詳細に説明する。   Below, each structural member of the light-emitting device 1 which concerns on this Embodiment is demonstrated in detail.

［レーザ光源］
レーザ光源１０は、例えば、半導体レーザ又はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であり、駆動電流によって駆動されて所定の色（波長）のレーザ光を、セラミック蛍光体２０に向けて出射する。具体的には、レーザ光源１０は、紫外線、又は、紫若しくは青色の可視光をレーザ光１１として出射する。レーザ光１１は、セラミック蛍光体２０が含む蛍光体の励起光であり、レーザ光１１の照射強度及び波長は、蛍光体の電子を励起させる程度であれば、いかなるものでもよい。 [Laser light source]
The laser light source 10 is, for example, a semiconductor laser or an LED (Light Emitting Diode), and is driven by a driving current to emit laser light of a predetermined color (wavelength) toward the ceramic phosphor 20. Specifically, the laser light source 10 emits ultraviolet light or purple or blue visible light as the laser light 11. The laser beam 11 is excitation light of the phosphor included in the ceramic phosphor 20, and the irradiation intensity and wavelength of the laser beam 11 may be anything as long as they excite the electrons of the phosphor.

なお、図１には、１つのレーザ光源１０を示しているが、図２に示すように、発光装置１は、複数のレーザ光源１０を備えてもよい。複数のレーザ光源１０は、互いに異なる方向からセラミック蛍光体２０にレーザ光１１を照射するように配置されている。例えば、複数のレーザ光源１０は、セラミック蛍光体２０を囲むように環状に並んで配置されていてもよい。   1 shows one laser light source 10, but the light emitting device 1 may include a plurality of laser light sources 10 as shown in FIG. The plurality of laser light sources 10 are arranged so as to irradiate the ceramic phosphor 20 with the laser light 11 from different directions. For example, the plurality of laser light sources 10 may be arranged in a ring so as to surround the ceramic phosphor 20.

［セラミック蛍光体］
セラミック蛍光体２０は、レーザ励起のセラミック蛍光体であって、蛍光体を含有する板状のセラミックから形成される。具体的には、図１及び図２に示すように、セラミック蛍光体２０は、互いに対向する２つの主面を有する一枚の平板状のセラミックから形成される。蛍光体は、セラミック蛍光体２０の全体に散りばめられている。２つの主面の一方（上面）は、レーザ光１１の照射側の面、すなわち、レーザ照射面である。２つの主面の下方（下面）には、反射層３０が設けられている。 [Ceramic phosphor]
The ceramic phosphor 20 is a laser-excited ceramic phosphor and is formed of a plate-like ceramic containing the phosphor. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the ceramic phosphor 20 is formed of a single plate-like ceramic having two main surfaces facing each other. The phosphor is scattered throughout the ceramic phosphor 20. One (upper surface) of the two main surfaces is a surface on the irradiation side of the laser beam 11, that is, a laser irradiation surface. A reflective layer 30 is provided below (lower surface) the two main surfaces.

図１に示すように、セラミック蛍光体２０の平面視形状は、例えば、矩形である。なお、本実施の形態において、平面視とは、レーザ光１１の照射側から見た場合（すなわち、Ｚ軸正方向から見た場合）を意味する。セラミック蛍光体２０の平面視形状は、矩形に限らず、正方形、円形若しくは楕円形など、他の形状でもよい。   As shown in FIG. 1, the planar view shape of the ceramic phosphor 20 is, for example, a rectangle. In the present embodiment, the plan view means a case when viewed from the irradiation side of the laser beam 11 (that is, when viewed from the positive direction of the Z axis). The shape of the ceramic phosphor 20 in plan view is not limited to a rectangle, and may be other shapes such as a square, a circle, or an ellipse.

本実施の形態では、セラミック蛍光体２０は、アルミナ（酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３））などのセラミックから構成される平板である。なお、セラミックとしては、アルミナに限らず、ジルコニア（酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２））、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを用いることもできる。 In the present embodiment, the ceramic phosphor 20 is a flat plate made of a ceramic such as alumina (aluminum oxide (Al 2 O 3 )). The ceramic is not limited to alumina, and zirconia (zirconium oxide (ZrO 2 )), zinc oxide (ZnO), or the like can also be used.

セラミック蛍光体２０は、セラミック粒子を焼結させることによって構成される。具体的には、アルミナ粒子などのセラミック原料と、散乱体又は焼結助剤（添加剤）と、蛍光体とを混合したものにバインダを加えて加熱成形し、その後、焼成することにより、セラミック蛍光体２０は作製される。   The ceramic phosphor 20 is configured by sintering ceramic particles. More specifically, a ceramic raw material such as alumina particles, a scatterer or a sintering aid (additive), and a phosphor are mixed, and a binder is added thereto, followed by heat molding. The phosphor 20 is produced.

蛍光体は、黄色蛍光体、赤色蛍光体若しくは緑色蛍光体、又は、これらの組み合わせなど、いかなるものでもよい。例えば、蛍光体としては、ＹＡＧ系の蛍光体粒子、カズン（ＣａＡｌＳｉＮ３：ＣＡＳＮ）などを利用することができる。 The phosphor may be any material such as a yellow phosphor, a red phosphor, a green phosphor, or a combination thereof. For example, as the phosphor, YAG-based phosphor particles, casun (CaAlSiN 3 : CASN), or the like can be used.

セラミック蛍光体２０は、レーザ光１１が照射された場合に、蛍光体の電子が励起される。励起された電子が基底状態に戻るときに光（蛍光）を発する。蛍光は、一部はそのままレーザ光１１の照射側に出射され、一部は、反射層３０によって反射されてレーザ光１１の照射側に出射される。   When the laser phosphor 11 is irradiated with the ceramic phosphor 20, the electrons of the phosphor are excited. Light (fluorescence) is emitted when the excited electrons return to the ground state. A part of the fluorescence is emitted as it is to the irradiation side of the laser light 11, and a part of the fluorescence is reflected by the reflection layer 30 and emitted to the irradiation side of the laser light 11.

また、セラミック蛍光体２０からの光２１は、蛍光体が発する蛍光と、励起光であるレーザ光１１とを含んでもよい。つまり、発光装置１は、蛍光とレーザ光１１との合成光を、光２１として外部に出射してもよい。例えば、レーザ光１１として青色光を利用した場合、レーザ光１１は、セラミック蛍光体２０内部で散乱され、一部は蛍光体に吸収及び変換されることなく、青色光として放出される。したがって、セラミック蛍光体２０は、当該青色光と、蛍光体から発せられる蛍光（例えば、黄色光）とを利用することで、白色の光２１を出射することができる。   The light 21 from the ceramic phosphor 20 may include fluorescence emitted from the phosphor and laser light 11 that is excitation light. That is, the light emitting device 1 may emit the combined light of the fluorescence and the laser light 11 as the light 21 to the outside. For example, when blue light is used as the laser light 11, the laser light 11 is scattered inside the ceramic phosphor 20, and a part of the laser light 11 is emitted as blue light without being absorbed and converted by the phosphor. Therefore, the ceramic phosphor 20 can emit white light 21 by using the blue light and fluorescence (for example, yellow light) emitted from the phosphor.

［反射層］
反射層３０は、光反射性を有し、セラミック蛍光体２０のレーザ照射面（上面）とは異なる面に接触して設けられている。具体的には、反射層３０は、レーザ照射面とは反対側の面（下面）に接触して設けられている。より具体的には、反射層３０は、セラミック蛍光体２０の下面全体に接触するように設けられた金属薄膜である。 [Reflective layer]
The reflection layer 30 has light reflectivity and is provided in contact with a surface different from the laser irradiation surface (upper surface) of the ceramic phosphor 20. Specifically, the reflective layer 30 is provided in contact with a surface (lower surface) opposite to the laser irradiation surface. More specifically, the reflective layer 30 is a metal thin film provided so as to be in contact with the entire lower surface of the ceramic phosphor 20.

反射層３０は、セラミック蛍光体２０から出射される光２１を反射する。具体的には、反射層３０は、レーザ光１１と、セラミック蛍光体２０が含有する蛍光体から発せられた蛍光とを反射する。反射層３０が蛍光を反射することにより、上面側への光の取り出し効率を高めることができる。また、反射層３０がレーザ光１１を反射することにより、反射したレーザ光１１によってセラミック蛍光体２０の蛍光体の電子をさらに励起させることができる。これにより、蛍光の光量を増やすことができるので、光の取り出し効率を更に高めることができる。   The reflective layer 30 reflects the light 21 emitted from the ceramic phosphor 20. Specifically, the reflection layer 30 reflects the laser light 11 and the fluorescence emitted from the phosphor contained in the ceramic phosphor 20. When the reflective layer 30 reflects the fluorescence, the light extraction efficiency to the upper surface side can be increased. Further, since the reflection layer 30 reflects the laser light 11, the electrons of the phosphor of the ceramic phosphor 20 can be further excited by the reflected laser light 11. Thereby, since the light quantity of fluorescence can be increased, the light extraction efficiency can be further increased.

本実施の形態では、反射層３０は、金属蒸着膜である。つまり、反射層３０は、蒸着法によって金属材料をセラミック蛍光体２０の下面に堆積することで形成される。蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はイオンビームアシスト法などを用いることができる。なお、反射層３０は、蒸着法に限らず、塗布法、スパッタリング法、ＧＣＩＢ（Ｇａｓ Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）などを用いてもよい。反射層３０の膜厚は、例えば、０．１μｍ〜１μｍである。   In the present embodiment, the reflective layer 30 is a metal vapor deposition film. That is, the reflective layer 30 is formed by depositing a metal material on the lower surface of the ceramic phosphor 20 by vapor deposition. As the vapor deposition method, for example, a vacuum vapor deposition method, a CVD (Chemical Vapor Deposition), an ion beam assist method, or the like can be used. The reflective layer 30 is not limited to a vapor deposition method, and a coating method, a sputtering method, GCIB (Gas Cluster Ion Beam), or the like may be used. The film thickness of the reflective layer 30 is, for example, 0.1 μm to 1 μm.

反射層３０は、光の反射率が高く、かつ、光の吸収率が低い。なお、反射層３０による光の反射は、鏡面反射に限らず、拡散反射でもよい。反射層３０の光の反射率は、例えば、８０％以上であり、好ましくは、９０％以上である。反射層３０の光の吸収率は、例えば、２０％以下であり、好ましくは、１０％以下である。   The reflective layer 30 has a high light reflectance and a low light absorption rate. The reflection of light by the reflection layer 30 is not limited to specular reflection but may be diffuse reflection. The light reflectance of the reflective layer 30 is, for example, 80% or more, and preferably 90% or more. The light absorptance of the reflective layer 30 is, for example, 20% or less, and preferably 10% or less.

本実施の形態では、反射層３０は、熱伝導材料（サーマルインターフェースマテリアル：ＴＩＭ）から構成される。例えば、反射層３０は、アルミニウム、銀などの金属材料から形成される。具体的には、反射層３０としては、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ〜４００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料を用いることができる。反射層３０としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）を使用しない。 In the present embodiment, the reflective layer 30 is made of a heat conductive material (thermal interface material: TIM). For example, the reflective layer 30 is formed from a metal material such as aluminum or silver. Specifically, as the reflective layer 30, a material having a thermal conductivity of 50 W / m · K to 400 W / m · K or more can be used. As the reflective layer 30, silicon oxide (SiO 2 ) or titanium oxide (TiO 2 ) is not used.

［ヒートシンク］
ヒートシンク４０は、セラミック蛍光体２０が戴置される放熱体の一例である。ヒートシンク４０は、セラミック蛍光体２０が含有する蛍光体で発熱する熱を外部（大気中）に放熱するための放熱部材である。したがって、ヒートシンク４０は、金属などの熱伝導率の高い材料を用いて形成することが好ましい。ヒートシンク４０は、例えば、アルミニウム合金を用いたアルミダイカスト製である。また、ヒートシンク４０には、例えば、複数の放熱フィン（図示せず）が設けられていてもよい。 [heatsink]
The heat sink 40 is an example of a heat radiating body on which the ceramic phosphor 20 is placed. The heat sink 40 is a heat radiating member for radiating heat generated by the phosphor contained in the ceramic phosphor 20 to the outside (in the atmosphere). Therefore, the heat sink 40 is preferably formed using a material having high thermal conductivity such as metal. The heat sink 40 is made of, for example, aluminum die casting using an aluminum alloy. Moreover, the heat sink 40 may be provided with a plurality of radiating fins (not shown), for example.

ヒートシンク４０の戴置面４１は、ヒートシンク４０が有する面の１つであり、セラミック蛍光体２０が戴置される面である。具体的には、セラミック蛍光体２０は、反射層３０と接着層５０とを間に挟むようにして戴置面４１に戴置される。より具体的には、下面に反射層３０が形成されたセラミック蛍光体２０が、接着性の材料（接着層５０）が塗布された戴置面４１に戴置される。これにより、セラミック蛍光体２０を容易にヒートシンク４０に固定することができる。   The placement surface 41 of the heat sink 40 is one of the surfaces of the heat sink 40 and is the surface on which the ceramic phosphor 20 is placed. Specifically, the ceramic phosphor 20 is placed on the placement surface 41 with the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 sandwiched therebetween. More specifically, the ceramic phosphor 20 having the reflection layer 30 formed on the lower surface is placed on the placement surface 41 coated with an adhesive material (adhesion layer 50). Thereby, the ceramic phosphor 20 can be easily fixed to the heat sink 40.

［接着層］
接着層５０は、熱伝導材料から構成され、反射層３０とヒートシンク４０とを接着する。具体的には、接着層５０としては、半田又は銀ペーストなどである。なお、接着層５０としては、金属材料に限らず、グリス、サーコンシートなどの樹脂材料を用いてもよい。例えば、接着層５０としては、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ〜１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料を用いることができる。 [Adhesive layer]
The adhesive layer 50 is made of a heat conductive material and adheres the reflective layer 30 and the heat sink 40. Specifically, the adhesive layer 50 is solder or silver paste. The adhesive layer 50 is not limited to a metal material, and may be a resin material such as grease or a cercon sheet. For example, as the adhesive layer 50, a material having a thermal conductivity of 1 W / m · K to 100 W / m · K or more can be used.

［熱伝導性］
ここで、本実施の形態に係る発光装置１において、セラミック蛍光体２０から発せられる熱の伝導性について、図３を用いて説明する。図３は、本実施の形態に係る発光装置１のセラミック蛍光体２０とヒートシンク４０との間の断面を模式的に示す図である。 [Thermal conductivity]
Here, in the light-emitting device 1 which concerns on this Embodiment, the conductivity of the heat | fever emitted from the ceramic fluorescent substance 20 is demonstrated using FIG. FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section between the ceramic phosphor 20 and the heat sink 40 of the light emitting device 1 according to the present embodiment.

図３に示すように、セラミック蛍光体２０の下面は、微小な凹凸２２が形成されている。反射層３０は、凹凸２２を覆い、セラミック蛍光体２０の下面を平坦化するように設けられる。   As shown in FIG. 3, minute irregularities 22 are formed on the lower surface of the ceramic phosphor 20. The reflective layer 30 is provided so as to cover the unevenness 22 and to flatten the lower surface of the ceramic phosphor 20.

同様に、ヒートシンク４０の戴置面４１も微小な凹凸４２が形成されている。接着層５０は、凹凸４２を覆い、ヒートシンク４０の戴置面４１を平坦化するように設けられている。   Similarly, minute unevenness 42 is also formed on the mounting surface 41 of the heat sink 40. The adhesive layer 50 is provided so as to cover the unevenness 42 and flatten the mounting surface 41 of the heat sink 40.

例えば、反射層３０及び接着層５０が設けられていない場合は、セラミック蛍光体２０の凹凸２２とヒートシンク４０の凹凸４２とが接するので、セラミック蛍光体２０とヒートシンク４０との接触面積が小さくなる。また、凹凸２２と凹凸４２とが接触しない部分では、間に空気が含まれるので、熱伝導率が悪くなる。   For example, when the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 are not provided, the unevenness 22 of the ceramic phosphor 20 and the unevenness 42 of the heat sink 40 are in contact with each other, so that the contact area between the ceramic phosphor 20 and the heat sink 40 is reduced. Moreover, since air is contained in the part where the unevenness | corrugation 22 and the unevenness | corrugation 42 do not contact, thermal conductivity worsens.

これに対し、本実施の形態では、反射層３０と接着層５０とは、互いの平坦な面同士が接触するので、反射層３０と接着層５０との接着面積は大きくなる。したがって、セラミック蛍光体２０で発した熱は、反射層３０及び接着層５０を効率良く伝達されて、ヒートシンク４０に伝達される。   On the other hand, in this Embodiment, since the flat surfaces of the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 are in contact with each other, the adhesive area between the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 is increased. Therefore, the heat generated by the ceramic phosphor 20 is efficiently transmitted through the reflective layer 30 and the adhesive layer 50 and is transmitted to the heat sink 40.

［効果など］
本実施の形態に係る発光装置１のように、レーザ励起のセラミック蛍光体２０を用いる場合は、セラミック蛍光体２０で発生する熱をヒートシンク４０に効率良く伝導することが求められる。例えば、セラミック蛍光体２０とヒートシンク４０とを直接接触させることで、セラミック蛍光体２０で発生する熱を効率良くヒートシンク４０に伝導させることができる。 [Effects, etc.]
When the laser-excited ceramic phosphor 20 is used as in the light emitting device 1 according to the present embodiment, it is required to efficiently conduct heat generated in the ceramic phosphor 20 to the heat sink 40. For example, by directly contacting the ceramic phosphor 20 and the heat sink 40, heat generated in the ceramic phosphor 20 can be efficiently conducted to the heat sink 40.

ここで、セラミック蛍光体２０とヒートシンク４０とを直接接触させるためには、セラミック蛍光体２０をヒートシンク４０に対して押圧する必要がある。しかしながら、セラミック蛍光体２０は、セラミックから構成されるので押圧力に弱い。例えば、強い力でセラミック蛍光体２０をヒートシンク４０に押し当てた場合、熱膨張などに耐え切れずに破壊されてしまう恐れがある。   Here, in order to directly contact the ceramic phosphor 20 and the heat sink 40, it is necessary to press the ceramic phosphor 20 against the heat sink 40. However, since the ceramic phosphor 20 is made of ceramic, it is vulnerable to pressing force. For example, when the ceramic phosphor 20 is pressed against the heat sink 40 with a strong force, the ceramic phosphor 20 may be destroyed without being able to withstand thermal expansion.

この点を鑑みて、セラミック蛍光体２０を押圧することでヒートシンク４０に固定するのではなく、熱伝導率の高い接着性材料を用いてセラミック蛍光体２０をヒートシンク４０に固定することが考えられる。   In view of this point, it is conceivable to fix the ceramic phosphor 20 to the heat sink 40 using an adhesive material having high thermal conductivity, instead of fixing the ceramic phosphor 20 to the heat sink 40 by pressing.

一般的に、接着性材料としては、グリス又はサーコンシートが用いられる。しかしながら、グリス又はサーコンシートは、主成分が樹脂で構成されているので、高エネルギーのレーザ光１１が照射された場合に、局所的に耐熱温度を超えてしまう恐れがある。また、グリス又はサーコンシートは、セラミック蛍光体２０の下面側に透過したレーザ光１１を吸収してしまうので、励起される電子の数が減少し、結果として、取り出される光２１（蛍光）が少なくなる。   Generally, grease or a cercon sheet is used as the adhesive material. However, since the main component of the grease or the sircon sheet is made of resin, there is a possibility that when the high-energy laser beam 11 is irradiated, the heat-resistant temperature is locally exceeded. Further, since the grease or the cercon sheet absorbs the laser beam 11 transmitted to the lower surface side of the ceramic phosphor 20, the number of excited electrons decreases, and as a result, the extracted light 21 (fluorescence) is small. Become.

以上の点から、セラミック蛍光体２０とヒートシンク４０とを、樹脂からなる接着性材料を用いて直接接着することができない。   From the above points, the ceramic phosphor 20 and the heat sink 40 cannot be directly bonded using an adhesive material made of resin.

これに対して、本実施の形態に係る発光装置１は、レーザ励起のセラミック蛍光体２０と、セラミック蛍光体２０のレーザ照射面とは異なる面に接触して設けられた、光反射性を有する反射層３０とを備える。また、セラミック蛍光体２０は、互いに対向する２つの主面を有する板状のセラミックから構成され、２つの主面の一方は、レーザ照射面であり、反射層３０は、２つの主面の他方に設けられている。   On the other hand, the light emitting device 1 according to the present embodiment has light reflectivity provided in contact with a laser-excited ceramic phosphor 20 and a surface different from the laser irradiation surface of the ceramic phosphor 20. A reflective layer 30. The ceramic phosphor 20 is composed of a plate-shaped ceramic having two main surfaces facing each other, one of the two main surfaces is a laser irradiation surface, and the reflective layer 30 is the other of the two main surfaces. Is provided.

これにより、セラミック蛍光体２０のレーザ照射面とは反対側に反射層３０が設けられているので、光２１（レーザ光１１及び蛍光）は、反射層３０によって反射される。したがって、励起される電子の数を増加することができ、かつ、蛍光を外部に出射させることができる。よって、光の取り出し効率の低下を抑制することができる。   Thereby, since the reflective layer 30 is provided on the opposite side to the laser irradiation surface of the ceramic phosphor 20, the light 21 (laser light 11 and fluorescence) is reflected by the reflective layer 30. Therefore, the number of excited electrons can be increased and fluorescence can be emitted to the outside. Therefore, a decrease in light extraction efficiency can be suppressed.

また、反射層３０によって光２１が反射されるので、反射層３０のセラミック蛍光体２０とは反対側には、光を吸収する樹脂などの接着性部材を設けることができる。これにより、セラミック蛍光体２０をヒートシンク４０に固定することができる。   Further, since the light 21 is reflected by the reflective layer 30, an adhesive member such as a resin that absorbs light can be provided on the opposite side of the reflective layer 30 from the ceramic phosphor 20. Thereby, the ceramic phosphor 20 can be fixed to the heat sink 40.

さらに、反射層３０によってセラミック蛍光体２０の微小な凹凸２２を覆うことができる。これにより、セラミック蛍光体２０とヒートシンク４０との間に空気が介在するのを抑制することができるので、熱伝導性を向上させることができる。   Furthermore, the minute irregularities 22 of the ceramic phosphor 20 can be covered with the reflective layer 30. Thereby, since it can suppress that air interposes between the ceramic fluorescent substance 20 and the heat sink 40, thermal conductivity can be improved.

また、例えば、反射層３０は、金属蒸着膜である。   For example, the reflective layer 30 is a metal vapor deposition film.

これにより、反射層３０が金属蒸着膜で構成されるので、セラミック蛍光体２０の凹凸２２を適切に覆うことができる。したがって、熱伝導性を向上させることができる。   Thereby, since the reflective layer 30 is comprised with a metal vapor deposition film, the unevenness | corrugation 22 of the ceramic fluorescent substance 20 can be covered appropriately. Therefore, thermal conductivity can be improved.

また、金属蒸着膜からなる反射層３０をセラミック蛍光体２０に形成することで、セラミック基板（セラミック蛍光体２０及び反射層３０）の強度が向上し、セラミック基板をヒートシンク４０などに強く固定することができる。また、セラミック基板の強度が向上するので、セラミック基板は割れにくくなり、セラミック基板を容易に取り扱うことができる。   Further, by forming the reflective layer 30 made of a metal vapor-deposited film on the ceramic phosphor 20, the strength of the ceramic substrate (the ceramic phosphor 20 and the reflective layer 30) is improved, and the ceramic substrate is strongly fixed to the heat sink 40 or the like. Can do. Further, since the strength of the ceramic substrate is improved, the ceramic substrate is not easily broken, and the ceramic substrate can be easily handled.

さらに、セラミック基板の表裏の区別が明確になるので、組み立て作業性を向上させることができる。特に、セラミック蛍光体２０の表面にＡＲ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）コート、又は、耐酸化若しくは耐湿コートなどを施した場合に有用である。   Furthermore, since the distinction between the front and back sides of the ceramic substrate becomes clear, assembly workability can be improved. In particular, it is useful when the surface of the ceramic phosphor 20 is subjected to an AR (Anti-Reflective) coating or an oxidation-resistant or moisture-resistant coating.

また、例えば、反射層３０は、熱伝導材料から構成される。   For example, the reflective layer 30 is comprised from a heat conductive material.

これにより、セラミック蛍光体２０で発した熱を、反射層３０を介して効率良くヒートシンク４０に伝えることができる。   Thereby, the heat generated by the ceramic phosphor 20 can be efficiently transmitted to the heat sink 40 via the reflective layer 30.

また、例えば、発光装置１は、さらに、ヒートシンク４０と、熱伝導材料から構成され、反射層３０とヒートシンク４０とを接着する接着層５０とを備える。   For example, the light emitting device 1 further includes a heat sink 40 and an adhesive layer 50 that is made of a heat conductive material and adheres the reflective layer 30 and the heat sink 40.

これにより、セラミック蛍光体２０で発した熱を、反射層３０及び接着層５０を介して効率良くヒートシンク４０に伝えることができる。   Thereby, the heat generated by the ceramic phosphor 20 can be efficiently transmitted to the heat sink 40 via the reflective layer 30 and the adhesive layer 50.

なお、本実施の形態に係る発光装置１では、接着層５０を備えなくてもよい。この場合であっても、反射層３０の下面は平面であるので、反射層３０がない場合に比べてヒートシンク４０の戴置面４１との接触面積を増加することができる。したがって、熱伝導性を向上させることができる。   Note that the light emitting device 1 according to the present embodiment does not need to include the adhesive layer 50. Even in this case, since the lower surface of the reflective layer 30 is a flat surface, the contact area with the mounting surface 41 of the heat sink 40 can be increased as compared with the case where the reflective layer 30 is not provided. Therefore, thermal conductivity can be improved.

（その他）
以上、本発明に係る発光装置について、上記実施の形態及びその変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。 (Other)
Although the light emitting device according to the present invention has been described based on the above embodiment and its modifications, the present invention is not limited to the above embodiment.

例えば、上記の実施の形態では、発光装置１がレーザ光源１０を備える例について示したが、発光装置１は、レーザ光源１０を備えていなくてもよい。例えば、別のレーザ光源から照射されたレーザ光によってセラミック蛍光体２０が光２１を発してもよい。   For example, in the above embodiment, the example in which the light emitting device 1 includes the laser light source 10 has been described. However, the light emitting device 1 may not include the laser light source 10. For example, the ceramic phosphor 20 may emit light 21 by laser light emitted from another laser light source.

また、例えば、上記の実施の形態では、発光装置１がヒートシンク４０を備える例について示したが、発光装置１は、ヒートシンク４０などの放熱体を備えていなくてもよい。例えば、セラミック蛍光体２０は、放熱体以外の部材に戴置されてもよく、あるいは、クリップのような把持部材によって把持されてもよい。ヒートシンク４０がない場合であっても、反射層３０によって光２１を反射させることができるので、光の取り出し効率を高めることができる。   For example, in the above embodiment, the light emitting device 1 includes the heat sink 40. However, the light emitting device 1 may not include the heat sink such as the heat sink 40. For example, the ceramic phosphor 20 may be placed on a member other than the heat radiator, or may be held by a holding member such as a clip. Even if there is no heat sink 40, the light 21 can be reflected by the reflective layer 30, so that the light extraction efficiency can be increased.

また、例えば、上記の実施の形態では、蛍光体を混合したセラミック粒子を焼結することでセラミック蛍光体２０を形成する例について示したが、これに限らない。例えば、セラミック蛍光体２０は、セラミックの薄膜成長によって作製されてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the ceramic phosphor 20 is formed by sintering the ceramic particles mixed with the phosphor. However, the present invention is not limited thereto. For example, the ceramic phosphor 20 may be fabricated by ceramic thin film growth.

また、例えば、上記の実施の形態では、セラミック蛍光体２０が一枚の平板である例について示したが、これに限らない。セラミック蛍光体２０は、平板に限らず、平板の一部が欠けたような多面体でもよい。   Further, for example, in the above-described embodiment, the example in which the ceramic phosphor 20 is a single flat plate has been described, but the present invention is not limited thereto. The ceramic phosphor 20 is not limited to a flat plate, but may be a polyhedron in which a part of the flat plate is missing.

また、例えば、上記の実施の形態では、セラミック蛍光体２０の２つの主面の一方からレーザ光１１を照射する例について示したが、セラミック蛍光体２０の端面からレーザ光１１を照射してもよい。   Further, for example, in the above-described embodiment, the example in which the laser beam 11 is irradiated from one of the two main surfaces of the ceramic phosphor 20 has been shown, but even if the laser beam 11 is irradiated from the end surface of the ceramic phosphor 20. Good.

また、例えば、上記の実施の形態では、セラミック蛍光体２０の全体に蛍光体を含有させる例について示したが、セラミック蛍光体２０は、一部の領域のみに蛍光体を含有してもよい。   Further, for example, in the above-described embodiment, the example in which the phosphor is contained in the entire ceramic phosphor 20 has been described. However, the ceramic phosphor 20 may contain the phosphor only in a partial region.

具体的には、セラミック蛍光体２０は、レーザ励起の蛍光体を含有する発光部と、発光部を囲むように設けられた、発光部からの光を反射する反射部とを備えてもよい。より具体的には、発光部と反射部とは同一層内に設けられていてもよい。例えば、アルミナ粒子（セラミック粒子）を焼成する際に、所定の領域にのみ蛍光体を添加することで、同一層内に、蛍光体を含有する発光部と蛍光体を含有しない反射部とを形成することができる。   Specifically, the ceramic phosphor 20 may include a light emitting unit containing a laser-excited phosphor, and a reflecting unit that is provided so as to surround the light emitting unit and reflects light from the light emitting unit. More specifically, the light emitting part and the reflecting part may be provided in the same layer. For example, when firing alumina particles (ceramic particles), a phosphor is added only to a predetermined region, thereby forming a light emitting portion containing the phosphor and a reflecting portion not containing the phosphor in the same layer. can do.

なお、上記の実施の形態に係る発光装置１は、例えば、照明装置、プロジェクタ、レーザポインタなどの各種発光装置に利用することができる。   The light emitting device 1 according to the above embodiment can be used for various light emitting devices such as a lighting device, a projector, and a laser pointer.

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。   In addition, the embodiment can be realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment without departing from the scope of the present invention, or a form obtained by subjecting each embodiment to various modifications conceived by those skilled in the art. Forms are also included in the present invention.

１ 発光装置
１０ レーザ光源
１１ レーザ光
２０ セラミック蛍光体
２１ 光
３０ 反射層
４０ ヒートシンク
５０ 接着層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 10 Laser light source 11 Laser light 20 Ceramic fluorescent substance 21 Light 30 Reflective layer 40 Heat sink 50 Adhesive layer

Claims (5)

レーザ励起のセラミック蛍光体と、
前記セラミック蛍光体のレーザ照射面とは異なる面に接触して設けられた、光反射性を有する反射層とを備える
発光装置。 A laser-excited ceramic phosphor;
A light emitting device comprising: a reflective layer having light reflectivity provided in contact with a surface different from a laser irradiation surface of the ceramic phosphor. 前記セラミック蛍光体は、互いに対向する２つの主面を有する板状のセラミックから構成され、
前記２つの主面の一方は、前記レーザ照射面であり、
前記反射層は、前記２つの主面の他方に設けられている
請求項１に記載の発光装置。 The ceramic phosphor is composed of a plate-like ceramic having two main surfaces facing each other,
One of the two main surfaces is the laser irradiation surface,
The light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer is provided on the other of the two main surfaces. 前記反射層は、金属蒸着膜である
請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer is a metal vapor deposition film. 前記反射層は、熱伝導材料から構成される
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer is made of a heat conductive material. 前記発光装置は、さらに、
放熱体と、
熱伝導材料から構成され、前記反射層と前記放熱体とを接着する接着層とを備える
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。 The light emitting device further includes:
A radiator,
The light emitting device according to claim 1, further comprising: an adhesive layer that is made of a heat conductive material and adheres the reflective layer and the heat radiating body.
JP2014185302A 2014-09-11 2014-09-11 Light-emitting device Pending JP2016058619A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014185302A JP2016058619A (en) 2014-09-11 2014-09-11 Light-emitting device
DE102015113692.9A DE102015113692A1 (en) 2014-09-11 2015-08-19 Wavelength conversion element, light emitting device, projector, and method of manufacturing a wavelength conversion element
CN201510510691.4A CN105423238B (en) 2014-09-11 2015-08-19 Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member
US14/832,117 US9785039B2 (en) 2014-09-11 2015-08-21 Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014185302A JP2016058619A (en) 2014-09-11 2014-09-11 Light-emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016058619A true JP2016058619A (en) 2016-04-21

Family

ID=55758853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014185302A Pending JP2016058619A (en) 2014-09-11 2014-09-11 Light-emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016058619A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018124082A1 (en) * 2016-12-28 2018-07-05 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source apparatus and method for manufacturing same
KR101977261B1 (en) * 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 Phosphor module
JP2019211670A (en) * 2018-06-06 2019-12-12 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light-emitting element
WO2019244506A1 (en) 2018-06-18 2019-12-26 日本特殊陶業株式会社 Optical wavelength conversion material, optical wavelength conversion device, and light emitting device
CN110895378A (en) * 2018-09-13 2020-03-20 松下知识产权经营株式会社 Fluorescent wheel device, illumination device, and projection type image display device
WO2022123878A1 (en) * 2020-12-10 2022-06-16 シャープ株式会社 Wavelength conversion member, light source device, headlight fixture, and projection device
JP7322306B1 (en) 2020-06-25 2023-08-07 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ ceramic phosphor array

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099284A (en) * 2010-10-29 2012-05-24 Sharp Corp Light-emitting device, headlight for vehicle, lighting system, and laser element
JP2012109220A (en) * 2010-10-29 2012-06-07 Sharp Corp Light-emitting device, lighting device, vehicular headlight, and vehicle
JP2012185403A (en) * 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp Light emitting element and method for producing the same, light source device, and projector
JP2012226986A (en) * 2011-04-20 2012-11-15 Stanley Electric Co Ltd Light source device and lighting system
JP2013130605A (en) * 2011-12-20 2013-07-04 Panasonic Corp Light source device and projector
US20130250544A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Nathan Zink Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
WO2014123145A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source device
US20140240676A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Barco N.V. Light valve projector with laser-phosphor light converter

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099284A (en) * 2010-10-29 2012-05-24 Sharp Corp Light-emitting device, headlight for vehicle, lighting system, and laser element
JP2012109220A (en) * 2010-10-29 2012-06-07 Sharp Corp Light-emitting device, lighting device, vehicular headlight, and vehicle
JP2012185403A (en) * 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp Light emitting element and method for producing the same, light source device, and projector
JP2012226986A (en) * 2011-04-20 2012-11-15 Stanley Electric Co Ltd Light source device and lighting system
JP2013130605A (en) * 2011-12-20 2013-07-04 Panasonic Corp Light source device and projector
US20130250544A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Nathan Zink Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
WO2014123145A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source device
US20140240676A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Barco N.V. Light valve projector with laser-phosphor light converter

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018107065A (en) * 2016-12-28 2018-07-05 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source device and manufacturing method of the same
WO2018124082A1 (en) * 2016-12-28 2018-07-05 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source apparatus and method for manufacturing same
US10704777B2 (en) 2016-12-28 2020-07-07 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Fluorescent light source device and production process of same
US10670211B2 (en) 2017-11-03 2020-06-02 Lg Electronics Inc. Phosphor module
KR101977261B1 (en) * 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 Phosphor module
JP2019211670A (en) * 2018-06-06 2019-12-12 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light-emitting element
JP7119600B2 (en) 2018-06-06 2022-08-17 ウシオ電機株式会社 fluorescent light emitting element
WO2019244506A1 (en) 2018-06-18 2019-12-26 日本特殊陶業株式会社 Optical wavelength conversion material, optical wavelength conversion device, and light emitting device
KR20200144142A (en) 2018-06-18 2020-12-28 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 Optical wavelength conversion member, optical wavelength conversion device, and light emitting device
CN110895378A (en) * 2018-09-13 2020-03-20 松下知识产权经营株式会社 Fluorescent wheel device, illumination device, and projection type image display device
CN110895378B (en) * 2018-09-13 2022-06-24 松下知识产权经营株式会社 Fluorescent wheel device, illumination device, and projection type image display device
JP7322306B1 (en) 2020-06-25 2023-08-07 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ ceramic phosphor array
WO2022123878A1 (en) * 2020-12-10 2022-06-16 シャープ株式会社 Wavelength conversion member, light source device, headlight fixture, and projection device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016058619A (en) Light-emitting device
US9785039B2 (en) Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member
US10777711B2 (en) Wavelength conversion element and light emitting device
EP2933884B1 (en) Light emitting device
JP2016058624A (en) Light-emitting device
EP3396232B1 (en) Light-emitting element and illumination device
JP6371201B2 (en) Light emitting module and light emitting device using the same
EP3438710A1 (en) Wavelength conversion member, manufacturing method therefor, and light-emitting device
WO2017056470A1 (en) Wavelength conversion element and light emitting device
TW201608005A (en) Wavelength conversion member and light emitting device using same
JP2013207049A (en) Light emitting device using wavelength conversion body
CN110737085B (en) Wavelength conversion device
JP7235944B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
JP2014137973A (en) Light source device
WO2018124082A1 (en) Fluorescent light source apparatus and method for manufacturing same
JP2016009761A (en) Light emitting module
US10808903B2 (en) Light converting device with ceramic protection layer
JP2018107064A (en) Fluorescent light source device and manufacturing method of the same
CN110050223B (en) Light conversion device
JP6632108B1 (en) Phosphor element, its manufacturing method and lighting device
CN218442084U (en) Wavelength conversion assembly and light emitting device
WO2020066077A1 (en) Phosphor element, method for producing same, and lighting device
JP2018163828A (en) Phosphor element and illumination device
CN117515470A (en) Wavelength conversion module and light-emitting device
CN113574454A (en) Optical element, vehicle headlamp, light source device, and projection device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180417

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20181016