JP2016043297A - Coating applicator, bonding system, coating method, bonding method, program, and information storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、塗布装置、接合システム、塗布方法、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体に関する。 The present invention relates to a coating apparatus, a bonding system, a coating method, a bonding method, a program, and an information storage medium.
近年、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）などの基板の大口径化および薄型化が進んでおり、基板を補強するため、当該基板に別の基板を一時的に貼り合わせることが行われている（例えば特許文献１参照）。基板同士は接着層を介して接合され、接着層は複数の層で構成される。これらの層は、基板にコート液を塗布した後、基板を熱処理することにより形成される。 In recent years, a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) has been increased in diameter and thickness, and in order to reinforce the substrate, another substrate is temporarily bonded to the substrate. (For example, refer to Patent Document 1). The substrates are bonded together via an adhesive layer, and the adhesive layer is composed of a plurality of layers. These layers are formed by applying a coating solution to the substrate and then heat-treating the substrate.
塗布装置は、基板を水平に保持する保持部と、保持部を回転させる回転駆動部と、保持部と共に回転する基板に対し異なる種類のコート液を供給する複数の塗布ノズルと、保持部を囲むカップとを有する。塗布ノズルから基板に塗布されたコート液は遠心力によって基板の表面全体に均一に広がり、余剰のコート液が基板の外周部から振り切られカップ内に回収される。 The coating apparatus surrounds the holding unit, a holding unit that holds the substrate horizontally, a rotation driving unit that rotates the holding unit, a plurality of application nozzles that supply different types of coating liquid to the substrate that rotates together with the holding unit, and the holding unit. And a cup. The coating liquid applied to the substrate from the coating nozzle spreads uniformly over the entire surface of the substrate by centrifugal force, and excess coating liquid is shaken off from the outer periphery of the substrate and collected in the cup.
複数種類のコート液が一のカップ内に回収される際に均一に混じり合わない場合がある。例えば一のコート液に含まれる溶質が他のコート液に含まれる溶剤に溶解しない場合、コート液に含まれる溶剤同士が溶解しない場合、コート液に含まれる溶質同士が反応する場合などが挙げられる。 When multiple types of coating liquids are collected in one cup, they may not be mixed uniformly. For example, when the solute contained in one coating solution does not dissolve in the solvent contained in the other coating solution, when the solvents contained in the coating solution do not dissolve, the solute contained in the coating solution reacts, and the like. .
複数種類のコート液が一のカップ内に回収される際に均一に混じり合わない場合、カップの開口（例えば排気口、排液口）が詰まりやすく、カップの交換頻度が高かった。 When a plurality of types of coating liquids were not mixed uniformly when collected in one cup, the cup opening (for example, the exhaust port and the drain port) was easily clogged, and the cup was frequently replaced.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数種類のコート液がカップ内に回収される場合にカップの交換頻度を低減できる、塗布装置の提供を主な目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide a coating apparatus that can reduce the replacement frequency of a cup when a plurality of types of coating liquids are collected in the cup.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部と共に回転する基板に対し、異なる種類のコート液を供給する複数の塗布ノズルと、
少なくとも１つの前記塗布ノズルから供給されるコート液に対し溶解する洗浄液を、前記保持部と共に回転する基板に対し供給する洗浄ノズルと、
前記保持部を囲むカップと、
前記保持部の回転、前記塗布ノズルからのコート液の供給、前記洗浄ノズルからの洗浄液の供給を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記保持部と共に回転する基板に対し、前記塗布ノズルからコート液を供給する前に、供給するコート液に対し溶解する洗浄液を前記洗浄ノズルから供給する、塗布装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A holding unit for holding the substrate horizontally;
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A plurality of application nozzles for supplying different types of coating liquids to the substrate rotating together with the holding unit;
A cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid that dissolves in a coating liquid supplied from at least one application nozzle to a substrate that rotates together with the holding unit;
A cup surrounding the holding portion;
A controller that controls rotation of the holding unit, supply of a coating liquid from the application nozzle, and supply of a cleaning liquid from the cleaning nozzle;
Before the coating liquid is supplied from the coating nozzle to the substrate that rotates together with the holding section, the controller supplies a cleaning liquid that dissolves in the supplied coating liquid from the cleaning nozzle. .
本発明の一態様によれば、複数種類のコート液がカップ内に回収される場合にカップの交換頻度を低減できる、塗布装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a coating apparatus that can reduce the replacement frequency of a cup when a plurality of types of coating liquids are collected in the cup.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向、Ｚ方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, the X direction, the Y direction, and the Z direction are directions perpendicular to each other, the X direction and the Y direction are horizontal directions, and the Z direction is a vertical direction.
図１は、一実施形態による接合システムの概略を示す平面図である。図２は、一実施形態による接合システムを用いて作製される重合ウェハの側面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a joining system according to an embodiment. FIG. 2 is a side view of a superposed wafer made using a bonding system according to one embodiment.
接合システム１は、被処理ウェハＷの接合面と支持ウェハＳの接合面とを向かい合わせ、接着層Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを接合させることで、重合ウェハＴを作製する。 The bonding system 1 produces a superposed wafer T by facing the bonding surface of the wafer to be processed W and the bonding surface of the support wafer S and bonding the wafer to be processed W and the support wafer S via the adhesive layer G. To do.
被処理ウェハＷは、素子、回路、端子などが形成されたものである。素子、回路、端子などが形成される面が接合面とされる。被処理ウェハＷの接合面とは反対側の面は、接合後に研磨される。研磨の後、被処理ウェハＷの研磨面に、表面電極、貫通電極などが形成されてもよい。尚、被処理ウェハＷは、複数のウェハを積層したものでもよい。 The wafer W to be processed is formed with elements, circuits, terminals, and the like. A surface on which elements, circuits, terminals, and the like are formed is a bonding surface. The surface opposite to the bonding surface of the processing target wafer W is polished after bonding. After polishing, a surface electrode, a through electrode, or the like may be formed on the polishing surface of the wafer W to be processed. The wafer W to be processed may be a laminate of a plurality of wafers.
支持ウェハＳは、被処理ウェハＷと接合され、被処理ウェハＷを一時的に補強する。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの研磨後に、被処理ウェハＷから剥離される。剥離された支持ウェハＳは、洗浄された後、別の被処理ウェハＷと接合されてもよい。 The support wafer S is bonded to the processing target wafer W and temporarily reinforces the processing target wafer W. The support wafer S is peeled from the processing target wafer W after the processing target wafer W is polished. The peeled support wafer S may be bonded to another wafer to be processed W after being cleaned.
重合ウェハＴは、図２に示すように、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、および被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを接着する接着層Ｇで構成される。接着層Ｇは、例えば接着剤層Ｇ１、および剥離剤層Ｇ２を有する。 As shown in FIG. 2, the superposed wafer T includes a processing target wafer W, a supporting wafer S, and an adhesive layer G that bonds the processing target wafer W and the supporting wafer S together. The adhesive layer G includes, for example, an adhesive layer G1 and a release agent layer G2.
接着剤層Ｇ１は、接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば被処理ウェハＷの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。接着剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。 The adhesive layer G1 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an adhesive and an organic solvent that dissolves the adhesive to the bonding surface of the wafer W to be processed and then performing a heat treatment. The adhesive may be either a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
剥離剤層Ｇ２は、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を円滑に行うためのものである。剥離剤層Ｇ２は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば支持ウェハＳの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。剥離剤は、接着剤よりも接着力の低いものである。接着層Ｇの接着力を高めるため、剥離剤層Ｇ２の厚さは接着剤層Ｇ１の厚さよりも著しく薄い。 The release agent layer G2 is for smoothly peeling the wafer W to be processed and the support wafer S from each other. The release agent layer G2 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an organic solvent that dissolves the release agent and the release agent to the bonding surface of the support wafer S and then performing heat treatment. The release agent has a lower adhesive force than the adhesive. In order to increase the adhesive strength of the adhesive layer G, the thickness of the release agent layer G2 is significantly smaller than the thickness of the adhesive layer G1.
接合システム１は、図１に示すように、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、制御装置５とを有する。
As shown in FIG. 1, the joining system 1 includes a carry-in /
搬入出ステーション２は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、および重合ウェハＴを処理ステーション３に対し搬入出する。搬入出ステーション２は、カセット載置台１０、および搬送装置２０を有する。
The loading /
カセット載置台１０は、複数（例えば４つ）の載置部１２を含む。複数の載置部１２はＹ方向に間隔をおいて並び、これらの載置部１２にカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが載置される。カセットＣＷは被処理ウェハＷを、カセットＣＳは支持ウェハＳを、カセットＣＴは重合ウェハＴをそれぞれ複数収容する。重合ウェハＴは、良品と不良品とに識別され、良品用のカセットＣＴと、不良品用のカセットＣＴとに分けて収容されてよい。尚、載置部１２の個数は、４つに限定されない。
The cassette mounting table 10 includes a plurality of (for example, four)
搬送装置２０は、載置部１２上のカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴと、処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、および重合ウェハＴを搬送する。搬送装置２０は、搬送路２１と、搬送路２１に沿ってＹ方向に移動自在な搬送アーム２２とを有する。搬送アーム２２は、Ｘ方向およびＺ方向に移動自在とされてよく、且つ、Ｚ方向に平行な回転軸を中心に回転自在とされてよい。
Conveying
処理ステーション３は、第１処理ブロックＢ１、第２処理ブロックＢ２、第３処理ブロックＢ３、および搬送ブロックＢ４を有する。第１処理ブロックＢ１、第２処理ブロックＢ２、および第３処理ブロックＢ３は、搬送ブロックＢ４に対し着脱自在とされる。 The processing station 3 includes a first processing block B1, a second processing block B2, a third processing block B3, and a transfer block B4. The first processing block B1, the second processing block B2, and the third processing block B3 are detachable from the transport block B4.
第１処理ブロックＢ１は、塗布装置３０、および熱処理装置５０を有する。塗布装置３０および熱処理装置５０は、搬送ブロックＢ４に隣接する。
The first processing block B1 includes a
塗布装置３０は、被処理ウェハＷに第１コート液を塗布する。第１コート液は、例えば接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤を含む。また、塗布装置３０は、支持ウェハＳに第２コート液を塗布する。第２コート液は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤を含む。
The
熱処理装置５０は、第１コート液が塗布された被処理ウェハＷを熱処理し、第１コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、接着剤層Ｇ１を形成する。また、熱処理装置５０は、第２コート液が塗布された支持ウェハＳを熱処理し、第２コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、剥離剤層Ｇ２を形成する。熱処理装置５０は、Ｚ方向に４段積みされた状態で、Ｘ方向に２列配置される。各熱処理装置５０は、被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳの少なくとも一方を加熱する加熱部を有し、該加熱部によって加熱したものを冷却する冷却部をさらに有してよい。尚、熱処理装置５０の数や位置は多種多様であってよい。
The
第２処理ブロックＢ２は、接合装置６０を有する。接合装置６０は、搬送ブロックＢ４に隣接する。
The second processing block B2 includes a joining
接合装置６０は、被処理ウェハＷの接合面と支持ウェハＳの接合面とを向かい合わせ、接着層Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを接合させることで、重合ウェハＴを作製する。接合装置６０は、接合時の気泡の閉じ込めを抑制するため、減圧雰囲気下で被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを接合させる。接合装置６０は、接着層Ｇを軟化させるため、被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳを熱処理する。
The
第３処理ブロックＢ３は、トランジション装置７０を有する。トランジション装置７０は、Ｚ方向に２段積みされる。トランジション装置７０は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、および重合ウェハＴを一時的に保管し、搬送装置２０やプロセス搬送装置８０に対し受け渡す。尚、トランジション装置７０の数や位置は多種多様であってよい。
The third processing block B3 includes a
尚、第３処理ブロックＢ３は、重合ウェハＴの欠陥（例えば気泡）の有無を検査する検査装置をさらに有してもよい。 The third processing block B3 may further include an inspection device that inspects the presence or absence of defects (for example, bubbles) in the overlapped wafer T.
搬送ブロックＢ４は、プロセス搬送装置８０を有する。プロセス搬送装置８０は、処理ステーション３内の装置間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、および重合ウェハＴを搬送するプロセス搬送アーム８１を有する。プロセス搬送アーム８１は、例えばＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向に移動自在とされ、且つＺ方向に平行な回転軸を中心に回転自在とされる。
The transport block B4 includes a
制御装置５は、メモリなどの記憶部６と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）７などを含むコンピュータで構成され、記憶部６に記憶されたプログラム（レシピとも呼ばれる）をＣＰＵ７に実行させることにより各種処理を実現させる。尚、制御装置５は、本実施形態では塗布装置３０とは別に設けられるが、塗布装置３０の一部であってもよい。制御装置５が、特許請求の範囲に記載の制御部に対応する。
The
制御装置５のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
The program of the
次に、図３を参照して、上記接合システム１を用いた接合方法について説明する。図３は、一実施形態による接合方法のフローチャートである。ここでは、被処理ウェハＷに着目して接合方法を説明する。 Next, a joining method using the joining system 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart of a bonding method according to an embodiment. Here, the bonding method will be described focusing on the wafer W to be processed.
接合方法は、搬入工程（ステップＳ１１）、塗布工程（ステップＳ１３）、熱処理工程（ステップＳ１５）、接合工程（ステップＳ１７）、搬出工程（ステップＳ１９）などを有する。これらの工程は、制御装置５による制御下で実施される。
The joining method includes a carry-in process (step S11), a coating process (step S13), a heat treatment process (step S15), a joining process (step S17), a carry-out process (step S19), and the like. These steps are performed under the control of the
搬入工程では、搬送装置２０が被処理ウェハＷを載置部１２上のカセットＣＷからトランジション装置７０に搬送し、次いで、プロセス搬送装置８０が被処理ウェハＷをトランジション装置７０から塗布装置３０に搬送する。
In the carry-in process, the
塗布工程では、塗布装置３０が被処理ウェハＷの接合面に第１コート液を塗布する。第１コート液は、例えば接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤を含む。第１コート液の塗布後、プロセス搬送装置８０が被処理ウェハＷを塗布装置３０から熱処理装置５０に搬送する。
In the coating process, the
熱処理工程では、第１コート液が塗布された被処理ウェハＷを熱処理装置５０によって熱処理し、第１コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、接着剤層Ｇ１を形成する。熱処理後、プロセス搬送装置８０が被処理ウェハＷを熱処理装置５０から接合装置６０に搬送する。
In the heat treatment step, the wafer W to which the first coating liquid is applied is heat-treated by the
このようにして、被処理ウェハＷは、カセットＣＷから取り出され、塗布装置３０、熱処理装置５０に順次搬送される。そうして、被処理ウェハＷの接合面に接着剤層Ｇ１が形成される。その後、被処理ウェハＷは、接合装置６０に搬送される。
In this way, the wafer W is taken out of the cassette C W, the
この間、同様にして、支持ウェハＳが、カセットＣＳから取り出され、塗布装置３０、熱処理装置５０に順次搬送される。塗布装置３０は、支持ウェハＳの接合面に第２コート液を塗布する。第２コート液は、例えば剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤を含む。熱処理装置５０は、第２コート液が塗布された支持ウェハＳを熱処理し、第２コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、剥離剤層Ｇ２を形成する。その後、プロセス搬送装置８０が支持ウェハＳを接合装置６０に搬送する。
During this time, similarly, the support wafer S is taken out from the cassette C S, the
接合工程では、接合装置６０が被処理ウェハＷの接合面と支持ウェハＳの接合面とを向かい合わせ、接着層Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを接合させることで、重合ウェハＴを作製する。
In the bonding process, the
搬出工程では、プロセス搬送装置８０が重合ウェハＴを接合装置６０からトランジション装置７０に搬送し、次いで、搬送装置２０が重合ウェハＴをトランジション装置７０から載置部１２上のカセットＣＴに搬送する。
The unloading step, the
次に、図４および図５を参照して、上記塗布装置３０の詳細について説明する。図４は、一実施形態による塗布装置の断面図である。図５は、図４のV−V線に沿った断面図である。
Next, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, the detail of the said
塗布装置３０は、チャンバ３１、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）３２、スピンチャック３３、接着剤ノズル３４、剥離剤ノズル３５、カップ３６、バックリンスノズル３７、ベベルリンスノズル３８、液面レベルセンサ３９（図５参照）、吸引ポンプ４１（図５参照）、および補給ノズル４２（図５参照）を備える。
The
チャンバ３１は、スピンチャック３３、接着剤ノズル３４、剥離剤ノズル３５、カップ３６、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８などを収容する。チャンバ３１の天井に、ＦＦＵ３２が設けられる。ＦＦＵ３２は、チャンバ３１内にダウンフローを形成する。
The
スピンチャック３３は、チャンバ３１の略中央に設けられ、保持部３３１、支柱部３３２、および回転駆動部３３３を備える。保持部３３１は、例えば真空チャックであり、被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳを順番に水平に保持する。被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳは、接合面を上に向けた状態で、保持部３３１に保持される。支柱部３３２はＺ方向に平行とされ、支柱部３３２の基端部は回転駆動部３３３に回転可能に支持され、支柱部３３２の先端部は保持部３３１を支持する。回転駆動部３３３は、支柱部３３２の中心線を中心に支柱部３３２を回転させることにより、保持部３３１を回転させる。
The
接着剤ノズル３４は、被処理ウェハＷに対し第１コート液を供給する塗布ノズルである。第１コート液は、溶質である接着剤、および接着剤を溶かす有機溶剤（以下、有機溶剤Ａともいう）を含む。接着剤ノズル３４は、接着剤流量調節バルブ３４１を介して接着剤供給源３４２に接続され、接着剤供給源３４２から供給される第１コート液を被処理ウェハＷに対し供給する。接着剤ノズル３４は、保持部３３１に対し移動自在とされ、上方視において被処理ウェハＷの中央部に重なる供給位置（図４、図５に示す位置）と被処理ウェハＷから外れた待機位置との間で移動自在とされる。
The
剥離剤ノズル３５は、支持ウェハＳに対し第２コート液を供給する塗布ノズルである。第２コート液は、溶質である剥離剤、および剥離剤を溶かす有機溶剤（以下、有機溶剤Ｂともいう）を含む。第２コート液の有機溶剤Ｂは、第１コート液の有機溶剤Ａに対する溶解性をほとんど有しないが、剥離剤に対し良好な溶解性を有する。剥離剤ノズル３５は、剥離剤流量調節バルブ３５１を介して剥離剤供給源３５２に接続され、剥離剤供給源３５２から供給される第２コート液を支持ウェハＳに対し供給する。剥離剤ノズル３５は、接着剤ノズル３４と同様に、保持部３３１に対し移動自在とされ、上方視において支持ウェハＳの中央部に重なる供給位置と支持ウェハＳから外れた待機位置との間で移動自在とされる。
The
カップ３６は、保持部３３１を取り囲み、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷや支持ウェハＳから振り切られる液体（第１コート液や第２コート液、洗浄液など）を捕集する。カップ３６は、外カップ３６１と、内カップ３６９とを備える。
The
外カップ３６１は、保持部３３１を取り囲む円筒部３６２と、円筒部３６２の上端から斜め上方に延在する傾斜部３６３と、円筒部３６２の底を塞ぐ底部３６４とを有する。底部３６４は、排気口３６５（図４参照）および排液口３６６（図５参照）を有する。排気口３６５および排液口３６６は、上方視において、底部３６４の中心を中心に同心円状に並ぶ。
The
外カップ３６１は、排気口３６５の開口縁から上方に突出する排気筒部３６７を有する。排気筒部３６７は、外カップ３６１内に溜まる液体が排気口３６５に流れ込むのを抑制する。
The
外カップ３６１の内底面は、図５に示すようにＺ方向に対し傾斜しており、底部３６４の中心から排液口３６６に向かうほど低く、底部３６４の中心から排液口３６６と反対側に向かうほど高い。外カップ３６１内に溜まる液体が、底部３６４の傾斜によって排液口３６６に集まる。このとき溶質よりも粘度の低い有機溶剤が溶質よりも先に排液口３６６から排出されないように、外カップ３６１は排液口３６６の開口縁から上方に突出する排液筒部３６８を有する。排液筒部３６８の上端は、排気筒部３６７の上端よりも下方に配置され、底部３６４の上面全体よりも上方に配置される。尚、排液筒部３６８は、外カップ３６１内に液体を溜め、外カップ３６１の内底面を濡らすことで、その内底面における固形物の発生を抑制する役割も有する。この役割のみを排液筒部３６８が有してもよく、外カップ３６１の内底面は水平でもよい。
The inner bottom surface of the
内カップ３６９は、外カップ３６１の内側に配置され、外カップ３６１との間に通路を形成する。ＦＦＵ３２から供給されるダウンフローガスは、上記通路を通り、排気口３６５から排気される。被処理ウェハＷから振り切られる第１コート液や支持ウェハＳから振り切られる第２コート液は、ダウンフローガスの流れに沿って上記通路を通り、排液口３６６から排出される。上記通路は下方に向かうほど狭く、内カップ３６９の外周面は下方に向かうほど径方向外方に張り出す。内カップ３６９の内周面は、下方に向かうほど径方向内方に張り出す。
The
バックリンスノズル３７は、スピンチャック３３の近傍において、スピンチャック３３の中心線を中心に同心円状に複数配置され、それぞれの吐出口をカップ３６の径方向外方に向けて配置される。各バックリンスノズル３７は、バックリンス流量調節バルブ３７１を介して洗浄液供給源３７２に接続されており、洗浄液供給源３７２から供給される洗浄液を被処理ウェハＷの裏面や支持ウェハＳの裏面に供給する洗浄ノズルである。
A plurality of back rinse
ベベルリンスノズル３８は、バックリンスノズル３７よりもカップ３６の径方向外方に設けられる。ベベルリンスノズル３８は、スピンチャック３３の中心線を中心に同心円状に複数配置され、それぞれの吐出口をカップ３６の径方向外方に向けて配置される。ベベルリンスノズル３８は、ベベルリンス流量調節バルブ３８１を介して洗浄液供給源３７２に接続されており、洗浄液供給源３７２から供給される洗浄液を被処理ウェハＷの裏面外周部および支持ウェハＳの裏面外周部に供給する洗浄ノズルである。
The
洗浄液供給源３７２から供給される洗浄液は、例えば、接着剤を溶かす有機溶剤Ａと、剥離剤を溶かす有機溶剤Ｃとを混ぜたものであり、第１コート液および第２コート液の両方に対し溶解するものである。洗浄液の有機溶剤Ｃは、第２コート液の有機溶剤Ｂとは異なるものであり、有機溶剤Ｂよりも剥離剤に対し低い溶解性を有するが、有機溶剤Ａに対し良好な溶解性を有する。剥離剤層Ｇ２は接着剤層Ｇ１よりも著しく薄く、第２コート液の使用量は第１コート液の使用量に比べて著しく少ない。そのため、洗浄液において、有機溶剤Ｃの含有量は有機溶剤Ａの含有量に比べて著しく少なくてよい。
The cleaning liquid supplied from the cleaning
液面レベルセンサ３９は、カップ３６内に溜まる液体の液面レベルを検出し、検出結果を制御装置５に出力する。制御装置５は、カップ３６内に溜まる液体の液面レベルを監視しており、液面レベルに異常が生じた場合に、不図示の警報装置を作動させ、ユーザの注意を喚起する。また、制御装置５は、液面レベルに異常が生じた場合に、吸引ポンプ４１および補給ノズル４２の少なくとも一方を作動させ、液面レベルを正常に戻す。
The
補給ノズル４２は、洗浄液流量調節バルブ４２１を介して洗浄液供給源３７２に接続されており、洗浄液供給源３７２から供給される洗浄液をカップ３６内に補給する。補給ノズル４２から吐出される洗浄液は、被処理ウェハＷや支持ウェハＳを介さずに、カップ３６内に直接供給される。補給ノズル４２は、その吐出口をカップ３６の底部に向けてカップ３６内に配置される。
The replenishing
尚、補給ノズル４２は、その吐出口を上に向けた状態でカップ３６の底部に配置されてもよいし、その吐出口をカップ３６の径方向内方に向けた状態でカップ３６の円筒部３６２の下部に配置されてもよい。補給ノズル４２は、カップ３６内の液体をかき混ぜながら洗浄液を補給でき、カップ３６の底部に固形物が沈む場合に固形物を溶かすことができる。
The replenishing
吸引ポンプ４１は、排液口３６６と接続されており、カップ３６内に溜まる液体を外部に吸引する。
The
次に、図６を参照して、上記塗布装置３０を用いた塗布方法について説明する。図６は、一実施形態による塗布方法のフローチャートである。
Next, a coating method using the
図６に示すように、塗布方法は、被処理ウェハ搬入工程（ステップＳ２１）、第１洗浄液供給工程（ステップＳ２２）、第１コート液供給工程（ステップＳ２３）、被処理ウェハ搬出工程（ステップＳ２４）、支持ウェハ搬入工程（ステップＳ２５）、第２洗浄液供給工程（ステップＳ２６）、第２コート液供給工程（ステップＳ２７）、および支持ウェハ搬出工程（ステップＳ２８）を有する。これらの工程は、制御装置５による制御下で実施される。
As shown in FIG. 6, the coating method includes a wafer to be processed loading step (step S21), a first cleaning liquid supply step (step S22), a first coating liquid supply step (step S23), and a wafer unloading step (step S24). ), A support wafer carry-in process (step S25), a second cleaning liquid supply process (step S26), a second coating liquid supply process (step S27), and a support wafer carry-out process (step S28). These steps are performed under the control of the
被処理ウェハ搬入工程では、プロセス搬送装置８０が被処理ウェハＷをトランジション装置７０から塗布装置３０に搬入し、保持部３３１が被処理ウェハＷを保持する。
In the process wafer carry-in process, the
第１洗浄液供給工程では、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８が、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷに対し洗浄液を供給する。洗浄液は、被処理ウェハＷの裏面に供給され、遠心力によって被処理ウェハＷの外周部から振り切られカップ３６内に回収される。尚、洗浄液は、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８の一方から供給されてもよい。
In the first cleaning liquid supply step, the back rinse
第１洗浄液供給工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させてよい。被処理ウェハＷの外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。洗浄液で濡らす場所としては、例えば、外カップ３６１の外周部（円筒部３６２および傾斜部３６３）、および内カップ３６９の外周面が挙げられる。保持部３３１の回転数が低いほど、液滴の飛散方向は下向きになる。
In the first cleaning liquid supply step, the number of rotations of the holding
第１洗浄液供給工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させてよい。液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物（液体および固形物）を上から下に向けて洗い落とすことができる。
In the first cleaning liquid supply step, the number of rotations of the holding
第１コート液供給工程では、接着剤ノズル３４が、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷに対し第１コート液を供給する。第１コート液は遠心力によって被処理ウェハＷの表面に均一に広がり、余剰の第１コート液が被処理ウェハＷの外周部から振り切られカップ３６内に回収される。
In the first coating liquid supply step, the
第１コート液供給工程では、第１コート液が被処理ウェハＷの裏面に回り込むのを防止するため、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８が、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷに対し洗浄液を供給する。
In the first coating liquid supply step, in order to prevent the first coating liquid from flowing around the back surface of the processing target wafer W, the back rinse
被処理ウェハ搬出工程では、保持部３３１が被処理ウェハＷの保持を解除し、プロセス搬送装置８０が被処理ウェハＷを塗布装置３０から搬出し、熱処理装置５０に搬送する。
In the processing target wafer unloading step, the holding
本実施形態によれば、第１コート液供給工程の前に第１洗浄液供給工程が行われ、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷに対し、第１コート液が供給される前に、洗浄液が供給される。第1コート液の供給直前に、第１コート液に対し溶解する洗浄液の膜がカップ３６内に形成される。よって、第１コート液の供給時に第１コート液の液滴が外カップ３６１の外周部や内カップ３６９の外周面から落ちやすく、第１コート液が外カップ３６１の底部に集まりやすいため、第１コート液の有機溶剤の揮発による固形物の発生が抑制できる。そのため、カップ３６の交換頻度が低減できる。この効果は、第１コート液が接着層の形成に用いられる場合に顕著である。接着層の場合、固形物の除去が困難であり、カップ３６の再生が困難であるためである。
According to the present embodiment, the first cleaning liquid supply process is performed before the first coating liquid supply process, and the cleaning liquid is supplied before the first coating liquid is supplied to the wafer W to be processed that rotates together with the holding
また、本実施形態によれば、第１洗浄液供給工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させる。被処理ウェハＷの外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。
Further, according to the present embodiment, in the first cleaning liquid supply step, the rotation speed of the holding
さらに、本実施形態によれば、第１洗浄液供給工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させる。洗浄液の液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物を上から下に向けて洗い落とすことができる。
Furthermore, according to the present embodiment, in the first cleaning liquid supply step, the rotation speed of the holding
尚、本実施形態では、第１洗浄液供給工程と第２洗浄液供給工程とで洗浄液や洗浄液の供給ラインを共通化させるため、第１洗浄液供給工程の洗浄液として、第１コート液および第２コート液の両方に溶解するものが用いられるが、第１コート液のみに溶解するものが用いられてもよい。また、本実施形態では、複数の被処理ウェハＷのそれぞれに対し第１洗浄液供給工程が行われるが、複数の被処理ウェハＷの一部のみに対し第１洗浄液供給工程が行われてもよい。 In this embodiment, since the cleaning liquid and the cleaning liquid supply line are shared by the first cleaning liquid supply process and the second cleaning liquid supply process, the first coating liquid and the second coating liquid are used as the cleaning liquid in the first cleaning liquid supply process. Those that dissolve in both are used, but those that dissolve only in the first coating solution may be used. In the present embodiment, the first cleaning liquid supply process is performed on each of the plurality of wafers W to be processed. However, the first cleaning liquid supply process may be performed on only a part of the plurality of wafers W to be processed. .
支持ウェハ搬入工程では、プロセス搬送装置８０が支持ウェハＳをトランジション装置７０から塗布装置３０に搬入し、保持部３３１が支持ウェハＳを保持する。
In the support wafer carry-in step, the
第２洗浄液供給工程では、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８が、保持部３３１と共に回転する支持ウェハＳに対し洗浄液を供給する。洗浄液は、支持ウェハＳの裏面に供給され、遠心力によって支持ウェハＳの外周部から振り切られカップ３６内に回収される。尚、洗浄液は、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８の一方から供給されてもよい。
In the second cleaning liquid supply step, the back rinse
第２洗浄液供給工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させてよい。支持ウェハＳの外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。洗浄液で濡らす場所としては、例えば、外カップ３６１の外周部、および内カップ３６９の外周面が挙げられる。保持部３３１の回転数が低いほど、液滴の飛散方向は下向きになる。
In the second cleaning liquid supply step, the rotation speed of the holding
第２洗浄液供給工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させてよい。液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物を上から下に向けて洗い落とすことができる。
In the second cleaning liquid supply step, the rotational speed of the holding
第２コート液供給工程では、剥離剤ノズル３５が、保持部３３１と共に回転する支持ウェハＳに対し第２コート液を供給する。第２コート液は遠心力によって支持ウェハＳの表面に均一に広がり、余剰の第２コート液が支持ウェハＳの外周部から振り切られカップ３６内に回収される。
In the second coating liquid supply step, the
第２コート液供給工程では、第２コート液が支持ウェハＳの裏面に回り込むのを防止するため、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８が保持部３３１と共に回転する支持ウェハＳに対し洗浄液を供給する。
In the second coating liquid supply step, the cleaning liquid is supplied to the supporting wafer S in which the back rinse
支持ウェハ搬出工程では、保持部３３１が支持ウェハＳの保持を解除し、プロセス搬送装置８０が支持ウェハＳを塗布装置３０から搬出し、熱処理装置５０に搬送する。
In the support wafer unloading step, the holding
本実施形態によれば、第２コート液供給工程の前に第２洗浄液供給工程が行われ、保持部３３１と共に回転する支持ウェハＳに対し、第２コート液が供給される前に、洗浄液が供給される。第２コート液の供給直前に、第２コート液に対し溶解する洗浄液の膜がカップ３６内に形成される。よって、第２コート液の供給時に第２コート液の液滴が外カップ３６１の外周部や内カップ３６９の外周面から落ちやすく、第２コート液が外カップ３６１の底部に集まりやすいため、第２コート液の有機溶剤の揮発による固形物の発生が抑制できる。そのため、カップ３６の交換頻度が低減できる。この効果は、第２コート液が接着層の形成に用いられる場合に顕著である。接着層の場合、固形物の除去が困難であり、カップ３６の再生が困難であるためである。
According to the present embodiment, the second cleaning liquid supply process is performed before the second coating liquid supply process, and before the second coating liquid is supplied to the support wafer S that rotates together with the holding
また、本実施形態によれば、第２洗浄液供給工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させる。支持ウェハＳの外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。
Further, according to the present embodiment, in the second cleaning liquid supply step, the rotation speed of the holding
さらに、本実施形態によれば、第２洗浄液供給工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させる。洗浄液の液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物を上から下に向けて洗い落とすことができる。
Furthermore, according to the present embodiment, in the second cleaning liquid supply step, the rotational speed of the holding
尚、本実施形態では、第１洗浄液供給工程と第２洗浄液供給工程とで洗浄液や洗浄液の供給ラインを共通化させるため、第２洗浄液供給工程の洗浄液として、第１コート液および第２コート液の両方に溶解するものが用いられるが、第２コート液のみに溶解するものが用いられてもよい。また、本実施形態では、複数の支持ウェハＳのそれぞれに対し第２洗浄液供給工程が行われるが、複数の支持ウェハＳの一部のみに対し第２洗浄液供給工程が行われてもよい。 In this embodiment, since the cleaning liquid and the cleaning liquid supply line are shared by the first cleaning liquid supply process and the second cleaning liquid supply process, the first coating liquid and the second coating liquid are used as the cleaning liquid in the second cleaning liquid supply process. Those that are soluble in both are used, but those that are soluble only in the second coating solution may be used. In the present embodiment, the second cleaning liquid supply process is performed on each of the plurality of support wafers S. However, the second cleaning liquid supply process may be performed on only a part of the plurality of support wafers S.
尚、本実施形態では、被処理ウェハＷの処理が支持ウェハＳの処理よりも先に行われるが、支持ウェハＳの処理が被処理ウェハＷの処理よりも先に行われてもよい。 In this embodiment, the processing of the processing target wafer W is performed before the processing of the supporting wafer S, but the processing of the supporting wafer S may be performed before the processing of the processing target wafer W.
また、本実施形態では、第１洗浄液供給工程と第２洗浄液供給工程の両方が行われるが、いずれか一方が行われてもよい。例えば、第２コート液の使用量は第１コート液の使用量よりも著しく少ないので、第１洗浄液供給工程のみが行われてもよい。 Further, in the present embodiment, both the first cleaning liquid supply process and the second cleaning liquid supply process are performed, but either one may be performed. For example, since the usage amount of the second coating liquid is significantly smaller than the usage amount of the first coating liquid, only the first cleaning liquid supply step may be performed.
また、本実施形態では、第１コート液が被処理ウェハＷに塗布され、第２コート液が支持ウェハＳに塗布されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１コート液が支持ウェハＳに塗布され、第２コート液が被処理ウェハＷに塗布されてもよい。換言すれば、接着剤層Ｇ１が支持ウェハＳの接合面に形成され、剥離剤層Ｇ２が被処理ウェハＷの接合面に形成されてもよい。また、第１コート液および第２コート液の両方が、被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳの一方のみに重ねて塗布されてもよい。 In the present embodiment, the first coating liquid is applied to the processing target wafer W and the second coating liquid is applied to the support wafer S, but the present invention is not limited to this. For example, the first coating liquid may be applied to the support wafer S, and the second coating liquid may be applied to the processing target wafer W. In other words, the adhesive layer G1 may be formed on the bonding surface of the support wafer S, and the release agent layer G2 may be formed on the bonding surface of the wafer W to be processed. Further, both the first coating liquid and the second coating liquid may be applied to only one of the processing target wafer W and the supporting wafer S in an overlapping manner.
次に、図７を参照して、上記塗布装置３０を用いた別の塗布方法について説明する。図７は、一実施形態による塗布方法の別のフローチャートである。図７に示す工程は、図６に示す工程が停止される間に行われてもよいし、図６に示す工程が実施される間に行われてもよい。
Next, another coating method using the
図７に示すように、塗布方法は、液面レベル検出工程（ステップＳ３１）、洗浄液補給工程（ステップＳ３３）、および液体吸引工程（ステップＳ３５）などを有する。これらの工程は、制御装置５による制御下で実施される。
As shown in FIG. 7, the coating method includes a liquid level detection process (step S31), a cleaning liquid supply process (step S33), a liquid suction process (step S35), and the like. These steps are performed under the control of the
液面レベル検出工程では、液面レベルセンサ３９がカップ３６内に溜まる液体の液面レベルＬを検出する。そうして、制御装置５は、液面レベルＬが第１設定値Ｌ１未満か否かをチェックする（ステップＳ３２）。
In the liquid level detection process, the
液面レベルＬが第１設定値Ｌ１未満の場合（ステップＳ３２、ＹＥＳ）、カップ３６内に溜まる液体の量が少なく、有機溶剤の揮発によって固形物が生じるまでの時間が短いので、洗浄液補給工程が行われる。洗浄液補給工程では、液面レベルが適切な範囲内になるまで、補給ノズル４２がカップ３６内に洗浄液を補給する。そうして、今回の処理を終了する。
When the liquid level L is less than the first set value L1 (step S32, YES), the amount of liquid accumulated in the
ここで、補給ノズル４２から補給される洗浄液は、第１コート液および第２コート液の両方に対し溶解するものであるが、いずれか一方のみに対し溶解するものでもよい。例えば、第１コート液の使用量は第２コート液の使用量よりも著しく少ないので、第１コート液のみに対し溶解する洗浄液が用いられてもよい。
Here, the cleaning liquid supplied from the
一方、液面レベルＬが第１設定値Ｌ１以上である場合（ステップＳ３２、ＮＯ）、制御装置５は液面レベルＬが第２設定値Ｌ２（Ｌ２＞Ｌ１）を超えるか否かをチェックする（ステップＳ３４）。
On the other hand, when the liquid level L is equal to or higher than the first set value L1 (step S32, NO), the
液面レベルＬが第２設定値Ｌ２を超える場合（ステップＳ３４、ＹＥＳ）、カップ３６内に溜まる液体の量が多すぎ、有機溶剤が揮発して不足する場合に生じる固形物の量が多すぎるため、液体吸引工程が行われる。液体吸引工程では、液面レベルが適切な範囲内になるまで、吸引ポンプ４１がカップ３６内の液体を外部に吸引する。そうして、今回の処理を終了する。
When the liquid level L exceeds the second set value L2 (step S34, YES), the amount of liquid accumulated in the
一方、液面レベルＬが第２設定値Ｌ２以下の場合（ステップＳ３４、ＮＯ）、今回の処理を終了する。図７に示す工程は、繰り返し行われてよい。 On the other hand, when the liquid level L is equal to or lower than the second set value L2 (step S34, NO), the current process is terminated. The process shown in FIG. 7 may be performed repeatedly.
以上説明したように、本実施形態によれば、液面レベルセンサ３９がカップ３６内に溜まる液体の液面レベルＬを検出する。液面レベルに異常が生じた場合に、不図示の警報装置を作動させ、ユーザの注意を喚起することができる。
As described above, according to the present embodiment, the
また、本実施形態によれば、液面レベルＬが第１設定値Ｌ１未満の場合、液面レベルが適切な範囲内になるまで、補給ノズル４２がカップ３６内に洗浄液を補給する。カップ３６内の液体の乾燥が抑制でき、固形物の発生が抑制できる。
Further, according to the present embodiment, when the liquid level L is less than the first set value L1, the replenishing
さらに、本実施形態によれば、液面レベルＬが第２設定値Ｌ２を超える場合、液面レベルが適切な範囲内になるまで、吸引ポンプ４１がカップ３６内の液体を外部に吸引する。有機溶剤が揮発して不足する場合に生じる固形物の量が低減できる。
Furthermore, according to the present embodiment, when the liquid level L exceeds the second set value L2, the
次に、図８および図９を参照して、上記塗布装置３０を用いたさらに別の塗布方法について説明する。図８は、一実施形態による塗布方法のさらに別のフローチャートである。図８に示す工程は、例えば、図６に示す工程が設定回数実施される度に、または設定時間毎に行われる。図９は、図８の塗布方法で用いられるカップ洗浄ディスクの断面図である。
Next, still another coating method using the
図８に示すように、塗布方法は、カップ洗浄ディスク搬入工程（ステップＳ４１）、カップ洗浄工程（ステップＳ４２）、カップ洗浄ディスク搬出工程（ステップＳ４３）を有する。これらの工程は、制御装置５による制御下で実施される。
As shown in FIG. 8, the coating method includes a cup cleaning disk carry-in process (step S41), a cup cleaning process (step S42), and a cup cleaning disk carry-out process (step S43). These steps are performed under the control of the
カップ洗浄ディスク搬入工程では、処理ステーション３内に保管されるカップ洗浄ディスク９０をプロセス搬送装置８０によって塗布装置３０に搬入し、保持部３３１にカップ洗浄ディスク９０を保持させる。
In the cup cleaning disk carry-in step, the
カップ洗浄ディスク９０は、被処理ウェハＷおよび支持ウェハＳよりも厚い外周部９１を有する。外周部９１が肉厚であるため、外周部９１から振り切られる液滴の飛散方向の調節が容易である。また、外周部９１から振り切られる液滴をより上方に飛ばすことができる。
The
カップ洗浄ディスク９０の上面（保持部３３１による保持面とは反対側の面）には、軽量化のため、凹部９２が形成される。尚、凹部９２はなくてもよい。
A
カップ洗浄工程では、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８が、保持部３３１と共に回転するカップ洗浄ディスク９０に対し洗浄液を供給する。洗浄液は、カップ洗浄ディスク９０の裏面に供給され、遠心力によってカップ洗浄ディスク９０の外周部から振り切られカップ３６内に回収される。尚、洗浄液は、バックリンスノズル３７およびベベルリンスノズル３８の一方から供給されてもよい。
In the cup cleaning process, the back rinse
カップ洗浄工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させてよい。カップ洗浄ディスク９０の外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。洗浄液で濡らす場所としては、例えば、外カップ３６１の外周部、および内カップ３６９の外周面が挙げられる。保持部３３１の回転数が低いほど、液滴の飛散方向は下向きになる。
In the cup cleaning process, the number of rotations of the holding
カップ洗浄工程では、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させてよい。液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物を上から下に向けて洗い落とすことができる。
In the cup cleaning process, the number of rotations of the holding
カップ洗浄ディスク搬出工程では、保持部３３１がカップ洗浄ディスク９０の保持を解除し、プロセス搬送装置８０がカップ洗浄ディスク９０を塗布装置３０から搬出させ、元の保管場所に搬送する。
In the cup cleaning disk unloading step, the holding
本実施形態によれば、カップ洗浄工程において、保持部３３１と共に回転するカップ洗浄ディスク９０に対し洗浄液を供給する。洗浄液は第１コート液および第２コート液に対し溶解するものであり、カップ３６に付着した付着物を洗い流すことができる。
According to this embodiment, in the cup cleaning process, the cleaning liquid is supplied to the
また、本実施形態によれば、カップ洗浄工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に変更させる。カップ洗浄ディスク９０の外周部から振り切られる液滴の飛散方向を変更させることができ、カップ３６内の広い範囲を洗浄液で濡らすことができる。
Further, according to the present embodiment, in the cup cleaning process, the number of rotations of the holding
さらに、本実施形態によれば、カップ洗浄工程において、保持部３３１の回転数を段階的または連続的に減少させる。洗浄液の液滴の飛散方向が徐々に下向きになるため、外カップ３６１の外周部に付着する付着物を上から下に向けて洗い落とすことができる。
Furthermore, according to this embodiment, in the cup cleaning process, the number of rotations of the holding
尚、本実施形態のカップ洗浄工程における洗浄液は、第１コート液および第２コート液の両方に対し溶解するものであるが、いずれか一方のみに対し溶解するものでもよい。例えば、第１コート液の使用量は第２コート液の使用量よりも著しく少ないので、第１コート液のみに対し溶解する洗浄液が用いられてもよい。 In addition, although the washing | cleaning liquid in the cup washing | cleaning process of this embodiment melt | dissolves with respect to both a 1st coating liquid and a 2nd coating liquid, it may melt | dissolve only with respect to either one. For example, since the usage amount of the first coating liquid is significantly smaller than the usage amount of the second coating liquid, a cleaning liquid that dissolves only in the first coating liquid may be used.
次に、図１０を参照して、重合ウェハの変形例について説明する。図１０は、変形例による重合ウェハを示す側面図である。図１０に示す重合ウェハは、図２に示す重合ウェハの変形例であって、図２に示す重合ウェハとは異なる接着層を有する。図１０に示す接着層は、接着剤層Ｇ１および剥離剤層Ｇ２に加えて、保護剤層Ｇ３を有する。 Next, a modified example of the superposed wafer will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a side view showing a superposed wafer according to a modification. The superposed wafer shown in FIG. 10 is a modification of the superposed wafer shown in FIG. 2 and has an adhesive layer different from that of the superposed wafer shown in FIG. The adhesive layer shown in FIG. 10 includes a protective agent layer G3 in addition to the adhesive layer G1 and the release agent layer G2.
保護剤層Ｇ３は、被処理ウェハＷの接合面に形成される素子などを保護するためのものである。保護剤層Ｇ３は、溶質である保護剤および保護剤を溶かす有機溶剤からなる第３コート液を、被処理ウェハＷの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。保護剤は、接着剤よりも接着力の低いものであり、剥離剤よりも接着力の高いものである。 The protective agent layer G3 is for protecting elements formed on the bonding surface of the wafer W to be processed. The protective agent layer G3 is formed by applying a third coating liquid made of a protective agent that is a solute and an organic solvent that dissolves the protective agent to the bonding surface of the wafer W to be processed and then performing a heat treatment. The protective agent has a lower adhesive strength than the adhesive and has a higher adhesive strength than the release agent.
接着剤層Ｇ１は支持ウェハＳの接合面に形成され、接着剤層Ｇ１と保護剤層Ｇ３との間に剥離剤層Ｇ２が形成される。 The adhesive layer G1 is formed on the bonding surface of the support wafer S, and the release agent layer G2 is formed between the adhesive layer G1 and the protective agent layer G3.
塗布装置３０は、保持部３３１と共に回転する被処理ウェハＷに対し第３コート液を供給する保護剤ノズル（不図示）をさらに備える。塗布装置３０は、被処理ウェハＷに対し第３コート液を供給する前に、第３コート液に対し溶解する洗浄液を被処理ウェハＷに供給する。第３コート液の供給直前に、第３コート液に対し溶解する洗浄液の膜がカップ３６内に形成される。よって、第３コート液の供給時に第３コート液の液滴が外カップ３６１の外周部や内カップ３６９の外周面から落ちやすく、第３コート液が外カップ３６１の底部に集まりやすいため、第３コート液の有機溶剤の揮発による固形物の発生が抑制できる。そのため、カップ３６の交換頻度が低減できる。この効果は、第３コート液が接着層の形成に用いられる場合に顕著である。接着層の場合、固形物の除去が困難であり、カップ３６の再生が困難であるためである。
The
以上、塗布装置などの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although the embodiments of the coating apparatus and the like have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and various modifications and improvements are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims. is there.
例えば、上記実施形態では、ウェハが特許請求の範囲に記載の基板に対応するが、基板の種類は多種多様であってよく、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板、フォトマスク用のマスクレチクルの基板などでもよい。 For example, in the above-described embodiment, the wafer corresponds to the substrate described in the claims, but the types of the substrate may be various, for example, a substrate for an FPD (flat panel display), a mask reticle for a photomask The substrate may be used.
また、上記実施形態の塗布装置３０は、基板同士を接着する接着層の形成に用いられるものであるが、複数種類のコート液を塗布するものであればよく、塗布装置３０の用途は特に限定されない。
Moreover, although the
また、上記実施形態の第１洗浄液供給工程では、第１コート液供給工程で用いられるバックリンスノズル３７やベベルリンスノズル３８を洗浄ノズルとして用いるが、専用の洗浄ノズルを用いてもよい。
Further, in the first cleaning liquid supply process of the above embodiment, the back rinse
また、上記実施形態の第１洗浄液供給工程では、被処理ウェハＷに対し、下方から洗浄液を供給するが、上方から洗浄液を供給してもよく、上下両方から洗浄液を供給してもよい。 In the first cleaning liquid supply step of the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from below to the wafer W to be processed. However, the cleaning liquid may be supplied from above or the cleaning liquid may be supplied from both above and below.
また、上記実施形態の第２洗浄液供給工程では、第２コート液供給工程で用いられるバックリンスノズル３７やベベルリンスノズル３８を洗浄ノズルとして用いるが、専用の洗浄ノズルを用いてもよい。
Further, in the second cleaning liquid supply process of the above embodiment, the back rinse
また、上記実施形態の第２洗浄液供給工程では、支持ウェハＳに対し、下方から洗浄液を供給するが、上方から洗浄液を供給してもよく、上下両方から洗浄液を供給してもよい。 In the second cleaning liquid supply step of the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from below to the support wafer S. However, the cleaning liquid may be supplied from above, or the cleaning liquid may be supplied from both above and below.
また、上記実施形態のカップ洗浄工程では、バックリンスノズル３７やベベルリンスノズル３８を洗浄ノズルとして用いるが、専用の洗浄ノズルを用いてもよい。
Further, in the cup cleaning process of the above embodiment, the back rinse
また、上記実施形態のカップ洗浄工程では、カップ洗浄ディスク９０に対し、下方から洗浄液を供給するが、上方から洗浄液を供給してもよく、上下両方から洗浄液を供給してもよい。
In the cup cleaning process of the above embodiment, the cleaning liquid is supplied to the
また、上記実施形態のバックリンスノズル３７やベベルリンスノズル３８は、棒状であるが、リング状でもよい。
Further, the back rinse
１ 接合システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
５ 制御装置
３０ 塗布装置
３３ スピンチャック
３３１ 保持部
３３３ 回転駆動部
３４ 接着剤ノズル
３５ 剥離剤ノズル
３６ カップ
３７ バックリンスノズル
３８ ベベルリンスノズル
３９ 液面レベルセンサ
４１ 吸引ポンプ
４２ 補給ノズル
４０ 熱処理装置
５０ 接合装置
８０ 搬送装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Joining
Claims (20)
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部と共に回転する基板に対し、異なる種類のコート液を供給する複数の塗布ノズルと、
少なくとも１つの前記塗布ノズルから供給されるコート液に対し溶解する洗浄液を、前記保持部と共に回転する基板に対し供給する洗浄ノズルと、
前記保持部を囲むカップと、
前記保持部の回転、前記塗布ノズルからのコート液の供給、前記洗浄ノズルからの洗浄液の供給を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記保持部と共に回転する基板に対し、前記塗布ノズルからコート液を供給する前に、供給するコート液に対し溶解する洗浄液を前記洗浄ノズルから供給する、塗布装置。 A holding unit for holding the substrate horizontally;
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A plurality of application nozzles for supplying different types of coating liquids to the substrate rotating together with the holding unit;
A cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid that dissolves in a coating liquid supplied from at least one application nozzle to a substrate that rotates together with the holding unit;
A cup surrounding the holding portion;
A controller that controls rotation of the holding unit, supply of a coating liquid from the application nozzle, and supply of a cleaning liquid from the cleaning nozzle;
The said control part is a coating device which supplies the cleaning liquid which melt | dissolves with respect to the supplied coating liquid from the said cleaning nozzle before supplying a coating liquid from the said coating nozzle with respect to the board | substrate rotated with the said holding | maintenance part.
前記制御部は、前記液面レベルが設定値を超える場合に前記吸引部を作動させる、請求項３に記載の塗布装置。 A suction part for sucking the liquid accumulated in the cup to the outside;
The said control part is a coating device of Claim 3 which operates the said suction part, when the said liquid level exceeds a setting value.
前記制御部は、前記液面レベルが設定値未満の場合に前記補給ノズルから洗浄液を供給させる、請求項３または４に記載の塗布装置。 A replenishing nozzle that replenishes the cup with a cleaning liquid that dissolves in a coating liquid supplied from at least one application nozzle;
The coating device according to claim 3 or 4, wherein the control unit causes the cleaning liquid to be supplied from the replenishing nozzle when the liquid level is less than a set value.
前記処理ステーションに対し、基板を搬入出する搬入出ステーションとを備える、接合システム。 9. A processing station comprising: the coating apparatus according to claim 8; a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate coated with a coating liquid by the coating apparatus; a bonding apparatus for bonding the substrates together via the adhesive layer; and a transfer apparatus for conveying the substrate. When,
A bonding system comprising: a loading / unloading station for loading / unloading a substrate to / from the processing station.
前記保持部と共に回転する基板に対し、前記塗布ノズルからコート液を供給するコート液供給工程と、
前記コート液供給工程の前に、前記コート液供給工程で供給するコート液に対し溶解する洗浄液を前記保持部と共に回転する基板に対し供給する洗浄液供給工程とを有する、塗布方法。 A coating method using a plurality of coating nozzles that supply different types of coating liquids to a substrate that rotates together with a holding unit in a cup,
A coating liquid supply step of supplying a coating liquid from the coating nozzle to the substrate rotating with the holding unit;
Before the coating liquid supply step, the coating method includes a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid that dissolves in the coating liquid supplied in the coating liquid supply step to the substrate that rotates together with the holding unit.
該塗布工程においてコート液を塗布した基板を熱処理する熱処理工程と、
前記接着層を介して基板同士を接合する接合工程とを有する、接合方法。 An application step of applying a coating liquid to a substrate using the application method according to claim 17;
A heat treatment step of heat treating the substrate coated with the coating liquid in the coating step;
A bonding method comprising: a bonding step of bonding substrates through the adhesive layer.
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