JP2016039343A - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
電子デバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016039343A JP2016039343A JP2014163591A JP2014163591A JP2016039343A JP 2016039343 A JP2016039343 A JP 2016039343A JP 2014163591 A JP2014163591 A JP 2014163591A JP 2014163591 A JP2014163591 A JP 2014163591A JP 2016039343 A JP2016039343 A JP 2016039343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electronic device
- silicon
- electrode
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明に係る電子デバイス及びその製造方法の一実施形態の説明用斜視図を示す。図1には、本発明の電子デバイスとして、図1(A)の斜視図に示す第1の実施形態の電子デバイス10と、電子デバイス10中の構造体をフレキシブル回路基板に接着した図1(C)の斜視図に示す第2の実施形態の電子デバイス30とが示されている。そして、第2の実施形態の電子デバイス30は、図1(A)、(B)、(C)に斜視図を示す工程を順次経る製造方法により製造される。
図1(A)に示した電子デバイス10を作製した後、続いてポリジメチルシロキサン(PDMS)などの粘着材をシリコン構造体13の上部に粘着し、その粘着状態を保ったまま図1(B)に矢印で示す上方向に粘着材(図示せず)を引き上げると、シリコン構造体13は、その長手方向の厚さが薄い両端部分のみが基板11に接続された構造であるので、応力がその両端部分に集中して小なる力により両端部分で切断されて粘着材と共に引き上げられ、基板11から剥離される。すなわち、図1(B)に示すように、シリコン構造体13はその両端部分13bを基板11上に残して、両端部分13b以外の部分13aが基板11から剥離される。このシリコン構造体部分13a上には下部電極14、上部電極16、圧電薄膜15、電極パッド17a及び17bがすべて形成されている。
11、81 基板
12、34 開口部
13、82 シリコン構造体
13a 機能性素子を有するシリコン構造体部分
13b 基板側にあるシリコン構造体の両端部分
14 下部電極
15 圧電薄膜
16 上部電極
17a、17b 電極パッド
20 SOI基板
21 シリコン基板
22、24 シリコン酸化膜層
23 表層シリコン層
25 下部電極層
26 圧電薄膜層
27 上部電極層
28、36 凹部
31、33 35 フレキシブル回路基板
84 カプトンテープ
Claims (8)
- 基板と、
所定の機能を実現するための機能性素子と、前記機能性素子の入力信号又は出力信号用電極と、前記電極用の電極パッドとが形成されており、前記基板の厚さよりも薄く、かつ、前記基板に少なくとも一部が支持された構造体と、
を備えることを特徴とする電子デバイス。 - 中央部に開口部又は凹部が設けられた四角枠状の基板と、
所定の機能を実現するための機能性素子と、前記機能性素子の入力信号又は出力信号用電極と、前記電極用の電極パッドとが形成されており、前記基板の厚さよりも薄く、かつ、前記基板の前記開口部又は前記凹部に少なくとも一部が支持された構造体と、
を備えることを特徴とする電子デバイス。 - 前記構造体は、前記基板の前記開口部又は前記凹部の上を架け渡されて前記基板に両端部が支持された、直方体形状の構造であることを特徴とする請求項2記載の電子デバイス。
- 前記基板は、SOI基板中のシリコン基板とその上のシリコン酸化膜とよりなり、
前記構造体は、前記SOI基板中の前記シリコン酸化膜の上の表面シリコン層の表面に、前記機能性素子、前記電極及び前記電極パッドが形成された構造のシリコン構造体であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の電子デバイス。 - 請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の電子デバイスの前記構造体の上部に粘着材を粘着させた状態で、前記構造体を前記基板から剥離する剥離工程と、
前記剥離工程で前記基板から剥離した前記構造体を、所望の回路基板に接着して転写する転写工程と
を有し、前記転写工程により、前記構造体が前記所望の回路基板に転写された構造の新たな電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の電子デバイスが複数あり、その複数の電子デバイスの前記構造体に形成された前記機能性素子の種類が互いに同一又は少なくとも一部異なるとき、
前記剥離工程は、前記複数の電子デバイスのそれぞれの前記シリコン構造体の上部に前記粘着材を粘着させた状態で複数の前記シリコン構造体をそれぞれの基板から同時に又は個別に剥離し、
前記転写工程は、前記剥離工程により前記複数の電子デバイスの各基板からそれぞれ剥離された前記複数のシリコン構造体を、同時に又は個別に所望の一の回路基板に接着して転写することを特徴とする請求項5記載の電子デバイスの製造方法。 - 請求項5又は6記載の電子デバイス製造方法の前記転写工程により、前記構造体が所望の一の回路基板に転写された構造であることを特徴とする電子デバイス。
- 前記所望の回路基板はフレキシブル回路基板であることを特徴とする請求項7記載の電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014163591A JP6425941B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014163591A JP6425941B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016039343A true JP2016039343A (ja) | 2016-03-22 |
JP6425941B2 JP6425941B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=55530154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014163591A Active JP6425941B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6425941B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018022812A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2018034275A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス、インターポーザ及び電子デバイスの製造方法 |
JP2018069368A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
JP2018069440A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 中空構造体の製造方法 |
JP2018069369A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
JP2020520788A (ja) * | 2017-03-28 | 2020-07-16 | ユニバーシティ・オブ・マンチェスター | 薄膜材料の転写方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179282A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ装置 |
JP2011249533A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Ngk Insulators Ltd | 圧電素子の製造方法 |
WO2012047071A2 (ko) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | 한국과학기술원 | 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 나노제너레이터 |
JP2012186709A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片及び圧電デバイス |
WO2013186965A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | パナソニック株式会社 | 発電装置および発電モジュール |
-
2014
- 2014-08-11 JP JP2014163591A patent/JP6425941B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179282A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ装置 |
JP2011249533A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Ngk Insulators Ltd | 圧電素子の製造方法 |
WO2012047071A2 (ko) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | 한국과학기술원 | 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 나노제너레이터 |
JP2012186709A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片及び圧電デバイス |
WO2013186965A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | パナソニック株式会社 | 発電装置および発電モジュール |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018022812A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2018034275A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス、インターポーザ及び電子デバイスの製造方法 |
JP2018069368A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
JP2018069440A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 中空構造体の製造方法 |
JP2018069369A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
JP2020520788A (ja) * | 2017-03-28 | 2020-07-16 | ユニバーシティ・オブ・マンチェスター | 薄膜材料の転写方法 |
JP7168991B2 (ja) | 2017-03-28 | 2022-11-10 | ユニバーシティ・オブ・マンチェスター | 薄膜材料の転写方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6425941B2 (ja) | 2018-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6425941B2 (ja) | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 | |
CN107032291B (zh) | 形成在pcb支撑结构处的mems压电式换能器 | |
JP2018174335A (ja) | 高度に伸縮可能な電子部品 | |
JP2015088521A5 (ja) | ||
TWI667815B (zh) | 一種mems壓電轉換器及其製作方法 | |
KR101516112B1 (ko) | Mems 센서 | |
EP3092083A1 (en) | Method, apparatus and system for a transferable micromachined piezoelectric transducer array | |
US20150102434A1 (en) | Microelectromechanical device with protection for bonding and process for manufacturing a microelectromechanical device | |
EP1298735A3 (en) | Thin film piezoelectric element and its manufacturing method and actuator unit using same | |
KR20160130381A (ko) | 대칭 듀얼 압전 스택 미세 전자 기계 압전 디바이스들 | |
JP2007157787A5 (ja) | ||
US20190214543A1 (en) | Monolithic pzt actuator, stage, and method for making | |
JP2011166365A (ja) | 圧電型発音装置およびその製造方法 | |
US20150082884A1 (en) | Piezoelectric actuator module, method of manufacturing the same, and mems sensor having the same | |
JP2011005556A5 (ja) | ||
US9505612B2 (en) | Method for thin film encapsulation (TFE) of a microelectromechanical system (MEMS) device and the MEMS device encapsulated thereof | |
JP2008196883A (ja) | 力学量センサ | |
JP6554643B2 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
KR101531114B1 (ko) | 압전 액추에이터 모듈, 압전 액추에이터 모듈의 제조방법 및 압전 액추에이터 모듈을 포함하는 mems 센서 | |
US20150344292A1 (en) | Micro electro mechanical systems component and method of manufacturing the same | |
JP2012105170A (ja) | 圧電型トランスデューサーおよびその製造方法 | |
KR20150061411A (ko) | 압전 액추에이터 모듈 및 이를 포함하는 mems 센서 | |
JP2010153645A5 (ja) | ||
KR20150130155A (ko) | 멤스 구조체 및 멤스 구조체의 제조 방법 | |
JP2011182298A (ja) | Memsトランスデューサおよび超音波パラメトリックアレイスピーカー。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180523 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6425941 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |