JP2016029635A - 発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率に優れる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層と、封止層とを有する発光素子の製造方法であって、発光層を、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体等を用いて塗布法により形成する工程と、陽極または陰極を形成する工程と、封止層を形成する工程とを含み、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）と、時間：Ｂ（分）とが、式（１−１）を満たす、発光素子の製造方法。０≦Ａ?Ｂ≦１０００ （１−１）【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」ともいう。）は、発光効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイおよび照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が盛んに行われている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。発光素子の製造に使用することができる溶媒に対して可溶性の材料を用いることで、インクジェット印刷法に代表される塗布法により有機層を形成することができるため、可溶性の材料を用いた発光素子の製造方法が検討されている。

三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す金属錯体を発光層に用いた発光素子は、一重項励起状態からの発光（蛍光発光）を示す蛍光材料を発光層に用いた発光素子より高い発光効率を示す。そのため、発光素子の製造に使用することができる溶媒に対して可溶性の金属錯体を用いた発光素子の製造方法が検討されている。例えば、特許文献１では、燐光発光を示す金属錯体であるイリジウム錯体を用いて、塗布法により発光層を成膜する工程と、成膜された発光層をアニーリングする工程と、アニーリングされた発光層に陰極を蒸着する工程とを含む発光素子の製造方法が記載されている。

米国特許出願公開第２００６／００４０１３６号明細書

しかしながら、上記の方法により製造された発光素子は、発光効率が十分ではなかった。

そこで、本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、陽極と、陰極と、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を用いて塗布法により形成された発光層と、封止層とを有する発光素子において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の、オゾン濃度の平均値と、時間との積の値が、発光素子の発光効率に影響することを見出すことで、本発明を完成させるに至った。

陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
封止層とを有する発光素子の製造方法であって、
発光層を、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体、または、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を用いて塗布法により形成する工程と、
陽極または陰極を形成する工程と、
封止層を形成する工程とを含み、
発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）（製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値）と、時間：Ｂ（分）（製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間）とが、式（１−１）を満たす、発光素子の製造方法。

０≦Ａ×Ｂ≦１０００ （１−１）

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造方法を提供することができる。また、本発明の好ましい実施形態によれば、輝度寿命に優れる発光素子の製造方法を提供することができる。

オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）と時間：Ｂ（分）との積の値と、規格化された発光効率の関係を示したものであり、発光素子１に対する発光素子Ｃ１および発光素子Ｃ２（発光素子１の発光効率を１．００に規格化）、発光素子２に対する発光素子３および発光素子Ｃ３（発光素子２の発光効率を１．００に規格化）、発光素子４に対する発光素子５および発光素子Ｃ４（発光素子４の発光効率を１．００に規格化）、発光素子６に対する発光素子７、発光素子８および発光素子Ｃ５（発光素子６の発光効率を１．００に規格化）、発光素子９に対する発光素子１０、発光素子Ｃ６および発光素子Ｃ７（発光素子９の発光効率を１．００に規格化）、発光素子１１に対する発光素子Ｃ８（発光素子１１の発光効率を１．００に規格化）、並びに、発光素子１２に対する発光素子Ｃ９および発光素子Ｃ１０（発光素子１２の発光効率を１．００に規格化）をそれぞれ示したものである。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、7-オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造(即ち、デンドリマー構造)を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物(以下、「デンドリマー」と言う。)としては、例えば、国際公開第02/067343号、特開2003-231692号公報、国際公開第2003/079736号、国際公開第2006/097717号等の文献に記載の構造が挙げられる。

デンドロンとしては、好ましくは、式(D-A)または(D-B)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、通常10以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA4、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA5、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。

＜発光素子の製造方法＞
本発明は、
陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
封止層とを有する発光素子の製造方法であって、
発光層を、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体、または、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を用いて塗布法により形成する工程と、
陽極または陰極を形成する工程と、
封止層を形成する工程とを含み、
発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）（製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値）と、時間：Ｂ（分）（製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間）とが、式（１−１）を満たす、発光素子の製造方法である。

０≦Ａ×Ｂ≦１０００ （１−１）

本発明の製造方法により製造される発光素子の発光効率および輝度寿命が優れるので、ＡとＢとは、式（１−２）を満たすことが好ましく、式（１−３）を満たすことがより好ましく、式（１−４）を満たすことが更に好ましい。

０≦Ａ×Ｂ≦１００ （１−２）
０≦Ａ×Ｂ≦５０ （１−３）
０≦Ａ×Ｂ≦３０ （１−４）

Ａは、式（２−１）を満たすことが好ましく、式（２−２）を満たすことがより好ましく、式（２−３）を満たすことが更に好ましい。

０≦Ａ≦３０ （２−１）
０≦Ａ≦３ （２−２）
０≦Ａ≦１ （２−３）

Ｂは、式（３−０）を満たすことが好ましく、式（３−１）を満たすことがより好ましく、式（３−２）を満たすことが更に好ましい。

０≦Ｂ≦１０００ （３−０）
０≦Ｂ≦３０ （３−１）
０≦Ｂ≦２０ （３−２）

本発明の発光素子の製造方法において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間は、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）が低い環境下（具体的には、式（２−１）を満たす環境下）で行われることが好ましい。そのため、発光層を形成する工程の開始時から、封止層を形成する工程の終了時までの間は、外気取り入れ口にオゾンフィルターを設置した室内環境下で行われることが好ましい。オゾンフィルターとしては、例えば、ケミカルフィルターが挙げられ、より詳細には、活性炭を用いたケミカルフィルター、触媒を用いたケミカルフィルターが挙げられ、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）をより低減することができるため、活性炭を用いたケミカルフィルターが好ましい。

発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間のオゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）の測定は、オゾン濃度測定装置を用いて測定することができる。

＜発光層＞
本発明の発光素子の製造方法において、発光層は、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を含有するインクを用いて、塗布法により形成される。塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法が挙げられ、スピンコート法、ノズルコート法またはインクジェット印刷法が好ましい。

インクの粘度は、塗布法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等のインクが吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含有される溶媒は、該インク中の固形分（イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物）を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

発光層の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

［イリジウム錯体］
イリジウム錯体の配位子としては、イリジウム原子との間に、配位結合および共有結合からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合を形成する、中性もしくはアニオン性の単座配位子、または、中性もしくはアニオン性の多座配位子が例示される。イリジウム原子と配位子との間の結合としては、金属−窒素結合、金属−炭素結合、金属−酸素結合、金属−リン結合、金属−硫黄結合および金属−ハロゲン結合が例示される。多座配位子とは、通常、２座以上６座以下の配位子を意味する。

イリジウム錯体は、Ａｌｄｒｉｃｈ、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ等から入手可能である。
また、上記以外の入手方法として、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０７，１４３１−１４３２（１９８５）」、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０６，６６４７−６６５３（１９８４）」、国際公開第２０１１／０２４７６１号、国際公開第２００２／４４１８９号、特開２００６−１８８６７３号公報等の文献に記載の公知の方法により製造することも可能である。

イリジウム錯体は、式（４）で表されるイリジウム錯体であることが好ましい。

［式中、
ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は３である。
Ｅ^１およびＥ^２は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｅ^１およびＥ^２の少なくとも一方は炭素原子である。
環Ｒ^１は、５員環または６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^１が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^１は炭素原子である。
環Ｒ^２は、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^２が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^２は炭素原子である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

ｎ^１は２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｅ^１およびＥ^２は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ^１は、ピリジン環、ピリミジン環、イミダゾール環またはトリアゾール環であることが好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^２は、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環またはトリアジン環であることが好ましく、ベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^１および環Ｒ^２からなる群から選ばれる少なくとも１つの環は、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基を置換基として有することが好ましく、アリール基または１価の複素環基を置換基として有することがより好ましく、アリール基を置換基として有することが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。

環Ｒ^１および環Ｒ^２からなる群から選ばれる少なくとも１つの環が、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基を置換基として有する場合であって、環Ｒ^１および環Ｒ^２が複数存在する場合、複数存在する環Ｒ^１の全て、複数存在する環Ｒ^２の全て、または、複数存在する環Ｒ^１および環Ｒ^２の全てが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基を置換基として有することが好ましく、複数存在する環Ｒ^２の全てが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基を置換基として有することがより好ましい。

Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子と結合する部位を示す。］

式（４）で表されるイリジウム錯体は、式（４−Ａ１）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ａ２）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ａ３）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ａ４）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ｂ１）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ｂ２）で表されるイリジウム錯体または式（４−Ｂ３）で表されるイリジウム錯体であることが好ましく、式（４−Ａ１）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ａ３）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ｂ１）で表される金属錯体、式（４−Ｂ２）で表される金属錯体または式（４−Ｂ３）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（４−Ａ１）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ａ３）で表されるイリジウム錯体、式（４−Ｂ１）で表される金属錯体であることが更に好ましく、式（４−Ｂ１）で表される金属錯体であることが特に好ましい。

［式中、
ｎ^１、ｎ^２およびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３ＡおよびＲ^２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３ＡおよびＲ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１ＡとＲ^１２Ａ、Ｒ^１２ＡとＲ^１３Ａ、Ｒ^１１ＡとＲ^２１Ａ、Ｒ^２１ＡとＲ^２２Ａ、Ｒ^２２ＡとＲ^２３Ａ、および、Ｒ^２３ＡとＲ^２４Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

式（４−Ａ１）中、Ｒ^１１Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。
式（４−Ａ１）中、Ｒ^１３Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。

式（４−Ａ２）中、Ｒ^１２Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。
式（４−Ａ２）中、Ｒ^１３Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。

式（４−Ａ３）中、Ｒ^１１Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。
式（４−Ａ３）中、Ｒ^１２ＡおよびＲ^１３Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。

式（４−Ａ４）中、Ｒ^１２Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。
式（４−Ａ４）中、Ｒ^１１ＡおよびＲ^１３Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。

Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３ＡおよびＲ^２４Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることがより好ましく、水素原子、アリール基または１価の複素環基であることが更に好ましく、水素原子またはアリール基であることが特に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。

Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３ＡおよびＲ^２４Ａからなる群から選ばれる少なくとも１つが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基である場合、Ｒ^２２ＡまたはＲ^２３Ａが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、Ｒ^２２Ａが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることがより好ましい。

［式中、
ｎ^１、ｎ^２およびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
ｎ^１１は１以上の整数を表し、ｎ^１２は１以上の整数を表し、ｎ^１１＋ｎ^１２は３である。
Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ、Ｒ^１８Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３ＢおよびＲ^２４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ、Ｒ^１８Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３ＢおよびＲ^２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１ＢとＲ^１２Ｂ、Ｒ^１２ＢとＲ^１３Ｂ、Ｒ^１３ＢとＲ^１４Ｂ、Ｒ^１３ＢとＲ^１５Ｂ、Ｒ^１５ＢとＲ^１６Ｂ、Ｒ^１６ＢとＲ^１７Ｂ、Ｒ^１７ＢとＲ^１８Ｂ、Ｒ^１１ＢとＲ^２１Ｂ、Ｒ^１８ＢとＲ^２１Ｂ、Ｒ^２１ＢとＲ^２２Ｂ、Ｒ^２２ＢとＲ^２３Ｂ、および、Ｒ^２３ＢとＲ^２４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７ＢおよびＲ^１８Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。

Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７ＢおよびＲ^１８Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基である場合、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２ＢまたはＲ^１３Ｂが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、Ｒ^１１ＢまたはＲ^１３Ｂが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることがより好ましく、Ｒ^１３Ｂが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが更に好ましい。

Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３ＢおよびＲ^２４Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることがより好ましく、水素原子、アリール基または１価の複素環基であることが更に好ましく、水素原子またはアリール基であることが特に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基は、デンドロンであることが好ましい。

Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３ＢおよびＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基である場合、Ｒ^２２ＢまたはＲ^２３Ｂが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、Ｒ^２２Ｂが、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることがより好ましい。

式（４）で表されるイリジウム錯体としては、例えば、下記で表されるイリジウム錯体が挙げられる。

イリジウム錯体は、例えば、特表２００４−５３０２５４号公報、特開２００８−１７９６１７号公報、特開２０１１−１０５７０１号公報、特表２００７−５０４２７２号公報、特開２０１３−１４７４４９号公報、特開２０１３−１４７４５０号公報に記載されている方法に従って合成することができる。

本発明の発光素子の製造方法において、発光層の形成には、イリジウム錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。発光スペクトルの最大ピーク波長が異なる２種以上のイリジウム錯体を併用することで、発光色を調整することが可能であり、白色発光の発光素子を製造することも可能である。

イリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物とは、イリジウム錯体から水素原子を１個以上取り除いた基を有する構成単位を含む高分子化合物であり、式（４）で表されるイリジウム錯体から水素原子を１個以上取り除いた基を有する構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

イリジウム錯体から誘導される構成単位としては、例えば、イリジウム錯体から水素原子を１個取り除いた基、イリジウム錯体から水素原子を１個取り除いた基を置換基として有するアリーレン基または２価の複素環基、イリジウム錯体から水素原子を２個取り除いた基、および、イリジウム錯体から水素原子を３個取り除いた基が挙げられる。
イリジウム錯体から誘導される構成単位が、イリジウム錯体から水素原子を１個取り除いた基である場合、イリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物は、この構成単位を末端の構成単位として含む。また、イリジウム錯体から誘導される構成単位が、イリジウム錯体から水素原子を３個取り除いた基である場合、イリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物は、この構成単位の位置で分岐している。

イリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物は、後述する式（Ｙ）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことがより好ましい。

本発明の発光素子の製造方法において、発光層の形成には、イリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。発光スペクトルの最大ピーク波長が異なる２種以上のイリジウム錯体から誘導される構成単位を併用することで（１種単独の高分子化合物であっても、２種以上の高分子化合物の併用であってもよい）、発光色を調整することが可能であり、白色発光の発光素子を製造することも可能である。

［ホスト材料］
本発明の製造方法により製造される発光素子の発光効率がより優れるため、発光層は、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有するインクを用いて、塗布法により形成されることが好ましい。イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物と、ホスト材料とを含有するインクにおいて、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物と、ホスト材料とを含有するインクにおいて、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物の含有量は、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物と、ホスト材料との合計を100重量部とした場合、通常、０．１〜８０重量部であり、好ましくは０．５〜７０重量部であり、より好ましくは１〜５０重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態(Ｔ₁)は、本発明の製造方法より製造される発光素子の発光効率がより優れるため、イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物の有するＴ₁と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物；フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物等が挙げられる。

ホスト材料に用いられる低分子化合物は、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１およびｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基またはフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、上記式（ＴＤＡ−１）または（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、上記式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基またはシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。

ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）または式（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）または式（ＡＡ−２９）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合またはアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例は、Ｌ^Ｈ１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の定義および例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３およびＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［高分子ホスト］
ホスト化合物として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）に関して説明する。

高分子ホストは、好ましくは、式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)または式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)または式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)-(Y-3)で表される構成単位であり、本発明の製造方法により製造される発光素子の電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-(Y-7)で表される構成単位であり、本発明の製造方法により製造される発光素子の正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、式(Y-1')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−または−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であってもよく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＲ^Y3は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の製造方法により製造される発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは3〜20モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、
ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^X1は、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)または式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)-(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-(X1-10)で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物(P-1)〜(P-6)が挙げられる。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。その他の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

［高分子ホストの製造方法］
高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応およびKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

＜発光素子の層構成＞
本発明の製造方法により製造される発光素子は、陽極、陰極、発光層および封止層以外の層（以下、「その他の層」ともいう。）を有していてもよい。その他の層としては、例えば、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層が挙げられる。
発光層は、上述した発光層の材料（イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物、ホスト材料）を含有するインクを用いて、塗布法により形成されるが、該インクにはその他の材料（例えば、イリジウム錯体以外の発光材料）が含有されていてもてよい。
正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含有し、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料を用いてそれぞれ形成することができる。

上述した発光層の材料（イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物、ホスト材料）を含有するインクに含有されていてもよい発光材料については、後述する。

積層する層の順番、数および厚さは、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命および駆動電圧を勘案して調整すればよい。

正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

本発明の製造方法により製造される発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本発明の製造方法により製造される発光素子において、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、塗布法により形成することができる。塗布法の具体例としては、上述した発光層の形成における塗布法の具体例と同様のものが挙げられる。また、インクに含有される溶媒の具体例としては、上述した発光層の形成におけるインクに含有される溶媒の具体例と同様のものが挙げられる。

インクにおいて、溶媒の配合量は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料または電子注入材料100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、本発明の発光素子の製造方法において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

各層を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、本発明の製造方法により製造される発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。

各層を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

［基板/電極］
本発明の製造方法により製造される発光素子は、通常、基板を有する。発光素子が有する基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

本発明の製造方法により製造される発光素子において、陽極および陰極の少なくとも一方は、通常、透明または半透明であるが、陽極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極および陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法およびラミネート法が挙げられる。

［発光材料］
上述した発光層の材料（イリジウム錯体またはイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物、ホスト材料）を含有するインクに含有されていてもよい発光材料としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、白金またはユーロピウムを中心金属とする金属錯体が挙げられる。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物である。正孔輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の製造方法により製造される発光素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層の形成に用いられる電子輸送材料としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位および式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が好ましい。

［式中、
ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
Ａｒ^Ｅ１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基はＲ^Ｅ１以外の置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｅ１は、式（ＥＳ−１）で表される基を表す。Ｒ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

−（Ｒ^Ｅ３）_ｃＥ１−（Ｑ^Ｅ１）_ｎＥ４−Ｙ^Ｅ１（Ｍ^Ｅ２）_ａＥ１（Ｚ^Ｅ１）_ｂＥ１ （ＥＳ−１）
［式中、
ｃＥ１は０または１を表し、ｎＥ４は０以上の整数を表し、ａＥ１は１以上の整数を表し、ｂＥ１は０以上の整数を表す。
Ｒ^Ｅ３は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ^Ｅ１は、アルキレン基、アリーレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ^Ｅ１は、−ＣＯ_２ ⁻、−ＳＯ_３ ⁻、−ＳＯ_２ ⁻またはＰＯ_３ ^２−を表す。
Ｍ^Ｅ２は、金属カチオンまたはアンモニウムカチオンを表し、このアンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^Ｅ１は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｒ^Ｅ４ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ４ＣＯＯ⁻、ＣｌＯ⁻、ＣｌＯ_２ ⁻、ＣｌＯ_３ ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻、ＳＣＮ⁻、ＣＮ⁻、ＮＯ_３ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＨＳＯ_４ ⁻、ＰＯ_４ ^３−、ＨＰＯ_４ ^２−、Ｈ_２ＰＯ_４ ⁻、ＢＦ_４ ⁻またはＰＦ_６ ⁻を表す。Ｒ^Ｅ４は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ａＥ１およびｂＥ１は、式（ＥＳ−１）で表される基の電荷が０となるように選択される。］

ｎＥ１は、好ましくは、１〜４の整数であり、より好ましくは１または２である。

Ａｒ^Ｅ１で表される芳香族炭化水素基または複素環基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基または２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ１個を除いた残りの原子団が好ましく、Ｒ^Ｅ１以外の置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｅ１が有していてもよいＲ^Ｅ１以外の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、カルボキシル基、式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。

−Ｏ（Ｃ_ｎ’Ｈ_２ｎ’Ｏ）_ｎｘＣ_ｍ’Ｈ_{２ｍ’＋１} （ＥＳ−３）
［式中、ｎ’、ｍ’およびｎｘは、１以上の整数を表す。］

ｃＥ１は、０または１であることが好ましく、ｎＥ４は、０〜６の整数であることが好ましい。

Ｒ^Ｅ３としては、アリーレン基が好ましい。

Ｑ^Ｅ１としては、アルキレン基、アリーレン基または酸素原子が好ましい。

Ｙ^Ｅ１としては、−ＣＯ_２ ⁻または−ＳＯ_３ ⁻が好ましい。

Ｍ^Ｅ２としては、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋、Ｎ（ＣＨ_３）_４ ^＋、ＮＨ（ＣＨ_３）_３ ^＋、ＮＨ_２（ＣＨ_３）_２ ^＋またはＮ（Ｃ_２Ｈ_５）_４ ^＋が好ましい。

Ｚ^Ｅ１としては、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｒ^Ｅ４ＳＯ_３ ⁻またはＲ^Ｅ４ＣＯＯ⁻が好ましい。

Ｒ^Ｅ３が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基および式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。Ｒ^Ｅ３は、本発明の製造方法により製造される発光素子の発光効率がより優れるため、式（ＥＳ−３）で表される基を置換基として有していることが好ましい。

式（ＥＳ−１）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｍ^＋は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋、Ｎ（ＣＨ_３）_４ ^＋、ＮＨ（ＣＨ_３）_３ ^＋、ＮＨ_２（ＣＨ_３）_２ ^＋またはＮ（Ｃ_２Ｈ_５）_４ ^＋を表す。］

［式中、
ｎＥ２は１以上の整数を表す。
Ａｒ^Ｅ２は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基はＲ^Ｅ２以外の置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｅ２は、式（ＥＳ−２）で表される基を表す。Ｒ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

−（Ｒ^Ｅ６）_ｃＥ２−（Ｑ^Ｅ２）_ｎＥ６−Ｙ^Ｅ２（Ｍ^Ｅ３）_ｂＥ２（Ｚ^Ｅ２）_ａＥ２ （ＥＳ−２）
［式中、
ｃＥ２は０または１を表し、ｎＥ６は０以上の整数を表し、ｂＥ２は１以上の整数を表し、ａＥ２は０以上の整数を表す。
Ｒ^Ｅ６は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ^Ｅ２は、アルキレン基、アリーレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ^Ｅ２は、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオンまたはスルホニルカチオンを表す。
Ｍ^Ｅ３は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｒ^Ｅ７ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＣＯＯ⁻、ＣｌＯ⁻、ＣｌＯ_２ ⁻、ＣｌＯ_３ ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻、ＳＣＮ⁻、ＣＮ⁻、ＮＯ_３ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＨＳＯ_４ ⁻、ＰＯ_４ ^３−、ＨＰＯ_４ ^２−、Ｈ_２ＰＯ_４ ⁻、テトラフェニルボレート、ＢＦ_４ ⁻またはＰＦ_６ ⁻を表す。Ｒ^Ｅ７は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｍ^Ｅ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^Ｅ２は、金属イオンまたはアンモニウムイオンを表し、このアンモニウムイオンは置換基を有していてもよい。Ｚ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ａＥ２およびｂＥ２は、式（ＥＳ−２）で表される基の電荷が０となるように選択される。］

ｎＥ２は、好ましくは、１〜４の整数であり、より好ましくは１または２である。

Ａｒ^Ｅ２で表される芳香族炭化水素基または複素環基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基または２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ２個を除いた残りの原子団が好ましく、Ｒ^Ｅ２以外の置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｅ２が有していてもよいＲ^Ｅ２以外の置換基としては、Ａｒ^Ｅ１が有していてもよいＲ^Ｅ１以外の置換基と同様である。

ｃＥ２は、０または１であることが好ましく、ｎＥ６は、０〜６の整数であることが好ましい。

Ｒ^Ｅ６としては、アリーレン基が好ましい。

Ｑ^Ｅ２としては、アルキレン基、アリーレン基または酸素原子が好ましい。

Ｙ^Ｅ２としては、カルボカチオンまたはアンモニウムカチオンが好ましい。

Ｍ^Ｅ３としては、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、テトラフェニルボレート、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻またはＣＨ_３ＣＯＯ⁻が好ましい。

Ｚ^Ｅ２としては、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋、Ｎ（ＣＨ_３）_４ ^＋、ＮＨ（ＣＨ_３）_３ ^＋、ＮＨ_２（ＣＨ_３）_２ ^＋またはＮ（Ｃ_２Ｈ_５）_４ ^＋が好ましい。

Ｒ^Ｅ６が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基および式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。Ｒ^Ｅ６は、本発明の製造方法により製造される発光素子の発光効率がより優れるため、式（ＥＳ−３）で表される基を置換基として有していることが好ましい。

式（ＥＳ−２）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｘ⁻は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、テトラフェニルボレート、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、またはＣＨ_３ＣＯＯ⁻を表す。］

式（ＥＴ−１）および式（ＥＴ−２）で表される構造単位としては、例えば、下記式（ＥＴ−３１）〜式（ＥＴ−３４）で表される構造単位が挙げられる。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［封止層］
封止層は、水分および酸素ガスに対してバリア性を有するものであれば特に限定されないが、封止層の一形態としては、発光素子が有する陽極、陰極、発光層およびその他の層が、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが充填された状態で、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板により密封されたものが挙げられる。封止層の他の一形態としては、発光素子が有する陽極、陰極、発光層およびその他の層が、有機物からなる絶縁層または無機物からなる絶縁層を介して、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板により密封されたものが挙げられる。有機物からなる絶縁層の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂、光架橋性樹脂が挙げられる。無機物からなる絶縁層の材料としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。

封止層には、乾燥剤が含まれていてもよい。乾燥剤は、封止層に配置されたものであってもよい。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)およびポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)（島津製作所製、商品名：LC-10Avp）により求めた。なお、SECの測定条件は、次のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約0.05重量％の濃度でTHFに溶解させ、SECに10μＬ注入した。SECの移動相としてTHFを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED-B（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはUV-VIS検出器（島津製作所製、商品名：SPD-10Avp）を用いた。

液体クロマトグラフ質量分析(LC-MS)は、下記の方法で行った。
測定試料を約２mg/mLの濃度になるようにクロロホルムまたはTHFに溶解させ、LC-MS（アジレントテクノロジー製、商品名：1100LCMSD）に約１μＬ注入した。LC-MSの移動相には、アセトニトリルおよびTHFの比率を変化させながら用い、0.2mL/分の流量で流した。カラムは、L-column 2 ODS（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：2.1mm、長さ：100mm、粒径３μｍ）を用いた。

NMRの測定は、下記の方法で行った。
５〜10mgの測定試料を約0.5mLの重クロロホルム(CDCl₃)、重テトラヒドロフラン(THF-d₈)または重塩化メチレン(CD₂Cl₂)に溶解させ、NMR装置(Agilent製、商品名：INOVA300またはMERCURY 400VX)を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、HPLC（島津製作所製、商品名：LC-20A）での254nmにおける値とする。この際、測定する化合物は、0.01〜0.2重量％の濃度になるようにTHFまたはクロロホルムに溶解させ、HPLCに、濃度に応じて１〜10μＬ注入した。HPLCの移動相には、アセトニトリルおよびTHFを用い、１mL/分の流速で、アセトニトリル/THF＝100/０〜０/100（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Kaseisorb LC ODS 2000（東京化成工業製）または同等の性能を有するODSカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：SPD-M20A）を用いた。

実施例において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間のオゾン濃度の平均値は、大気汚染監視用オゾン濃度測定装置（堀場製作所製、製品名：ＡＰＯＡ−３７００）を用いて測定した。

＜合成例１＞ イリジウム錯体１の合成
イリジウム錯体１は、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例２＞ イリジウム錯体２の合成
イリジウム錯体２は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例３＞ イリジウム錯体３の合成
イリジウム錯体３は、特開２０１３−１４７５５１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例４＞ イリジウム錯体４の合成

反応容器内に、特開２００５―９９４８１号公報に記載の方法に従って合成した化合物４ａ（２０．００ｇ）および塩化イリジウム三水和物（１１．９３ｇ）を加え、反応容器内の気体をアルゴンガスで置換した。その後、そこへ、２−エトキシエタノール（１８０ｍＬ）および水（６０ｍＬ）を加え、反応容器内をアルゴンガス気流下とした後、１０１〜１０２℃で２０時間還流した。放冷後、得られた混合物をろ別した。得られた残渣を水（４００ｍＬ）、メタノール（２００ｍＬ）、ヘキサン（２００ｍＬ）の順で洗浄した後、乾燥させることにより、化合物４ｂ（２２．４９ｇ）を得た。

反応容器内に、化合物４ｂ（２２．４９ｇ）および化合物４ａ（１９．７７ｇ）を加え、反応容器内の気体をアルゴンガスで置換した。その後、そこへ、ジグリム（１２８ｍＬ）およびトリフルオロメタンスルホン酸銀（７．６０ｇ）を加え、反応容器内をアルゴンガス気流下とした後、１４８〜１５０℃で５時間撹拌した。その後、そこへ、トリフルオロメタンスルホン酸銀（７．６０ｇ）を加え、更に１２時間攪拌した。放冷後、得られた反応混合物に水（６００ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ別した。得られた沈澱をトルエン（５００ｍＬ）に溶解させた後、ろ過した。得られたろ液を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過、濃縮することで溶媒を留去した。得られた残渣をヘキサンおよびトルエンからなる混合溶媒（ヘキサン／トルエン＝３／１（体積基準））に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、その後、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール（２００ｍＬ）で洗浄した後、乾燥させた。得られた固体を、トルエンおよびアセトニトリルからなる混合溶媒（トルエン／アセトニトリル＝１．０／４．８（体積基準））を用いて結晶化させ、得られた結晶をろ別した。得られた固体をメタノールで洗浄した後、乾燥させることにより、イリジウム錯体４（１４．３０ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）；δ（ｐｐｍ）＝０．８８（ｍ，９Ｈ）、１．２２（ｍ，３０Ｈ）、１．４４（ｍ，６Ｈ）、２．３５（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ）、６．６９（ｍ，６Ｈ）、６．７８（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，３Ｈ）、７．４７（ｍ，９Ｈ）、７．７７（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，３Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ， ｐｏｓｉｔｉｖｅ） ｍ／ｚ ： ９９２（［Ｍ＋Ｈ］^＋）

＜合成例５＞ イリジウム錯体５の合成

イリジウム錯体５は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例６＞ イリジウム錯体６の合成

化合物Ｌ６−ａは、米国特許出願公開第２０１１／００５７５５９号明細書に準じて合成した。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ６−ａ（９．９ｇ）、化合物Ｌ６−ｂ（１５ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１１ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．１２ｇ）、２０重量％のテトラエチルアンモニウム水溶液（２０ｍＬ）、トルエン（２００ｍＬ）およびエタノール（５０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え抽出した。得られた有機層を、イオン交換水を用いて洗浄した後、減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することで化合物Ｌ６（１７ｇ、収率９０％）を得た。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ６（１０ｇ）、塩化イリジウム水和物（２．２ｇ）、２−エトキシエタノール（１２０ｍＬ）および水（４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、メタノールを加えたところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥することにより、イリジウム錯体６−ａ（１０ｇ、黄色粉末）を得た。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、イリジウム錯体６−ａ（９．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３１ｇ）、ジクロロメタン（１００ｍＬ）およびメタノール（３０ｍＬ）を加え、室温で一晩攪拌した。析出した沈殿をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、化合物Ｌ６（７．８ｇ）、２，６−ルチジン（６．７ｍＬ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（１８０ｍＬ）を加え、加熱還流下で一晩攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水およびメタノールの混合溶媒を加え、析出した沈殿をろ過した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン／ヘキサン）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することでイリジウム錯体６（１．２ｇ、収率６．５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、（ＣＤ_３）_２ＣＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）＝８．０１−７．９７（ｍ，９Ｈ），７．９１（ｄ，６Ｈ），７．８１（ｄ，１２Ｈ），７．５９（ｄ，１２Ｈ），７．２５（ｓ，３Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，６Ｈ），６．５７（ｔ，３Ｈ），５．８７−５．８１（ｍ，６Ｈ），２．８９−２．８６（ｍ，３Ｈ），２．５２−２．４８（ｍ，３Ｈ），１．８７（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），１．３８（ｄ，９Ｈ），１．１６（ｄ，９H），１．１２（ｄ，９Ｈ），１．０７（ｄ，９Ｈ），０．８０（５４Ｈ）．

＜合成例７＞ イリジウム錯体７の合成

イリジウム錯体７は、国際公開第２００６／１２１８１１号および米国特許出願公開第２０１１／００５７５５９号明細書に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例８＞ 高分子化合物Ｐ１の合成

単量体ＣＭ１は、特開２０１１−１７４０６１号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ２は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ３は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ４は、特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法に従って合成した。

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１（１８５ｇ）、単量体ＣＭ２（３５．９ｇ）、単量体ＣＭ３（２０．１ｇ）、単量体ＣＭ４（１０４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１７７ｍｇ）およびトルエン（４．３ｋｇ）を加え、１００℃に加熱した。
（工程２）その後、そこへ、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（８７３ｇ）を滴下し、１００℃で５時間攪拌した。
（工程３）その後、そこへ、フェニルボロン酸（３．０８ｇ）およびトルエン（１２０ｇ）を加え、１００℃で１４時間攪拌した。
（工程４）得られた反応液から水層を除いた後、そこへ、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液およびトルエンを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、水層を除去することにより有機層を得た。得られた有機層を、１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。洗浄した有機層を、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿物が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１を２０４ｇ得た。高分子化合物Ｐ１のＭｎは６．７×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ４から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：７．５：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例９＞ 高分子化合物Ｐ２の合成

単量体ＣＭ５は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ６は、特開２０１０−２１５８８６号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ７は、特表２００２−５３９２９２号公報に記載の方法に従って合成した。

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ５（０．９９５０ｇ）、単量体ＣＭ３（０．１０６４ｇ）、単量体ＣＭ６（０．０９２４ｇ）、単量体ＣＭ７（０．７３６４ｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）およびトルエン（４７ｍｌ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）を滴下し、５．５時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）およびジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ２を０．９１ｇ得た。高分子化合物Ｐ２のＭｎは５．２×１０^４であり、Ｍｗは２．５×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ６から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ７から誘導される構成単位とが、５０：５：５：４０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例１０＞ 単量体ＣＭ８の合成

化合物ＣＭ８ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。

＜Ｓｔｅｐ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＣＭ８ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）および水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで、化合物ＣＭ８ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。

＜Ｓｔｅｐ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ８ｂ（３３０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌ濃度の三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を合一した後、減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。得られた固体に、酢酸ブチルおよびメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、単量体ＣＭ８ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ８ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ, ２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜Ｓｔｅｐ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ８ｃ（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。得られた固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、単量体ＣＭ８（７２ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ８のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜合成例１１＞ 高分子化合物Ｐ３の合成

単量体ＣＭ９は、国際公開第２０１２／８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１０は、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１１は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ８（４．７６８６ｇ）、単量体ＣＭ２（１．９７４４ｇ）、単量体ＣＭ９（０．７７３４ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．４４３２ｇ）、単量体ＣＭ１１（０．３３０８ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加えた後、３時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、２４時間還流させた。
（工程４）その後、有機層と水層とを分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。その後、有機層と水層とを分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。その後、有機層と水層とを分離した後、得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ３（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ３のＭｎは１．４×１０^５であり、Ｍｗは４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ８から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ９から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１０から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、５０：３０：１０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例１２＞ 高分子化合物Ｐ４の合成

単量体ＣＭ１２は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ４は、単量体ＣＭ５、単量体ＣＭ９および単量体ＣＭ１２を用いて、特開２０１２−３６３８８号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ４のＭｎは９．１×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ９から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１２から誘導される構成単位とが、５０：４０：１０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例１３＞ 高分子化合物Ｐ５の合成

単量体ＣＭ１３およびＣＭ１４は、特開２０１２−３６３８１号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ５は、単量体ＣＭ５、単量体ＣＭ１３および単量体ＣＭ１４を用いて、特開２０１２−３６３８１号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ５のＭｎは３．４×１０^４であり、Ｍｗは１．２×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１３から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１４から誘導される構成単位とが、５０：２０：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例１４＞ 高分子化合物Ｐ６の合成

（高分子化合物Ｐ６−ａの合成）
高分子化合物Ｐ６−ａは、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ１５、および、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ１６を用いて、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ６−ａのＭｎは５．２×１０^４であった。

高分子化合物Ｐ６−ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１６から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。

（高分子化合物Ｐ６の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物Ｐ６−ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）およびエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。そこへ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させるにより、高分子化合物Ｐ６（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。得られた高分子化合物Ｐ６のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｐ６−ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。

＜実施例１＞ 発光素子１の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｈ．Ｃ．ｓｔａｒｋ社製、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ ＡＩ４０８３）（以下、「ＡＩ４０８３」という。）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、１０分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ３およびイリジウム錯体１（高分子化合物Ｐ３／イリジウム錯体１＝９２．５重量％／７．５重量％）を１．４重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層の上にバリウムを約５ｎｍ、次いで、バリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子１を作製した。なお、発光素子１が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子１は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子１の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は３０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．８ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．８ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝３０分であったため、Ａ×Ｂ＝２４であった。

発光素子１に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は６．５Ｖ、発光効率は２２．０ｃｄ／Ａであった。初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度半減寿命（以下、「ＬＴ５０」ともいう。）を測定したところ、３２８．１時間であった。

＜比較例１＞ 発光素子Ｃ１の作製と評価
発光素子Ｃ１は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子１と同様にして、発光素子Ｃ１を作製した。発光素子Ｃ１の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は３０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は５５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝５５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝３０分であったため、Ａ×Ｂ＝１６５０であった。

発光素子Ｃ１に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．６Ｖ、発光効率は１６．８ｃｄ／Ａであった。初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、ＬＴ５０を測定したところ、６３．０時間であった。

＜比較例２＞ 発光素子Ｃ２の作製と評価
発光素子Ｃ２は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子１と同様にして、発光素子Ｃ２を作製した。発光素子Ｃ２の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は３０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１１０ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１１０ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝３０分であったため、Ａ×Ｂ＝３３００であった。

発光素子Ｃ２に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は８．８Ｖ、発光効率は１２．９ｃｄ／Ａであった。初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、ＬＴ５０を測定したところ、２８．８時間であった。

＜実施例２＞ 発光素子２の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体２（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体２＝６０重量％／４０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子２を作製した。なお、発光素子２が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子２は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子２の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．７ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．７ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２０分であったため、Ａ×Ｂ＝１４であった。

発光素子２に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（緑色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は６．４Ｖ、発光効率は５８．５ｃｄ／Ａであった。初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、ＬＴ５０を測定したところ、９２．８時間であった。

＜実施例３＞ 発光素子３の作製と評価
発光素子３は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子２と同様にして、発光素子３を作製した。発光素子３の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２５分であったため、Ａ×Ｂ＝６２５であった。

発光素子３に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（緑色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は６．７Ｖ、発光効率は５５．０ｃｄ／Ａであった。初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、ＬＴ５０を測定したところ、７７．９時間であった。

＜比較例３＞ 発光素子Ｃ３の作製と評価
発光素子Ｃ３は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子２と同様にして、発光素子Ｃ３を作製した。発光素子Ｃ３の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１１０ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１１０ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２５分であったため、Ａ×Ｂ＝２７５０であった。

発光素子Ｃ３に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（緑色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は８．８Ｖ、発光効率は２５．８ｃｄ／Ａであった。初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、ＬＴ５０を測定したところ、２６．３時間であった。

＜実施例４＞ 発光素子４の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極の上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ５、イリジウム錯体３、イリジウム錯体４およびイリジウム錯体５（高分子化合物Ｐ５／イリジウム錯体３／イリジウム錯体４／イリジウム錯体５＝５９／４０／０．６／０．４）を２．２重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子４を作製した。なお、発光素子４が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子４は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子４の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．７ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．７ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２０分であったため、Ａ×Ｂ＝１４であった。

発光素子４に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（白色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．３Ｖ、発光効率は２１．６ｃｄ／Ａであった。

＜実施例５＞ 発光素子５の作製と評価
発光素子５は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子４と同様にして、発光素子５を作製した。発光素子５の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２５分であったため、Ａ×Ｂ＝６２５であった。

発光素子５に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（白色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．５Ｖ、発光効率は２１．２ｃｄ／Ａであった。

＜比較例４＞ 発光素子Ｃ４の作製と評価
発光素子Ｃ４は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子４と同様にして、発光素子Ｃ４を作製した。発光素子Ｃ４の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１１０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１１０分であったため、Ａ×Ｂ＝２７５０であった。

発光素子Ｃ４に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（白色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は１０．０Ｖ、発光効率は１０．０ｃｄ／Ａであった。

＜実施例６＞ 発光素子６の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ５およびイリジウム錯体３（高分子化合物Ｐ５／イリジウム錯体３＝６０／４０）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子６を作製した。なお、発光素子６が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子６は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子６の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露された時間は２０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．７ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．７ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２０分であったため、Ａ×Ｂ＝１４であった。

発光素子６に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．６Ｖ、発光効率は１５．８ｃｄ／Ａであった。

＜実施例７＞ 発光素子７の作製と評価
発光素子７は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子６と同様にして、発光素子７を作製した。発光素子７の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１０分であったため、Ａ×Ｂ＝２５０であった。

発光素子７に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は８．０Ｖ、発光効率は１５．１ｃｄ／Ａであった。

＜実施例８＞ 発光素子８の作製と評価
発光素子８は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子６と同様にして、発光素子８を作製した。発光素子８の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２５分であったため、Ａ×Ｂ＝６２５であった。

発光素子８に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は８．２Ｖ、発光効率は１５．０ｃｄ／Ａであった。

＜比較例５＞ 発光素子Ｃ５の作製と評価
発光素子Ｃ５は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子６と同様にして、発光素子Ｃ５を作製した。発光素子Ｃ５の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１１０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は２５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝２５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１１０分であったため、Ａ×Ｂ＝２７５０であった。

発光素子Ｃ５に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は１０．１Ｖ、発光効率は９．０ｃｄ／Ａであった。

＜実施例９＞発光素子９の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極の上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、高分子化合物Ｐ３およびイリジウム錯体１（高分子化合物Ｐ３／イリジウム錯体１＝９２．５重量％／７．５重量％）を１．３重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子９を作製した。なお、発光素子９が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子９は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子９の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は６０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．６ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．６ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝６０分であったため、Ａ×Ｂ＝３６であった。

発光素子９に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は５．６Ｖ、発光効率は２１．７ｃｄ／Ａであった。

＜実施例１０＞発光素子１０の作製と評価
発光素子９と同様にして、発光素子１０を作製した。発光素子１０の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２３０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．７ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．７ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２３０分であったため、Ａ×Ｂ＝１６１であった。

発光素子１０に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は５．７Ｖ、発光効率は２１．９ｃｄ／Ａであった。

＜比較例６＞発光素子Ｃ６の作製と評価
発光素子Ｃ６は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子９と同様にして作製した。発光素子Ｃ６の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１１５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１１５分であったため、Ａ×Ｂ＝１７２５であった。

発光素子Ｃ６に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は６．７Ｖ、発光効率は１７．２ｃｄ／Ａであった。

＜比較例７＞発光素子Ｃ７の作製と評価
発光素子Ｃ７は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子９と同様にして作製した。発光素子Ｃ７の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２６０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１８ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１８ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２６０分であったため、Ａ×Ｂ＝４６８０であった。

発光素子Ｃ７に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（赤色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．５Ｖ、発光効率は１２．４ｃｄ／Ａであった。

＜実施例１１＞発光素子１１の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｎ４０１３）およびイリジウム錯体６（低分子化合物ＳＭ１／イリジウム錯体６＝９０重量％／１０重量％）を１．９重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ６を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子１１を作製した。なお、発光素子１１が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子１１は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子１１の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２３０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．７ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．７ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２３０分であったため、Ａ×Ｂ＝１６１であった。

発光素子１１に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。輝度が１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は５．５Ｖ、発光効率は８．８ｃｄ／Ａであった。

＜比較例８＞発光素子Ｃ８の作製と評価
発光素子Ｃ８は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子１１と同様にして作製した。発光素子Ｃ８の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１１５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１１５分であったため、Ａ×Ｂ＝１７２５であった。

発光素子Ｃ８に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は７．５Ｖ、発光効率は４．９ｃｄ／Ａであった。

＜実施例１２＞発光素子１２の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板に、スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｎ４０１３）およびイリジウム錯体７（低分子化合物ＳＭ１／イリジウム錯体７＝７０重量％／３０重量％）を１．５重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ６を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下となるまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約６０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下において、ガラス基板を用いて封止層を形成することにより、発光素子１２を作製した。なお、発光素子１２が有する陽極、陰極および各層と、封止層の形成に用いたガラス基板との間には空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子１２は、外気取り入れ口にケミカルフィルター（ニチアス株式会社製、製品名：ケミカルガード−ＡＸ（活性炭を用いたケミカルフィルター））を設置した室内環境下で作製した。発光素子１２の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は５１５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は０．５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝０．５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝５１５分であったため、Ａ×Ｂ＝２５７．５であった。

発光素子１２に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。輝度が２００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は５．０Ｖ、発光効率は８．３ｃｄ／Ａであった。

＜比較例９＞発光素子C９の作製と評価
発光素子Ｃ９は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子１３と同様にして作製した。発光素子Ｃ９の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は１１５分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１５ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１５ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝１１５分であったため、Ａ×Ｂ＝１７２５であった。

発光素子Ｃ９に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。２００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は１０．０Ｖ、発光効率は６．４ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１０＞発光素子C１０の作製と評価
発光素子Ｃ１０は、外気取り入れ口にケミカルフィルターを設置しない室内環境下で作製した以外は、発光素子１３と同様にして作製した。発光素子Ｃ１０の作製において、発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子が、オゾンに曝露された時間は２６０分間であり、この間のオゾン濃度の平均値は１８ｐｐｂであった。製造中の発光素子がオゾンに曝露される際のオゾン濃度の平均値：Ａ＝１８ｐｐｂ、製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の時間：Ｂ＝２６０分であったため、Ａ×Ｂ＝４６８０であった。

発光素子Ｃ１０に電圧を印加したところ、ＥＬ発光（青色）が観測された。２００ｃｄ／ｍ²における駆動電圧は１１．５Ｖ、発光効率は４．３ｃｄ／Ａであった。

Claims (6)

1. 陽極と、
   陰極と、
   陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
   封止層とを有する発光素子の製造方法であって、
   発光層を、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体、または、中心金属がイリジウム原子であるイリジウム錯体から誘導される構成単位を含む高分子化合物を用いて塗布法により形成する工程と、
   陽極または陰極を形成する工程と、
   封止層を形成する工程とを含み、
   発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間における製造中の発光素子がオゾンに曝露される際の、オゾン濃度の平均値：Ａ（ｐｐｂ）と、時間：Ｂ（分）とが、式（１−１）を満たす、発光素子の製造方法。
   
   ０≦Ａ×Ｂ≦１０００ （１−１）
2. 前記Ａと、前記Ｂとが、式（１−２）を満たす、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
   
   ０≦Ａ×Ｂ≦１００ （１−２）
3. 前記Ａが、式（２−１）を満たす、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
   
   ０≦Ａ≦３０ （２−１）
4. 前記Ｂが、式（３−０）を満たす、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
   
   ０≦Ｂ≦１０００ （３−０）
5. 前記の発光層を形成する工程の開始時から封止層を形成する工程の終了時までの間が、ケミカルフィルターを用いた環境下で行われる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記イリジウム錯体が、式（４）で表されるイリジウム錯体である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
   

   

   ［式中、
   ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は３である。
   Ｅ^１およびＥ^２は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｅ^１およびＥ^２の少なくとも一方は炭素原子である。
   環Ｒ^１は、５員環または６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^１が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^１は炭素原子である。
   環Ｒ^２は、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^２が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^２は炭素原子である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

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