JP2016025358A - 窒化チタンハードマスク及びエッチ残留物除去 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許出願は7/24/2014に出願された米国仮特許出願番号第62/028,539号の利益を主張する。
構造全体にわたって高度に分散した負電荷を有する、弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、ここで、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4であり、好ましくは<2であり、より好ましくは<1.5であり、そして、
該組成物はTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率>1:1を提供する。
TiN又はTiNxOy及びCu、W、低−k誘電体材料及びそれらの組み合わせから選ばれる第二の材料を含む半導体デバイス、
前記半導体デバイスからTiN又はTiNxOyを選択的に除去するための組成物、
を含み、該組成物は、
構造全体にわたって高度に分散した負電荷を有する、弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4であり、好ましくは<2であり、より好ましくは<1.5であり、そして、
該組成物はTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率>1:1を提供し、
ここで、
TiN又はTiNxOyは該組成物と直接接触しており、そして第二の材料がWであるならば、TiN又はTiNxOyはWと直接接触していない。
TiN又はTiNxOy及びCu、W、低−k誘電体材料から選ばれる第二の材料を含む半導体デバイスを提供すること、
前記半導体デバイスを組成物と接触させること、ここで、該組成物は、
弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4であり、好ましくは<2であり、より好ましくは<1.5である、及び、
TiN又はTiNxOyを選択的に除去すること、
を含み、ここで、
TiN又はTiNxOyは該組成物と直接接触しており、そして第二の材料がWであるならば、TiN又はTiNxOyはWと直接接触しておらず、
TiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>1:1である。
上式中、R1、R2、R3、R4はH、CH3、C2H5及びC3H7からなる群より独立に選ばれる。
1.高速の窒化チタンエッチは70℃以下で観測される。
2.配合物の水溶液は安定である。
3.低活性フッ化物含有配合物は低TEOSエッチ及びパターン化PDEM 2.2 損傷(PDEMs 2.2 damage)を示す。
4.タングステン、Wのエッチングが低く又は本質的に観測されないので、本プラットホームの配合物はM1層と適合性であり、そしてM1層を清浄化するのに使用されうる。
5.配合物はタングステン層と低−k誘電体層との間のTiNライナーを損傷しない。
[非化学量論量のFe(III)Cl3及び塩化Cu(II)]
非化学量論とは、500を超える、TiNハードマスクを含むパターン化ウエハ中のTiNを酸化するのに不十分なF(III)又はCu(II)が存在することを意味する。これは典型的な最小浴寿命要求である。
[塩化Cu(II)及び塩化鉄(II)、非環境微量酸化剤を添加せず]
表3は空気の存在下での配合物88Aのエッチデータを示した。
[Ni(II)及びAl(II)なし]
表4は、空気の存在下での配合物75Fのエッチデータを示している。
[Fe(III)の形態の化学量論量の非環境酸化剤]
これは比較例であった。配合物71Cは化学量論量のFeCl3を含んだ。配合物71CはCu(II)をも含んだ。表5は配合物に関するエッチ速度データを示している。空気が存在していた。
[化学量論量の非環境酸化剤、Cu(II)なし、NI(II)なし]
これは比較例であった。配合物71C2はFe(III)の形態で化学量論量の非環境酸化剤を含んだが、Cu(II)又はNI(II)を含まなかった。
[過剰TiNと非化学量論量のFe(III)、Cu(II)]
これは比較例であった。配合物75AはFe(III)及びCu(II)の形態の非化学量論量の非環境微量酸化剤を含んだ。空気は存在していた。
[過剰量のTiNを含む非化学量論量のFe(III)で、Cu(II)を含まない]
これは比較例であった。 配合物71Wは非化学量論量の非環境微量酸化剤をFe(III)の形態で含んだが、Cu(II)を含まなかった。
[低量のTiNを含む非化学量論量のFe(III)で、Cu(II)を含まない]
これは比較例であった。配合物71Xは非化学量論量の非環境微量酸化剤をFe(III)の形態で含み、低量のTiNを含み、Cu(II)を含まなかった。
[Tiの当量レベルを含む非化学量論量のFe(III)で、Cu(II)を含まない]
これは比較例であった。配合物71Yは当量レベルのTiNとともに非化学量論量の非環境微量酸化剤をFe(III)の形態で含み、Cu(II)を含まなかった。
[非化学量論量のFe(III)、Cu(II)、空気なし]
これは比較例であった。配合物75Fは非化学量論量の非環境微量酸化剤をFe(III)、Cu(II)の形態で含んだ。
[より高いHFレベル]
より高いレベルのHFを含む配合物75Bを本例において使用した。
[より低いHFレベル]
より低いHFレベルを含む配合物75Cを本例で使用した。
[タングステン腐食防止剤の添加]
200ppmのタングステン腐食防止剤のポリエチレンイミンを含む配合物78Aを本例において使用した。
[Wへのガルバニ結合によるTiNエッチ速度の抑制]
表1Aに示す同一の水性配合物71Pを用いてエッチ研究を行った。TiN及びWブランケットウエハを配合物中に浸漬する前に互いにガルバニ結合させた。少量部分のタングステン面が少量部分のTiN面に接触するようにして、ウエハの角をクリッピングすることにより結合を達成した。W及びTiNウエハの厚さをエッチングの前と後で測定した。
Claims (30)
- 窒化チタン(TiN又はTiNxOy、ここで、x=0〜1.3であり、そしてy=0〜2である)を、TiN又はTiNxOy及びCu、W、低−k誘電体材料及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる第二の材料を含む半導体デバイスから選択的に除去するための組成物であって、該組成物は、
構造全体にわたって高度に分散した負電荷を有する、弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、ここで、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4であり、そして、
該組成物はTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率>1:1を提供する、組成物。 - 前記弱配位性アニオンは1〜10wt%の範囲で存在し、そしてp−トルエンスルホネート(C7H8SO3 -)、スルフェート(SO4 2-)、ニトレート(NO3 -)、トリフレート(CF3SO3 -)、フルオロスルフェート、ペルフルオロスルホネート(RfSO3 -;RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -; RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ヘキサフルオロシリケート (SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタネート(TiF6 2-)、テトラフルオロボレート(BF4 -)、ヘキサフルオロホスフェート(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモネート(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミネート((RfO)4Al-、Rfはペルフルオロアルキル基である)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の組成物。
- 前記アミン塩バッファーは0.5〜10wt%の範囲で存在し、そして塩化アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、アンモニウムペルフルオロスルホネート、アンモニウムテトラフルオロボレート、アンモニウムヘキサフルオロチタネート、アンモニウムヘキサフルオロシリケート、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムから選ばれる有機酸のアンモニウム塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、ここで、アンモニウムはN(R1R2R3R4)+の形態を有し、上式中、R1、R2、R3、R4はH、CH3、C2H5及びC3H7からなる群より独立に選ばれる、請求項1記載の組成物。
- 前記非酸化性微量金属イオンは<500ppmで存在し、そしてFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン及びNi(II)イオンからなる群より選ばれる、請求項1記載の組成物。
- 前記非環境微量酸化剤は5〜200ppmの範囲で存在し、そしてFe(III)化合物、Ce(IV)、バナジウム(V)、Mn(V、VI又はVII)化合物、Cr(V又はVI)化合物、Cl(I、III又はV)化合物、Br(I又はIII)化合物及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の組成物。
- <4000ppmの可溶フッ化水素塩をさらに含み、該可溶フッ化水素塩はフッ化水素アンモニウム、フッ化水素アルキルアンモニウム、水性フッ化水素及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の組成物。
- <10000ppmの腐食防止剤をさらに含み、該腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、ポリエチレンイミン、カテコール、システイン及びシスチンの誘導体、グリシン、チオ尿素及びチオビウレット、シロキサン、塩化アルミニウム、フッ化アルミニウム、イミダゾール、トリアゾール、ホウ酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の組成物。
- 前記非環境微量酸化剤は非化学量論量であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項1記載の組成物。
- 前記弱配位性アニオンはヘキサフルオロシリケートであり、前記アミン塩バッファーは塩化アンモニウムであり、前記非酸化性微量金属イオンはCu(II)Cl2であり、前記非環境微量酸化剤は非化学量論量のFe(III)Cl3であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項1記載の組成物。
- フッ化水素アンモニウム及びポリエチレンイミンをさらに含む、請求項9記載の組成物。
- 窒化チタン(TiN又はTiNxOy、ここで、x=0〜1.3であり、そしてy=0〜2である)を、マイクロエレクトロニクスデバイスの表面から選択的に除去するためのシステムであって、該システムは、
TiN又はTiNxOy及びCu、W、低−k誘電体材料及びそれらの組み合わせから選ばれる第二の材料を含む半導体デバイス、
前記半導体デバイスからTiN又はTiNxOyを選択的に除去するための組成物、
を含み、該組成物は、
構造全体にわたって高度に分散した負電荷を有する、弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4であり、そして、
該組成物はTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率>1:1を提供し、ここで、
TiN又はTiNxOyは該組成物と直接接触しており、そして第二の材料がWであるならば、TiN又はTiNxOyはWと直接接触していない、システム。 - 前記弱配位性アニオンは1〜10wt%の範囲で存在し、そしてp−トルエンスルホネート(C7H8SO3 -)、スルフェート(SO4 2-)、ニトレート(NO3 -)、トリフレート(CF3SO3 -)、フルオロスルフェート、ペルフルオロスルホネート(RfSO3 -;RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -; RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ヘキサフルオロシリケート (SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタネート(TiF6 2-)、テトラフルオロボレート(BF4 -)、ヘキサフルオロホスフェート(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモネート(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミネート((RfO)4Al-、Rfはペルフルオロアルキル基である)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記アミン塩バッファーは0.5〜10wt%の範囲で存在し、そして塩化アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、アンモニウムペルフルオロスルホネート、アンモニウムテトラフルオロボレート、アンモニウムヘキサフルオロチタネート、アンモニウムヘキサフルオロシリケート、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムから選ばれる有機酸のアンモニウム塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、ここで、アンモニウムはN(R1R2R3R4)+の形態を有し、上式中、R1、R2、R3、R4はH、CH3、C2H5及びC3H7からなる群より独立に選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記非酸化性微量金属イオンは<500ppmの量であり、そしてFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン及びNi(II)イオンからなる群より選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記非環境微量酸化剤は5〜200ppmの範囲で存在し、そしてFe(III)化合物、Ce(IV)、バナジウム(V)、Mn(V、VI又はVII)化合物、Cr(V又はVI)化合物、Cl(I、III又はV)化合物、Br(I又はIII)化合物及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記組成物は<4000ppmの可溶フッ化水素塩をさらに含み、該可溶フッ化水素塩はフッ化水素アンモニウム、フッ化水素アルキルアンモニウム、水性フッ化水素及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記組成物は<10000ppmの腐食防止剤をさらに含み、該腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、ポリエチレンイミン、カテコール、システイン及びシスチンの誘導体、グリシン、チオ尿素及びチオビウレット、シロキサン、塩化アルミニウム、フッ化アルミニウム、イミダゾール、トリアゾール、ホウ酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項11記載のシステム。
- 前記非環境微量酸化剤は非化学量論量であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項11記載のシステム。
- 前記弱配位性アニオンはヘキサフルオロシリケートであり、前記アミン塩バッファーは塩化アンモニウムであり、前記非酸化性微量金属イオンはCu(II)Cl2であり、前記非環境微量酸化剤は非化学量論量のFe(III)Cl3であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項11記載のシステム。
- 前記組成物はフッ化水素アンモニウム及びポリエチレンイミンをさらに含む、請求項19記載のシステム。
- 窒化チタン(TiN又はTiNxOy、ここで、x=0〜1.3であり、そしてy=0〜2である)を選択的に除去するための方法であって、
TiN又はTiNxOy及びCu、W、低−k誘電体材料から選ばれる第二の材料を含む半導体デバイスを提供すること、
前記半導体デバイスを組成物と接触させること、ここで、該組成物は、
構造全体にわたって高度に分散した負電荷を有する、弱配位性アニオン、
アミン塩バッファー、
非酸化性微量金属イオン、
非環境微量酸化剤、
を含み、残部は水、スルホラン、ジメチルスルフィド、乳酸、グリコール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒であり、
該組成物は過酸化水素を含まず、
該組成物は空気に暴露されており、
該組成物はpH<4である、及び、
TiN又はTiNxOyを選択的に除去すること、
を含み、ここで、
TiN又はTiNxOyは該組成物と直接接触しており、そして第二の材料がWであるならば、TiN又はTiNxOyはWと直接接触しておらず、
TiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>1:1である、方法。 - 前記弱配位性アニオンは1〜10wt%の範囲で存在し、そしてp−トルエンスルホネート(C7H8SO3 -)、スルフェート(SO4 2-)、ニトレート(NO3 -)、トリフレート(CF3SO3 -)、フルオロスルフェート、ペルフルオロスルホネート(RfSO3 -;RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -; RfはC1〜C4のペルフルオロアルキル基である)、ヘキサフルオロシリケート (SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタネート(TiF6 2-)、テトラフルオロボレート(BF4 -)、ヘキサフルオロホスフェート(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモネート(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミネート((RfO)4Al-、Rfはペルフルオロアルキル基である)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記アミン塩バッファーは0.5〜10wt%の範囲で存在し、そして塩化アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、アンモニウムペルフルオロスルホネート、アンモニウムテトラフルオロボレート、アンモニウムヘキサフルオロチタネート、アンモニウムヘキサフルオロシリケート、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムから選ばれる有機酸のアンモニウム塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、ここで、アンモニウムはN(R1R2R3R4)+の形態を有し、上式中、R1、R2、R3、R4はH、CH3、C2H5及びC3H7からなる群より独立に選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記非酸化性微量金属イオンは<500ppmであり、そしてFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン及びNi(II)イオンからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記非環境微量酸化剤は5〜200ppmの範囲で存在し、そしてFe(III)化合物、Ce(IV)、バナジウム(V)、Mn(V、VI又はVII)化合物、Cr(V又はVI)化合物、Cl(I、III又はV)化合物、Br(I又はIII)化合物及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記組成物は<4000ppmの可溶フッ化水素塩をさらに含み、該可溶フッ化水素塩はフッ化水素アンモニウム、フッ化水素アルキルアンモニウム、水性フッ化水素及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記組成物は<10000ppmの腐食防止剤をさらに含み、該腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、ポリエチレンイミン、カテコール、システイン及びシスチンの誘導体、グリシン、チオ尿素及びチオビウレット、シロキサン、塩化アルミニウム、フッ化アルミニウム、イミダゾール、トリアゾール、ホウ酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 前記非環境微量酸化剤は非化学量論量であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項21記載の方法。
- 前記弱配位性アニオンはヘキサフルオロシリケートであり、前記アミン塩バッファーは塩化アンモニウムであり、前記非酸化性微量金属イオンはCu(II)Cl2であり、前記非環境微量酸化剤は非化学量論量のFe(III)Cl3であり、そしてTiN又はTiNxOy/第二の材料の除去選択率は>10:1である、請求項21記載の方法。
- 前記組成物はフッ化水素アンモニウム及びポリエチレンイミンをさらに含む、請求項29記載の組成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020079977A1 (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社Adeka | 表面処理液及びニッケル含有材料の表面処理方法 |
JP2020515669A (ja) * | 2017-03-24 | 2020-05-28 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 半導体基板上の残渣を除去するための洗浄組成物 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9472420B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
US10332784B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-06-25 | Versum Materials Us, Llc | Selectively removing titanium nitride hard mask and etch residue removal |
CN105862040A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 铜蚀刻液添加剂以及铜蚀刻液的生成方法 |
WO2018068184A1 (zh) * | 2016-10-10 | 2018-04-19 | 深圳大学 | 一种 TiNC 膜的退镀液及退镀工艺 |
CN106773563A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 四丙基溴化胺无水剥离液 |
KR101971459B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2019-04-23 | 재원산업 주식회사 | 유기발광소자 제조용 도전 부재 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
US11499236B2 (en) | 2018-03-16 | 2022-11-15 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for tungsten word line recess |
JP2020202320A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 関東化学株式会社 | 過酸化水素分解抑制剤 |
KR20220033141A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 식각액 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 어레이 기판 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232559A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Meltex Inc | チタン剥離液 |
JP2008547202A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-25 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 |
JP2009019255A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
JP2009527131A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-07-23 | インテル コーポレイション | 半導体プロセスにおけるメタルハードマスク材料をエッチングするための組成物 |
WO2013101907A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US20150175943A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for Titanium Nitride Hard Mask and Etch Residue Removal |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200428512A (en) | 2003-05-02 | 2004-12-16 | Ekc Technology Inc | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing |
KR20100082012A (ko) | 2007-11-16 | 2010-07-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 기판으로부터의 금속 하드 마스크 에칭 잔류물의 제거를 위한 조성물 |
US20120048295A1 (en) * | 2009-03-11 | 2012-03-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
WO2012048079A2 (en) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
US9257270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-02-09 | Ekc Technology | Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material |
KR102009250B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2019-08-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 표시장치의 제조방법 및 이에 이용되는 구리계 금속막/금속 산화물막의 식각액 조성물 |
KR20130049507A (ko) * | 2011-11-04 | 2013-05-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 질화 티탄막 식각액 조성물 및 이를 이용한 질화 티탄막의 식각방법 |
KR20130084932A (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8795774B2 (en) * | 2012-09-23 | 2014-08-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Hardmask |
JP6063206B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2017-01-18 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014103179A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
CN103525599A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-22 | 杨桂望 | 锅炉积垢去除剂 |
-
2015
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- 2015-07-23 JP JP2015145786A patent/JP5869720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232559A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Meltex Inc | チタン剥離液 |
JP2008547202A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-25 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 |
JP2009527131A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-07-23 | インテル コーポレイション | 半導体プロセスにおけるメタルハードマスク材料をエッチングするための組成物 |
JP2009019255A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
WO2013101907A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US20150175943A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for Titanium Nitride Hard Mask and Etch Residue Removal |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020515669A (ja) * | 2017-03-24 | 2020-05-28 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 半導体基板上の残渣を除去するための洗浄組成物 |
JP7077505B2 (ja) | 2017-03-24 | 2022-05-31 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 半導体基板上の残渣を除去するための洗浄組成物 |
WO2020079977A1 (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社Adeka | 表面処理液及びニッケル含有材料の表面処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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