JP2016021501A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、分割の起点となる改質層を形成してウェーハを複数のチップへと分割するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method in which a modified layer serving as a starting point of division is formed and a wafer is divided into a plurality of chips.
携帯電話に代表される小型軽量な電子機器では、IC等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成となっている。デバイスチップ(以下、チップ)は、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハの表面をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域にデバイスを形成した後、このストリートに沿ってウェーハを分割することで製造される。 In a small and lightweight electronic device typified by a mobile phone, a device chip including a device such as an IC is indispensable. Device chips (hereinafter referred to as chips), for example, divide the surface of a wafer made of a material such as silicon into multiple division lines called streets, form devices in each area, and then divide the wafers along these streets It is manufactured by doing.
近年では、ウェーハのストリートに沿って分割の起点となる改質層を形成し、外力を付与して複数のチップへと分割する分割方法が実用化されている。この分割方法では、例えば、改質層が形成されたウェーハにエキスパンドテープの中央部を貼着し、この中央部を突き上げるようにエキスパンドテープを拡張することでウェーハに外力を付与している。 In recent years, a dividing method in which a modified layer serving as a starting point for dividing is formed along a street of a wafer and an external force is applied to divide the wafer into a plurality of chips has been put into practical use. In this dividing method, for example, the central portion of the expanded tape is attached to the wafer on which the modified layer is formed, and the expanded tape is expanded so as to push up the central portion, thereby applying an external force to the wafer.
ところで、エキスパンドテープを拡張して拡げたチップの間隔を維持するために、エキスパンドテープの外周部を固定した環状のフレームの内周とウェーハの外周との間の領域を加熱し、拡張後のエキスパンドテープの弛んだ部分を部分的に収縮させる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法でチップの間隔を拡げた状態に維持すれば、後のハンドリング等を容易にできる。また、この方法によれば、テープの弛みによるチップ同士のこすれを防いで破損を回避できる。 By the way, in order to maintain the space between the expanded tapes by expanding the expanded tape, the area between the inner periphery of the annular frame that fixes the outer peripheral portion of the expanded tape and the outer periphery of the wafer is heated to expand the expanded expanded tape. A method of partially shrinking a slack portion of a tape has been proposed (see, for example, Patent Document 1). If the distance between the chips is maintained in this way, the subsequent handling can be facilitated. Further, according to this method, it is possible to prevent the chips from rubbing due to the slack of the tape and to avoid breakage.
上述の方法では、フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を加熱する前に、拡張されたエキスパンドテープをチャックテーブルで吸引してチップの間隔を維持しつつ、エキスパンドテープの突き上げを解除してウェーハとフレームとを同じ高さに位置付けている。 In the above method, before the area between the inner periphery of the frame and the outer periphery of the wafer is heated, the expanded tape is sucked with the chuck table to maintain the chip interval, and the expansion tape is released. Thus, the wafer and the frame are positioned at the same height.
しかしながら、エキスパンドテープの突き上げを解除すると、フレームの内周とウェーハの外周との間でエキスパンドテープが撓んで***し、チャックテーブルからエキスパンドテープが捲れてしまうことがあった。この場合、特に、エキスパンドテープの捲れた部分では、チップの間隔を適切に維持できなくなる。 However, when the expansion tape is released from pushing up, the expansion tape may bend and rise between the inner periphery of the frame and the outer periphery of the wafer, and the expand tape may be rolled from the chuck table. In this case, in particular, the gap between the chips cannot be maintained appropriately in the expanded portion of the expanded tape.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エキスパンドテープの***に起因するチャックテーブルからの捲れを抑制したウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method that suppresses wobbling from the chuck table due to the protrusion of the expanded tape.
本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を表面に有するウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハを透過する波長のレーザー光線によって該分割予定ラインに沿った改質層をウェーハの内部に形成する改質層形成ステップと、エキスパンドテープを介して環状のフレームの開口にウェーハが支持されたウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備ステップと、該改質層形成ステップ及び該ウェーハユニット準備ステップを実施した後に、該ウェーハユニットのウェーハを、該エキスパンドテープを介してチャックテーブルの保持面に載置するとともに、該フレームをフレーム保持手段で保持する拡張準備ステップと、該拡張準備ステップを実施した後に、該チャックテーブルを該フレーム保持手段に対して突き上げるように該チャックテーブルと該フレーム保持手段とを相対移動させて該エキスパンドテープを拡張し、該改質層を起点にウェーハを該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割しつつ該チップの間隔を拡張する拡張ステップと、該拡張ステップを実施した後に、該エキスパンドテープを介して該チャックテーブルの該保持面でウェーハを吸引保持し該チップの間隔を維持しつつ、該フレーム保持手段に対する該チャックテーブルの突き上げ状態を解除する突き上げ解除ステップと、該突き上げ解除ステップを実施した後に、該拡張ステップで拡張されて弛んだ該チャックテーブル外周と該フレーム内周との間の該エキスパンドテープに刺激を与えて、弛みを除去する弛み除去ステップと、を備え、該改質層形成ステップでは、所定の該分割予定ラインで該外周余剰領域を除いて該改質層を形成することで、該外周余剰領域で形成される端材チップの面積を大きくし、該突き上げ解除ステップで該チャックテーブル外周と該フレーム内周との間の該エキスパンドテープが***しても該保持面で保持された該エキスパンドテープが該保持面から捲れて該チップの間隔が維持できなくなるのを防ぐことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, processing of a wafer that divides a wafer having a device area in which a plurality of devices are partitioned by a planned division line and an outer peripheral surplus area surrounding the device area along the planned division line. A modified layer forming step for forming a modified layer along the predetermined division line inside the wafer by a laser beam having a wavelength that transmits the wafer, and the wafer is placed at the opening of the annular frame via the expanded tape. After performing the wafer unit preparing step for preparing the supported wafer unit, the modified layer forming step, and the wafer unit preparing step, the wafer of the wafer unit is placed on the holding surface of the chuck table via the expand tape. The frame is mounted and the frame is held by the frame holding means. After carrying out the preparation step and the expansion preparation step, the expand tape is expanded by moving the chuck table and the frame holding means relative to each other so that the chuck table is pushed up with respect to the frame holding means, and An expansion step of expanding the space between the chips while dividing the wafer into a plurality of chips along the planned dividing line from the material layer, and after performing the expansion step, the chuck table via the expand tape After performing the push-up releasing step for releasing the push-up state of the chuck table with respect to the frame holding means while maintaining the distance between the chips by sucking and holding the wafer on the holding surface, and after the push-up releasing step, The extract between the outer periphery of the chuck table and the inner periphery of the frame that has been expanded and slackened. And a slack removal step for removing slack by stimulating the tape, and in the modified layer forming step, the modified layer is formed by excluding the outer peripheral surplus area at the predetermined division line. The area of the end material chip formed in the outer peripheral surplus area is increased, and even if the expanded tape rises between the outer periphery of the chuck table and the inner periphery of the frame in the push-up release step, it is held on the holding surface. Further, there is provided a wafer processing method characterized by preventing the expanded tape from falling from the holding surface and preventing the interval between the chips from being maintained.
本発明において、該改質層形成ステップでは、該拡張ステップにおいて該デバイス領域が複数の該チップに分割される程度に該外周余剰領域に該改質層を形成することが好ましい。 In the present invention, in the modified layer forming step, the modified layer is preferably formed in the outer peripheral surplus region to such an extent that the device region is divided into a plurality of chips in the expanding step.
本発明に係るウェーハの加工方法では、改質層形成ステップにおいて、所定の分割予定ラインで外周余剰領域を除いて改質層を形成し、端材チップを大面積化しているので、エキスパンドテープが撓んで***してもチャックテーブルから捲れ難くなる。このように、本発明によれば、エキスパンドテープの***に起因するチャックテーブルからの捲れを抑制したウェーハの加工方法を提供できる。 In the wafer processing method according to the present invention, in the modified layer forming step, the modified layer is formed by excluding the outer peripheral surplus region in a predetermined division line, and the end material chip is enlarged, so that the expanded tape is Even if it bends and rises, it becomes difficult to droop from the chuck table. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a wafer processing method in which wobbling from the chuck table due to the bulging of the expanded tape is suppressed.
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハユニット準備ステップ(図1参照)、改質層形成ステップ(図2参照)、拡張準備ステップ(図4(A)参照)、拡張ステップ(図4(B)参照)、突き上げ解除ステップ(図5(A)参照)、及び弛み除去ステップ(図5(B)参照)を含む。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to the present embodiment includes a wafer unit preparation step (see FIG. 1), a modified layer formation step (see FIG. 2), an expansion preparation step (see FIG. 4A), and an expansion step (see FIG. 4). B)), a push-up releasing step (see FIG. 5A), and a slack removing step (see FIG. 5B).
ウェーハユニット準備ステップでは、ウェーハがエキスパンドテープを介して環状のフレームに支持されたウェーハユニットを準備する。改質層形成ステップでは、ウェーハの内部にレーザー光線を集光させて、ストリート(分割予定ライン)に沿う改質層を形成する。 In the wafer unit preparation step, a wafer unit in which a wafer is supported on an annular frame via an expand tape is prepared. In the modified layer forming step, the laser beam is condensed inside the wafer to form a modified layer along the street (division planned line).
拡張準備ステップでは、チップ間隔維持装置が備えるチャックテーブルにウェーハを載置し、フレーム保持テーブル(フレーム保持手段)でフレームを保持する。拡張ステップでは、チャックテーブルをフレーム保持テーブルに対して突き上げるように移動させて、エキスパンドテープを拡張する。これにより、改質層が形成されたストリートに沿ってウェーハは複数のチップに分割され、また、チップの間隔が拡げられる。 In the expansion preparation step, the wafer is placed on a chuck table provided in the chip interval maintaining device, and the frame is held by a frame holding table (frame holding means). In the expansion step, the expand tape is expanded by moving the chuck table so as to push up the frame holding table. Thereby, the wafer is divided into a plurality of chips along the street where the modified layer is formed, and the interval between the chips is increased.
突き上げ解除ステップでは、チャックテーブルでウェーハを吸引保持してチップの間隔を維持しつつ、チャックテーブルの突き上げ状態を解除する。弛み除去ステップでは、チャックテーブルの外周とフレームの内周との間でエキスパンドテープに刺激を与え、エキスパンドテープの弛みを除去する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。 In the push-up release step, the chuck table is released from the push-up state while the wafer is sucked and held by the chuck table to maintain the chip interval. In the slack removal step, the expanded tape is stimulated between the outer periphery of the chuck table and the inner periphery of the frame to remove the slack of the expanded tape. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.
まず、ウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備ステップを実施する。図1は、本実施形態のウェーハユニットを模式的に示す斜視図である。図1に示すように、ウェーハユニット1は、例えば、シリコン等の材料で形成された円盤状のウェーハ11を含む。 First, a wafer unit preparation step for preparing a wafer unit is performed. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the wafer unit of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the wafer unit 1 includes a disk-shaped wafer 11 formed of a material such as silicon, for example.
ウェーハ11の表面11aは、中央のデバイス領域13と、デバイス領域13を囲む外周余剰領域15とに分けられる。このデバイス領域13及び外周余剰領域15は、格子状に配列されたストリート(分割予定ライン)17でさらに複数の小領域に区画されており、デバイス領域13内の各小領域には、IC等のデバイス19が形成されている。 The surface 11 a of the wafer 11 is divided into a central device region 13 and an outer peripheral surplus region 15 surrounding the device region 13. The device area 13 and the outer peripheral surplus area 15 are further divided into a plurality of small areas by streets (division planned lines) 17 arranged in a lattice pattern. Each small area in the device area 13 includes an IC or the like. A device 19 is formed.
ウェーハユニット準備ステップでは、例えば、ウェーハ11の裏面11b側に、ウェーハ11より大径のエキスパンドテープ21を貼着する。エキスパンドテープ21は、樹脂等の材料で形成されており、外力を付与することで拡張される。このエキスパンドテープ21の外周部には、略円形の開口を備えた環状のフレーム23が貼着される。 In the wafer unit preparation step, for example, an expanded tape 21 having a diameter larger than that of the wafer 11 is attached to the back surface 11 b side of the wafer 11. The expanded tape 21 is formed of a material such as resin and is expanded by applying an external force. An annular frame 23 having a substantially circular opening is attached to the outer peripheral portion of the expand tape 21.
これにより、ウェーハ11は、エキスパンドテープ21を介して環状のフレーム23に支持される。なお、図1では、ウェーハ11の裏面11b側にエキスパンドテープ21を貼着しているが、ウェーハ11の表面11a側にエキスパンドテープ21を貼着しても良い。 Thereby, the wafer 11 is supported by the annular frame 23 via the expanded tape 21. In FIG. 1, the expand tape 21 is attached to the back surface 11 b side of the wafer 11, but the expand tape 21 may be attached to the front surface 11 a side of the wafer 11.
ウェーハユニット準備ステップの後には、ウェーハ11のストリート17に沿って改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。図2は、改質層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。この改質層形成ステップは、例えば、図2に示すレーザー加工装置2で実施される。 After the wafer unit preparation step, a modified layer forming step for forming a modified layer along the street 17 of the wafer 11 is performed. FIG. 2 is a partial cross-sectional side view schematically showing the modified layer forming step. This modified layer forming step is performed by, for example, the laser processing apparatus 2 shown in FIG.
レーザー加工装置2は、ウェーハ11を吸引保持する保持テーブル4を備えている。保持テーブル4は、モータ等の回転駆動源(不図示)と連結されており、鉛直軸の周りに回転する。また、保持テーブル4の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、保持テーブル4は、この移動機構で水平方向に移動する。 The laser processing apparatus 2 includes a holding table 4 that holds the wafer 11 by suction. The holding table 4 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a vertical axis. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the holding table 4, and the holding table 4 moves in the horizontal direction by this moving mechanism.
保持テーブル4の上面は、ウェーハ11の裏面11b側(エキスパンドテープ21側)を吸引保持する保持面4aとなっている。保持面4aには、保持テーブル4の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、ウェーハ11を吸引する吸引力が発生する。保持テーブル4の周囲には、環状のフレーム23を挟持固定する複数のクランプ6が配置されている。 The upper surface of the holding table 4 is a holding surface 4 a that sucks and holds the back surface 11 b side (expanded tape 21 side) of the wafer 11. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface 4a through a flow path (not shown) formed inside the holding table 4, and a suction force for sucking the wafer 11 is generated. Around the holding table 4, a plurality of clamps 6 for holding and fixing the annular frame 23 are arranged.
保持テーブル4の上方には、レーザー加工ヘッド8が配置されている。レーザー加工ヘッド8は、レーザー発振器(不図示)で発振したレーザービームLを、保持テーブル4に吸引保持されたウェーハ11の内部に集光させる。レーザー発振器は、ウェーハ11に吸収され難い波長(ウェーハ11を透過する波長)のレーザービームLを発振できるように構成されている。 A laser processing head 8 is disposed above the holding table 4. The laser processing head 8 focuses the laser beam L oscillated by a laser oscillator (not shown) inside the wafer 11 sucked and held by the holding table 4. The laser oscillator is configured to be able to oscillate a laser beam L having a wavelength that is difficult to be absorbed by the wafer 11 (wavelength that passes through the wafer 11).
改質層形成ステップでは、まず、ウェーハ11の裏面11b側(エキスパンドテープ21側)を保持テーブル4の保持面4aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態で保持テーブル4に吸引保持される。 In the modified layer forming step, first, the back surface 11b side (expanded tape 21 side) of the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 4a of the holding table 4 to apply the negative pressure of the suction source. Thereby, the wafer 11 is sucked and held by the holding table 4 with the surface 11a side exposed upward.
次に、保持テーブル4を移動、回転させて、レーザー加工ヘッド8を加工対象のストリート17の上方に位置付ける。その後、レーザー加工ヘッド8からウェーハ11に向けてレーザービームLを照射しつつ、保持テーブル4を加工対象のストリート17と平行な方向に移動させる。これにより、レーザービームLの集光点近傍に多光子吸収を生じさせて、ストリート17に沿う改質層25を形成できる。 Next, the holding table 4 is moved and rotated to position the laser processing head 8 above the street 17 to be processed. Thereafter, the holding table 4 is moved in a direction parallel to the processing target street 17 while irradiating the laser beam L from the laser processing head 8 toward the wafer 11. Thereby, multiphoton absorption is generated in the vicinity of the condensing point of the laser beam L, and the modified layer 25 along the street 17 can be formed.
この改質層形成ステップでは、図1に示すように、一部のストリート17で外周余剰領域15内に改質層25を形成しない。すなわち、所定のストリート17では、デバイス領域13にのみ改質層25を形成している。 In this modified layer formation step, as shown in FIG. 1, the modified layer 25 is not formed in the outer peripheral surplus region 15 in some streets 17. That is, on the predetermined street 17, the modified layer 25 is formed only in the device region 13.
このように、所定のストリート17で外周余剰領域15を除いて改質層25を形成すれば、外周余剰領域15で分割される端材チップを大面積化できる。その結果、後述するように、ウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間においてエキスパンドテープ21が撓んで***しても、エキスパンドテープ21は捲れ難くなる。 Thus, if the modified layer 25 is formed on the predetermined street 17 except for the outer peripheral surplus region 15, the end material chips divided by the outer peripheral surplus region 15 can be increased in area. As a result, as will be described later, even if the expanded tape 21 bends and rises between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23, the expanded tape 21 is difficult to bend.
なお、このような所定のストリート17(デバイス領域13にのみ改質層25が形成されたストリート17)の本数が多くなると、ウェーハ11のデバイス領域13を適切に分割できなくなる。そこで、所定のストリート17の本数は、デバイス領域13を適切に分割できる程度に調整される。 If the number of such predetermined streets 17 (streets 17 in which the modified layer 25 is formed only in the device region 13) increases, the device region 13 of the wafer 11 cannot be appropriately divided. Therefore, the number of the predetermined streets 17 is adjusted to such an extent that the device region 13 can be appropriately divided.
また、例えば、ロール状に巻回されたエキスパンドテープ21を用いる場合には、エキスパンドテープ21の向き等に応じて上述した所定のストリート17を設定することが好ましい。図3は、エキスパンドテープ21の向きと改質層25との関係を模式的に示す斜視図である。 For example, when the expanded tape 21 wound in a roll shape is used, it is preferable to set the predetermined street 17 described above according to the orientation of the expanded tape 21 and the like. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the relationship between the orientation of the expanded tape 21 and the modified layer 25.
図3に示すように、ロール状に巻回されたエキスパンドテープ21は、繰り出し方向D1と垂直な幅方向D2において、繰り出し方向D1より拡張し難く、また、縮みやすくなっているため撓み易い。よって、エキスパンドテープ21は、幅方向D2においてウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間で***し保持テーブル4から捲れ易い。 As shown in FIG. 3, the expanded tape 21 wound in a roll shape is difficult to expand in the width direction D <b> 2 perpendicular to the feed direction D <b> 1 than the feed direction D <b> 1. Therefore, the expand tape 21 rises between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23 in the width direction D <b> 2, and is easy to bend from the holding table 4.
そこで、このような場合には、幅方向D2の端部Aに対応する外周余剰領域15において、端材チップがより大面積化されるように所定のストリート17を設定する。これにより、エキスパンドテープ21の捲れをより適切に防止できる。 Therefore, in such a case, the predetermined street 17 is set so that the end material chip is enlarged in the outer peripheral surplus region 15 corresponding to the end A in the width direction D2. Thereby, the expansion tape 21 can be more appropriately prevented from being twisted.
全てのストリート17に沿って改質層25が形成されると、改質層形成ステップは終了する。なお、本実施形態では、ウェーハユニット準備ステップを実施した後に改質層形成ステップを実施しているが、改質層形成ステップを実施した後にウェーハユニット準備ステップを実施しても良い。 When the modified layer 25 is formed along all the streets 17, the modified layer forming step ends. In this embodiment, the modified layer forming step is performed after the wafer unit preparing step is performed. However, the wafer unit preparing step may be performed after the modified layer forming step is performed.
ウェーハユニット準備ステップ及び改質層形成ステップの後には、エキスパンドテープ21を拡張するための準備を行う拡張準備ステップを実施する。図4(A)は、拡張準備ステップを模式的に示す図である。 After the wafer unit preparation step and the modified layer formation step, an expansion preparation step for preparing to expand the expanded tape 21 is performed. FIG. 4A is a diagram schematically showing the expansion preparation step.
拡張準備ステップ及びそれ以降のステップは、図4(A)等に示すチップ間隔維持装置12で実施される。チップ間隔維持装置12は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル14を備えている。チャックテーブル14は、ステンレス等の金属材料でなる円盤状の枠体16と、枠体16の上面中央部に配置された多孔質部材18とを含む。 The expansion preparation step and the subsequent steps are performed by the chip interval maintaining device 12 shown in FIG. The chip interval maintaining device 12 includes a chuck table 14 that holds the wafer 11. The chuck table 14 includes a disk-shaped frame 16 made of a metal material such as stainless steel, and a porous member 18 disposed at the center of the upper surface of the frame 16.
多孔質部材18は、ウェーハ11より大径の円盤状に形成されており、チャックテーブル14の下方に設けられた吸引路20、バルブ22等を介して吸引源24に接続されている。多孔質部材18の上面は、ウェーハ11を保持する保持面18aとなっており、吸引源24の負圧を作用させてウェーハ11を吸引保持できる。 The porous member 18 is formed in a disk shape having a diameter larger than that of the wafer 11, and is connected to a suction source 24 through a suction path 20, a valve 22, and the like provided below the chuck table 14. The upper surface of the porous member 18 serves as a holding surface 18a for holding the wafer 11, and the negative pressure of the suction source 24 can be applied to suck and hold the wafer 11.
枠体16の下方には、チャックテーブル昇降機構26が設けられている。チャックテーブル昇降機構26は、シリンダケース28と、シリンダケース28に挿通されたピストンロッド30とを備え、ピストンロッド30の上端部には枠体16が固定されている。チャックテーブル14の高さ位置は、このチャックテーブル昇降機構26で調節される。 A chuck table elevating mechanism 26 is provided below the frame body 16. The chuck table elevating mechanism 26 includes a cylinder case 28 and a piston rod 30 inserted through the cylinder case 28, and the frame body 16 is fixed to the upper end portion of the piston rod 30. The height position of the chuck table 14 is adjusted by the chuck table lifting mechanism 26.
枠体16の外側には、フレーム23を載置するフレーム保持テーブル(フレーム保持手段)32が設けられている。フレーム保持テーブル32の中央部には、チャックテーブル14に対応する円形の開口が形成されており、チャックテーブル14は、この開口内に位置付けられる。フレーム保持テーブル32の下方には、フレーム保持テーブル32を支持する支持脚34が設けられている。 A frame holding table (frame holding means) 32 on which the frame 23 is placed is provided outside the frame body 16. A circular opening corresponding to the chuck table 14 is formed in the center of the frame holding table 32, and the chuck table 14 is positioned in this opening. Below the frame holding table 32, support legs 34 that support the frame holding table 32 are provided.
フレーム保持テーブル32の上方には、フレーム保持テーブル32に載置されたフレーム23を上方から固定するプレート36が設けられている。プレート36の中央部には、フレーム保持テーブル32の開口に対応する開口が形成されている。ウェーハ11とエキスパンドテープ21の一部とは、プレート36の開口から上方に露出する。 A plate 36 for fixing the frame 23 placed on the frame holding table 32 from above is provided above the frame holding table 32. An opening corresponding to the opening of the frame holding table 32 is formed at the center of the plate 36. The wafer 11 and a part of the expanded tape 21 are exposed upward from the opening of the plate 36.
拡張準備ステップでは、ウェーハ11の表面11a側が上方に露出するように、フレーム保持テーブル32の上面にフレーム23を載置して、プレート36で固定する。これにより、フレーム23は、フレーム保持テーブル32に保持され、ウェーハ11は、エキスパンドテープ21を介してチャックテーブル14の保持面18aに載置される。なお、この拡張準備ステップでは、吸引路20のバルブ22を閉じておく。 In the expansion preparation step, the frame 23 is placed on the upper surface of the frame holding table 32 and fixed by the plate 36 so that the surface 11 a side of the wafer 11 is exposed upward. As a result, the frame 23 is held by the frame holding table 32, and the wafer 11 is placed on the holding surface 18 a of the chuck table 14 via the expanded tape 21. In this expansion preparation step, the valve 22 of the suction path 20 is closed.
拡張準備ステップの後には、拡張ステップを実施する。図4(B)は、拡張ステップを模式的に示す図である。拡張ステップでは、チャックテーブル14をフレーム保持テーブル32に対して突き上げるように相対移動させる。具体的には、図4(B)に示すように、チャックテーブル昇降機構26でチャックテーブル14を上昇させる。 The expansion step is performed after the expansion preparation step. FIG. 4B is a diagram schematically showing the expansion step. In the expansion step, the chuck table 14 is moved relative to the frame holding table 32 so as to push up. Specifically, as shown in FIG. 4B, the chuck table 14 is raised by the chuck table lifting mechanism 26.
なお、この拡張ステップでも吸引路20のバルブ22は閉じておき、ウェーハ11をチャックテーブル14に吸引させないようにする。環状フレーム23は、フレーム保持テーブル32とプレート36とで挟持固定されているので、チャックテーブル14をフレーム保持テーブル32に対して上昇させると、エキスパンドテープ21は拡張する。 In this expansion step, the valve 22 of the suction path 20 is closed so that the wafer 11 is not sucked by the chuck table 14. Since the annular frame 23 is sandwiched and fixed by the frame holding table 32 and the plate 36, the expanded tape 21 expands when the chuck table 14 is raised with respect to the frame holding table 32.
これにより、ウェーハ11にはエキスパンドテープ21を拡張する方向の外力が加わる。その結果、ウェーハ11のデバイス領域13は、改質層21が形成されたストリート17に沿って複数のチップ27aに分割され、また、ウェーハ11のデバイス領域13は、改質層21が形成されたストリート17に沿って複数の端材チップ27bに分割される。 As a result, an external force in the direction of expanding the expanded tape 21 is applied to the wafer 11. As a result, the device region 13 of the wafer 11 is divided into a plurality of chips 27a along the street 17 where the modified layer 21 is formed, and the modified layer 21 is formed in the device region 13 of the wafer 11. Divided into a plurality of end material chips 27 b along the street 17.
本実施形態では、所定のストリート17で外周余剰領域15を除くように改質層25を形成しているので、ウェーハ11の外周余剰領域15は、面積の比較的大きい端材チップ27bに分割される。なお、このエキスパンドテープ21の拡張によって、分割されたチップ27a及び端材チップ27bの間隔は十分に拡げられる。 In the present embodiment, since the modified layer 25 is formed so as to remove the outer peripheral surplus area 15 on the predetermined street 17, the outer peripheral surplus area 15 of the wafer 11 is divided into end material chips 27b having a relatively large area. The In addition, the space | interval of the divided | segmented chip | tip 27a and the end material chip | tip 27b is fully expanded by expansion of this expand tape 21. FIG.
拡張ステップの後には、チャックテーブル14の突き上げ状態を解除する突き上げ解除ステップを実施する。図5(A)は、突き上げ解除ステップを模式的に示す図である。突き上げ解除ステップでは、図5(A)に示すように、吸引路20のバルブ22を開いて、保持面18aに吸引源24の負圧を作用させる。 After the expansion step, a push-up release step for releasing the push-up state of the chuck table 14 is performed. FIG. 5A is a diagram schematically showing the push-up release step. In the push-up release step, as shown in FIG. 5A, the valve 22 of the suction path 20 is opened, and the negative pressure of the suction source 24 is applied to the holding surface 18a.
これにより、間隔が拡げられた状態のチップ27a及び端材チップ27bを、エキスパンドテープ21を介してチャックテーブル14で吸引保持できる。チップ27a及び端材チップ27bを吸引保持した後には、チャックテーブル14をフレーム保持テーブル32と略同じ高さまで下降させる。 Thereby, the chip | tip 27a and the end material chip | tip 27b of the state in which the space | interval was expanded can be attracted-held by the chuck table 14 via the expanded tape 21. FIG. After sucking and holding the chip 27 a and the end material chip 27 b, the chuck table 14 is lowered to substantially the same height as the frame holding table 32.
エキスパンドテープ21は、先の拡張ステップで拡張されているので、チャックテーブル14をフレーム保持テーブル32と略同じ高さまで下降させると、ウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間でエキスパンドテープ21が弛み、***21aを生じる。 Since the expanded tape 21 has been expanded in the previous expansion step, when the chuck table 14 is lowered to substantially the same height as the frame holding table 32, the expanded tape 21 is between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23. Sag and produce a ridge 21a.
本実施形態では、上述のように端材チップ27bが大面積化されているので、チャックテーブル14の吸引力を各端材チップ27bに十分作用させて、***21aに起因するエキスパンドテープ21の捲れを抑制できる。 In the present embodiment, since the end material chip 27b has a large area as described above, the suction force of the chuck table 14 is sufficiently applied to each end material chip 27b, and the expanded tape 21 is bent due to the ridge 21a. Can be suppressed.
突き上げ解除ステップの後には、ウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間のエキスパンドテープ21の弛みを除去する弛み除去ステップを実施する。図5(B)は、弛み除去ステップを模式的に示す図である。弛み除去ステップでは、図5(B)に示すように、例えば、遠赤外線ヒータ(刺激付与手段)38をウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間に位置付けて、エキスパンドテープ21に遠赤外線を照射する。 After the push-up release step, a slack removal step for removing slack of the expanded tape 21 between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23 is performed. FIG. 5B is a diagram schematically showing the slack removal step. In the slack removal step, as shown in FIG. 5B, for example, a far infrared heater (stimulus imparting means) 38 is positioned between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23, and the far infrared ray is applied to the expanded tape 21. Irradiate.
具体的には、例えば、エキスパンドテープ21を約180℃に加熱するような遠赤外線を遠赤外線ヒータ38から照射する。なお、この弛み除去ステップでも、吸引路20のバルブ22は開いておく。これにより、チップ27a及び端材チップ27bをチャックテーブル14で吸引保持したまま、ウェーハ11の外周とフレーム23の内周との間の領域でエキスパンドテープ21を加熱、収縮させて、弛みを除去できる。 Specifically, for example, a far infrared ray that heats the expanded tape 21 to about 180 ° C. is irradiated from the far infrared heater 38. Note that the valve 22 of the suction path 20 is kept open even in this loosening removal step. Accordingly, the expansion tape 21 can be heated and contracted in a region between the outer periphery of the wafer 11 and the inner periphery of the frame 23 while the chips 27a and the end material chips 27b are sucked and held by the chuck table 14, thereby removing slack. .
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、改質層形成ステップにおいて、所定のストリート(分割予定ライン)17で外周余剰領域15を除いて改質層25を形成し、端材チップ27bを大面積化するので、端材チップ27bをチャックテーブル14で十分に吸引保持できる。そのため、エキスパンドテープ21が撓んで***21aを生じても、エキスパンドテープ21はチャックテーブル14から捲れ難くなる。 As described above, in the wafer processing method according to the present embodiment, in the modified layer forming step, the modified layer 25 is formed on the predetermined street (division planned line) 17 excluding the outer peripheral surplus region 15, and the end material is formed. Since the chip 27b has a large area, the end material chip 27b can be sufficiently sucked and held by the chuck table 14. For this reason, even if the expanded tape 21 is bent to form a bulge 21 a, the expanded tape 21 is difficult to roll from the chuck table 14.
よって、チップ27a及び端材チップ27bの間隔をチャックテーブル14で適切に維持できる。上述の原理から、本実施形態に係るウェーハの加工方法は、特に、チップ27aの面積が小さい場合に効果的である。 Therefore, the distance between the tip 27a and the end material tip 27b can be appropriately maintained by the chuck table 14. From the above principle, the wafer processing method according to the present embodiment is particularly effective when the area of the chip 27a is small.
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、弛み除去ステップにおいてエキスパンドテープ21に遠赤外線を照射しているが、エキスパンドテープ21に別の刺激を与えて弛みを除去しても良い。 In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above-described embodiment, far infrared rays are irradiated to the expanded tape 21 in the slack removal step, but slack may be removed by giving another stimulus to the expanded tape 21.
その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
1 ウェーハユニット
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 ストリート(分割予定ライン)
19 デバイス
21 エキスパンドテープ
21a ***
23 フレーム
25 改質層
27a チップ
27b 端材チップ
2 レーザー加工装置
4 保持テーブル
4a 保持面
6 クランプ
8 レーザー加工ヘッド
12 チップ間隔維持装置
14 チャックテーブル
16 枠体
18 多孔質部材
18a 支持面
20 吸引路
22 バルブ
24 吸引源
26 チャックテーブル昇降機構
28 シリンダケース
30 ピストンロッド
32 フレーム保持テーブル(フレーム保持手段)
34 支持脚
36 プレート
38 遠赤外線ヒータ(刺激付与手段)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer unit 11 Wafer 11a Front surface 11b Back surface 13 Device area | region 15 Outer periphery excess area | region 17 Street (division plan line)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Device 21 Expanding tape 21a Raising 23 Frame 25 Modified layer 27a Chip 27b End material chip 2 Laser processing device 4 Holding table 4a Holding surface 6 Clamp 8 Laser processing head 12 Chip interval maintenance device 14 Chuck table 16 Frame body 18 Porous member 18a Support surface 20 Suction path 22 Valve 24 Suction source 26 Chuck table lifting mechanism 28 Cylinder case 30 Piston rod 32 Frame holding table (frame holding means)
34 Support leg 36 Plate 38 Far-infrared heater (stimulation means)
Claims (2)
ウェーハを透過する波長のレーザー光線によって該分割予定ラインに沿った改質層をウェーハの内部に形成する改質層形成ステップと、
エキスパンドテープを介して環状のフレームの開口にウェーハが支持されたウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備ステップと、
該改質層形成ステップ及び該ウェーハユニット準備ステップを実施した後に、該ウェーハユニットのウェーハを、該エキスパンドテープを介してチャックテーブルの保持面に載置するとともに、該フレームをフレーム保持手段で保持する拡張準備ステップと、
該拡張準備ステップを実施した後に、該チャックテーブルを該フレーム保持手段に対して突き上げるように該チャックテーブルと該フレーム保持手段とを相対移動させて該エキスパンドテープを拡張し、該改質層を起点にウェーハを該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割しつつ該チップの間隔を拡張する拡張ステップと、
該拡張ステップを実施した後に、該エキスパンドテープを介して該チャックテーブルの該保持面でウェーハを吸引保持し該チップの間隔を維持しつつ、該フレーム保持手段に対する該チャックテーブルの突き上げ状態を解除する突き上げ解除ステップと、
該突き上げ解除ステップを実施した後に、該拡張ステップで拡張されて弛んだ該チャックテーブル外周と該フレーム内周との間の該エキスパンドテープに刺激を与えて、弛みを除去する弛み除去ステップと、を備え、
該改質層形成ステップでは、所定の該分割予定ラインで該外周余剰領域を除いて該改質層を形成することで、該外周余剰領域で形成される端材チップの面積を大きくし、該突き上げ解除ステップで該チャックテーブル外周と該フレーム内周との間の該エキスパンドテープが***しても該保持面で保持された該エキスパンドテープが該保持面から捲れて該チップの間隔が維持できなくなるのを防ぐことを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method for dividing a wafer having a device area in which a plurality of devices are partitioned by a division line and an outer peripheral surplus area surrounding the device area along the division line.
A modified layer forming step of forming a modified layer along the planned dividing line inside the wafer by a laser beam having a wavelength that transmits the wafer;
A wafer unit preparation step of preparing a wafer unit in which a wafer is supported by an opening of an annular frame via an expanding tape;
After performing the modified layer formation step and the wafer unit preparation step, the wafer of the wafer unit is placed on the holding surface of the chuck table via the expand tape, and the frame is held by the frame holding means. Expansion preparation steps,
After performing the expansion preparation step, the expanded tape is expanded by relatively moving the chuck table and the frame holding means so that the chuck table is pushed up with respect to the frame holding means, and the modified layer is started. An expansion step of expanding the interval between the chips while dividing the wafer into a plurality of chips along the division line.
After performing the expansion step, the wafer is sucked and held by the holding surface of the chuck table via the expanded tape, and the chuck table is lifted from the frame holding means while maintaining the distance between the chips. A push-up release step;
A slack removing step of applying a stimulus to the expanded tape between the outer periphery of the chuck table and the inner periphery of the frame which has been expanded and slackened in the expansion step to remove slack after performing the push-up releasing step; Prepared,
In the modified layer forming step, the modified layer is formed by excluding the outer peripheral surplus region at the predetermined division line, thereby increasing the area of the end material chip formed in the outer peripheral surplus region, Even if the expanded tape rises between the outer periphery of the chuck table and the inner periphery of the frame in the push-up release step, the expanded tape held on the holding surface is rolled from the holding surface and the interval between the chips cannot be maintained. A wafer processing method characterized by preventing
2. The wafer according to claim 1, wherein in the modified layer forming step, the modified layer is formed in the outer peripheral surplus region to the extent that the device region is divided into a plurality of the chips in the expanding step. Processing method.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018085434A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 株式会社ディスコ | Method for processing wafer |
CN113196460A (en) * | 2018-12-25 | 2021-07-30 | 东丽工程株式会社 | Holding table |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6870974B2 (en) * | 2016-12-08 | 2021-05-12 | 株式会社ディスコ | How to divide the work piece |
JP6649308B2 (en) * | 2017-03-22 | 2020-02-19 | キオクシア株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6925717B2 (en) * | 2017-06-05 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | Chip manufacturing method |
KR102048747B1 (en) | 2018-04-16 | 2019-11-26 | 한국기계연구원 | Method of transferring micro devices |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156638A (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Denso Corp | Dicing method for semiconductor wafer |
WO2007060724A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
WO2009069510A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Working object cutting method |
JP2013055137A (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chip interval maintenance method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027562A (en) | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of fracturing bonding film attached on wafer |
JP2007235069A (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer machining method |
JP5495695B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-05-21 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP5800646B2 (en) * | 2011-09-01 | 2015-10-28 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance method |
JP5964580B2 (en) * | 2011-12-26 | 2016-08-03 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP5988599B2 (en) * | 2012-02-09 | 2016-09-07 | 株式会社ディスコ | Workpiece division method |
-
2014
- 2014-07-15 JP JP2014144722A patent/JP6366393B2/en active Active
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156638A (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Denso Corp | Dicing method for semiconductor wafer |
WO2007060724A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
WO2009069510A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Working object cutting method |
JP2013055137A (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chip interval maintenance method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018085434A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 株式会社ディスコ | Method for processing wafer |
CN113196460A (en) * | 2018-12-25 | 2021-07-30 | 东丽工程株式会社 | Holding table |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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