JP2016018711A - Film, and film formation method - Google Patents

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稔 岡本
Minoru Okamoto
稔 岡本
浩志 松木
Hiroshi Matsuki
浩志 松木
田中 斎仁
Tokihito Tanaka
斎仁 田中
富明 大竹
Tomiaki Otake
富明 大竹
圭佑 榎本
Keisuke Enomoto
圭佑 榎本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive film perceptibility improvement technology.SOLUTION: Provided is a conductive film including an insulative portion 6 and a conductive portion 5, and in which a transparency-reducing material is provided in the location corresponding to the insulative portion 6, X (the film visible light transmittance at the insulative portion where the transparency-reducing material is provided) is 70 to less than 100%, Y (the film visible light transmittance at the conductive portion) is 70 to less than 100%, and the film is formed of a carbon-based conductive material which is one kind or two or more selected from carbon nano-tube and graphene.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、特に、導電膜に関する。   The present invention particularly relates to a conductive film.

透明導電膜は各種の装置に用いられている。例えば、タッチパネルに用いられている。各種のディスプレイ装置(例えば、液晶ディスプレイ装置、有機ELディスプレイ装置など)に用いられている。太陽電池などにも用いられている。   Transparent conductive films are used in various devices. For example, it is used for a touch panel. It is used for various display devices (for example, a liquid crystal display device, an organic EL display device, etc.). It is also used for solar cells.

前記透明導電膜は、基本的には、透明な基板上に設けられている。前記基板の材料は、例えば無機ガラスや、有機樹脂が挙げられる。前記有機樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)又はポリカーボネート(PC)等が挙げられる。前記透明導電膜の材料は、例えば酸化錫インジウム(ITO)等が挙げられる。最近、透明導電膜材料として、カーボンナノチューブ、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、導電性高分子、酸化亜鉛、酸化スズ等が提案された。   The transparent conductive film is basically provided on a transparent substrate. Examples of the material of the substrate include inorganic glass and organic resin. Examples of the organic resin include polyethylene terephthalate (PET) and polycarbonate (PC). Examples of the material of the transparent conductive film include indium tin oxide (ITO). Recently, carbon nanotubes, silver nanoparticles, silver nanowires, conductive polymers, zinc oxide, tin oxide, and the like have been proposed as transparent conductive film materials.

静電容量方式タッチパネルの電極は、パターニングされた透明導電膜で構成されている。すなわち、パターニングによって、透明導電膜が導電性部分と絶縁性部分とに分けられる。   The electrode of the capacitive touch panel is composed of a patterned transparent conductive film. That is, the transparent conductive film is divided into a conductive portion and an insulating portion by patterning.

前記パターニングは、ITO膜の場合、次のようにして行われる。ITO膜が透明基板の全面に設けられる。これには、例えば蒸着の手法が用いられる。前記ITO膜上にマスクが設けられる。これには、例えばフォトリソグラフィの手法が用いられる。この後、ケミカルエッチングの手法によって、前記マスクで保護されていない前記ITO膜が除去される。これによって、導電性部分(ITO膜存在部分)と絶縁性部分(ITO膜除去部分)とが構成される。すなわち、所定パターンの電極が形成される。前記電極は、一般的には、数十μm〜数mm幅のライン状である。勿論、これに限られない。   In the case of an ITO film, the patterning is performed as follows. An ITO film is provided on the entire surface of the transparent substrate. For this, for example, a vapor deposition technique is used. A mask is provided on the ITO film. For this, for example, a photolithography technique is used. Thereafter, the ITO film not protected by the mask is removed by a chemical etching technique. Thus, a conductive portion (ITO film existing portion) and an insulating portion (ITO film removed portion) are configured. That is, an electrode having a predetermined pattern is formed. The electrode is generally in the form of a line having a width of several tens of μm to several mm. Of course, it is not limited to this.

特許第4286136号Japanese Patent No. 4286136

ITOが存在している部分が電極(導電部)である。エッチングによってITOが除去された部分は絶縁部である。前記導電部(電極)の屈折率と前記絶縁部の屈折率とは異なる。この為、反射率に差が生じる。従って、そのまま、前記構造の電極がタッチパネルに搭載されると、バックライト点灯時に、所定パターンの電極が浮き出てしまう。すなわち、電極パターン模様が視認される。   A portion where ITO is present is an electrode (conductive portion). The portion where ITO is removed by etching is an insulating portion. The refractive index of the conductive part (electrode) is different from the refractive index of the insulating part. For this reason, a difference arises in a reflectance. Therefore, when the electrode having the above structure is mounted on the touch panel as it is, the electrode having a predetermined pattern is raised when the backlight is turned on. That is, the electrode pattern pattern is visually recognized.

そこで、ITO電極に屈折率調整層を組み込むことが提案されている。これによって、電極パターン模様視認の問題が多少は改善された。   Therefore, it has been proposed to incorporate a refractive index adjustment layer in the ITO electrode. This slightly improved the problem of visually recognizing the electrode pattern.

しかし、屈折率調整層の採用は、製造プロセスが大変である。コストが高く付く。   However, the adoption of the refractive index adjustment layer is a difficult manufacturing process. Cost is high.

カーボンナノチューブ、グラフェン、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、導電性高分子などが用いられた透明導電膜の場合、前記屈折率調整層の採用では、前記視認性の改善が得られ難い。その理由として次のことが考えられた。前記カーボンナノチューブや前記グラフェン等の材料は、可視光領域に吸収帯を有している。この為、前記カーボンナノチューブや前記グラフェン等が存在している個所(即ち、導電性部分(電極部分))と、前記カーボンナノチューブや前記グラフェン等が存在していない個所(即ち、絶縁性部分)との間では、可視光透過率に差が生じる。この為、屈折率調整層の採用では、前記視認性の改善が得られ難い。   In the case of a transparent conductive film using carbon nanotubes, graphene, silver nanoparticles, silver nanowires, conductive polymers, etc., it is difficult to improve the visibility by adopting the refractive index adjustment layer. The reason was considered as follows. The material such as the carbon nanotube and the graphene has an absorption band in the visible light region. For this reason, the location where the carbon nanotube, the graphene, etc. exist (that is, the conductive portion (electrode portion)) and the location where the carbon nanotube, the graphene, etc. do not exist (ie, the insulating portion) Difference in visible light transmittance. For this reason, when the refractive index adjustment layer is used, it is difficult to improve the visibility.

従って、本発明が解決しようとする課題は、導電膜の視認性改善の技術を提供することである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a technique for improving the visibility of a conductive film.

本発明は、
絶縁性部と導電性部とを具備する膜であって、
透明性低下材が、前記絶縁性部に対応した位置に、設けられてなる
ことを特徴とする膜を提案する。
The present invention
A film comprising an insulating part and a conductive part,
A film is characterized in that a transparency reducing material is provided at a position corresponding to the insulating part.

本発明は、前記膜であって、X(前記透明性低下材が設けられた前記絶縁性部における前記膜の可視光透過率)が、70%以上で、100%未満であり、Y(前記導電性部における前記膜の可視光透過率)が、70%以上で、100%未満であることを特徴とする膜を提案する。   The present invention is the film, wherein X (visible light transmittance of the film in the insulating portion provided with the transparency reducing material) is 70% or more and less than 100%, and Y (the above A film is proposed in which the visible light transmittance of the film in the conductive portion is 70% or more and less than 100%.

本発明は、前記膜であって、|X−Y|<2.9%であることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film characterized in that | XY | <2.9%.

本発明は、前記膜であって、前記膜が、炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成されてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film which is the film, wherein the film is composed of one or more selected from the group of carbon-based conductive materials.

本発明は、前記膜であって、前記炭素系導電材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものであることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film, characterized in that the carbon-based conductive material is one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes and graphene.

本発明は、前記膜であって、前記透明性低下材は粒子であることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film which is the film, wherein the transparency reducing material is a particle.

本発明は、前記膜であって、前記粒子は、島状に設けられてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film which is the film, wherein the particles are provided in an island shape.

本発明は、前記膜であって、前記粒子は、膜のように連続していないことを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film characterized in that the film is not continuous as in the film.

本発明は、前記膜であって、前記粒子は、金属粒子、酸化物粒子、硫化物粒子、炭化物粒子、窒化物粒子の群の中から選ばれる一種または二種以上の粒子であることを特徴とする膜を提案する。   The present invention is the film, wherein the particles are one or more particles selected from the group consisting of metal particles, oxide particles, sulfide particles, carbide particles, and nitride particles. A film is proposed.

本発明は、前記膜であって、前記粒子は、Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mnの群の中から選ばれる一種または二種以上の金属元素が用いられて構成されてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention is the film, wherein the particles are configured using one or more metal elements selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, and Mn. We propose a membrane characterized by this.

本発明は、前記膜であって、前記粒子は、所定個所に設けられた金属イオン含有溶液および金属錯体含有溶液の群の中から選ばれる一種または二種以上のものに対して行われた光照射によって、生成した粒子であることを特徴とする膜を提案する。   The present invention is the film, wherein the particle is light applied to one or more kinds selected from the group of a metal ion-containing solution and a metal complex-containing solution provided at a predetermined location. We propose a film characterized by particles produced by irradiation.

本発明は、前記膜であって、前記設けられた透明性低下材は、前記導電性部の導電性パターン形状に、実質的に、影響を及ぼさないことを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film that is the film, wherein the provided transparency reducing material does not substantially affect the conductive pattern shape of the conductive part.

本発明は、前記膜であって、光触媒が、前記膜に対して、直接的および/または間接的に、設けられてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes the above-mentioned film, wherein the photocatalyst is provided directly and / or indirectly to the film.

本発明は、前記膜であって、前記光触媒は、前記膜中および/または前記膜に接して、設けられてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film, which is the film, wherein the photocatalyst is provided in and / or in contact with the film.

本発明は、前記膜であって、前記光触媒は、前記膜から離れた位置に、設けられてなることを特徴とする膜を提案する。   The present invention proposes a film which is the film, wherein the photocatalyst is provided at a position away from the film.

本発明は、
基材上に導電膜が設けられる導電膜形成工程と、
前記導電膜に対して所定パターンの紫外線が照射されることによって、前記紫外線照射部が絶縁性になる絶縁性処理工程と、
前記絶縁性相当部に透明性低下材が設けられる透明性低下工程
とを具備することを特徴とする膜形成方法を提案する。
The present invention
A conductive film forming step in which a conductive film is provided on a substrate;
An insulating treatment step in which the ultraviolet irradiation portion becomes insulative by irradiating the conductive film with ultraviolet rays of a predetermined pattern;
Proposed is a film forming method comprising a transparency lowering step in which a transparency lowering material is provided in the insulating equivalent portion.

本発明は、
基材上に導電膜が設けられる導電膜形成工程と、
前記導電膜に対して所定パターンの紫外線が照射されることによって、前記紫外線照射部が絶縁性になる絶縁性処理工程と、
前記絶縁性相当部に透明性低下材が設けられる透明性低下工程と、
光触媒が、前記導電膜に対して、直接的および/または間接的に、設けられる工程
とを具備することを特徴とする膜形成方法を提案する。
The present invention
A conductive film forming step in which a conductive film is provided on a substrate;
An insulating treatment step in which the ultraviolet irradiation portion becomes insulative by irradiating the conductive film with ultraviolet rays of a predetermined pattern;
A transparency lowering step in which a transparency lowering material is provided in the insulating equivalent part;
The present invention proposes a film forming method comprising a step in which a photocatalyst is provided directly and / or indirectly to the conductive film.

本発明は、前記膜形成方法であって、前記導電膜は、炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成されることを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention proposes a film forming method, wherein the conductive film is composed of one or more selected from the group of carbon-based conductive materials. .

本発明は、前記膜形成方法であって、前記炭素系導電材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものであることを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention proposes the film forming method, wherein the carbon-based conductive material is one or more selected from the group of carbon nanotubes and graphene. .

本発明は、前記膜形成方法であって、前記透明性低下工程は、前記絶縁性相当部に、金属イオン含有溶液および金属錯体含有溶液の群の中から選ばれる一種または二種以上のものが、設けられる工程と、前記工程後、光照射が行われ、粒子が生成する粒子生成工程とを具備することを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention is the film forming method, wherein the transparency lowering step includes one or more kinds selected from the group consisting of a metal ion-containing solution and a metal complex-containing solution in the insulating equivalent portion. A film forming method is provided, comprising: a step to be provided; and a particle generation step in which light irradiation is performed after the step to generate particles.

本発明は、前記膜形成方法であって、前記粒子生成工程で生成した粒子は島状であることを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention proposes the film forming method, wherein the particles generated in the particle generating step are island-shaped.

本発明は、前記膜形成方法であって、前記金属は、Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mnの群の中から選ばれる一種または二種以上の金属であることを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention is the film forming method, wherein the metal is one or more metals selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, and Mn. A film forming method is proposed.

本発明は、前記膜形成方法であって、前記絶縁性処理工程で照射される紫外線は深紫外線であることを特徴とする膜形成方法を提案する。   The present invention proposes the film forming method, wherein the ultraviolet rays irradiated in the insulating treatment step are deep ultraviolet rays.

本発明は、前記膜形成方法で構成されてなる膜を提案する。   The present invention proposes a film formed by the film forming method.

導電性パターンが目視では認識され難い膜が簡単に得られる。   A film in which the conductive pattern is difficult to be visually recognized is easily obtained.

本発明の膜製造工程図Membrane manufacturing process diagram of the present invention

第1の本発明は膜である。以下、前記膜の実施形態が説明される。この膜は所定パターンの導電膜である。前記導電膜は、例えば電極である。前記導電膜は、例えば引出配線である。これ等の導電膜は透明(実質上、透明)である。前記導電膜は、透明であることから、例えばタッチパネルに用いられる。或いは、各種の表示装置に用いられる。前記導電膜の境界領域は、目視では、認識でき難い。すなわち、導電膜のパターンが視認され難い。本実施形態の膜は不可視化処理された膜であると謂える。   The first invention is a membrane. Hereinafter, embodiments of the film will be described. This film is a conductive film having a predetermined pattern. The conductive film is, for example, an electrode. The conductive film is, for example, a lead wiring. These conductive films are transparent (substantially transparent). Since the said electrically conductive film is transparent, it is used for a touch panel, for example. Alternatively, it is used for various display devices. The boundary region of the conductive film is difficult to recognize visually. That is, it is difficult to visually recognize the pattern of the conductive film. It can be said that the film of this embodiment is a film that has been invisible.

前記膜は、絶縁性部と導電性部とを具備する。前記絶縁性部は、導電性部材が存在しないと言う意味において、導電性を持たない。前記導電性部は、導電性部材が存在すると言う意味において、導電性を持つ。前記絶縁性部に対応した位置に、透明性低下材が、設けられている。   The film includes an insulating part and a conductive part. The insulating part is not conductive in the sense that there is no conductive member. The conductive portion is conductive in the sense that a conductive member exists. A transparency reducing material is provided at a position corresponding to the insulating portion.

可視光透過率X,Yは、好ましくは、70%以上である。更に好ましくは、80%以上である。より好ましくは、85%以上である。特に好ましくは90%以上である。可視光透過率X,Yは、100%未満である。好ましくは99%以下である。更に好ましくは97%以下である。より好ましくは95%以下である。前記Xは、前記透明性低下材が設けられた前記絶縁性部における前記膜の可視光透過率である。前記Yは、前記導電性部における前記膜の可視光透過率である。|X−Y|は、好ましくは、2.9%未満である。より好ましくは、2%以下である。更に好ましくは、1%以下である。もっと好ましくは、0.5%以下である。特に好ましくは、X=Yである。   The visible light transmittances X and Y are preferably 70% or more. More preferably, it is 80% or more. More preferably, it is 85% or more. Particularly preferably, it is 90% or more. The visible light transmittances X and Y are less than 100%. Preferably it is 99% or less. More preferably, it is 97% or less. More preferably, it is 95% or less. X is the visible light transmittance of the film in the insulating part provided with the transparency reducing material. Y is the visible light transmittance of the film in the conductive part. | X−Y | is preferably less than 2.9%. More preferably, it is 2% or less. More preferably, it is 1% or less. More preferably, it is 0.5% or less. Particularly preferably, X = Y.

前記膜は、例えば炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成される。好ましくは、カーボンナノチューブで構成される。或いは、グラフェンで構成される。勿論、両者が共に用いられていても良い。   The said film | membrane is comprised by the 1 type, or 2 or more types selected from the group of carbon-type electrically-conductive material, for example. Preferably, it is composed of carbon nanotubes. Alternatively, it is composed of graphene. Of course, both may be used together.

前記透明性低下材は、好ましくは、粒子で構成される。特に、島状に設けられた粒子(粒子群)で構成される。前記粒子(粒子群)は、好ましくは、膜のように連続していない。極めて小さな粒径の粒子が一層形成されているのみであれば、この粒子形成膜の不透明性は大きくない。従って、このような場合は、粒子が連続していても、差し支えないかも知れない。しかしながら、微小粒子を一層のみ形成する制御技術は簡単ではない。粒子を島状に形成する方が簡単である。   The transparency reducing material is preferably composed of particles. In particular, it is composed of particles (particle groups) provided in an island shape. The particles (particle groups) are preferably not continuous like a film. If only one particle having an extremely small particle size is formed, the opacity of the particle forming film is not great. Therefore, in such a case, there may be no problem even if the particles are continuous. However, a control technique for forming only one layer of microparticles is not simple. It is easier to form the particles into islands.

前記粒子は、例えば金属粒子、酸化物粒子、硫化物粒子、炭化物粒子、又は窒化物粒子である。前記粒子の群の中から選ばれる一種または二種以上である。理論的には、前記以外の粒子でも良い。しかし、コスト面から考えると、前記粒子は、好ましくは、金属粒子または金属酸化物粒子である。前記粒子は、多くの場合、金属元素を構成成分とする。金属元素としては、例えばAu,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mn等が挙げられる。金属元素は一種類でも二種類以上でも良い。   The particles are, for example, metal particles, oxide particles, sulfide particles, carbide particles, or nitride particles. It is 1 type, or 2 or more types chosen from the group of the said particle | grains. Theoretically, particles other than those described above may be used. However, from the viewpoint of cost, the particles are preferably metal particles or metal oxide particles. In many cases, the particles contain a metal element as a constituent component. Examples of the metal element include Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, and Mn. One or more metal elements may be used.

前記粒子は、例えば光照射によって生成(析出)した粒子である。金属イオン含有溶液(又は金属錯体含有溶液)に光が照射されると、金属粒子(周囲雰囲気によっては、酸化物粒子、窒化物粒子、その他の種類の粒子)が析出(生成)する。従って、前記金属イオン含有溶液(又は金属錯体含有溶液)が絶縁性相当部に供給された後、そこに光(例えば、可視光あるいは紫外線。勿論、これ等に限られない。)が照射されると、粒子が析出する。これによって、透明性が低下する。   The particles are, for example, particles generated (deposited) by light irradiation. When the metal ion-containing solution (or metal complex-containing solution) is irradiated with light, metal particles (oxide particles, nitride particles, and other types of particles depending on the surrounding atmosphere) are precipitated (generated). Therefore, after the metal ion-containing solution (or the metal complex-containing solution) is supplied to the insulating equivalent portion, light (for example, visible light or ultraviolet light, of course, but not limited thereto) is irradiated there. Then, particles are deposited. This reduces the transparency.

光照射によって粒子が生成する場合、前記粒子形成物質(金属イオンまたは金属錯体など)の近くに、光触媒が存在していることは好ましい。例えば、光触媒が前記膜(炭素系導電材層(カーボンナノチューブ層:グラフェン層))中に含有されていることは好ましい。或いは、光触媒層が前記膜(炭素系導電材層(カーボンナノチューブ層:グラフェン層))に接して設けられていることは好ましい。勿論、これに限られない。粒子析出個所に光触媒が存在しておれば良い。この意味で、前記光触媒は、前記膜(炭素系導電材層(カーボンナノチューブ層:グラフェン層))から離れた位置に、設けられていても良い。光触媒の存在によって、粒子析出効率が高くなる。尚、カーボンやグラフェンも光触媒作用を奏している。そして、金属粒子は光触媒の表面に析出している。   When particles are generated by light irradiation, it is preferable that a photocatalyst is present in the vicinity of the particle forming substance (metal ion or metal complex). For example, the photocatalyst is preferably contained in the film (carbon-based conductive material layer (carbon nanotube layer: graphene layer)). Alternatively, it is preferable that the photocatalytic layer is provided in contact with the film (carbon-based conductive material layer (carbon nanotube layer: graphene layer)). Of course, it is not limited to this. The photocatalyst should just exist in the particle deposition location. In this sense, the photocatalyst may be provided at a position away from the film (carbon-based conductive material layer (carbon nanotube layer: graphene layer)). The presence of the photocatalyst increases the particle deposition efficiency. Carbon and graphene also have a photocatalytic action. The metal particles are deposited on the surface of the photocatalyst.

前記透明性低下材は、前記導電性部の導電性パターン形状および導電性に、実質的に、影響を及ぼさないことが好ましい。   It is preferable that the transparency lowering material does not substantially affect the conductive pattern shape and conductivity of the conductive portion.

前記透明性低下材は、前記以外の手法でも、形成できる。例えば、所望の値の可視光透過率のフィルムを設ける手法が挙げられる。   The transparency reducing material can also be formed by a method other than the above. For example, there is a method of providing a film having a desired value of visible light transmittance.

前記膜は以下の膜形成方法によって構成されたものでも良い。   The film may be constituted by the following film forming method.

第2の本発明は膜形成方法である。以下、前記膜形成方法の実施形態が説明される。前記方法は導電膜形成工程を具備する。前記導電膜形成工程によって、導電膜が基材(透明基材)上に設けられる。前記方法は絶縁性処理工程を具備する。前記絶縁性処理工程は紫外線照射工程である。前記導電膜に対して所定パターンの紫外線が照射される。この紫外線は、好ましくは、深紫外線である。紫外線照射部は導電性から絶縁性に変化する。前記方法は透明性低下工程を具備する。前記透明性低下工程は、前記絶縁性相当部に透明性低下材が設けられる工程である。   The second aspect of the present invention is a film forming method. Hereinafter, embodiments of the film forming method will be described. The method includes a conductive film forming step. The conductive film is provided on the base material (transparent base material) by the conductive film forming step. The method includes an insulating treatment step. The insulating treatment process is an ultraviolet irradiation process. The conductive film is irradiated with ultraviolet rays having a predetermined pattern. This ultraviolet ray is preferably deep ultraviolet ray. The ultraviolet irradiation part changes from conductivity to insulation. The method includes a transparency lowering step. The transparency lowering step is a step in which a transparency lowering material is provided in the insulating equivalent portion.

前記導電膜は、例えば炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成される。好ましくは、カーボンナノチューブで構成される。或いは、グラフェンで構成される。勿論、両者が共に用いられていても良い。   The conductive film is composed of, for example, one or more selected from the group of carbon-based conductive materials. Preferably, it is composed of carbon nanotubes. Alternatively, it is composed of graphene. Of course, both may be used together.

光(例えば、可視光あるいは紫外線。勿論、これ等に限られない。)照射によって粒子が生成(析出)する。金属イオン含有溶液(又は金属錯体含有溶液)に光が照射されると、金属粒子(周囲雰囲気によっては、酸化物粒子、窒化物粒子、その他の種類の粒子)が析出(生成)する。従って、前記金属イオン含有溶液(又は、金属錯体含有溶液)が絶縁性相当部に供給された後、そこに光が照射されると、粒子が析出する。これによって、透明性が低下する。従って、前記透明性低下工程は次の工程(A)(B)を有すると言うことも出来る。(A) 金属イオン含有溶液および金属錯体含有溶液の群の中から選ばれる一種または二種以上のものが、前記絶縁性相当部に、設けられる工程。(B) 前記工程(A)後において、光照射が行われ、粒子が生成する粒子生成工程。本方法における粒子の説明と、前記第1の発明の実施形態における粒子の説明とは重複するので、詳細は省略される。光触媒に関しても、前記光触媒に関する説明で代用される。   Particles are generated (deposited) by irradiation with light (for example, visible light or ultraviolet light, of course, but not limited thereto). When the metal ion-containing solution (or metal complex-containing solution) is irradiated with light, metal particles (oxide particles, nitride particles, and other types of particles depending on the surrounding atmosphere) are precipitated (generated). Therefore, after the metal ion-containing solution (or metal complex-containing solution) is supplied to the insulating equivalent part, when light is irradiated there, particles are deposited. This reduces the transparency. Therefore, it can be said that the transparency lowering step includes the following steps (A) and (B). (A) A step in which one or two or more kinds selected from the group of a metal ion-containing solution and a metal complex-containing solution are provided in the insulating equivalent portion. (B) A particle generation step in which light irradiation is performed to generate particles after the step (A). Since the description of the particles in the present method and the description of the particles in the first embodiment of the present invention overlap, the details are omitted. Regarding the photocatalyst, the description regarding the photocatalyst is used instead.

前記絶縁性処理工程(紫外線照射工程)は前記透明性低下工程(前記紫外線照射工程)の前であっても良い。前記導電膜(炭素系導電材層(カーボンナノチューブ層:グラフェン層))が形成された後、紫外線(深紫外線)が照射される。この後、前記紫外線照射部(絶縁性部)に、金属イオン含有溶液(又は、金属錯体含有溶液)が塗布される。この後、光照射が行われる。これにより、粒子が前記紫外線照射部(絶縁性部)に析出する。   The insulating treatment process (ultraviolet irradiation process) may be before the transparency lowering process (ultraviolet irradiation process). After the conductive film (carbon-based conductive material layer (carbon nanotube layer: graphene layer)) is formed, ultraviolet rays (deep ultraviolet rays) are irradiated. Thereafter, a metal ion-containing solution (or a metal complex-containing solution) is applied to the ultraviolet irradiation portion (insulating portion). Thereafter, light irradiation is performed. Thereby, particles are deposited on the ultraviolet irradiation part (insulating part).

前記絶縁性処理工程(紫外線照射工程)と前記透明性低下工程(前記紫外線照射工程)とは、同時であっても良い。前記導電膜(炭素系導電材層(カーボンナノチューブ層:グラフェン層))が形成された後、紫外線照射相当部(絶縁性相当部)に、金属イオン含有溶液(又は、金属錯体含有溶液)が塗布される。この後、紫外線(深紫外線)が照射される。これにより、紫外線照射部は絶縁性になる。かつ、粒子が前記紫外線照射部(絶縁性部(紫外線照射相当部:絶縁性相当部))に析出する。この場合、カーボンナノチューブまたはグラフェンによる光触媒効果によって、粒子が効率良く析出する。   The insulating treatment process (ultraviolet irradiation process) and the transparency lowering process (ultraviolet irradiation process) may be performed simultaneously. After the conductive film (carbon-based conductive material layer (carbon nanotube layer: graphene layer)) is formed, a metal ion-containing solution (or metal complex-containing solution) is applied to the ultraviolet irradiation equivalent part (insulation equivalent part). Is done. Thereafter, ultraviolet rays (deep ultraviolet rays) are irradiated. Thereby, an ultraviolet irradiation part becomes insulation. In addition, the particles are deposited on the ultraviolet irradiation part (insulating part (ultraviolet irradiation equivalent part: insulating equivalent part)). In this case, particles are efficiently precipitated by the photocatalytic effect of carbon nanotubes or graphene.

以下、更に、詳しい説明がされる。   Further detailed description will be given below.

前記基材(基体:基板)は、如何なるものでも良い。タッチパネルや表示装置に採用される導電膜(透明導電膜)であることを鑑みると、好ましくは、透明な材料である。例えば、PET,PCが挙げられる。その他にも、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、スチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、オレフィン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、スチレン−アクリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)等が挙げられる。勿論、これに限られない。前記樹脂以外にも、フレキシブル性に劣るが、無機ガラスも挙げられる。   The base material (substrate: substrate) may be any material. In view of the conductive film (transparent conductive film) employed in the touch panel and the display device, a transparent material is preferable. Examples thereof include PET and PC. In addition, acrylic resins, polyester resins, styrene resins, vinyl chloride resins, olefin resins, cycloolefin resins, cellulose resins, styrene-acrylic copolymers, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymers ( ABS resin). Of course, it is not limited to this. In addition to the resin, although it is inferior in flexibility, inorganic glass is also included.

前記基材は、好ましくは、例えばフィルム又はシートである。しかし、前記材料より厚い板状のものでも良い。波板や凹凸板であっても良い。板よりも更に厚いものでも良い。   The substrate is preferably a film or a sheet, for example. However, a plate-like material thicker than the material may be used. It may be a corrugated plate or an uneven plate. It may be thicker than the plate.

前記基材表面(又は、裏面)には、必要に応じて、各種の層(例えば、ハードコート層、防汚層、防眩層、反射防止層、粘着層など)が設けられたものでも良い。前記層は、一層でも、複数層でも良い。前記層は、例えば塗布などの手法で設けられる。   The substrate surface (or back surface) may be provided with various layers (for example, a hard coat layer, an antifouling layer, an antiglare layer, an antireflection layer, an adhesive layer, etc.) as necessary. . The layer may be a single layer or a plurality of layers. The layer is provided by a technique such as coating.

前記導電膜(透明導電膜)の材料は、金属酸化物(例えば、ITO、酸化亜鉛、酸化スズなど)、炭素系導電材(例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン等)、金属(例えば、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー)、導電性高分子(例えば、ポリアニリン、PEDOT等)などが挙げられる。本発明において、好ましい導電性材料は、炭素系導電材(例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン等)である。前記導電性材料が前記基材表面(又は、裏面)に設けられる。又は、前記導電性材料が前記基材中に設けられる。前記導電膜(透明導電膜)は、前記導電性材料のみで構成される。或いは、前記導電膜(透明導電膜)は、前記導電性材料と、その他の材料との混合形態で構成される。   The conductive film (transparent conductive film) is made of a metal oxide (for example, ITO, zinc oxide, tin oxide, etc.), a carbon-based conductive material (for example, carbon nanotube, graphene, etc.), a metal (for example, silver nanoparticles, Silver nanowires), conductive polymers (for example, polyaniline, PEDOT, etc.) and the like. In the present invention, a preferable conductive material is a carbon-based conductive material (for example, carbon nanotube, graphene, etc.). The conductive material is provided on the substrate surface (or back surface). Alternatively, the conductive material is provided in the base material. The conductive film (transparent conductive film) is composed only of the conductive material. Or the said electrically conductive film (transparent electrically conductive film) is comprised with the mixed form of the said electroconductive material and another material.

前記カーボンナノチューブとして各種のカーボンナノチューブが挙げられる。例えば、単層カーボンナノチューブ(SWNT)、二層カーボンナノチューブ(DWNT)、多層カーボンナノチューブ(MWNT)等が挙げられる。金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブも挙げられる。   Examples of the carbon nanotube include various carbon nanotubes. Examples thereof include single-walled carbon nanotubes (SWNT), double-walled carbon nanotubes (DWNT), and multi-walled carbon nanotubes (MWNT). Examples thereof include metallic carbon nanotubes and semiconducting carbon nanotubes.

カーボンナノチューブの形状は、特には、限定されない。しかし、繊維長が長すぎると、塗布液の作製に際して、カーボンナノチューブが分散し難い。逆に、繊維長が短すぎると、導電性が確保され難い。従って、カーボンナノチューブの繊維長は100nm〜100μm程度が好ましい。より好ましくは、1〜10μmである。径(大きさ)が大きなカーボンナノチューブは光透過率が小さい。径(大きさ)が小さなカーボンナノチューブは作製が困難である。従って、径は1nm〜1μm程度が好ましい。より好ましくは、径が1〜200nm程度である。   The shape of the carbon nanotube is not particularly limited. However, if the fiber length is too long, the carbon nanotubes are difficult to disperse during the preparation of the coating solution. Conversely, if the fiber length is too short, it is difficult to ensure conductivity. Accordingly, the fiber length of the carbon nanotube is preferably about 100 nm to 100 μm. More preferably, it is 1-10 micrometers. A carbon nanotube having a large diameter (size) has a low light transmittance. Carbon nanotubes having a small diameter (size) are difficult to produce. Therefore, the diameter is preferably about 1 nm to 1 μm. More preferably, the diameter is about 1 to 200 nm.

カーボンナノチューブは、フラーレン(又は、有機分子)が内包されたカーボンナノチューブであっても良い。複数本のカーボンナノチューブ同士がロープ状に絡み合った形態のものでも良い。分岐構造を有するカーボンナノチューブであっても良い。   The carbon nanotube may be a carbon nanotube in which fullerene (or an organic molecule) is encapsulated. A plurality of carbon nanotubes may be entangled in a rope shape. Carbon nanotubes having a branched structure may be used.

カーボンナノチューブはカーボンナノチューブ類縁体であっても良い。カーボンナノチューブ類縁体としては、例えばカーボンナノファイバー、カーボンナノホーン、カップスタック型ナノチューブが挙げられる。合成時に含まれるアモルファスカーボンなどの不純物との複合体であっても良い。   The carbon nanotube may be a carbon nanotube analog. Examples of carbon nanotube analogs include carbon nanofibers, carbon nanohorns, and cup-stacked nanotubes. It may be a complex with impurities such as amorphous carbon included in the synthesis.

カーボンナノチューブは次の合成方法(作製方法)で得られる。例えば、アーク放電法、CVD法、レーザーアブレーション法などが挙げられる。合成時の金属触媒の種類、炭素源、反応温度などによって、種々の構造・組成・形態のカーボンナノチューブが得られる。   Carbon nanotubes are obtained by the following synthesis method (production method). For example, arc discharge method, CVD method, laser ablation method and the like can be mentioned. Carbon nanotubes with various structures, compositions, and forms can be obtained depending on the type of metal catalyst, carbon source, reaction temperature, and the like during synthesis.

カーボンナノチューブは、官能基(例えば、カルボキシル基、ケトン基、ヒドロキシル基など)が、骨格中の欠陥部位や末端部位に、導入されたものであっても良い。前記官能基は、カーボンナノチューブ作製時に、導入されたものでも良い。前記官能基は、カーボンナノチューブ作製後、導入されたものでも良い。追加処理によって、官能基(例えば、カルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホニル基、ニトロ基、ベンジル基、ハロゲンなど)が、カーボンナノチューブに、導入される。他の分子が前記官能基を介して化学結合したカーボンナノチューブであっても良い。   The carbon nanotube may have a functional group (for example, a carboxyl group, a ketone group, or a hydroxyl group) introduced into a defect site or a terminal site in the skeleton. The functional group may be introduced at the time of carbon nanotube production. The functional group may be introduced after the production of carbon nanotubes. By additional processing, functional groups (eg, carboxyl groups, hydroxyl groups, sulfonyl groups, nitro groups, benzyl groups, halogens, etc.) are introduced into the carbon nanotubes. Carbon nanotubes in which other molecules are chemically bonded via the functional group may also be used.

透明導電膜を作製する為、カーボンナノチューブ分散液が用いられる。前記分散液作製方法は公知である。カーボンナノチューブは分散剤(例えば、界面活性剤)によって、溶媒中に、分散する。フラーレン(特に、OH基などの極性基を有するフラーレン)を用いることでも、カーボンナノチューブは、効率的に、分散する。前記カーボンナノチューブ分散液が基材上に塗布されることによって、透明導電膜が作製される。   In order to produce a transparent conductive film, a carbon nanotube dispersion is used. The dispersion preparation method is known. Carbon nanotubes are dispersed in a solvent by a dispersant (for example, a surfactant). The carbon nanotubes can be dispersed efficiently by using fullerene (particularly, fullerene having a polar group such as OH group). A transparent conductive film is produced by applying the carbon nanotube dispersion on a substrate.

基材上に成長したカーボンナノチューブを、直接、基材表面に転写することによって、透明導電膜とすることも可能である。   It is also possible to obtain a transparent conductive film by transferring the carbon nanotubes grown on the substrate directly onto the substrate surface.

前記グラフェンとして各種のグラフェンが挙げられる。例えば、単層グラフェン、多層グラフェンが挙げられる。前記グラフェンが酸化された酸化グラフェンであっても良い。   Examples of the graphene include various graphenes. For example, single layer graphene and multilayer graphene can be given. Graphene oxide obtained by oxidizing the graphene may be used.

グラフェンの形状は、特には、限定されない。しかし、グラフェン切片の大きさが小さ過ぎると、導電性が確保され難い。この観点から、好ましくは、切片の大きさが10nm〜100μmのグラフェンである。   The shape of graphene is not particularly limited. However, if the size of the graphene section is too small, it is difficult to ensure conductivity. From this point of view, graphene having a section size of 10 nm to 100 μm is preferable.

前記グラフェンは次の合成方法(作製方法)で得られる。例えば、CVD法、グラファイト分散法、グラファイト・テープ剥離法などが挙げられる。   The graphene is obtained by the following synthesis method (production method). For example, a CVD method, a graphite dispersion method, a graphite tape peeling method and the like can be mentioned.

前記グラフェンは、官能基(例えば、カルボキシル基、ケトン基、ヒドロキシル基など)が、骨格中の欠陥部位や末端部位に、導入されたものであっても良い。前記官能基は、グラフェン作製時に、導入されたものでも良い。前記官能基は、グラフェン作製後、導入されたものでも良い。追加処理によって、官能基(例えば、カルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホニル基、ニトロ基、ベンジル基、ハロゲンなど)がグラフェンに導入される。他の分子が前記官能基を介して化学結合したグラフェンであっても良い。   The graphene may have a functional group (for example, a carboxyl group, a ketone group, or a hydroxyl group) introduced into a defect site or a terminal site in the skeleton. The functional group may be introduced at the time of graphene production. The functional group may be introduced after the preparation of graphene. Additional processing introduces functional groups (eg, carboxyl, hydroxyl, sulfonyl, nitro, benzyl, halogen, etc.) into graphene. Graphene in which other molecules are chemically bonded via the functional group may be used.

透明導電膜を作製する為、グラフフェン分散液が用いられる。前記分散液作製方法は公知である。グラフフェンは分散剤(例えば、界面活性剤)によって、溶媒中に、分散する。フラーレン(特に、OH基などの極性基を有するフラーレン)を用いることでも、グラフフェンは、効率的に、分散する。前記グラフフェン分散液が基材上に塗布されることによって、透明導電膜が作製される。   In order to produce a transparent conductive film, a graphene dispersion is used. The dispersion preparation method is known. Graphfen is dispersed in a solvent by a dispersant (for example, a surfactant). Even when using fullerene (particularly fullerene having a polar group such as OH group), graphene is efficiently dispersed. A transparent conductive film is produced by applying the graphene dispersion on a substrate.

基材上に成長したグラフェン薄膜(又は、グラファイトから剥離したグラフェン薄膜)が、直接、基材表面に転写されることによって、透明導電膜とすることも可能である。   A graphene thin film (or a graphene thin film peeled off from graphite) grown on a substrate can be directly transferred onto the surface of the substrate to form a transparent conductive film.

前記透明導電膜材料が基材上に設けられる方法としては各種の方法が考えられる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、PLD法、クラスタービーム蒸着法などが挙げられる。塗布方法も挙げられる。例えば、含浸法、ロール塗工法、ダイコート、ワイヤーバーコート、カーテンフローコート、スプレー法などが挙げられる。スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷などの印刷方法も用いられる。   Various methods are conceivable as the method for providing the transparent conductive film material on the substrate. For example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a sol-gel method, a PLD method, a cluster beam deposition method, and the like can be given. An application method is also mentioned. For example, an impregnation method, a roll coating method, a die coat, a wire bar coat, a curtain flow coat, a spray method and the like can be mentioned. Printing methods such as screen printing, letterpress printing, intaglio printing, and gravure printing are also used.

前記透明導電膜材料の表面に、必要に応じて、各種の層が設けられても良い。例えば、ハードコート層、防汚層、防眩層、反射防止層、粘着層などが、適宜、設けられる、一層のみが設けられても、二層以上が設けられても良い。   Various layers may be provided on the surface of the transparent conductive film material as necessary. For example, a hard coat layer, an antifouling layer, an antiglare layer, an antireflection layer, an adhesive layer, and the like are appropriately provided, or only one layer may be provided, or two or more layers may be provided.

前記透明導電膜は、好ましくは、可視光透過率が70%以上である。更に好ましくは、80%以上である。より好ましくは、85%以上である。特に好ましくは90%以上である。可視光透過率は、100%未満である。可視光透過率が100%は、現時点では、無い。好ましくは99%以下である。より好ましくは97%以下である。より好ましくは95%以下である。導電性は、好ましくは、表面抵抗値が0.1Ω/□以上である。更に好ましくは、表面抵抗値が10Ω/□以上である。好ましくは、10000Ω/□以下である。更に好ましくは、1000Ω/□以下である。   The transparent conductive film preferably has a visible light transmittance of 70% or more. More preferably, it is 80% or more. More preferably, it is 85% or more. Particularly preferably, it is 90% or more. The visible light transmittance is less than 100%. At present, there is no visible light transmittance of 100%. Preferably it is 99% or less. More preferably, it is 97% or less. More preferably, it is 95% or less. The conductivity preferably has a surface resistance value of 0.1Ω / □ or more. More preferably, the surface resistance value is 10Ω / □ or more. Preferably, it is 10,000 Ω / □ or less. More preferably, it is 1000Ω / □ or less.

本発明の透明導電膜は、例えばタッチパネル、ディスプレイ、太陽電池などの分野で用いられる。   The transparent conductive film of the present invention is used in the fields of touch panels, displays, solar cells and the like, for example.

前記導電膜の形状に格別な制限はない。例えば、数μm〜数mm幅の線状がある。前記導電膜のパターン形成方法は各種の方法がある。例えば、レーザー描画、フォトリソグラフィー法を用いたケミカルエッチング処理、光(紫外線)露光法、剥離法などがある。   There is no particular restriction on the shape of the conductive film. For example, there is a linear shape with a width of several μm to several mm. There are various methods for patterning the conductive film. For example, there are laser drawing, chemical etching using photolithography, light (ultraviolet) exposure, and peeling.

炭素系導電材(例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン等)が紫外線照射された場合、紫外線照射個所の炭素系導電材は除去(又は、分解劣化)されると考えられる。前記炭素系導電材除去(分解劣化)個所は、絶縁性(絶縁に近い状態)である。絶縁化部分は導電材料が無くなっている。従って、導電材料が無くなった個所では、それに応じて、光透過率が高くなる。よって、(透明導電膜材料残存部分(導電性部分)の光透過率)<(透明導電膜材料消失部分(絶縁性部分)の光透過率)である。前記透過率の差が或る閾値を越えると、導電性パターンが視認できる。導電性パターンが視認されることは好ましくない。従って、本発明が有効になる。すなわち、紫外線照射によって生じた絶縁性部は、導電性部に比べて、光透過率が高くなった。この為、透明性低下材が、前記絶縁性部に対応した位置に設けられた。例えば、粒子(島状粒子群)が前記絶縁性部に対応した位置に設けられた。これによって、光透過性が低下した。すなわち、絶縁性部における光透過率の値と、導電性部における光透過率の値との差は小さくなった。これにより、導電性パターンが視認されなくなった。   When a carbon-based conductive material (for example, carbon nanotube, graphene, etc.) is irradiated with ultraviolet rays, the carbon-based conductive material at the ultraviolet irradiation site is considered to be removed (or decomposed and deteriorated). The carbon-based conductive material removal (decomposition degradation) part is insulative (a state close to insulation). The insulating portion is free of conductive material. Therefore, the light transmittance is increased accordingly at the places where the conductive material is lost. Therefore, (light transmittance of the transparent conductive film material remaining portion (conductive portion)) <(light transmittance of the transparent conductive film material disappearing portion (insulating portion)). When the difference in transmittance exceeds a certain threshold, the conductive pattern can be visually recognized. It is not preferable that the conductive pattern is visually recognized. Therefore, the present invention is effective. That is, the insulating part produced by ultraviolet irradiation has a higher light transmittance than the conductive part. For this reason, the transparency reducing material was provided at a position corresponding to the insulating part. For example, particles (island-like particle groups) were provided at positions corresponding to the insulating part. As a result, the light transmittance was lowered. That is, the difference between the light transmittance value in the insulating portion and the light transmittance value in the conductive portion is small. As a result, the conductive pattern is no longer visible.

前記粒子は、光透過率の低下が引き起こされるならば、如何なる粒子でも良い。金属粒子、酸化物粒子、硫化物粒子、炭化物粒子、又は窒化物粒子が挙げられる。酸化物粒子は、一般的には、金属酸化物粒子である。勿論、これに限られない。酸化物粒子は、最初から、酸化物粒子であっても良い。時間の経過によって、酸化物粒子に変化したものでも良い。硫化物粒子は、一般的には、金属硫化物粒子である。勿論、これに限られない。硫化物粒子は、最初から、硫化物粒子であっても良い。時間の経過によって、硫化物粒子に変化したものでも良い。炭化物粒子は、一般的には、金属炭化物粒子である。勿論、これに限られない。炭化物粒子は、最初から、炭化物粒子であっても良い。時間の経過によって、炭化物粒子に変化したものでも良い。窒化物粒子は、一般的には、金属窒化物粒子である。勿論、これに限られない。窒化物粒子は、最初から、窒化物粒子であっても良い。時間の経過によって、窒化物粒子に変化したものでも良い。金属粒子を金属酸化物粒子に変化させる方法としては、例えば加熱処理、オゾン処理、ガス処理などが挙げられる。窒化物粒子などに変性させる方法も、前記方法が準用される。前記金属は如何なる金属でも良い。好ましい金属は、Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mn等である。すなわち、黒色ないしは褐色を呈する粒子であると、前記粒子群の光透過率と、炭素系導電材(例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン等)の光透過率との差が小さかった。このようなことから、例えば銀(銀は、時間の経過によって、酸化される。)、酸化銀、硫化銀、銅、酸化銅、硫化銅、酸化鉄などの粒子が好ましかった。前記粒子は一種類のものでも、二種類以上の粒子が混在していても良い。   The particles may be any particles as long as a decrease in light transmittance is caused. Examples include metal particles, oxide particles, sulfide particles, carbide particles, or nitride particles. The oxide particles are generally metal oxide particles. Of course, it is not limited to this. The oxide particles may be oxide particles from the beginning. It may be changed to oxide particles over time. The sulfide particles are generally metal sulfide particles. Of course, it is not limited to this. The sulfide particles may be sulfide particles from the beginning. It may be changed to sulfide particles over time. The carbide particles are generally metal carbide particles. Of course, it is not limited to this. The carbide particles may be carbide particles from the beginning. It may be changed to carbide particles with the passage of time. The nitride particles are generally metal nitride particles. Of course, it is not limited to this. The nitride particles may be nitride particles from the beginning. It may be changed to nitride particles over time. Examples of the method for changing the metal particles into metal oxide particles include heat treatment, ozone treatment, gas treatment, and the like. The above-mentioned method is applied mutatis mutandis to the method of modifying into nitride particles. The metal may be any metal. Preferred metals are Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, Mn and the like. That is, when the particles are black or brown, the difference between the light transmittance of the particle group and the light transmittance of a carbon-based conductive material (for example, carbon nanotube, graphene, etc.) was small. For this reason, for example, silver (silver is oxidized over time), silver oxide, silver sulfide, copper, copper oxide, copper sulfide, iron oxide and the like are preferred. The particles may be one kind or a mixture of two or more kinds of particles.

前記粒子の大きさは、基本的には、如何なる大きさでも良い。しかし、粒子が大き過ぎると、光散乱が起き易い。そうすると、透明性が損なわれる。従って、1μm以下の大きさの粒子が好ましい。   The size of the particles may basically be any size. However, if the particles are too large, light scattering tends to occur. If it does so, transparency will be impaired. Accordingly, particles having a size of 1 μm or less are preferred.

前記粒子が絶縁性部(絶縁性部対応位置)に設けられる手法は如何なる手法であっても良い。   Any method may be used as the method for providing the particles at the insulating portion (the position corresponding to the insulating portion).

例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、PLD法、クラスタービーム蒸着法などが用いられる。これ等の方法によって、粒子(例えば、金属粒子)が所定個所に設けられる。前記方法が実施される雰囲気によって、前記粒子は金属酸化物粒子になる。或いは、金属窒化物粒子になる。若しくは、金属炭化物粒子になる。又は、金属硫化物粒子になる。   For example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a sol-gel method, a PLD method, a cluster beam deposition method, or the like is used. By these methods, particles (for example, metal particles) are provided at predetermined positions. Depending on the atmosphere in which the method is performed, the particles become metal oxide particles. Alternatively, it becomes metal nitride particles. Or it becomes a metal carbide particle. Or it becomes metal sulfide particles.

金属粒子分散溶液の塗布方法が用いられても良い。塗布方法としては、含浸法、ロールを用いた塗工法、ダイコート、ワイヤーバーコート、スプレー法、カーテンフローコート法などが、適宜、用いられる。印刷法(例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷など)が用いられても良い。印刷法が用いられると、所定パターンの塗膜が直接形成される。マスクが用いられても、粒子は所定位置にのみ設けられる。   A metal particle dispersion solution coating method may be used. As a coating method, an impregnation method, a coating method using a roll, a die coat, a wire bar coat, a spray method, a curtain flow coat method, or the like is appropriately used. Printing methods (for example, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, gravure printing, inkjet printing, etc.) may be used. When the printing method is used, a coating film having a predetermined pattern is directly formed. Even if a mask is used, the particles are provided only at predetermined positions.

フィルムに金属イオンを含む溶液を吸着させ、表面に還元剤を用いて金属粒子を還元させる方法が用いられても良い。   A method may be used in which a solution containing metal ions is adsorbed on the film and metal particles are reduced using a reducing agent on the surface.

簡便な方法としては、金属イオン(又は、金属錯体)含有溶液が塗布された後、光照射される方法が挙げられる。光照射によって、金属イオンは還元し、金属粒子が生成する。雰囲気によっては、金属は酸化され、金属酸化物粒子が生成する。特に、粒子が島状に生成(析出)する。例えば、硝酸銀溶液が塗布された後、光(紫外線、特に、深紫外線)照射が行われると、Ag粒子(AgO)粒子が析出する。この時、カーボンナノチューブ(又はグラフェン)が存在すると、前記物質の光触媒効果によって、金属イオンが効果的に還元される。すなわち、金属粒子が効果的に析出する。 As a simple method, there is a method in which a metal ion (or metal complex) -containing solution is applied and then irradiated with light. By light irradiation, metal ions are reduced and metal particles are generated. Depending on the atmosphere, the metal is oxidized and metal oxide particles are generated. In particular, particles are generated (deposited) in an island shape. For example, when a silver nitrate solution is applied and then irradiated with light (ultraviolet rays, particularly deep ultraviolet rays), Ag particles (Ag 2 O) particles are precipitated. At this time, if carbon nanotubes (or graphene) are present, metal ions are effectively reduced by the photocatalytic effect of the substance. That is, the metal particles are effectively precipitated.

金属粒子析出位置に対応して、光触媒物質が設けられていることは好ましい。カーボンナノチューブ(又はグラフェン)が無い場合、これに代わる光触媒物質が、金属粒子析出位置に対応して、設けられていることは好ましい。光触媒物質は、光(紫外線)照射によって、電子が励起される物質である。光触媒物質の代表例として、例えば酸化チタン、酸化亜鉛が挙げられる。1μm以下の大きさの酸化チタン粒子や酸化亜鉛粒子は、光散乱が起き難いので、好ましい。   It is preferable that a photocatalytic substance is provided corresponding to the metal particle deposition position. When there is no carbon nanotube (or graphene), it is preferable that an alternative photocatalytic substance is provided corresponding to the metal particle deposition position. A photocatalytic substance is a substance in which electrons are excited by irradiation with light (ultraviolet rays). Typical examples of the photocatalytic substance include titanium oxide and zinc oxide. Titanium oxide particles and zinc oxide particles having a size of 1 μm or less are preferable because light scattering hardly occurs.

前記光触媒は、前記導電層中に設けられていても良い。前記導電層の隣接層に設けられていても良い。その他の層に設けられていても良い。前記光触媒が前記導電層中に設けられる方法としては次の手法が挙げられる。導電層が塗布法で設けられる場合、導電性物質および光触媒物質が添加された塗料が用いられる。或いは、導電層が形成された後、導電層の上から光触媒物質含有溶液が塗布される方法が挙げられる。前記導電層の隣接層に設けられる場合は、次の手法が挙げられる。導電層形成の前後において、光触媒層が設けられる。基材(基板)中に光触媒物質が設けられていても良い。基材(基板)の表面または裏面に光触媒物質が設けられていても良い。   The photocatalyst may be provided in the conductive layer. It may be provided in a layer adjacent to the conductive layer. It may be provided in other layers. Examples of the method for providing the photocatalyst in the conductive layer include the following methods. When the conductive layer is provided by a coating method, a paint to which a conductive substance and a photocatalytic substance are added is used. Alternatively, after the conductive layer is formed, a method in which a photocatalyst substance-containing solution is applied on the conductive layer can be used. When provided in the adjacent layer of the said conductive layer, the following method is mentioned. A photocatalyst layer is provided before and after the formation of the conductive layer. A photocatalytic substance may be provided in the base material (substrate). A photocatalytic substance may be provided on the front surface or the back surface of the base material (substrate).

以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定され無い。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。   Specific examples will be given below. However, the present invention is not limited to the following examples. Various modifications and application examples are also included in the present invention as long as the features of the present invention are not greatly impaired.

[実施例1]
図1は、第1実施例の膜(導電膜)製造工程図である。図は概略断面図である。
[Example 1]
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of the film (conductive film) of the first embodiment. The figure is a schematic sectional view.

カーボンナノチューブ分散液が得られた。これは次の方法による。アーク放電により合成されたシングルウォールカーボンナノチューブ(市販品)に対して、酸処理、水洗浄、遠心分離が行われた。この精製カーボンナノチューブに、界面活性剤(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム:SDBS)0.2wt%水溶液が、加えられた。このカーボンナノチューブ含有水溶液に対して、超音波装置により、分散処理が行われた。次いで、遠心分離、濾過が行われた。このようにしてカーボンナノチューブ分散液(CNT:3200ppm)が得られた。   A carbon nanotube dispersion was obtained. This is due to the following method. Single wall carbon nanotubes (commercially available) synthesized by arc discharge were subjected to acid treatment, water washing and centrifugation. A surfactant (sodium dodecylbenzenesulfonate: SDBS) 0.2 wt% aqueous solution was added to the purified carbon nanotubes. The carbon nanotube-containing aqueous solution was subjected to a dispersion treatment using an ultrasonic device. Subsequently, centrifugation and filtration were performed. Thus, a carbon nanotube dispersion liquid (CNT: 3200 ppm) was obtained.

酸化チタン含有溶液が得られた。これは次の方法による。酸化チタンのトルエン分散溶液(CIK ナノテック株式会社製)1mLと、光硬化性樹脂のトルエン溶液(50wt%、ダイヤビーム:UK−6074;三レ株式会社製)1mLとが混合された。この混合溶液に、ラジカル反応開始剤(イルガキュア184;長瀬産業株式会社製)5mgが添加された。   A titanium oxide-containing solution was obtained. This is due to the following method. 1 mL of a toluene dispersion solution of titanium oxide (CIK Nanotech Co., Ltd.) and 1 mL of a toluene solution of photocurable resin (50 wt%, Diamond Beam: UK-6074; Sanre Co., Ltd.) were mixed. To this mixed solution, 5 mg of a radical reaction initiator (Irgacure 184; manufactured by Nagase Sangyo Co., Ltd.) was added.

前記酸化チタン含有溶液が透明基板(PETフィルム:MKZ−T4A(東山フイルム社製))1上に塗布された。塗布方法はダイコーティングである。乾燥後、光照射が行われた。光照射により、含有樹脂が硬化した。これにより、酸化チタン含有層2が形成された(図1(a)参照)。   The titanium oxide-containing solution was applied onto a transparent substrate (PET film: MKZ-T4A (manufactured by Higashiyama Film)) 1. The application method is die coating. After drying, light irradiation was performed. The resin contained was cured by light irradiation. Thereby, the titanium oxide containing layer 2 was formed (refer Fig.1 (a)).

前記カーボンナノチューブ分散液が、酸化チタン含有層2上に、塗布された。塗布方法はダイコーティングである。塗布厚(乾燥後の厚さ)は0.05μmであった。塗布後、イオン交換水による洗浄が行われた。これにより、塗膜(カーボンナノチューブ層)中に含まれる界面活性剤が取り除かれた。この後、乾燥(1.5分間;120℃)が行われた。これにより、カーボンナノチューブ層(透明導電性カーボン層)3が、酸化チタン層2上に、設けられた(図1(b)参照)。このカーボンナノチューブ層3は、内部に、隙間を、多く持っている。   The carbon nanotube dispersion was applied onto the titanium oxide-containing layer 2. The application method is die coating. The coating thickness (thickness after drying) was 0.05 μm. After application, washing with ion exchange water was performed. Thereby, the surfactant contained in the coating film (carbon nanotube layer) was removed. This was followed by drying (1.5 minutes; 120 ° C.). Thereby, the carbon nanotube layer (transparent conductive carbon layer) 3 was provided on the titanium oxide layer 2 (see FIG. 1B). The carbon nanotube layer 3 has many gaps inside.

この後、カーボンナノチューブ層3の上から、1.5wt%エアロセラ溶液(加水分解性オルガノシラン含有組成物:パナソニック株式会社製)が塗布された。塗布方法はダイコーティングである。塗布厚(乾燥後の厚さ)は0.1μmであった。このエアロセラ溶液は、前記カーボンナノチューブ層3の隙間に、含浸している。4は、前記エアロセラ溶液によって構成された層である(図1(c)参照)。   Thereafter, a 1.5 wt% aerocera solution (hydrolyzable organosilane-containing composition: manufactured by Panasonic Corporation) was applied from above the carbon nanotube layer 3. The application method is die coating. The coating thickness (thickness after drying) was 0.1 μm. The aerocera solution is impregnated in the gaps between the carbon nanotube layers 3. Reference numeral 4 denotes a layer composed of the aerocera solution (see FIG. 1C).

この後、前記層4上に、マスク5が設けられた。マスク5が無い個所は開口部6である。マスク5の形成方法は次の通りである。紫外線硬化樹脂(JELCON GEC−10H;マスキングインク:十条ケミカル社製)が、所定のパターンで、印刷された。印刷はスクリーン印刷である。樹脂塗布厚は50μmであった。前記開口部6の形状は、線幅が数百μm〜数mmのダイヤ形であった。   Thereafter, a mask 5 was provided on the layer 4. The portion without the mask 5 is the opening 6. The method for forming the mask 5 is as follows. An ultraviolet curable resin (JELCON GEC-10H; masking ink: manufactured by Jujo Chemical Co., Ltd.) was printed in a predetermined pattern. Printing is screen printing. The resin coating thickness was 50 μm. The shape of the opening 6 was a diamond shape with a line width of several hundred μm to several mm.

この後、マスク5上方から、紫外線(キセノンエキシマランプ:波長:172nm)が照射された。紫外線照射時の雰囲気は、窒素94%、酸素6%であった。前記混合気体圧力は1.013×10Paであった。照射紫外線の積算光量は10,560mJ/cmであった。紫外線は、開口部6に対応した位置のカーボンナノチューブに、照射された。紫外線は、マスク5に対応した位置のカーボンナノチューブには、照射されていない(図1(d)参照)。 Thereafter, ultraviolet rays (xenon excimer lamp: wavelength: 172 nm) were irradiated from above the mask 5. The atmosphere during ultraviolet irradiation was 94% nitrogen and 6% oxygen. The mixed gas pressure was 1.013 × 10 5 Pa. The integrated light quantity of irradiated ultraviolet rays was 10,560 mJ / cm 2 . The ultraviolet rays were applied to the carbon nanotubes at positions corresponding to the openings 6. Ultraviolet rays are not irradiated to the carbon nanotubes at positions corresponding to the mask 5 (see FIG. 1D).

この後、前記基板(PETフィルム)1が、硝酸銀水溶液(0.1wt%)中に、浸けられた。これにより、AgNOが、前記開口部6に対応した位置の前記層4中に、侵入した。前記基板1が、引き上げられた後、乾燥処理を受けた。この後、マスク5の上側から、紫外線照射(波長312nm、積算光量:3,000mJ/cm)が行われた。これにより、開口部6に対応して存在したAgNOからAgナノ粒子7が析出した。Agナノ粒子7が、酸化チタン層2上に、析出した(図1(e)参照)。析出した銀粒子は酸化された。前記粒子は黒褐色である。析出粒子の厚さは薄い。従って、生成粒子による透明度の低下は小さかった。 Thereafter, the substrate (PET film) 1 was immersed in an aqueous silver nitrate solution (0.1 wt%). As a result, AgNO 3 entered the layer 4 at a position corresponding to the opening 6. After the substrate 1 was pulled up, it was subjected to a drying process. Thereafter, ultraviolet irradiation (wavelength 312 nm, integrated light quantity: 3,000 mJ / cm 2 ) was performed from the upper side of the mask 5. Thereby, Ag nanoparticles 7 were precipitated from AgNO 3 existing corresponding to the opening 6. Ag nanoparticles 7 were deposited on the titanium oxide layer 2 (see FIG. 1 (e)). The precipitated silver particles were oxidized. The particles are blackish brown. The thickness of the precipitated particles is thin. Therefore, the decrease in transparency due to the generated particles was small.

この後、マスク5が除去された。   Thereafter, the mask 5 was removed.

[実施例2]
実施例1において、硝酸銀水溶液浸漬後の乾燥処理が行われなかった以外は、実施例1に準じて行われた。
[Example 2]
In Example 1, it was performed according to Example 1 except that the drying treatment after immersion in the aqueous silver nitrate solution was not performed.

[実施例3]
実施例1において、硝酸銀水溶液の代わりに、硝酸銀メタノール溶液(0.1wt%)が用いられた以外は、実施例1に準じて行われた。
[Example 3]
In Example 1, it carried out according to Example 1 except having used the silver nitrate methanol solution (0.1 wt%) instead of the silver nitrate aqueous solution.

[実施例4]
実施例1は、透明基板1上に酸化チタン含有層2が設けられ、酸化チタン含有層2上にカーボンナノチューブ層3が設けられた例である。本実施例では、透明基板1の下側(裏面側)に酸化チタン含有層2が設けられ、透明基板1の上側(表面側)にカーボンナノチューブ層3が設けられた例である。紫外線ランプの積算光量は30,000mJ/cmである。実施例1に準じて行われた。
[Example 4]
Example 1 is an example in which a titanium oxide-containing layer 2 is provided on a transparent substrate 1 and a carbon nanotube layer 3 is provided on the titanium oxide-containing layer 2. In this embodiment, the titanium oxide-containing layer 2 is provided on the lower side (back side) of the transparent substrate 1 and the carbon nanotube layer 3 is provided on the upper side (front side) of the transparent substrate 1. The integrated light quantity of the ultraviolet lamp is 30,000 mJ / cm 2 . It carried out according to Example 1.

[実施例5]
実施例1は、透明基板1上に酸化チタン含有層2が設けられ、酸化チタン含有層2上にカーボンナノチューブ層3が設けられた例である。本実施例では、混合溶液(カーボンナノチューブ分散液中に酸化チタンの水分散溶液(石原産業株式会社製:5wt%)が添加)が用いられた。すなわち、前記混合溶液が、透明基板上に、塗布された。これにより、酸化チタン及びカーボンナノチューブ含有層が設けられた。それ以外は、実施例1に準じて行われた。本実施例は、酸化チタン含有層上にカーボンナノチューブ層が設けられたのでは無い。
[Example 5]
Example 1 is an example in which a titanium oxide-containing layer 2 is provided on a transparent substrate 1 and a carbon nanotube layer 3 is provided on the titanium oxide-containing layer 2. In this example, a mixed solution (an aqueous dispersion of titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd .: 5 wt%) added to the carbon nanotube dispersion) was used. That is, the mixed solution was applied on a transparent substrate. This provided a layer containing titanium oxide and carbon nanotubes. Other than that, it carried out according to Example 1. In this example, the carbon nanotube layer was not provided on the titanium oxide-containing layer.

[実施例6]
実施例5において、酸化チタンの水分散溶液(石原産業株式会社製:10wt%)が用いられた以外は、実施例5に準じて行われた。
[Example 6]
In Example 5, it was performed according to Example 5 except that an aqueous dispersion of titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd .: 10 wt%) was used.

[実施例7]
実施例1は、透明基板1上に酸化チタン含有層2が設けられ、酸化チタン含有層2上にカーボンナノチューブ層3が設けられた例である。本実施例では、混合溶液(酸化チタンの水分散溶液(石原産業株式会社製:5wt%)がエアロセラ溶液(1.5wt%)に添加)が用意された。この混合溶液が、カーボンナノチューブ含有層上から塗布された。それ以外は、実施例1に準じて行われた。
[Example 7]
Example 1 is an example in which a titanium oxide-containing layer 2 is provided on a transparent substrate 1 and a carbon nanotube layer 3 is provided on the titanium oxide-containing layer 2. In this example, a mixed solution (an aqueous dispersion of titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd .: 5 wt%) was added to the Aerocera solution (1.5 wt%)) was prepared. This mixed solution was applied on the carbon nanotube-containing layer. Other than that, it carried out according to Example 1.

[比較例1]
実施例1において、紫外線(キセノンエキシマランプ:波長:172nm)照射が行われなかった以外は、実施例1に準じて行われた。
[Comparative Example 1]
In Example 1, it carried out according to Example 1 except that ultraviolet irradiation (xenon excimer lamp: wavelength: 172 nm) was not performed.

[比較例2]
実施例1において、硝酸銀水溶液への浸漬処理が行われなかった以外は、実施例1に準じて行われた。
[Comparative Example 2]
In Example 1, it was performed according to Example 1 except that the immersion treatment in the aqueous silver nitrate solution was not performed.

[特性]
前記実施例1〜実施例7で得られた製品、及び前記比較例1,2で得られた製品の導電性パターンが調べられた。
[Characteristic]
The conductive patterns of the products obtained in Examples 1 to 7 and the products obtained in Comparative Examples 1 and 2 were examined.

先ず、目視によって、導電性パターンが認識できるか否かが調べられた。比較例2に関しては、導電性パターンが容易に認識された。しかし、実施例1〜実施例7に関しては、導電性パターンが認識でき難かった。   First, it was examined by visual observation whether or not the conductive pattern could be recognized. For Comparative Example 2, the conductive pattern was easily recognized. However, regarding Examples 1 to 7, it was difficult to recognize the conductive pattern.

開口部6(Agナノ粒子存在個所)対応位置における可視光透過率が測定された。その結果が表1に示される。   The visible light transmittance at the position corresponding to the opening 6 (where the Ag nanoparticles were present) was measured. The results are shown in Table 1.

表1
開口部対応位置での可視光透過率X
実施例1 92.5%
実施例2 91.3%
実施例3 91.0%
実施例4 91.7%
実施例5 91.8%
実施例6 91.0%
実施例7 91.9%
比較例1 91.2%
比較例2 94.1%
Table 1
Visible light transmittance X at the position corresponding to the opening
Example 1 92.5%
Example 2 91.3%
Example 3 91.0%
Example 4 91.7%
Example 5 91.8%
Example 6 91.0%
Example 7 91.9%
Comparative Example 1 91.2%
Comparative Example 2 94.1%

前記実施例1〜実施例7では導電性パターンが認識でき難かった事実と、表1のデータとは、整合が取れている。すなわち、開口部6(Agナノ粒子存在個所)対応位置における可視光透過率Xと、比較例1の開口部対応位置での可視光透過率91.2%(マスク5(Agナノ粒子不存在個所)対応位置における可視光透過率Yに相当)との間の差が小さかったと言うことは、導電性パターンの境界が判り難いことを示している。   The fact that it was difficult to recognize the conductive pattern in Examples 1 to 7 and the data in Table 1 are consistent. That is, the visible light transmittance X at the position corresponding to the opening 6 (Ag nanoparticle existing position) and the visible light transmittance 91.2% at the position corresponding to the opening of Comparative Example 1 (the mask 5 (Ag nanoparticle absent position) The fact that the difference between (a) corresponding to the visible light transmittance Y at the corresponding position) is small indicates that the boundary of the conductive pattern is difficult to understand.

紫外線照射量によって、開口部6(Agナノ粒子存在個所)対応位置における可視光透過率の大小を制御できることが判る。   It can be seen that the magnitude of the visible light transmittance at the position corresponding to the opening 6 (Ag nanoparticle existing location) can be controlled by the ultraviolet irradiation amount.

酸化チタン層の有無によって、開口部6(Agナノ粒子存在個所)対応位置における可視光透過率の大小を制御できることが判る。   It can be seen that the visible light transmittance at the position corresponding to the opening 6 (Ag nanoparticle existing location) can be controlled by the presence or absence of the titanium oxide layer.

酸化チタン量によって、開口部6(Agナノ粒子存在個所)対応位置における可視光透過率の大小を制御できることが判る。   It can be seen that the amount of visible light transmittance at the position corresponding to the opening 6 (where the Ag nanoparticles are present) can be controlled by the amount of titanium oxide.

前記開口部6対応個所の内と外とにおいて導電性が、テスターで、調べられた。この結果、実施例1〜実施例7のものにあっては、電気の導通は認められなかった。すなわち、Ag粒子が開口部6対応位置に存在しているが、開口部6対応位置は絶縁性であった。勿論、マスク5対応位置は導電性であった。これに対して、比較例1のものでは、開口部6対応個所にあっても、電気の導通が認められた。これは、導電パターン(電極パターン)が形成されていないことを意味する。   Conductivity was examined with a tester inside and outside the portion corresponding to the opening 6. As a result, no electrical continuity was observed in Examples 1-7. That is, Ag particles are present at the position corresponding to the opening 6, but the position corresponding to the opening 6 is insulative. Of course, the position corresponding to the mask 5 was conductive. On the other hand, in the case of Comparative Example 1, electrical continuity was recognized even at the location corresponding to the opening 6. This means that a conductive pattern (electrode pattern) is not formed.

1 透明基板(PETフィルム:基材)
2 酸化チタン含有層(光触媒層)
3 カーボンナノチューブ層(炭素系導電材層)
4 加水分解性オルガノシラン含有組成物層
5 マスク(導電性部対応個所)
6 開口部(絶縁性部対応個所)
7 Agナノ粒子(粒子:透明性低下材)

1 Transparent substrate (PET film: base material)
2 Titanium oxide containing layer (photocatalyst layer)
3 Carbon nanotube layer (carbon-based conductive material layer)
4 Hydrolyzable organosilane-containing composition layer 5 Mask (corresponding part for conductive part)
6 opening (corresponding part for insulating part)
7 Ag nanoparticles (particle: transparency lowering material)

Claims (24)

絶縁性部と導電性部とを具備する膜であって、
透明性低下材が、前記絶縁性部に対応した位置に、設けられてなる
ことを特徴とする膜。
A film comprising an insulating part and a conductive part,
A film comprising a transparency reducing material provided at a position corresponding to the insulating portion.
X(前記透明性低下材が設けられた前記絶縁性部における前記膜の可視光透過率)が、70%以上で、100%未満であり、
Y(前記導電性部における前記膜の可視光透過率)が、70%以上で、100%未満である
ことを特徴とする請求項1の膜。
X (visible light transmittance of the film in the insulating portion provided with the transparency reducing material) is 70% or more and less than 100%;
The film according to claim 1, wherein Y (visible light transmittance of the film in the conductive portion) is 70% or more and less than 100%.
|X−Y|<2.9%である
ことを特徴とする請求項2の膜。
The film of claim 2, wherein | X−Y | <2.9%.
前記膜は、炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成されてなる
ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜。
The film according to any one of claims 1 to 3, wherein the film is composed of one or more selected from the group of carbon-based conductive materials.
前記炭素系導電材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである
ことを特徴とする請求項4の膜。
5. The film according to claim 4, wherein the carbon-based conductive material is one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes and graphene.
前記透明性低下材は粒子である
ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの膜。
6. The film according to claim 1, wherein the transparency reducing material is a particle.
前記粒子は、島状に設けられてなる
ことを特徴とする請求項6の膜。
The film according to claim 6, wherein the particles are provided in an island shape.
前記粒子は、膜のように連続していない
ことを特徴とする請求項6の膜。
7. The membrane of claim 6 wherein the particles are not continuous as in the membrane.
前記粒子は、金属粒子、酸化物粒子、硫化物粒子、炭化物粒子、窒化物粒子の群の中から選ばれる一種または二種以上の粒子である
ことを特徴とする請求項6〜請求項8いずれかの膜。
The said particle | grains are 1 type, or 2 or more types of particle | grains chosen from the group of a metal particle, oxide particle | grains, sulfide particle | grains, carbide particle | grains, and nitride particle | grains, The any one of Claims 6-8 That membrane.
前記粒子は、Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mnの群の中から選ばれる一種または二種以上の金属元素が用いられて構成されてなる
ことを特徴とする請求項6〜請求項9いずれかの膜。
The said particle | grain is comprised by using 1 type, or 2 or more types of metal elements chosen from the group of Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, and Mn. Item 9. The membrane according to any one of Items 9.
前記粒子は、
所定個所に設けられた金属イオン含有溶液および金属錯体含有溶液の群の中から選ばれる一種または二種以上のものに対して行われた光照射によって、生成した粒子である
ことを特徴とする請求項6〜請求項10いずれかの膜。
The particles are
Claims characterized in that they are particles generated by light irradiation performed on one or more kinds selected from the group of metal ion-containing solutions and metal complex-containing solutions provided at predetermined locations. The film according to any one of Items 6 to 10.
前記設けられた透明性低下材は、前記導電性部の導電性パターン形状に、実質的に、影響を及ぼさない
ことを特徴とする請求項1〜請求項11いずれかの膜。
The film according to any one of claims 1 to 11, wherein the provided transparency lowering material does not substantially affect the conductive pattern shape of the conductive portion.
光触媒が、前記膜に対して、直接的および/または間接的に、設けられてなる
ことを特徴とする請求項1〜請求項12いずれかの膜。
The film according to any one of claims 1 to 12, wherein a photocatalyst is provided directly and / or indirectly with respect to the film.
前記光触媒は、前記膜中および/または前記膜に接して、設けられてなる
ことを特徴とする請求項13の膜。
The film according to claim 13, wherein the photocatalyst is provided in and / or in contact with the film.
前記光触媒は、前記膜から離れた位置に、設けられてなる
ことを特徴とする請求項13の膜。
The film according to claim 13, wherein the photocatalyst is provided at a position away from the film.
基材上に導電膜が設けられる導電膜形成工程と、
前記導電膜に対して所定パターンの紫外線が照射されることによって、前記紫外線照射部が絶縁性になる絶縁性処理工程と、
前記絶縁性相当部に透明性低下材が設けられる透明性低下工程
とを具備することを特徴とする膜形成方法。
A conductive film forming step in which a conductive film is provided on a substrate;
An insulating treatment step in which the ultraviolet irradiation portion becomes insulative by irradiating the conductive film with ultraviolet rays of a predetermined pattern;
A film forming method comprising: a transparency lowering step in which a transparency lowering material is provided on the insulating equivalent portion.
前記導電膜は、炭素系導電材の群の中から選ばれる一種または二種以上のもので構成される
ことを特徴とする請求項16の膜形成方法。
The film forming method according to claim 16, wherein the conductive film is composed of one or more selected from the group of carbon-based conductive materials.
前記炭素系導電材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである
ことを特徴とする請求項17の膜形成方法。
18. The film forming method according to claim 17, wherein the carbon-based conductive material is one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes and graphene.
前記透明性低下工程は、
前記絶縁性相当部に、金属イオン含有溶液および金属錯体含有溶液の群の中から選ばれる一種または二種以上のものが、設けられる工程と、
前記工程後、光照射が行われ、粒子が生成する粒子生成工程
とを具備する
ことを特徴とする請求項16の膜形成方法。
The transparency lowering step includes
The insulating equivalent part is provided with one or two or more kinds selected from the group of a metal ion-containing solution and a metal complex-containing solution; and
The film forming method according to claim 16, further comprising a particle generation step in which light irradiation is performed after the step to generate particles.
前記粒子生成工程で生成した粒子は島状である
ことを特徴とする請求項19の膜形成方法。
20. The film forming method according to claim 19, wherein the particles generated in the particle generation step are island-shaped.
前記金属は、Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Al,Mnの群の中から選ばれる一種または二種以上の金属である
ことを特徴とする請求項19の膜形成方法。
20. The film forming method according to claim 19, wherein the metal is one or more metals selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Fe, Ni, Al, and Mn.
光触媒が、前記導電膜に対して、直接的および/または間接的に、設けられる工程
を更に具備することを特徴とする請求項16〜請求項21いずれかの膜形成方法。
The film forming method according to any one of claims 16 to 21, further comprising a step of providing a photocatalyst directly and / or indirectly to the conductive film.
前記絶縁性処理工程で照射される紫外線は深紫外線である
ことを特徴とする請求項16の膜形成方法。
17. The film forming method according to claim 16, wherein the ultraviolet rays irradiated in the insulating treatment step are deep ultraviolet rays.
前記請求項16〜前記請求項23いずれかの膜形成方法で構成されてなる膜。

A film formed by the film forming method according to any one of claims 16 to 23.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106658980A (en) * 2017-01-16 2017-05-10 王奉瑾 Method for preparing graphene circuit board based on addressing adjustable high-energy rays
JP2020075828A (en) * 2018-11-06 2020-05-21 潤 夏木 Silver/graphene oxide composite and producing method thereof

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