JP2015525961A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015525961A JP2015525961A JP2015518862A JP2015518862A JP2015525961A JP 2015525961 A JP2015525961 A JP 2015525961A JP 2015518862 A JP2015518862 A JP 2015518862A JP 2015518862 A JP2015518862 A JP 2015518862A JP 2015525961 A JP2015525961 A JP 2015525961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- area
- emitter
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 242
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本発明は、半導体ウェハ1と、第1の導電型の少なくとも第1の層3及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層4を含む少なくとも1つのエミッタ領域20によって形成されたエミッタと、前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層6、及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層4を含む裏面接触部と、前記エミッタ領域20及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、太陽電池から電流を輸送するように設計された電気接触部8、9とを含む太陽電池に関する。本発明によれば、エミッタの区域は、エミッタ領域20が設けられるウェハ1の側の区域の0.5%から15%の間を覆い、ウェハ1の前記側の区域の残りの部分が、少なくとも第1の不動態化層12、16と、第1の不動態化層がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第1のオプションの追加層とを含む第1の不動態化領域40によって覆われ、前記第1の不動態化領域は、エミッタ領域20の第1の導電型の第1の層3によって全面的には覆われない。
Description
本発明は、太陽電池の分野に関し、詳細には、高効率結晶シリコン太陽電池の分野に関する。より詳細には、本発明は、半導体ウェハと、第1の導電型の少なくとも第1の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層を含む少なくとも1つのエミッタ領域によって形成されたエミッタと、前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層を含む裏面接触部と、前記エミッタ領域及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、太陽電池から電流を輸送するように設計された電気接触部とを含む太陽電池に関する。
本発明の特に有利な用途は、電気エネルギーを発生させるように意図された光電池の生成に関するものであるが、本発明は、より一般的には、光放射が電気信号に変換される任意の構造体、例えば光検出器などにも当てはまる。
伝統的な光起電太陽電池は、一般に、前側に金属格子パターンを含む。接触フィンガが金属で製作される。光学活性区域(すなわち、接触格子によって覆われていない)にわたって均一に発生され、薄いフィンガ又は格子接触部によって収集される電流を抽出するために、バスバーが、通常、高導電性金属バンドに接触される(はんだ付けされる、溶接される、又は導電性グルー若しくは接着剤で取り付けられる)。
金属接触部が半導体に直接触れると、半導体中の過剰な少数キャリア(接合部で収集されるべきである)がこの接触部で再結合する傾向がある。したがって、伝統的な太陽電池は、金属と半導体との間の接触区域を最小にする必要がある。高度な太陽電池では、そのような接触部がある場合、高いドーピングを接触部の下方に試みて、金属を「遮蔽する」。電池の残りの部分は、通常、太陽電池の電子不動態化を可能にする層で被覆される。
より良好な電気接触部を製作する別の手法は、電流抽出(光発生キャリアを収集することによって生成される電流)と接触部の不動態化を同時に可能にする層スタックを使用することである。これは、いわゆるアモルファス・シリコン/結晶シリコン・ヘテロ接合概念に当てはまる。図1に示すように、そのような電池は、通常、以下のように形成される。一般的なn型結晶シリコン・ウェハ1は、両側にある5〜15nm厚の水素化アモルファス・シリコンの真性層2及び5で電子的に不動態化される。前面には、ドープされたp層3が存在し、前面透明導電性酸化物(TCO)4が前面p層3を覆う。本明細書では、i−p−TCOスタックは「エミッタ」と呼ばれる。光発生キャリアはエミッタを通して収集される、すなわち、照明下で、光電流は照明された区域から均一に収集される。
裏面では、n層6がi層5を覆い、TCO7がn層6を覆う。本明細書では、i−n−TCOスタックは「裏面接触部」と呼ばれる。電流はこの接触部を通して流れることができる(i層が薄いので)が、良好な電子不動態化は保証される。太陽電池の前側において、電流は、後でバスバーにつながる格子フィンガと名付けられた金属導体8(前側の)によって太陽電池から輸送され、一方、裏側は前側と同様のパターンを有するか、又は裏面のバスバーに電流を伝導することになる金属層9によって覆うことができる。距離が一般に数mmを超えるや否や、TCOの横方向導電率は抵抗損失なしに輸送を可能にするには十分な高さでなくなるので、前面及び裏面の金属が必要とされる。この構成は前面SHJ(Front SHJ)と呼ばれる。TCO層4は反射防止被覆としても働く。
前側のTCOは高い導電率(20から200のオーム/□の範囲のシート抵抗)を有し、それにより、エミッタによって収集された電流を隣の接触フィンガに横方向に輸送することが可能になる。スタックi−p−TCOは、短絡を避けるための縁部を除いて太陽電池の前面全部を覆う。
これらのデバイスの特質は、標準拡散型結晶太陽電池よりも高い、一般に710mVから750mVの高開放電圧の達成であり、半導体とTCO(又は等価的に金属)との間の直接接触はより低い電圧をもたらす。
図2で示されるような別の構成では、電池はn型ウェハ1を含むが、金属層9によって覆われたエミッタ(スタックi−p−TCO、2−3−4)及び裏面接触部(スタックi−n−TCO、5−6−7)の両方が、エミッタ領域20と裏面接触部領域30とを交互にして太陽電池の裏面に配置される。裏面にすべての接触部があるこの構成は、裏面接触型ヘテロ接合電池(IBC−SHJ)と呼ばれる。この場合、効率的な不動態化は、通常、反射防止効果と、時には、電流の流れによって生成される抵抗損失を減少させるための何らかの横方向導電率と組み合わせて、層10を介して前面で実現される必要がある。
電池の光発生キャリアを最も効率的に収集するために、これまで、全ての著者は、エミッタで太陽電池が覆われる範囲を最大にしている。前面SHJ構成では、前表面の100%近くがエミッタで覆われ、IBC−SHJ構成では、エミッタで覆われるのは、一般に裏側の50%から70%であり、一方、残りの部分は裏面接触部で覆われる。
上述の構成(scheme)は高効率をもたらす(前面SHJの場合には23.7%及びIBC−SHJの場合には20.2%の今日の認証効率が報告されている)けれども、これらの太陽電池は標準1SUN照明(standard1 1 sun illumination)の下で動作する太陽電池として働き、電池のより高い性能をもたらすことができる集光効果(concentration effect)を利用することができない。集光は、通常、電池Voc及び効率を高める(高い直列抵抗がないならば)レンズ又はミラーを使用して達成される。
別の欠点は、i層、p及びn層、並びにTCO(電池の両側の)は太陽電池で使用することができない寄生光吸収をもたらすことである。これは、特に、スペクトルの青緑色の部分での強力な吸収がi層及びp層で起こる前面SHJ、及びスペクトルの赤色の部分で自由キャリア吸収を生成するTCOに当てはまる。IBC−SHJの場合には、これらの層は、吸収が小さくなる。しかし、この場合には、TCO4若しくは7、又はTCO/金属スタック4+9若しくは7+9をできるだけp及びn層をもつ領域の縁部まで近づけるために、裏側での正確なパターニングが必要とされ、それは製造することを困難にする。
本発明は、先行技術の欠点を避けることができる太陽電池を提供する。
それゆえに、本発明は、
− 半導体ウェハと、
− 第1の導電型の少なくとも第1の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層を含む少なくとも1つのエミッタ領域によって形成されたエミッタと、
− 前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層を含む裏面接触部と、
− 前記エミッタ領域及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、太陽電池から電流を輸送するように設計された電気接触部と
を含む太陽電池に関する。
− 半導体ウェハと、
− 第1の導電型の少なくとも第1の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層を含む少なくとも1つのエミッタ領域によって形成されたエミッタと、
− 前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層を含む裏面接触部と、
− 前記エミッタ領域及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、太陽電池から電流を輸送するように設計された電気接触部と
を含む太陽電池に関する。
本発明によれば、エミッタの区域は、エミッタ領域が設けられるウェハの側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハの前記側の区域の残りの部分が、少なくとも第1の不動態化層と、第1の不動態化層がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第1の任意の追加層とを含む第1の不動態化領域によって覆われ、前記第1の不動態化領域が、エミッタ領域の第1の導電型の第1の層によって全面的には覆われない。好ましくは、エミッタ領域の第1の導電型の第1の層は、第1の不動態化領域の表面のせいぜい10%を覆うことができる。
いくつかの実施例では、エミッタは太陽電池の前側に設けられる。裏面接触部は伝統的なタイプのものとすることができ、又は裏面接触部は、第2の導電型の少なくとも第2の層と、キャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層とを含む少なくとも1つの裏面接触部領域によって形成することができ、裏面接触部の区域は、ウェハの裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハの裏側の区域の残りの部分が、少なくとも第2の不動態化層と、第2の不動態化層がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第2の任意の追加層とを含む第2の不動態化領域によって覆われ、前記第2の不動態化領域は、裏面接触部領域の第2の導電型の第2の層によって全面的には覆われない。好ましくは、裏面接触部領域の第2の導電型の第2の層は、第2の不動態化領域の表面のせいぜい10%を覆うことができる。
他の実施例では、エミッタは、太陽電池の裏側にもまた設けることができ、裏面接触部は、第2の導電型の少なくとも第2の層と、キャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層とを含む少なくとも1つの裏面接触部領域によって形成することができ、エミッタの区域及び裏面接触部の区域は、ウェハの裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハ裏側の区域の残りの部分が、少なくとも第3の不動態化層と、第3の不動態化層がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第3の任意の追加層とを含む第3の不動態化領域によって覆われ、前記第3の不動態化領域が、エミッタ領域の第1の導電型の第1の層によって、又は裏面接触部領域の第2の導電型の第2の層によって全面的には覆われず、裏面接触部領域が代替的にエミッタ領域を備え、第3の不動態化領域が、エミッタ領域と裏面接触部領域との間に設けられる。好ましくは、エミッタ領域の第1の導電型の第1の層又は裏面接触部領域の第2の導電型の第2の層は、第3の不動態化領域の表面のせいぜい10%を覆うことができる。
いくつかの実施例では、裏面接触部領域は互いに接続されなくてもよい。
他の実施例では、裏面接触部領域はすべて互いに接続されてもよい。
好ましい実施例では、各裏面接触部領域は、少なくとも0.09mm2の区域を有する連続面によって形成される
好ましくは、裏面接触部領域は、太陽電池の内側から外側に、真性層と、第2の導電型の第2の層と、キャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層とを含むことができる。
前記第2の接触層は、透明導電性酸化物層、金属層、及びそれらの組合せから選択することができる。
いくつかの実施例では、太陽電池の前側は前面不動態化表面を含むことができる。
いくつかの実施例では、エミッタ領域は互いに接続されなくてもよい。
他の実施例では、エミッタ領域はすべて互いに1つに接続されてもよい。
好ましい実施例では、各エミッタ領域は、少なくとも0.09mm2の区域を有する連続面によって形成される。
好ましくは、エミッタ領域は、太陽電池の内側から外側に、真性層と、第1の導電型の第1の層と、キャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層とを含むことができる。
前記第1の接触層は、透明導電性酸化物層、金属層、及びそれらの組合せから選択される。
好ましくは、第1、第2、又は第3の不動態化層は少なくとも真性層を含むことができる。
いくつかの実施例では、真性層は水素化アモルファス・シリコンで製作することができる。
有利なことには、第3の不動態化層の真性層は、エミッタ領域の真性層及び裏面接触部領域の真性層と同じである。
他の実施例では、第1、第2、又は第3の不動態化層は、SiNx層と、Al2O3層と、SiOx/SiNyスタックと、Si、O、及びNを含む層と、それらの組合せとから選択された非吸収層とすることができる。
好ましくは、第1、第2、又は第3の任意の追加層は保護層である。
有利なことには、第1の導電型の第1の層又は第2の導電型の前記第2の層は、80%までのラマン・シリコン結晶画分(Raman Si crystalline fraction)をもつシリコンの相を含有することができる水素化アモルファス・シリコンを含むことができる。
水素化アモルファス・シリコンは、O、N、C、及びGeから選択された原子と合金化することができ、Si原子の割合は、存在するH原子を数えずに、層の原子の30%にとどまる。
本明細書において、n型ウェハに関して説明するものはすべて、n層及びp層の役割を逆にすればpドープ・ウェハ及び真性ウェハにも当てはまる。
本明細書において、同じ参照番号は同じ要素を意図するために使用される。
本発明による太陽電池は、半導体ウェハと、第1の導電型の少なくとも第1の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層を含む少なくとも1つのエミッタ領域によって形成されたエミッタと、前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層を含む裏面接触部とを含む。電気接触部は、前記エミッタ領域及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、太陽電池から電流を輸送するように設計される。本発明によれば、エミッタの区域は、エミッタ領域が設けられるウェハの側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハの前記側の区域の残りの部分は、少なくとも第1の不動態化層と、第1の不動態化層がキャリア抽出又は注入を可能にせず、接触部に電気的に接触されないようにする少なくとも1つの第1の任意の追加層とを含む第1の不動態化領域によって覆われ、前記第1の不動態化領域は、エミッタ領域の第1の導電型の第1の層によって全面的には覆われない。
太陽電池が、最も普通の場合に対応していくつかのエミッタ領域20を含む場合、エミッタの区域は、ウェハの前記側を覆う各エミッタ領域20の区域の合計に対応する。
図3及び4は、前面SHJの場合への本発明の2つの可能な適用を示す。
図3の構成では、電池は、n型結晶シリコン・ウェハ1と、裏面において、裏面メタライゼーションのために金属層9によって覆われた裏面TCO層7によって覆われたn層6によって覆われたi層5を含む伝統的な裏面接触部とを含む。
太陽電池の前側において、エミッタ領域20は、上述で定義したように、太陽電池の内側から外側に、スタックi層2/p層3/前面TCO層4を含む。本発明によれば、前記エミッタ領域20は、ウェハ1の前表面全部を覆うのではなくそのごく一部分のみ、一般に1%から10%のみを覆う。金属フィンガ8は残っているエミッタ領域20と接触するが、前面TCO層4を全面的に覆うか、又は単に部分的に覆うことができる。エミッタが前面に存在しない、より詳細には、電流の収集に寄与することができるp層がない場合、デバイスのこの部分は、不動態化層12を含む「前面不動態化部分」と呼ばれる第1の不動態化領域40である。それは、前記不動態化層12を含む第1の不動態化領域40が2つのエミッタ領域20間に設けられていることを意味する。この部分の長さはLpass,frontと呼ばれる。そのような不動態化層12は、p層が横方向導電率をほとんど有しておらず(>10kOhm square)、光発生電流の収集に寄与できないような場合には、最も簡単な構成のi層又はipスタックとすることができる。一般に、かなり大きい横方向導電率をもつTCOは不動態化層12と接触していない。保護追加層13は、反射防止効果を生成するのに有用な光学的性質をもつ誘電体に対応し、一般に、不動態化層12の上に存在する。層12及び13の機能は融合させることもできる。
図4では、同じ原理が太陽の裏側にも適用される。
太陽電池の前側では、エミッタ領域20は図3で示したものと同じである。この実施例では、太陽電池の裏面接触部は、太陽電池の内側から外側に、上述で定義したようにスタックi層5/n層6/裏面TCO層7を含む裏面接触部領域30を含む。本発明によれば、前記裏面接触部領域30は、ウェハの裏表面全部を覆うのではなくそのごく一部分のみ、一般に1%から10%のみを覆う。金属フィンガ9は残っている裏面接触部領域と接触するが、裏面TCO層7を全面的に覆うか、又は単に部分的に覆うことができる。裏面接触部が裏側に存在しない、より詳細には、電流の収集に寄与することができるn層がない場合、デバイスのこの部分は、不動態化層14を含む「裏面不動態化部分」と呼ばれる第2の不動態化領域50である。それは、前記不動態化層14を含む第2の不動態化領域50が2つの裏面接触部領域30間に設けられていることを意味する。この部分の長さはLパス,バックと呼ばれる。そのような不動態化層14は、n層が横方向導電率をほとんど有しておらず(>10kOhm square)、光発生電流の収集に寄与することができないような場合には、最も簡単な構成のi層又はi−nスタックとすることができる。一般に、かなり大きい横方向導電率をもつTCOは不動態化層14と接触していない。追加層15は、反射防止効果を生成するのに有用な光学的性質をもつ誘電体に対応し、一般に、不動態化層14の上に存在する。層15は、金属接触部9で、又はTCO及び金属からなる層によって全面的に覆うこともできる。
本発明によれば、裏面接触部の区域は、ウェハ1の裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハ1の裏側の区域の残りの部分は、不動態化層14を含む第2の不動態化領域50によって覆われる。
太陽電池が、最も普通の場合に対応していくつかの裏面接触部領域30を含む場合、裏面接触部の区域は、ウェハの前記裏側を覆う各裏面接触部領域30の区域の合計に対応する。
そのような実施例は所望の効果の強化を可能にし、電流は裏側表面よりもやはり小さい裏面接触部区域を通って流れなければならない。
図5及び6は、IBC−SHJの場合への本発明の2つの可能な適用を示す。
これらの実施例では、エミッタ領域は太陽電池の裏側に設けられ、エミッタの区域及び裏面接触部の区域は、ウェハの裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハの裏側の区域の残りの部分は、不動態化層を含む第3の不動態化領域によって覆われる。
図5の太陽電池は、n型ウェハ1と、前側において前面不動態化及び反射防止表面10と、裏側において各々が不動態化層16を含む第3の不動態化領域60によって互いに分離されたエミッタ領域20及び裏面接触部領域30とを含む。保護の追加層17は、絶縁層に対応し、不動態化層16の上に存在し、さらに、良好な光学反射率を与えるように選ばれる。
太陽電池は金属フィンガ9をさらに含む。
エミッタの区域及び裏面接触部の区域(エミッタ領域の区域の合計及び裏面接触部領域の区域の合計を意味する)は、ウェハの裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、ウェハの裏側の区域の残りの部分は、不動態化層16を含む前記第3の不動態化領域60によって覆われる。
上述で定義したように、太陽電池の内側から外側に、エミッタ領域20はスタックi層2/p層3/TCO層4を含み、裏面接触部領域30はスタックi層5/n層6/TCO層7を含む。
図6の太陽電池は、図5の実施例と同様のIBC−SHJの一実施例に対応するが、第3の不動態化領域60の不動態化層16の真性層が、それぞれ、エミッタ領域20及び裏面接触部領域30の真性層2及び5と同じである。
この実施例では、長さLエミッタ及びLバックを画定するTCO層4又は7は、i−pスタック全部又はi−nスタック全部を覆う必要がなく、それにより、より簡単な処理が可能となる。
これらの構成はすべて、特に、良好な寿命をもつウェハが使用される(一般に、n型ウェハでは1ミリ秒以上)場合、著しい利点を有する。
実際、ヘテロ接合が高い注入レベルで働く(電池の動作点、すなわち、照明下でのデバイスの電圧×電流の積が最大となる点で高電圧であるので)とき、ウェハのまわりにある不動態化層12、14、16は非常に良好な電子不動態化を保証し、しかも高抵抗をもつウェハが使用される場合でさえ多数のキャリアの存在のために高い導電率が保証される。これにより、ほとんど抵抗損失がない、及びほとんど再結合がない電流の輸送が可能になるが、その理由は、十分な寿命をもつウェハが使用される場合、拡散距離が数mmもの長さになりうるからである。次に、キャリアは限定された領域を通って抽出されるが、電流は大きい面積にわたって発生している。これは、太陽電池の集光の条件の動作点で生じる。この条件は、より高い抽出電力(その結果、太陽電池の曲線因子)をもたらす。
例えば、図3の形状寸法では、不動態化区域長Lパス,フロントに対するエミッタ領域の長さLエミッタの比をとる場合、より高い効率をもたらすLエミッタ/Lパス,フロントの集光係数が達成される。興味深いことに、概して、曲線因子は増加するが、全体的な不動態化品質によって及びオージェ再結合によって制限されるVocは増加しない。
有利には、典型的な電池形状寸法では、側面及び接触格子を通る断面において、前面SHJ電池の典型的なピッチ(Lエミッタ+Lパス,フロント)若しくはLバック+Lバック,パス、又はIBC−SHJ電池のLエミッタ+Lバック+Lバック,パスは、100ミクロンから1.5mmの範囲に、好ましくは300ミクロンと1.0mmとの間にある。
明確になるように、説明した長さは覆っている区域に比例すると仮定している(二次元(2D)形状において、図が第3の次元に延びていると仮定している)。
いくつかの実施例では、各エミッタ領域20は不連続の点によって形成され、各裏面接触部領域30は不連続の点によって形成され、各領域は、一般に、20×20μm2と100×100μm2との間に含まれる区域を有する。そのような構成が、IBC−SHJ電池に対して図7に概略的に示される。
他の好ましい実施例では、前記エミッタ領域20及び前記裏面接触部領域30は、それぞれ、少なくとも1つの実質的に連続面によって形成される。そのような構成が、IBC−SHJ電池に対して図8に概略的に示される。好ましくは、前記連続面の形態は、電池が電池の上面又は底面から見られるとき、図8で示すように、実質的に長方形である。
そのような場合、シリコンに接する前記エミッタ領域又は裏面接触部領域は、少なくとも30μm×3mmの典型的な寸法をもつ少なくとも0.09mm2の区域を有する。そのような寸法は、図8で示すように、電池に形成され、電池の上面又は底面から見た連続面の寸法である。
いくつかの実施例では、各エミッタ領域20は互いに接続されなくてもよく、各裏面接触部領域30は互いに接続されなくてもよい。
他の好ましい実施例では、太陽電池のエミッタ領域20はすべて互いに接続され、又は裏面接触部領域30はすべて互いに接続される。そのような実施例が前面SHJ電池について図9で示され、エミッタ領域20は連続面であり、すべての太陽電池に対してネットワークを形成する。
この構成の別の利点は、太陽電池の大部分がエミッタ領域によって覆われないので、不動態化の性質を改善するために、及び光学的寄生吸収を低減するために、層10、12及び13、又は14及び15、又は16、17、及び20の性質を別々に最適化することが可能であることである。例えば、これらの部分では、TCO層はSiNx層と取り替えることができ、p層厚は減少させることができ、又はp層は、i−pスタックが層12又は16を構成している場合、全体的に抑制することができる。逆に、エミッタの区域は接触フィンガの区域と同様になるので、適した性質をもつ(例えば、より高いドーピングをもつ)TCOを使用すること、又は金属が直接上面上にあり、それによって損失を避ける場合、非常に薄いTCOを使用することさえ可能になる。TCOを完全に抑制し、p型アモルファス層に直接接触する金属又は合金でTCOを取り替えることさえ可能である。
図5及び6で示すようなIBC−SHJ機構に適用される場合、集光効果はやはり同様である。本発明は、1%から20%のLエミッタ/(Lエミッタ+Lバック+Lパス,バック)の比で最高に機能する。この解決策の利点は、集光効果以上に、図6に示すように、エミッタ及び/又はTCO及び金属接触部を位置合わせするのにより大きい許容範囲があることである。
本明細書において、i、n、及びp層という表示はすべて水素化アモルファス・シリコンに基づき、数パーセントのO、N、C、又はGeをさらに含有することができ、シリコン原子の割合は、存在するH原子を計算に入れないで、層の原子の30%にとどまる。好ましくは、O、N、C、又はGeの量は0〜20%に等しく、より好ましくは0〜10%に等しく、及びより好ましくは0〜5%に等しい。
p及びn層は、80%までのラマン・シリコン結晶画分のシリコンの相を含有することができる。
エミッタ領域は、一般に、4nmと10nmとの間に含まれる厚さを有するa−Si層と、3nmと15nmとの間に含まれる厚さを有するp層と、10nmと80nmとの間、又はエミッタが裏面に配置される場合10nmと300nmとの間に含まれる厚さを有するTCO接触層とから成る。
裏面接触部領域は、一般に4nmと10nmとの間に含まれる厚さを有するa−Si層と、3nmと15nmとの間に含まれる厚さを有するn層と、10nmと300nmとの間に含まれる厚さを有するTCO層とから成る。
製造を簡単にするために、層12(前面不動態化層)は、i層又はi−pスタック(多分、p層はより薄い)又はさらにi−nスタックとすることができる。前面不動態化層の厚さは5nm以上である。それは、SiNx若しくはAl2O3のような非吸収層、又はスタックSiOx/SiNy、又は一般にSi、O、及びNを含む層、又はそれらの組合せとすることもできる。
製造を簡単にするために、層14(裏面不動態化層)は、i−層又はi−nスタック(多分、n層はより薄い)、又はさらにi−pスタックとすることができる。裏面不動態化層の厚さは5nm以上である。それは、SiNx若しくはAl2O3のような非吸収層、又はスタックSiOx/SiNy、又は一般にSi、O、及びNを含む層、又はそれらの組合せとすることもできる。そのような場合、層17を省略することが可能である。
光学及び電気絶縁層13、15、又は17は、SiNx層若しくはSiNOx層スタックによって又は弱吸収層によって覆われた水素化アモルファス・シリコン層の薄いスタックとすることができる。
前面不動態化及び反射防止層10は、当業者から見れば既知であり、例えば、多分、SiNx層若しくはSiNyOx層、又はSi、O、及びNを含む層のスタック、又は弱ドープTCO層(キャリア濃度<1020cm−3)によって覆われた1〜5nmのドープ・アモルファスSiによって覆われた非常に薄い真性水素化アモルファス・シリコン層(3〜10nm)とすることができる。これらの層の厚さは、反射防止効果を得るように選択される。一般に、1.8と2との間に含まれる屈折率及び70nmの厚さをもつSiNx層を使用することができる。
光学層と、キャリアの注入又は抽出を防止する電気絶縁層との役割を果たし、めっきプロセスのためのマスキング層としておそらく使用することができる層10、及び13、15、又は17は、電気的に活性である必要がないので、中間でグレーディング屈折率を用いて調整することができる。
表面の大部分がキャリア抽出のために活性であるデバイスでは、前面で十分な面内導電率(20Ohm sqから200Ohm sq)もち、前面で反射防止及び裏面で屈折率整合を行うのにTCOの使用が要求されるが、TCO層を抑制し、TCO層を直接金属接触部と取り替えることが可能である。そのとき、これは、前面SHJではエミッタ領域が格子フィンガと同じサイズであることを必要とする。
TCO層は当業者から見れば既知であり、一般に、スズ(In2O3:Sn)又は他の金属ドーパントでドープしたITO(インジウム酸化スズ)、又は水素でドープしたITO(In2O3:H)、或いはこれらの層のスタックで製作することができ、キャリア濃度は1019cm−3と2×1021cm−3との間に含まれる。TCO層は、ドープZnO、又はIn、Zn、及びSnを含有する他のTCOで製作することもできる。TCO層の厚さは、前面にある場合、10nmと300nmとの間、一般に70nmと90nmとの間に含まれ、裏側にある場合、80nmから300nmの間に含まれる。
太陽電池で使用されるウェハは、一般に、2×2cm2と22×22cm2との間に含まれるサイズを有する。
ウェハの前表面は、当業者には既知であるように、反射を低減し、ウェハの内部に光を閉じ込めるためにテクスチャを有する。
実例
実例
以下の実例は本発明を示すが、しかし、その範囲を限定しない。
この実験では、最初に、20×20mm2の通常の前面SHJデバイスが80nm厚ITOを用いて準備され、約1mmの処理の後のフィンガ間隔(Lエミッタ+Lパス,フロント)が準備された。次に、接触フィンガ及びITOの一部がフォトレジストによって保護された。フォトレジストがエッチング除去され、次に、ITOは、フォトレジストが開けられたところを単にエッチング除去された。次に、好適な反射防止状態を保証するために、ITOが除去されているところに誘電体が堆積された。ITOの様々な適用範囲比を試験した。図9は、本発明のいくつかの前面SHJ電池と比較の標準デバイスとに対して得られた曲線因子FF(FFは、抽出できる最大電力を短絡電流×開放電圧の積で割った比である)を示す。丸形ドットは前面TCOの除去の後の本発明の太陽電池に対応し、四角いドットは前面TCOの除去の前の比較の標準デバイスに対応する。実例3は基準サンプルであり、実例1は低いエミッタ適用範囲率(5%)に対応し、実例3及び4は極めて低いエミッタ適用範囲率(2%)に対応し、実例5及び6は中間のエミッタ適用範囲率(20%)に対応する。
図10は、前面SHJ電池について、本発明が、標準デバイスと比較したときにいくつかのタイプのサンプルで数パーセントの曲線因子増加を可能にしたことを示す。最良な結果は、ウェハの区域の2%と10%との間に含まれるエミッタの適用範囲で得られている。この場合、エミッタは、図9で示したようにすべてのエミッタ領域を互いに接続することによって一部においてのみ、すなわち、20×20mm2の2%と10%との間の区域で形成された。
本発明の太陽電池は、ほとんど完璧な光起電デバイスである可能性がある。光学レンズが使用されていないにもかかわらず、電池構造体は、強力な有効集光を生じさせることができ、それは、結晶太陽電池の効率を現在の世界記録の25%より十分上に押し上げることができ、原理的に、結晶シリコン太陽電池の理論限界により近い29〜30%に近づけることができる。
Claims (22)
- 太陽電池であって、
− 半導体ウェハ(1)と、
− 第1の導電型の少なくとも第1の層(3)及びキャリア抽出又は注入を可能にする第1の接触層(4)を含む少なくとも1つのエミッタ領域(20)によって形成されたエミッタと、
− 前記第1の導電型と反対の第2の導電型の少なくとも第2の層(6)、及びキャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層(7)を含む裏面接触部と、
− 前記エミッタ領域(20)及び前記裏面接触部にそれぞれ接続され、前記太陽電池から電流を輸送するように設計された電気接触部(8、9)と
を含む太陽電池において、
前記エミッタの区域は、前記エミッタ領域(20)が設けられる前記ウェハ(1)の側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、前記ウェハ(1)の前記側の前記区域の残りの部分が、少なくとも第1の不動態化層(12、16)と、前記第1の不動態化層(12、16)がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第1の任意の追加層(13、17)とを含む第1の不動態化領域(40)によって覆われ、前記第1の不動態化領域(40)が、前記エミッタ領域(20)の前記第1の導電型の前記第1の層(3)によって全面的には覆われないことを特徴とする太陽電池。 - 前記エミッタが前記太陽電池の前側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記裏面接触部が、前記第2の導電型の少なくとも第2の層(6)と、キャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層(7)とを含む少なくとも1つの裏面接触部領域(30)によって形成され、前記裏面接触部の区域が、前記ウェハ(1)の裏側の区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、前記ウェハの前記裏側の前記区域の残りの部分が、少なくとも第2の不動態化層(14)と、前記第2の不動態化層(14)がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第2の任意の追加層(15)とを含む第2の不動態化領域(50)によって覆われ、前記第2の不動態化領域(50)が、前記裏面接触部領域(30)の前記第2の導電型の前記第2の層(6)によって全面的には覆われないことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記エミッタが前記太陽電池の裏面に設けられ、前記裏面接触部が、前記第2の導電型の少なくとも第2の層(6)と、キャリア抽出又は注入を可能にする第2の接触層(7)とを含む少なくとも1つの裏面接触部領域(30)によって形成され、前記エミッタの区域及び前記裏面接触部の区域が、前記ウェハの前記裏側の前記区域の0.5%から15%の間、好ましくは1%と10%との間、及びより好ましくは2%と5%との間を覆い、前記ウェハの前記裏側の前記区域の残りの部分が、少なくとも第3の不動態化層(16)と、前記第3の不動態化層(16)がキャリア抽出又は注入を可能にしないようにする少なくとも1つの第3の任意の追加層(17)とを含む第3の不動態化領域(60)によって覆われ、前記第3の不動態化領域(60)が、前記エミッタ領域(20)の前記第1の導電型の前記第1の層(3)によって、又は前記裏面接触部領域(30)の前記第2の導電型の前記第2の層(6)によって全面的には覆われないことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記裏面接触部領域(30)が互いに接続されないことを特徴とする請求項3又は4に記載の太陽電池。
- 前記裏面接触部領域(30)がすべて互いに1つに接続されることを特徴とする請求項3又は4に記載の太陽電池。
- 各裏面接触部領域(30)が、少なくとも0.09mm2の区域を有する連続面によって形成されることを特徴とする請求項3から6までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記裏面接触部領域(30)が、前記太陽電池の内側から外側に、真性層(5)と、前記第2の導電型の前記第2の層(6)と、キャリア抽出又は注入を可能にする前記第2の接触層(7)とを含むことを特徴とする請求項3から7までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第2の接触層(7)が、透明導電性酸化物層、金属層、及びそれらの組合せから選択されることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。
- 前記太陽電池の前側が前面不動態化表面(10)を含むことを特徴とする請求項3から9までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ領域(20)が互いに接続されないことを特徴とする請求項1から10までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ領域(20)がすべて互いに1つに接続されることを特徴とする請求項1から11までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 各エミッタ領域(20)が、少なくとも0.09mm2の区域を有する連続面によって形成されることを特徴とする請求項1から12までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ領域(20)が、前記太陽電池の内側から外側に、真性層(2)と、前記第1の導電型の前記第1の層(3)と、キャリア抽出又は注入を可能にする前記第1の接触層(4)とを含むことを特徴とする請求項1から13までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第1の接触層(4)が、透明導電性酸化物層、金属層、及びそれらの組合せから選択されることを特徴とする請求項14に記載の太陽電池。
- 第1、第2、又は第3の不動態化層(12、14、16)が少なくとも真性層を含むことを特徴とする請求項1から15までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記真性層が水素化アモルファス・シリコンで製作されることを特徴とする請求項8、14、及び16に記載の太陽電池。
- 前記第3の不動態化層(16)の前記真性層が、前記エミッタ領域(20)の前記真性層及び前記裏面接触部領域(30)の前記真性層と同じであることを特徴とする請求項4、8、14、16、及び17に記載の太陽電池。
- 前記第1、第2、又は第3の不動態化層(12、14、16)が、SiNx層と、Al2O3層と、スタックSiOx/SiNyと、Si、O、及びNを含む層と、それらの組合せとから選択された非吸収層であることを特徴とする請求項1から15までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第1、第2、又は第3の任意の追加層(13、15、17)が保護層であることを特徴とする請求項1から19までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第1の導電型の前記第1の層(3)又は前記第2の導電型の前記第2の層(6)が、80%までのラマン・シリコン結晶画分をもつシリコンの相を含有することができる水素化アモルファス・シリコンを含むことを特徴とする請求項1から20までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記水素化アモルファス・シリコンが、O、N、C、及びGeから選択された原子と合金化され、Si原子の割合が、存在するH原子を計算に入れないで、前記層の原子の30%にとどまることを特徴とする請求項17又は21に記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2012/062776 WO2014000826A1 (en) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | Solar cell |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015525961A true JP2015525961A (ja) | 2015-09-07 |
Family
ID=46420202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015518862A Pending JP2015525961A (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 太陽電池 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150144184A1 (ja) |
EP (1) | EP2867926B1 (ja) |
JP (1) | JP2015525961A (ja) |
CN (1) | CN104412394B (ja) |
IN (1) | IN2015DN00029A (ja) |
WO (1) | WO2014000826A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017143100A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
JP7470762B2 (ja) | 2022-08-05 | 2024-04-18 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池および光起電力モジュール |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015118740A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JP6350858B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2018-07-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
CN108336155A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336160A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336158A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种进光区域无重掺杂层遮挡的同质结晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108461570A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-28 | 南昌大学 | 一种晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336176A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种Si基局域发射极双面太阳电池结构 |
CN108461569B (zh) * | 2018-03-12 | 2020-07-14 | 南昌大学 | 一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构 |
CN108336159A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种异质结晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336164A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构 |
CN108365024A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-03 | 南昌大学 | 一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构 |
CN108461553A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-28 | 南昌大学 | 一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构 |
CN108346707A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-31 | 南昌大学 | 一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108305910A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-20 | 南昌大学 | 一种同质结晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336178A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种晶硅异质结双面太阳电池结构 |
CN108346706A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-31 | 南昌大学 | 一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108447935A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-24 | 南昌大学 | 一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336156A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种具有hac-d特征的晶体硅双面太阳电池结构 |
CN108336157A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-07-27 | 南昌大学 | 一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构 |
EP3624204B1 (en) * | 2018-09-13 | 2023-04-26 | IMEC vzw | Selective deposition for interdigitated patterns in solar cells |
CN110896107A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 福建金石能源有限公司 | 一种双面发电的背接触异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN112310232B (zh) * | 2020-10-16 | 2023-03-24 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳电池及生产方法、电池组件 |
CN113410328A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-09-17 | 北京工业大学 | 一种晶硅异质结太阳能电池 |
CN113823704A (zh) * | 2021-11-23 | 2021-12-21 | 陕西众森电能科技有限公司 | 一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131041A (ja) * | 1992-12-09 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JPH07326786A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Sharp Corp | 結晶シリコン太陽電池 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4090213A (en) * | 1976-06-15 | 1978-05-16 | California Institute Of Technology | Induced junction solar cell and method of fabrication |
US5034068A (en) * | 1990-02-23 | 1991-07-23 | Spectrolab, Inc. | Photovoltaic cell having structurally supporting open conductive back electrode structure, and method of fabricating the cell |
US20070169808A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Kherani Nazir P | Solar cell |
NO20061668L (no) * | 2006-04-12 | 2007-10-15 | Renewable Energy Corp | Solcelle og fremgangsmate for fremstilling av samme |
EP2135292A2 (en) * | 2007-03-16 | 2009-12-23 | BP Corporation North America Inc. | Solar cells |
US8198528B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-06-12 | Sunpower Corporation | Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells |
CN101814555B (zh) * | 2010-04-12 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种提高太阳电池效率的方法 |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2015518862A patent/JP2015525961A/ja active Pending
- 2012-06-29 CN CN201280074233.5A patent/CN104412394B/zh active Active
- 2012-06-29 US US14/411,078 patent/US20150144184A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-29 IN IN29DEN2015 patent/IN2015DN00029A/en unknown
- 2012-06-29 WO PCT/EP2012/062776 patent/WO2014000826A1/en active Application Filing
- 2012-06-29 EP EP12730973.0A patent/EP2867926B1/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131041A (ja) * | 1992-12-09 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JPH07326786A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Sharp Corp | 結晶シリコン太陽電池 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6016012432; L.Zhang: '"Impact of back surface patterning process on FF in IBC-SHJ"' 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2012) , pp.001177-001181 * |
JPN6016012433; M.Lu: '"Interdigitated back contact silicon heterojunction solar cell and the effect of front surface passi' Applied Physics Letters Vol.91, No.6 (2007), 063507 * |
JPN6016012434; T.Desrues: '"SLASH concept: A novel approach for simplified interdigitated back contact solar cells fabrication"' 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2012) , pp.001602-001605 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017143100A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
JP7470762B2 (ja) | 2022-08-05 | 2024-04-18 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池および光起電力モジュール |
US11973152B2 (en) | 2022-08-05 | 2024-04-30 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell and photovoltaic module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2867926B1 (en) | 2017-04-05 |
US20150144184A1 (en) | 2015-05-28 |
WO2014000826A1 (en) | 2014-01-03 |
CN104412394B (zh) | 2016-11-09 |
CN104412394A (zh) | 2015-03-11 |
EP2867926A1 (en) | 2015-05-06 |
IN2015DN00029A (ja) | 2015-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2867926B1 (en) | Solar cell | |
US11056598B2 (en) | Solar cell | |
CN109728103B (zh) | 太阳能电池 | |
EP2219222B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101046219B1 (ko) | 선택적 에미터를 갖는 태양전지 | |
US20170194516A1 (en) | Advanced design of metallic grid in photovoltaic structures | |
US10153390B2 (en) | Bifacial solar cell | |
US20100243042A1 (en) | High-efficiency photovoltaic cells | |
KR101878397B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조 방법 | |
EP2963691B1 (en) | Solar cell | |
EP2757595B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
US20120167977A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
JP2012231142A (ja) | 太陽電池 | |
KR101983361B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 | |
KR101186529B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR101925929B1 (ko) | 태양 전지 및 그의 제조 방법 | |
KR101979843B1 (ko) | 태양전지 | |
KR101197210B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR101588456B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
JP2013074277A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160331 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161025 |