JP2015523724A - 基板・製品基板組み合わせ体並びに基板・製品基板組み合わせ体を製造する装置及び方法 - Google Patents
基板・製品基板組み合わせ体並びに基板・製品基板組み合わせ体を製造する装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015523724A JP2015523724A JP2015516479A JP2015516479A JP2015523724A JP 2015523724 A JP2015523724 A JP 2015523724A JP 2015516479 A JP2015516479 A JP 2015516479A JP 2015516479 A JP2015516479 A JP 2015516479A JP 2015523724 A JP2015523724 A JP 2015523724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- carrier
- carrier substrate
- contact
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
・出発材料
・正確なジオメトリ:製品をできるだけ精密に所望の厚さとなるように研削し、研磨することができるように、例えば1μmよりも小さい僅かなTTV(Total Thickness Variation)が必要である。
・テンポラリーボンディングの後からの分離を可能とする前処理。
・キャリア基板上で裏面薄化されるウェハのプラズマ処理を行う場合、偏心性がプラズマの不均一な放電を引き起こす。生じた放電(電界密度が高いことにより生じる絶縁破壊−アーク放電)は、製品及びプラズマ処理室を損傷する恐れがある。製品基板よりも小さい若しくは製品基板と同じ大きさのキャリア基板を使用する可能性により、プラズマプロセス及びスパッタプロセスで特別な利点が得られる。
・いわゆるスキャナ及びステッパでリソグラフィ露光する際に、調整が不十分なボンディング対は十分正確に負荷されない。ボンディング対の基準合わせ(予備位置合わせ)は外輪郭に基づき行われる。しかしながら(著しく)大きなキャリア基板の外輪郭は、キャリア基板と製品基板の両外輪郭の調整が正確でないならば、若しくは製品基板の外輪郭が使用できないならば、製品基板上のベンチマークの位置に対応しない。従ってベンチマークは顕微鏡の「捕捉範囲」にはなく、手間をかけて探さなければならない。これは、このシステムの時間的損失、処理量的損失、生産性損失に通じる。
2,2´ 基板
2a,2a´ 段部
2k,2k´ 載置縁
2o 接触面
3 接触手段
4 キャリア基板受容体
5,5´ キャリア基板
2u,5u 周縁
5o 支持面
6 回転手段
7 キャリアユニット
8 調節装置
9 ベースプレート
10 ガイドエレメント
11 距離測定エレメント
12 測定手段
13,13´,13´´,13´´´ 光学機器
14 接着層
15,15´ スキャンユニット
16 機能ユニット
d1,d2,d3,dk 平均直径
dR 平均リング幅
D1 厚さ
Claims (15)
- 面状の基板(2,2´)の接触面(2o)をキャリア基板(5,5´)の支持面(5o)に対して位置合わせし、接触させ、ボンディングすることにより基板・製品基板組み合わせ体を製造する方法であって、前記接触の際に前記基板(2,2´)は、前記キャリア基板(5,5´)の平均直径d2よりも大きな平均直径d1を有している、基板・製品基板組み合わせ体を製造する方法。
- 前記基板(2,2´)を前記接触後に裏面薄化し、この際に前記直径d1は、前記基板(2,2´)の周輪郭(2u)における前記基板(2,2´)の横断面の形状に基づいて減じられ、特にd1<=d2となる、請求項1記載の方法。
- 前記基板(2,2´)は、特に縁半径を設けることにより、かつ/又は前記周輪郭(2u)の戻し切削により形成されたリング状の段部(2a,2a´)を有している、請求項1又は2記載の方法。
- 前記段部(2a,2a´)のリング幅dRは、前記d1とd2の差より大きいか、該差と同じである、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記裏面薄化の際に、前記基板(2,2´)の厚さD1を、前記段部(2a,2a´)まで、または該段部(2,2´)を越えるまで減じる、請求項3又は4記載の方法。
- 面状の基板(2,2´)の接触面(2o)をキャリア基板(5,5´)の支持面(5o)に対して位置合わせし、接触させ、ボンディングすることにより基板・製品基板組み合わせ体を製造するための基板(2,2´)であって、該基板(2,2´)は直径d1を有しており、該直径d1は、前記基板(2,2´)の周輪郭(2u)における前記基板(2,2´)の横断面の形状によって、裏面薄化の際に減じることができる、基板・製品基板組み合わせ体を製造するための基板。
- 前記基板(2,2´)は、特に縁半径を設けることにより、かつ/又は前記周輪郭(2u)の戻し切削により形成されたリング状の段部(2a,2a´)を有している、請求項6記載の基板。
- 面状の基板(2)をさらに処理するための、平均直径d2を有するキャリア基板(5)との位置合わせ及び接触のための、平均直径d1を有する面状の基板(2)の使用であって、前記平均直径d1は前記平均直径d2よりも大きい、基板(2)の使用。
- 前記直径d2は、500μmだけ小さく、特に400μmだけ小さく、好適には300μmだけ小さく、さらに好適には200μmだけ小さく、さらに好適には100μmだけ小さい、請求項8記載の使用。
- 面状の基板(2,2´)の接触面(2o)をキャリア基板(5,5´)の支持面(5o)に対して位置合わせし、接触させ、ボンディングすることにより基板・製品基板組み合わせ体を製造するための装置であって、前記接触の際に前記基板(2,2´)は、前記キャリア基板(5,5´)の平均直径d2よりも大きな平均直径d1を有していて、以下の特徴、
前記基板(2,2´)を位置固定する基板受容体(1)と、
前記キャリア基板(5,5´)を位置固定するキャリア基板受容体(4)と、
前記基板(2,2´)と前記キャリア基板(5,5´)との接触平面に関して、前記基板受容体(1)上に位置固定された前記基板(2,2´)の周輪郭(2u)を少なくとも所定の区分で検出し、前記キャリア基板受容体(4)上に位置固定された前記キャリア基板(5,5´)の周輪郭(5u)を少なくとも所定の区分で検出する検出手段(11,13)と、
前記基板(2,2´)を前記キャリア基板(5,5´)に対して位置合わせするための位置合わせ手段(6,8)であって、該位置合わせ手段(6,8)は、前記検出手段(11,13)によって検出された前記周輪郭(2u,5u)に基づき制御手段によって制御される位置合わせ手段(6,8)と、
前記キャリア基板(5)に対して位置合わせされた前記基板(2)を前記キャリア基板(5)に接触させる接触手段(3)と、を有していることを特徴とする、基板・製品基板組み合わせ体を製造する方法のための装置。 - 前記検出手段(11,13)は、前記基板(2,2´)及び/又は前記キャリア基板(5,5´)に対して回転手段(6)によって回転可能であって、かつ/又は前記基板(2,2´)及び/又は前記キャリア基板(5,5´)に対して調節装置(8)によって、前記接触平面に対して平行なX方向かつ/又はY方向で調節可能である、請求項10記載の装置。
- 前記検出手段(11,13)は、少なくとも部分的に前記基板(2,2´)及び/又は前記キャリア基板(5,5´)の周囲側に配置可能な、特に部分的にリング状に形成されたキャリアユニット(7)に取り付けられている、請求項10又は11記載の装置。
- 前記検出手段(11,13)が、前記基板(2,2´)の横断面の形状を基板周輪郭(2u)で検出するように形成されていて、この場合、基板(2,2´)の裏面薄化を、直径d1が減じられるように、特にd1がd2以下になるように制御可能である、請求項10から12までのいずれか1項記載の装置。
- 基板(2,2´)の厚さD1を、前記段部(2a,2a´)まで、または該段部(2a,2a´)を越えるまで減じる、基板(2,2´)の裏面薄化のための手段を有している、請求項10から13までのいずれか1項記載の装置。
- キャリア基板(5,5´)の支持面(5o)から成っていて、基板(2,2´)は、キャリア基板(5,5´)の平均直径d2よりも大きな平均直径d1を有している、基板・キャリア基板組み合わせ体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2012/061117 WO2013185804A1 (de) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | Substrat-produktsubstrat-kombination sowie vorrichtung und verfahren zur herstellung einer substrat-produktsubstrat-kombination |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015523724A true JP2015523724A (ja) | 2015-08-13 |
JP5953574B2 JP5953574B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=46395595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015516479A Active JP5953574B2 (ja) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | 基板・製品基板組み合わせ体を製造する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343348B2 (ja) |
EP (1) | EP2859581B1 (ja) |
JP (1) | JP5953574B2 (ja) |
KR (1) | KR102012538B1 (ja) |
CN (1) | CN104662652B (ja) |
SG (1) | SG2014012934A (ja) |
WO (1) | WO2013185804A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016004795A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせウェーハ形成方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10354905B2 (en) * | 2015-03-11 | 2019-07-16 | Nv Bekaert Sa | Carrier for temporary bonded wafers |
EP3596750B1 (de) * | 2017-03-16 | 2024-01-17 | EV Group E. Thallner GmbH | Verfahren zum bonden von mindestens drei substraten |
US10388535B1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-08-20 | Powertech Technology Inc. | Wafer processing method with full edge trimming |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335195A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 張り合わせ基板の製造方法 |
JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2005026413A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハ、半導体素子およびその製造方法 |
JP2005072073A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 剥離ウェーハの再生処理方法及び再生されたウェーハ |
JP2007005596A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0989616A3 (en) | 1998-09-22 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing photoelectric conversion device |
JP2000164565A (ja) | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP3303294B2 (ja) | 1999-06-11 | 2002-07-15 | 株式会社東京精密 | 半導体保護テープの切断方法 |
US6520844B2 (en) * | 2000-08-04 | 2003-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers |
DE102004007060B3 (de) | 2004-02-13 | 2005-07-07 | Thallner, Erich, Dipl.-Ing. | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern |
JP4306540B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板の薄型加工方法 |
JP2006100406A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
FR2880184B1 (fr) * | 2004-12-28 | 2007-03-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de detourage d'une structure obtenue par assemblage de deux plaques |
US7371663B2 (en) * | 2005-07-06 | 2008-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three dimensional IC device and alignment methods of IC device substrates |
EP1775757B1 (de) | 2005-10-13 | 2012-10-03 | Thallner, Erich, Dipl.-Ing. | Verfahren zum Bonden von Wafern |
-
2012
- 2012-06-12 SG SG2014012934A patent/SG2014012934A/en unknown
- 2012-06-12 EP EP12730184.4A patent/EP2859581B1/de active Active
- 2012-06-12 US US14/407,199 patent/US9343348B2/en active Active
- 2012-06-12 WO PCT/EP2012/061117 patent/WO2013185804A1/de active Application Filing
- 2012-06-12 KR KR1020147034494A patent/KR102012538B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-12 JP JP2015516479A patent/JP5953574B2/ja active Active
- 2012-06-12 CN CN201280073963.3A patent/CN104662652B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335195A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 張り合わせ基板の製造方法 |
JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2005026413A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハ、半導体素子およびその製造方法 |
JP2005072073A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 剥離ウェーハの再生処理方法及び再生されたウェーハ |
JP2007005596A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016004795A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせウェーハ形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2859581B1 (de) | 2016-02-24 |
KR102012538B1 (ko) | 2019-08-20 |
KR20150023360A (ko) | 2015-03-05 |
US9343348B2 (en) | 2016-05-17 |
US20150170953A1 (en) | 2015-06-18 |
CN104662652B (zh) | 2016-12-28 |
EP2859581A1 (de) | 2015-04-15 |
WO2013185804A1 (de) | 2013-12-19 |
CN104662652A (zh) | 2015-05-27 |
SG2014012934A (en) | 2014-09-26 |
JP5953574B2 (ja) | 2016-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6114385B2 (ja) | 基板を位置合わせする装置及び方法 | |
KR101462288B1 (ko) | 기판을 포지셔닝 및 검사하기 위한 오프셋 정정 방법 및 장치 | |
JP6174980B2 (ja) | ウェーハの検出方法 | |
JP5953574B2 (ja) | 基板・製品基板組み合わせ体を製造する方法 | |
KR20100063786A (ko) | 웨이퍼 보우 계측 장치 및 그 방법 | |
CN109590893B (zh) | 利用研磨***的研磨方法、研磨*** | |
US8599366B2 (en) | Method and device for determining a deformation of a disk-shaped workpiece, particularly a mold wafer | |
US8895326B2 (en) | Method of attaching wafer to sheet | |
US20220126454A1 (en) | Substrate location detection and adjustment | |
CN105810623B (zh) | 基板尺度的掩模对准 | |
JP2023530508A (ja) | 半導体ウエハを処理する方法 | |
CN111482709A (zh) | 被加工物的加工方法 | |
US11935775B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP7394638B2 (ja) | 研削装置、及び研削方法 | |
JP2010221335A (ja) | 研削装置 | |
JP7362787B2 (ja) | 接合装置、及び接合方法 | |
JP2009250802A (ja) | ウェーハの厚さ測定方法 | |
US9464884B2 (en) | Method for determining the position of a rotation axis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160303 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20160415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953574 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |