JP2015519729A5

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Publication number: JP2015519729A5
Application number: JP2015504690A
Authority: JP
Filing date: 2013-04-02
Publication date: 2016-06-02

Claims

光電材料の製造方法であって、
一つあるいは複数の表面に、一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料を提供する工程を含み、この一つあるいは複数の光電構造を有する半導体材料は、
一片の半導体材料をエネルギー源に曝す工程であって、前記エネルギー源が前記一片の半導体材料の一部を加熱する工程と、
前記一片の半導体材料をエネルギー源に曝すことを終了する工程であって、前記暴す工程と終了する工程とが、前記一片の半導体材料を、一つあるいは複数の表面に一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料へ変換させる、工程とを実施することにより作製されることを特徴とする方法。 A method of manufacturing a photoelectric material,
Including a step of providing a photoelectric semiconductor material having one or a plurality of photoelectric structures on one or a plurality of surfaces, the semiconductor material having one or a plurality of photoelectric structures,
A step of exposing a piece of semiconductor material to the energy source, the steps of pre disappeared energy source to heat a portion of the semiconductor material of the piece,
A process for terminating the exposure of the semiconductor material of the piece to an energy source, a step of ending said violence to step, the semiconductor material of the piece, one or more photoelectric to one or more surfaces The method is produced by performing the step of converting into a photoelectric semiconductor material having a structure.

請求項１に記載の方法において、さらに、
前記光電半導体材料の下面が低い抵抗率である光電材料を作製する工程を含み、前記低い抵抗率が、前記光電材料を用いた光電セルの出力を、低い抵抗率を持たないセルより向上させることを特徴とする方法。 The method according to 請 Motomeko 1, further
Comprising the step of producing a photoelectric material lower surface is low resistivity of the photoelectric semiconductor material, said low resistivity, the output of the photoelectric cell using the photoelectric material, improve from cells that do not have a low resistivity A method characterized by .

請求項１に記載の方法において、さらに、
下面の表層を物理的に除去すること、
下面の表層にシリサイドを形成すること、または
下面の表層にイオンインプランテーションすること、
のいずれかを行うことにより前記光電半導体の下面を処理する工程を含むことを特徴とする方法。 The method according to 請 Motomeko 1, further
Physically removing the lower surface layer ,
Forming a silicide on the surface layer of the lower surface, or by ion implantation into the surface layer of the lower surface,
A method comprising the step of treating the lower surface of the photoelectric semiconductor by performing any of the above.

請求項１に記載の方法において、さらに、
加熱によって前記一片の半導体材料の下面に高抵抗層が形成されるのを防ぐために、前記下面に保護膜を形成する工程、
前記一片の半導体材料の一方の面にエネルギー源を集中させる工程であって、この集中させる工程により、他方の面が光電構造に変わる標的温度まで上昇することを防ぐ工程、
前記曝す工程用の蓄熱材料の上に前記一片の半導体を載置する工程であって、この載置する工程により、他方の面が光電構造に変わる標的温度まで上昇することを防ぐ工程、または、
前記曝す工程と終了する工程をｎ＋＋シリコン基板上で行う工程であって、前記曝す工程と終了する工程により、ｎ型シリコンがｎ＋＋シリコン基板上に形成されて、ｎｏｎｎ＋＋光電素子を作製する工程、
のいずれかを行うことにより、前記暴す工程と終了する工程の前に前記一片の半導体材料に予防プロセスを実施する工程を含むことを特徴とする方法。 The method according to 請 Motomeko 1, further
Forming a protective film to prevent the high resistance layer is formed on the lower surface of the semiconductor material of the piece, before Symbol lower surface by the heating,
A step of concentrating one energy source to the surface of the semiconductor material of the piece, the step of preventing the step of the concentrate, the other surface is raised to a target temperature ging Wa photoelectric structure,
A step of mounting the semiconductor of said piece on top of the heat storage material for step the exposing step to prevent the process of this mounting, the other surface is raised to a target temperature ging Wa photoelectric structure, Or
The method comprising a step of ending said exposing step by n ++ silicon substrate by the step of ending said exposing step, n-type silicon is formed on the n ++ silicon substrate, you prepare a n on n ++ photoelectric elements as Engineering,
A method comprising performing a preventive process on the piece of semiconductor material prior to the step of exposing and ending by performing any of the above.

請求項４に記載の方法において、前記保護膜がＳｉＣ層を含むとともに、前記曝す工程と終了する工程の後に、金属−半導体界面にオーミックコンタクトを形成するために上に金属下部電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 5. The method according to claim 4 , wherein the protective film includes a SiC layer and , after the exposing step and the ending step , forming a metal lower electrode on the metal- semiconductor interface to form an ohmic contact. The method of further comprising.

請求項１に記載の方法において、さらに、
前記曝す工程における加熱より低い温度で前記光電材料の二次加熱を行う工程であって、当該二次加熱により前記一つあるいは複数の光電構造中の結晶欠陥を除去する工程を含むことを特徴とする方法。 The method according to 請 Motomeko 1, further
Performing the secondary heating of the photoelectric material at a temperature lower than the heating in the exposing step, the method comprising the step of removing crystal defects in the one or more photoelectric structures by the secondary heating ; how to.

請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料の一部は８５０Ｋから１７００Ｋの温度範囲で加熱されることを特徴とする方法。 The method of claim 1, a portion of the semiconductor material of the piece is heated at a temperature range of 1700K from 850K wherein the Rukoto.

請求項１に記載の方法において、前記曝す工程と終了する工程が真空中で行われることを特徴とする方法。 The method of claim 1, wherein the exposing and ending steps are performed in a vacuum .

請求項１に記載の方法において、前記一部の加熱は１から６００分間実施されることを特徴とする方法。 The method of claim 1, wherein the partial heating is performed for 1 to 600 minutes .

請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料は、リンの不純物を有するｎ型シリコンであることを特徴とする方法。 2. The method of claim 1, wherein the piece of semiconductor material is n-type silicon having phosphorus impurities .

請求項１に記載の方法において、前記一つあるいは複数の光電構造に高抵抗率層を含むことを特徴とする方法。 2. The method of claim 1, wherein the one or more photoelectric structures include a high resistivity layer .

請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料が、ゲルマニウムあるいは他の４族半導体のいずれかを含むことを特徴とする方法。 2. The method of claim 1, wherein the piece of semiconductor material comprises either germanium or another group 4 semiconductor .

請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料が、ゲルマニウムあるいは他の４族半導体のいずれかを含むとともに、リン、窒素、アンチモン、ヒ素あるいは他の５族の元素の不純物を含むことを特徴とする方法。 The method of claim 1, the semiconductor material of the piece, along with containing either germanium or other semiconductor Group IV, phosphorus, nitrogen, antimony, to include impurity of arsenic or other group V elements Feature method.

請求項１に記載の方法において、（１００）面の結晶配向における抵抗率が１から５Ωｃｍであることを特徴とする方法。 The method according to claim 1, wherein the resistivity in the (100) plane crystal orientation is 1 to 5 Ωcm .

請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料の厚さが少なくとも１０μｍであることを特徴とする方法。 2. A method according to claim 1, wherein the piece of semiconductor material has a thickness of at least 10 [mu] m .

請求項１に記載の方法において、前記光電材料は、光に曝されたときに光電効果を生じることを特徴とする方法。 2. The method of claim 1, wherein the photoelectric material produces a photoelectric effect when exposed to light .

請求項１に記載された光電材料を用いた光電デバイスの製造方法であって、
前記光電材料を提供する工程と、
前記光電材料の下部に下部電極を提供する工程と、
前記光電素子の上部に表面電極を提供する工程と、を含むことを特徴とする方法。 A method of manufacturing a photoelectric device using the photoelectric material according to claim 1,
Providing a said photoelectric material,
Providing a bottom electrode in the lower portion of the photoelectric material,
Method characterized by comprising the the steps of providing a surface electrode on an upper portion of the photoelectric element.

光電材料の製造方法であって、
一つあるいは複数の表面に、一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料を提供する工程を含み、この一つあるいは複数の光電構造を有する半導体材料は、
ｎ型シリコンウエハをエネルギー源に曝す工程であって、前記エネルギー源は、前記ｎ型シリコンウエハの一部を加熱する工程と、
前記ｎ型シリコンウエハをエネルギー源に曝すことを終了する工程であって、前記曝す工程と終了する工程とが、一片の前記半導体材料を、一つあるいは複数の表面に一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料へ変換させ、前記一つあるいは複数の光電構造は高抵抗率層を含む、工程と、
前記一片の半導体材料の下面に加熱によって高抵抗率層が形成されるのを防ぐために、前記下面にＳｉＣ層の保護膜を形成する工程と、
前記ＳｉＣ層の上に金属下部電極を設ける工程であって、当該金属下部電極と前記ｎ型シリコンウエハの間の金属−半導体の界面にオーミックコンタクトが形成される、工程と、を実施することにより作製されることを特徴とする方法。 A method of manufacturing a photoelectric material,
Including a step of providing a photoelectric semiconductor material having one or a plurality of photoelectric structures on one or a plurality of surfaces, the semiconductor material having one or a plurality of photoelectric structures,
The n-type silicon wafer comprising the steps of exposing to an energy source, before disappeared energy source includes a step of heating a portion of the n-type silicon wafer,
A process for terminating the exposing the n-type silicon wafer to an energy source, a step of ending said exposure step, the semiconductor material of the piece, one located in one or more surfaces or a plurality of photoelectric structure Converting to a photoelectric semiconductor material , wherein the one or more photoelectric structures include a high resistivity layer ;
To prevent the high-resistivity layer is formed by heating the lower surface of the semiconductor material of the piece, forming a protective film of SiC layer before Symbol bottom surface,
A step of providing a metal lower electrode on the front Symbol S iC layer, the metal between the metal lower electrode and the n-type silicon wafer - to implement ohmic contact Ru formed on the semiconductor surface, a step, a The method characterized by being produced.