JP2015513609A5 - - Google Patents
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910004207 SiNx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (15)
- ケイ素含有ガス、第1窒素含有ガス、第2窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約800ミル〜約1800ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約0.350ワット/cm2〜約0.903ワット/cm2を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約0.5トール〜約3.0トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程と、
有機封止膜上に無機誘電体層を堆積させる工程を含む封止膜の形成方法。 - ガス混合物を送出する工程は、
基板面積1m2当たり約1550〜約3115sccmの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約2360〜約6140sccmの流量で第1窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約9305〜約15455sccmの流量で第2窒素含有ガスを送出する工程を含む請求項1記載の方法。 - 無機封止膜を堆積させる工程は、無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む請求項1記載の方法。
- ケイ素含有ガス、第1窒素含有ガス、第2窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約800ミル〜約1800ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約0.350ワット/cm2〜約0.903ワット/cm2を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約0.5トール〜約3.0トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程を含み、ガス混合物を送出する工程は、
基板面積1m2当たり約1550〜約3115sccmの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約2360〜約6140sccmの流量で第1窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約9305〜約15455sccmの流量で第2窒素含有ガスを送出する工程を含む封止膜の形成方法。 - 無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む請求項4記載の方法。
- ケイ素含有ガス、第1窒素含有ガス、第2窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約800ミル〜約1800ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約0.350ワット/cm2〜約0.903ワット/cm2を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約0.5トール〜約3.0トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程と、
無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む封止膜の形成方法。 - ガス混合物を送出する工程は、
基板面積1m2当たり約23630〜約43325sccmの流量で水素ガスを送出する工程を含む請求項2、4、又は5のいずれか1項記載の方法。 - 無機封止膜は、波長400nmで約80%を超える透明性を有する請求項7記載の方法。
- 第2窒素含有ガスは、N2である請求項2、4、又は5のいずれか1項記載の方法。
- 有機誘電体層上に第2無機封止膜を堆積させる工程を含む請求項3、5、又は6のいずれか1項記載の方法。
- 無機封止膜及び第2無機封止膜は、約0.8ダイン/cm2の応力を有する請求項10記載の方法。
- 第2無機封止膜を堆積させる工程は、
基板の上方に約800ミル〜約1800ミル離間させたガス分配プレートアセンブリに、約0.350ワット/cm2〜約0.903ワット/cm2を印加することによって、ケイ素含有ガス、第1窒素含有ガス、第2窒素含有ガス及び水素ガスを含む第2ガス混合物を励起させる工程と、
励起した第2ガス混合物を約0.5トール〜約3.0トールの圧力に維持する工程と、
励起した第2ガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程を含む請求項10記載の方法。 - 第2無機封止膜を堆積させる工程は、第1無機封止膜上に第2無機封止膜の一部を堆積させる工程を含む請求項12記載の方法。
- 第2ガス混合物を送出する工程は、
基板面積1m2当たり約1550〜約3115sccmの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約2360〜約6140sccmの流量で第1窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積1m2当たり約9305〜約15455sccmの流量で第2窒素含有ガスを送出する工程を含む請求項12記載の方法。 - 無機封止膜を堆積させる工程は、SiNxを含む請求項1〜6のいずれか1項記載の方法。
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