JP2015231030A - 基板液処理装置 - Google Patents
基板液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015231030A JP2015231030A JP2014118032A JP2014118032A JP2015231030A JP 2015231030 A JP2015231030 A JP 2015231030A JP 2014118032 A JP2014118032 A JP 2014118032A JP 2014118032 A JP2014118032 A JP 2014118032A JP 2015231030 A JP2015231030 A JP 2015231030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- wafer
- discharge port
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 70
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
上記実験結果より、上記リング状の領域(ウエハWの半径に対して、中心から約20%〜30%の領域)の乾燥を促進することが、ウエハW下面全体の乾燥時間の短縮につながることがわかった。また、ウエハWの下面中心部に向けて乾燥用気体を吹き付ける必要性は低いことがわかった。
31c 包囲部材(ベースプレート31aの内周縁部)
31d 開口
31f 包囲部材の内周面の上端縁
40 液体吐出部
42 頭部
42b 液体吐出部の頭部の外周端縁
43a 液体吐出口
82 気体吐出口
Claims (7)
- 基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる基板保持回転機構と、
前記基板保持回転機構に保持された基板の下面の中央部の下方に配置されるとともに、前記基板の下面に向けて処理液を吐出する液体吐出口が設けられた頭部を有する液体吐出部と、
隙間を空けて前記液体吐出部の周囲を囲むとともに、上面に開口が設けられた包囲部材と、
を備え、
前記開口において前記液体吐出部と前記包囲部材との間に、乾燥用気体を、基板の下面に向けて、かつ、斜め上方外向きに吐出する気体吐出口が形成され、
前記液体吐出部の頭部は、前記気体吐出口よりも外側に張り出して前記気体吐出口を上方から覆っている
ことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記包囲部材の内周面の上端縁により前記包囲部材の前記開口が画定され、
前記上端縁と同一の高さであって、前記液体吐出部の頭部と、前記包囲部材の内周面の上端縁との間に前記気体吐出口が形成され、
前記頭部の外周端縁は、前記気体吐出口よりも上方かつ半径方向外側に位置している
請求項1記載の基板液処理装置。 - 前記基板保持回転機構は、基板の下方に位置して基板と対面する板状体と、前記板状体の周縁部に設けられた保持部材と、前記板状体の中央部から鉛直方向下方に延びる中空の回転軸と、前記回転軸を回転させる回転駆動部とを有しており、
前記液体吐出部は、前記頭部から下方に延びるとともに前記中空の回転軸の内部に配置された軸部を有しており、
前記板状体の内周縁部または前記回転軸の上部が前記包囲部材である、
請求項1または2記載の基板液処理装置。 - 前記液体吐出部の頭部は、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜する斜め下方を向いた周面を有し、前記包囲部材の内周面は、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜しており、前記頭部の周面と前記包囲部材の内周面の間に形成される空間の幅Aは、前記気体吐出口に近づくに従って小さくなっている、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記気体吐出口は、基板の中心部から半径方向外側に離れた所定領域の近傍に向けて乾燥用気体を吐出するように形成されており、前記所定領域とは、前記気体吐出口から乾燥用気体を吐出させないで、下面が濡れた基板を前記基板回転保持機構により回転させることにより前記基板の下面を乾燥させた場合に、最も乾燥が遅延する領域である、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 断面で見た前記液体吐出部の頭部の外周端縁付近の輪郭が湾曲している、請求項2記載の基板液処理装置。
- 前記基板保持回転機構に保持された基板の回転数を上げるほど、前記前記気体吐出口からの乾燥用気体の吐出流量を大きくする、請求項6記載の基板液処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014118032A JP6258132B2 (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 基板液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014118032A JP6258132B2 (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 基板液処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015231030A true JP2015231030A (ja) | 2015-12-21 |
JP2015231030A5 JP2015231030A5 (ja) | 2017-01-05 |
JP6258132B2 JP6258132B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=54887652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014118032A Active JP6258132B2 (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 基板液処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6258132B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190015998A (ko) | 2017-08-07 | 2019-02-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08276163A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 板状試料表面の処理方法 |
JPH1057877A (ja) * | 1996-05-07 | 1998-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JPH10135178A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002158202A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ洗浄装置 |
JP2003031545A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法 |
JP2007207811A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置 |
JP2008135703A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
-
2014
- 2014-06-06 JP JP2014118032A patent/JP6258132B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08276163A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 板状試料表面の処理方法 |
JPH1057877A (ja) * | 1996-05-07 | 1998-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JPH10135178A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002158202A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ洗浄装置 |
JP2003031545A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法 |
JP2007207811A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置 |
JP2008135703A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190015998A (ko) | 2017-08-07 | 2019-02-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
US10818521B2 (en) | 2017-08-07 | 2020-10-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
KR102482211B1 (ko) | 2017-08-07 | 2022-12-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
US11967509B2 (en) | 2017-08-07 | 2024-04-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6258132B2 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5996425B2 (ja) | 基板処理装置を洗浄するための洗浄治具および洗浄方法、および基板処理システム | |
JP6836913B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 | |
KR102482211B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP6404189B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
JP6090113B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP6359477B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP7138539B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2017188665A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2016213252A (ja) | 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 | |
JP6407829B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法 | |
US12046485B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of cleaning substrate processing apparatus | |
JP6258132B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP6282988B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 | |
JP6494480B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理装置の基板乾燥方法 | |
JP6184890B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
JP6184892B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
JP2015192050A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6843606B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2019134000A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161115 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6258132 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |