JP2015230903A

JP2015230903A - Light emission device

Info

Publication number: JP2015230903A
Application number: JP2014114842A
Authority: JP
Inventors: 小泉　洋; Hiroshi Koizumi; 洋小泉; 陽子徳野; Yoko Tokuno
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2014-06-03
Filing date: 2014-06-03
Publication date: 2015-12-21

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emission device capable of enhancing the light emission efficiency.SOLUTION: A light emission device has a light emission element, a first wavelength converter which is provided on the light emission element and has at least one of a first fluorescent material for applying light having a peak wavelength in a wavelength band ranging from not less than 500 nm to not more than 555 nm and a second fluorescent material for applying light having a peak wavelength in a wavelength band ranging from not less than 560 nm to not more than 580 nm, and a second wavelength converter which is provided on the first wavelength converter and has a third fluorescent material which applies light having a peak wavelength in a wavelength band ranging from not less than 600 nm to not more than 670 nm and has an excitation spectrum in a wavelength band of 510 nm or less.

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a light emitting device.

発光素子と蛍光体とを用いた発光装置とすれば、励起光源としての発光素子の種類と、蛍光体の種類とを組み合わせることで様々な色の発光色を得ることができる。
例えば、青色の光を放射する発光素子（例えば、青色発光ダイオード）と、青色と補色関係にある色の光を放射する蛍光体とを組み合わせることで白色の光を得ることができる。
また、白色の光を放射する発光装置においては、黄色の光を放射する蛍光体を含む層と、赤色の光を放射する蛍光体を含む層とを積層する技術が提案されている。
しかしながら、複数種類の蛍光体を用いると、蛍光体において意図しない光の吸収が生じて発光効率の向上が図れなくなるおそれがある。
そのため、発光効率の向上を図ることができる発光装置の開発が望まれていた。 If a light-emitting device using a light-emitting element and a phosphor is used, various colors of light emission can be obtained by combining the type of light-emitting element as an excitation light source and the type of phosphor.
For example, white light can be obtained by combining a light emitting element that emits blue light (for example, a blue light emitting diode) and a phosphor that emits light of a color complementary to blue.
In light-emitting devices that emit white light, a technique has been proposed in which a layer including a phosphor that emits yellow light and a layer that includes a phosphor that emits red light are stacked.
However, when a plurality of types of phosphors are used, unintentional light absorption may occur in the phosphors, and the light emission efficiency may not be improved.
Therefore, development of a light emitting device capable of improving the light emission efficiency has been desired.

特開２００７−２９４８９０号公報JP 2007-294890 A

本発明が解決しようとする課題は、発光効率の向上を図ることができる発光装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device capable of improving the light emission efficiency.

実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の上に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第１の波長変換部と、前記第１の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第２の波長変換部と、を備えている。 A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting element, a first phosphor that is provided on the light emitting element and emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 500 nm to 555 nm, and a wavelength of 560 nm to 580 nm. A first wavelength converter having at least one of second phosphors that emit light having a peak wavelength in a wavelength region; and a wavelength region of 600 nm to 670 nm that is provided on the first wavelength converter. And a second wavelength converter having a third phosphor that emits light having a peak wavelength and has an excitation spectrum in a wavelength region of 510 nm or less.

（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置１を例示するための模式斜視図である。（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ｂ線断面図である。FIG. 2A is a schematic perspective view for illustrating the light emitting device 1 according to the first embodiment. (B) is the AB sectional view taken on the line in (a). ＣＯＢ方式の発光装置５１を例示するための模式断面図である。3 is a schematic cross-sectional view for illustrating a COB light emitting device 51. FIG. 比較例に係る発光装置１０１における光の放射を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating light emission in the light emitting device 101 according to the comparative example. 発光装置１０１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。4 is a graph for illustrating a spectral distribution in the light emitting device 101. FIG. 本実施の形態に係る発光装置１における光の放射を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating light emission in the light emitting device 1 according to the present embodiment. 発光装置１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。3 is a graph for illustrating a spectral distribution in the light emitting device 1. FIG. 第２の実施形態に係る発光装置１０１を例示するための模式断面図ある。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for illustrating a light emitting device 101 according to a second embodiment. 第３の実施形態に係る発光装置１０１ａを例示するための模式断面図ある。It is a schematic cross section for illustrating the light-emitting device 101a which concerns on 3rd Embodiment.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置１を例示するための模式斜視図である。なお、図１（ａ）においては、煩雑となるのを避けるために、波長変換部２２（第１の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第２の波長変換部の一例に相当する）、反射部４０を省いて描いている。
図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ｂ線断面図である。
なお、図１（ａ）、（ｂ）に記載の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは互いに直交する三方向を表している。この場合、矢印Ｚの方向は、発光素子１３の照射面１３ｄに対して垂直な方向としている。矢印Ｙの方向は、発光素子１３の照射面１３ｄに対して平行な平面内の１つの方向としている。矢印Ｘの方向は、矢印Ｚの方向と矢印Ｙの方向とに垂直な方向としている。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
(First embodiment)
FIG. 1A is a schematic perspective view for illustrating the light emitting device 1 according to the first embodiment. In FIG. 1A, in order to avoid complication, a wavelength converter 22 (corresponding to an example of a first wavelength converter) and a wavelength converter 32 (an example of a second wavelength converter). Is drawn with the reflection portion 40 omitted.
FIG.1 (b) is the sectional view on the AB line in Fig.1 (a).
Note that arrows X, Y, and Z shown in FIGS. 1A and 1B represent three directions orthogonal to each other. In this case, the direction of the arrow Z is a direction perpendicular to the irradiation surface 13 d of the light emitting element 13. The direction of the arrow Y is one direction in a plane parallel to the irradiation surface 13 d of the light emitting element 13. The direction of the arrow X is a direction perpendicular to the direction of the arrow Z and the direction of the arrow Y.

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置１には、基体である筐体１０、配線部１１、配線部１２、発光素子１３、波長変換部２２、波長変換部３２、および反射部４０が設けられている。
筐体１０は、外観が直方体形状を呈している。ただし、筐体１０の外観は、例示をしたものに限定されるわけではない。
筐体１０には、凹状の収納部１０ａが設けられている。収納部１０ａは、筐体１０の一方の端面に開口している。収納部１０ａは、開口側に向かうに従いＺ方向に垂直な断面の面積が漸増する形状を有している。収納部１０ａは、例えば、円錐台形状を有している。筐体１０は、例えば、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）などの樹脂から形成することができる。
また、筐体１０は、例えば、酸化チタンなどを含む粒子が添加された樹脂から形成することもできる。
ただし、筐体１０の材料は例示をしたものに限定されるわけではない。筐体１０の材料は、例えば、発光素子１３において発生した熱の放熱性を考慮したものとすることもできる。筐体１０の材料は、例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどのセラミックス、高熱伝導樹脂などとすることもできる。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the light emitting device 1 includes a housing 10 as a base, a wiring unit 11, a wiring unit 12, a light emitting element 13, a wavelength conversion unit 22, a wavelength conversion unit 32, and A reflection unit 40 is provided.
The housing 10 has a rectangular parallelepiped appearance. However, the appearance of the housing 10 is not limited to that illustrated.
The housing 10 is provided with a concave storage portion 10a. The storage portion 10 a is open on one end surface of the housing 10. The storage portion 10a has a shape in which the area of a cross section perpendicular to the Z direction gradually increases toward the opening side. The storage unit 10a has, for example, a truncated cone shape. The housing 10 can be formed of a resin such as PBT (polybutylene terephthalate), PPA (polyphthalamide), or PC (polycarbonate).
Moreover, the housing | casing 10 can also be formed from resin to which the particle | grains containing a titanium oxide etc. were added, for example.
However, the material of the housing 10 is not limited to that illustrated. The material of the housing 10 may be a material that takes into consideration the heat dissipation of heat generated in the light emitting element 13, for example. The material of the housing 10 can be, for example, ceramics such as aluminum oxide or aluminum nitride, high thermal conductive resin, or the like.

配線部１１の一端は、収納部１０ａの内部に設けられている。配線部１１の一端側は、収納部１０ａの内部において露出している。配線部１１の他端は、筐体１０の外部に設けられている。配線部１１の他端側は、筐体１０の外部において露出している。
配線部１２の一端は、収納部１０ａの内部に設けられている。配線部１２の一端側は、収納部１０ａの内部において露出している。配線部１２の他端は、筐体１０の外部に設けられている。配線部１２の他端側は、筐体１０の外部において露出している。
配線部１１の一端と、配線部１２の一端は、収納部１０ａの内部において互いに対峙している。
配線部１１および配線部１２は、導電性材料から形成することができる。配線部１１および配線部１２は、例えば、銅、アルミニウム、ニッケルなどの金属や、それらを含む合金などから形成することができる。
配線部１１および配線部１２は、表面にニッケルや銀を含む層をさらに有するものであってもよい。 One end of the wiring part 11 is provided inside the storage part 10a. One end side of the wiring part 11 is exposed inside the storage part 10a. The other end of the wiring part 11 is provided outside the housing 10. The other end side of the wiring part 11 is exposed outside the housing 10.
One end of the wiring part 12 is provided inside the storage part 10a. One end side of the wiring part 12 is exposed inside the storage part 10a. The other end of the wiring part 12 is provided outside the housing 10. The other end side of the wiring portion 12 is exposed outside the housing 10.
One end of the wiring part 11 and one end of the wiring part 12 are opposed to each other inside the storage part 10a.
The wiring part 11 and the wiring part 12 can be formed from a conductive material. The wiring part 11 and the wiring part 12 can be formed from, for example, a metal such as copper, aluminum, nickel, or an alloy containing them.
The wiring part 11 and the wiring part 12 may further have a layer containing nickel or silver on the surface.

発光素子１３は、例えば、積層部１３ａ、電極部１３ｂ、電極部１３ｃを有するものとすることができる。
積層部１３ａは、例えば、窒化物系半導体を含むものとすることができる。
この場合、発光素子１３は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長域（青色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
発光素子１３は、例えば、青色発光ダイオードとすることができる。
積層部１３ａは、電極部１３ｂと電極部１３ｃの間に設けられている。
積層部１３ａは、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃと電気的に接続されている。 The light emitting element 13 can include, for example, a stacked portion 13a, an electrode portion 13b, and an electrode portion 13c.
The stacked unit 13a can include, for example, a nitride semiconductor.
In this case, the light emitting element 13 emits light having a peak wavelength in a wavelength region (blue region) of 440 nm to 470 nm.
The light emitting element 13 can be, for example, a blue light emitting diode.
The stacked portion 13a is provided between the electrode portion 13b and the electrode portion 13c.
The stacked portion 13a is electrically connected to the electrode portion 13b and the electrode portion 13c.

電極部１３ｂは、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などを含む透明電極と、金属を含むボンディングパッドとを有する。ボンディングパッドは、透明電極と電気的に接続されている。
収納部１０ａの内部において、電極部１３ｃは配線部１２と電気的に接続されている。電極部１３ｃは、例えば、銀ペーストなどの導電性接合材を介して、配線部１２と電気的に接続することができる。
収納部１０ａの内部において、電極部１３ｂは配線部１１と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１４の一端は、電極部１３ｂのボンディングパッドに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１４の他端は、配線部１１に電気的に接続されている。 The electrode portion 13b includes, for example, a transparent electrode including ITO (indium tin oxide) and a bonding pad including metal. The bonding pad is electrically connected to the transparent electrode.
The electrode part 13c is electrically connected to the wiring part 12 inside the storage part 10a. The electrode part 13c can be electrically connected to the wiring part 12 through, for example, a conductive bonding material such as silver paste.
The electrode portion 13b is electrically connected to the wiring portion 11 inside the storage portion 10a. One end of the bonding wire 14 is electrically connected to the bonding pad of the electrode portion 13b. The other end of the bonding wire 14 is electrically connected to the wiring part 11.

なお、積層部１３ａの一方の側に電極部１３ｂを設け、積層部１３ａの他方の側に電極部１３ｃを設ける場合を例示したがこれに限定されるわけではない。
例えば、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの同じ側に設けられていてもよい。
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの配線部側に設けられている場合には、電極部１３ｂは導電性接合材を介して配線部１１に電気的に接続され、電極部１３ｃは導電性接合材を介して配線部１２に電気的に接続される。
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの配線部側とは反対側に設けられている場合には、電極部１３ｂはボンディングワイヤを介して配線部１１に電気的に接続され、電極部１３ｃはボンディングワイヤを介して配線部１２に電気的に接続される。 In addition, although the case where the electrode part 13b is provided on one side of the laminated part 13a and the electrode part 13c is provided on the other side of the laminated part 13a is illustrated, the present invention is not limited thereto.
For example, the electrode part 13b and the electrode part 13c may be provided on the same side of the laminated part 13a.
When the electrode part 13b and the electrode part 13c are provided on the wiring part side of the laminated part 13a, the electrode part 13b is electrically connected to the wiring part 11 via a conductive bonding material, and the electrode part 13c is It is electrically connected to the wiring part 12 through a conductive bonding material.
When the electrode part 13b and the electrode part 13c are provided on the side opposite to the wiring part side of the laminated part 13a, the electrode part 13b is electrically connected to the wiring part 11 via a bonding wire. 13c is electrically connected to the wiring part 12 via a bonding wire.

筐体１０の外部において露出している配線部１１および配線部１２には、電圧が印加される。配線部１１および配線部１２に電圧が印加されると、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃに電圧が印加される。
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃに電圧が印加されると、積層部１３ａから１次光が放射される。 A voltage is applied to the wiring part 11 and the wiring part 12 exposed outside the housing 10. When a voltage is applied to the wiring part 11 and the wiring part 12, a voltage is applied to the electrode part 13b and the electrode part 13c.
When a voltage is applied to the electrode part 13b and the electrode part 13c, primary light is radiated | emitted from the laminated part 13a.

波長変換部２２は、発光素子１３の上に設けられている。
波長変換部２２は、発光素子１３の照射面１３ｄおよび反射部４０を覆うように設けられている。なお、波長変換部２２は、少なくとも発光素子１３の照射面１３ｄを覆うように設けられていればよい。
波長変換部２２は、透光部２１（第１の透光部の一例に相当する）および蛍光体２０（第１の蛍光体または第２の蛍光体の一例に相当する）を有する。
透光部２１は、蛍光体２０を保持する機能と、光を透過させる機能を有する。
透光部２１は、屈折率が１．５を超え２．０以下であり、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料から形成することができる。
透光部２１は、例えば、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、脂環式アクリル（ＯＺ）、メガネ用レンズ熱硬化樹脂（ＡＤＣ）、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などから形成することができる。
この場合、透光部２１は、蛍光体２０の材料が有する屈折率に近い屈折率を有する材料から形成するのが好ましい。
例えば、蛍光体２０の材料が有する屈折率が１．９６程度の場合には、透光部２１は、屈折率が１．５程度の材料から形成することができる。 The wavelength conversion unit 22 is provided on the light emitting element 13.
The wavelength conversion unit 22 is provided so as to cover the irradiation surface 13 d of the light emitting element 13 and the reflection unit 40. In addition, the wavelength conversion part 22 should just be provided so that the irradiation surface 13d of the light emitting element 13 may be covered at least.
The wavelength conversion unit 22 includes a light transmitting unit 21 (corresponding to an example of a first light transmitting unit) and a phosphor 20 (corresponding to an example of a first phosphor or a second phosphor).
The light transmitting part 21 has a function of holding the phosphor 20 and a function of transmitting light.
The translucent portion 21 can be formed of a material having a refractive index of more than 1.5 and not more than 2.0 and a transmittance of 90% or more for light having a wavelength of 420 nm or more and 720 nm or less.
The translucent part 21 includes, for example, epoxy resin, methacrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), alicyclic acrylic (OZ), lens thermosetting resin for glasses (ADC), acrylic resin, It can be formed from fluorine resin, silicone resin, silicon oxide (SiO ₂ ), titanium oxide (TiO ₂ ), or the like.
In this case, the light transmitting portion 21 is preferably formed from a material having a refractive index close to the refractive index of the material of the phosphor 20.
For example, when the material of the phosphor 20 has a refractive index of about 1.96, the light transmitting portion 21 can be formed of a material having a refractive index of about 1.5.

蛍光体２０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体２０は、透光部２１の内部に分散して設けられている。
蛍光体２０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域（緑色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
または、蛍光体２０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域（黄色領域）にピーク波長を有する光を放射する。 The phosphor 20 can be granular. The plurality of phosphors 20 are provided dispersed inside the light transmitting portion 21.
The phosphor 20 absorbs light emitted from the light emitting element 13 and emits light having a peak wavelength in a wavelength region (green region) of 500 nm to 555 nm.
Alternatively, the phosphor 20 absorbs light emitted from the light emitting element 13 and emits light having a peak wavelength in a wavelength region (yellow region) of 560 nm to 580 nm.

緑色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例えば、以下のものを例示することができる。
ただし、緑色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例示をするものに限定されるわけではない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｔｂ、
Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｔｂ、
Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｔｂ、
Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ、
Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ_２Ｏ_３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ_２Ｏ_３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）_２ＳｉＯ_４、
ＢａＡｌ_１２Ｏ_１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ_２Ｏ_３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ_４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ_２Ｏ_３、
Ｌａ_２Ｏ_３・０．２ＳｉＯ_２・０．９Ｐ_２Ｏ_５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ_２Ｏ_４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ_４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ^２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ^２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ_４Ｎ_７：Ｅｕ^２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ_２Ｏ_４Ｎ_７：Ｅｕ^２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ Examples of the material of the phosphor 20 that emits green light include the following.
However, the material of the phosphor 20 that emits green light is not limited to that illustrated.
ZnS: Cu, Al,
ZnS: Cu, Al + pigment,
(Zn, Cd) S: Cu, Al,
ZnS: Cu, Au, Al, + pigment,
Y ₃ Al ₅ O ₁₂ : Tb,
Y ₃ (Al, Ga) ₅ O ₁₂ : Tb,
Y ₂ SiO ₅ : Tb,
Zn ₂ SiO ₄ : Mn,
(Zn, Cd) S: Cu,
ZnS: Cu,
Zn ₂ SiO ₄ : Mn,
ZnS: Cu + Zn ₂ SiO ₄ : Mn,
Gd ₂ O ₂ S: Tb,
(Zn, Cd) S: Ag,
ZnS: Cu, Al,
Y ₂ O ₂ S: Tb,
ZnS: Cu, Al + In ₂ O ₃ ,
(Zn, Cd) S: Ag + In ₂ O ₃ ,
(Zn, Mn) ₂ SiO ₄ ,
BaAl ₁₂ O ₁₉ : Mn
(Ba, Sr, Mg) O.aAl ₂ O ₃ : Mn,
LaPO ₄ : Ce, Tb,
Zn ₂ SiO ₄ : Mn,
ZnS: Cu,
3 (Ba, Mg, Eu, Mn) O.8Al ₂ O ₃ ,
_{_{_{La 2 O 3 · 0.2SiO 2 ·}}} 0.9P 2 O 5: Ce, Tb,
CeMgAl ₁₁ O ₁₉ : Tb,
CaSc ₂ O ₄ : Ce,
(BrSr) SiO ₄ : Eu,
α-sialon: Yb ²⁺ ,
β-sialon: Eu ²⁺ ,
(SrBa) YSi ₄ N ₇ : Eu ²⁺ ,
(CaSr) Si ₂ O ₄ N ₇ : Eu ²⁺ ,
Sr (SiAl) (ON): Ce

黄色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例えば、以下のものを例示することができる。
ただし、黄色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例示をするものに限定されるわけではない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ_２Ｏ_８、
（Ｙ，Ｇｄ）_３，（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ^３＋、
Ｌｉ_２ＳｒＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））_３ＳｉＯ_５：Ｅｕ^２＋、
ＳｒＳｉ_２ＯＮ_２．７：Ｅｕ^２＋ Examples of the material of the phosphor 20 that emits yellow light include the following.
However, the material of the phosphor 20 that emits yellow light is not limited to that illustrated.
Li (Eu, Sm) W ₂ O ₈ ,
(Y, Gd) ₃ , (Al, Ga) ₅ O ₁₂ : Ce ³⁺ ,
Li ₂ SrSiO ₄ : Eu ²⁺ ,
(Sr (Ca, Ba)) ₃ SiO ₅ : Eu ²⁺ ,
SrSi ₂ ON _2.7 : Eu ²⁺

なお、波長変換部２２には、緑色の光を放射する第１の蛍光体、および黄色の光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかが設けられているようにすることができる。
例えば、波長変換部２２には、第１の蛍光体、または第２の蛍光体が設けられているようにすることができる。また、波長変換部２２には、第１の蛍光体および第２の蛍光体が混合された状態で設けられているようにすることもできる。 The wavelength converter 22 may be provided with at least one of a first phosphor that emits green light and a second phosphor that emits yellow light.
For example, the wavelength conversion unit 22 may be provided with a first phosphor or a second phosphor. Further, the wavelength converter 22 may be provided in a state where the first phosphor and the second phosphor are mixed.

波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。
波長変換部３２は、透光部３１（第２の透光部の一例に相当する）および蛍光体３０（第３の蛍光体の一例に相当する）を有する。
透光部３１は、蛍光体３０を保持する機能と、光を透過させる機能を有する。
透光部３１は、屈折率が１．０以上１．５以下であり、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料から形成することができる。
透光部３１の材料の屈折率は、透光部２１の材料の屈折率よりも低い。
この場合、透光部３１は、蛍光体３０の材料が有する屈折率に近い屈折率を有する材料から形成するのが好ましい。
例えば、蛍光体３０の材料が有する屈折率が１．３程度の場合には、透光部３１は、屈折率が１．３程度の材料から形成することができる。
屈折率が１．３程度の材料は、例えば、フッ素系樹脂などである。 The wavelength conversion unit 32 is provided on the wavelength conversion unit 22.
The wavelength conversion unit 32 includes a light transmitting unit 31 (corresponding to an example of a second light transmitting unit) and a phosphor 30 (corresponding to an example of a third phosphor).
The translucent part 31 has a function of holding the phosphor 30 and a function of transmitting light.
The light transmitting portion 31 can be formed of a material having a refractive index of 1.0 to 1.5 and a transmittance of 90% or more for light having a wavelength of 420 nm to 720 nm.
The refractive index of the material of the translucent part 31 is lower than the refractive index of the material of the translucent part 21.
In this case, the light transmitting part 31 is preferably formed from a material having a refractive index close to the refractive index of the material of the phosphor 30.
For example, when the refractive index of the material of the phosphor 30 is about 1.3, the light transmitting portion 31 can be formed of a material having a refractive index of about 1.3.
The material having a refractive index of about 1.3 is, for example, a fluorine resin.

蛍光体３０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体３０は、透光部３１の内部に分散して設けられている。
蛍光体３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
また、蛍光体３０の発光スペクトル３０ａは、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にある（図６を参照）。
また、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂは、５１０ｎｍ以下の波長域にある（図６を参照）。 The phosphor 30 can be granular. The plurality of phosphors 30 are provided dispersed inside the light transmitting portion 31.
The phosphor 30 absorbs light emitted from the light emitting element 13 and emits light having a peak wavelength in a wavelength region (red region) of 600 nm to 670 nm.
The emission spectrum 30a of the phosphor 30 is in the range of 600 nm to 670 nm (see FIG. 6).
Moreover, the excitation spectrum 30b of the phosphor 30 is in a wavelength region of 510 nm or less (see FIG. 6).

この様な、発光スペクトル３０ａおよび励起スペクトル３０ｂを有する蛍光体３０としては、例えば、複フッ化物蛍光体を例示することができる。
蛍光体３０が複フッ化物蛍光体である場合には、例えば、以下の組成を有する材料から形成されたものとすることができる。 As such a phosphor 30 having the emission spectrum 30a and the excitation spectrum 30b, for example, a double fluoride phosphor can be exemplified.
When the phosphor 30 is a double fluoride phosphor, for example, it can be formed from a material having the following composition.

Ｎ_２ＭＦ_６；Ｍｎ^４＋
ここで、Ｎは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのいずれかとすることができる。
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、およびＳｎのいずれかとすることができる。
なお、蛍光体３０に関する詳細は後述する。 N ₂ MF ₆ ; Mn ⁴⁺
Here, N can be any one of K, Li, Na, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, and Ba.
M can be any of Si, Ti, Zr, Hf, Ge, and Sn.
Details regarding the phosphor 30 will be described later.

反射部４０は、収納部１０ａの側壁面１０ａ１、および収納部１０ａの底面１０ａ２を覆うようにして設けられている。
なお、反射部４０は、側壁面１０ａ１および底面１０ａ２の少なくともいずれかを覆うように設けられていればよい。
また、反射部４０は、必ずしも必要ではなく、省略することもできる。
ただし、反射部４０を設けるようにすれば、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。
反射部４０は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する反射率が高い材料から形成することができる。
反射部４０は、例えば、白色の樹脂や、酸化チタンを含む粒子が分散している樹脂などから形成することができる。 The reflection unit 40 is provided so as to cover the side wall surface 10a1 of the storage unit 10a and the bottom surface 10a2 of the storage unit 10a.
In addition, the reflection part 40 should just be provided so that at least any one of the side wall surface 10a1 and the bottom face 10a2 may be covered.
Moreover, the reflection part 40 is not necessarily required and can also be abbreviate | omitted.
However, if the reflecting portion 40 is provided, the light extraction efficiency can be further improved.
The reflection part 40 can be formed from a material having a high reflectance with respect to light having a wavelength of 420 nm or more and 720 nm or less.
The reflection part 40 can be formed from, for example, a white resin or a resin in which particles containing titanium oxide are dispersed.

また、以上においては、基体が筐体１０である場合を例示したが、基体は基板などであってもよい。
例えば、板状の基板５０に発光素子１３を直接実装するＣＯＢ（Chip On Board）方式の発光装置５１や、フィルム状の基板に発光素子１３を直接実装するＣＯＦ（Chip On Film）方式の発光装置、ガラス基板に発光素子１３を直接実装するＣＯＧ(Chip on Glass）方式の発光装置などにも適用が可能である。 In the above description, the case where the base body is the casing 10 has been illustrated, but the base body may be a substrate or the like.
For example, a COB (Chip On Board) type light emitting device 51 in which the light emitting element 13 is directly mounted on a plate-like substrate 50, or a COF (Chip On Film) type light emitting device in which the light emitting element 13 is directly mounted on a film-like substrate. The present invention can also be applied to a COG (Chip on Glass) type light emitting device in which the light emitting element 13 is directly mounted on a glass substrate.

図２は、ＣＯＢ方式の発光装置５１を例示するための模式断面図である。
図２に示すように、発光装置５１には、基体である基板５０、配線部５１、配線部５２、発光素子１３、波長変換部２２、および波長変換部３２が設けられている。
基板５０は、板状を呈し、ガラスエポキシ樹脂やセラミックスなどから形成されている。
配線部５１および配線部５２は、基板５０一方の面に設けられている。配線部５１および配線部５２は、例えば、基板５０の表面に形成されたパターン配線などとすることができる。
発光素子１３は、配線部５１および配線部５２に電気的に接続されている。
波長変換部２２は、少なくとも発光素子１３の照射面１３ｄを覆うように設けられている。
波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。
以上は、ＣＯＢ方式の発光装置５１の場合であるが、基板５０が薄く柔軟なフィルム基板であれば、ＣＯＦ方式の発光装置とすることができる。
また、基板５０がガラス基板であれば、ＣＯＧ方式の発光装置とすることができる。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for illustrating a COB type light emitting device 51.
As shown in FIG. 2, the light emitting device 51 includes a substrate 50 that is a base, a wiring unit 51, a wiring unit 52, a light emitting element 13, a wavelength conversion unit 22, and a wavelength conversion unit 32.
The substrate 50 has a plate shape and is made of glass epoxy resin, ceramics, or the like.
The wiring part 51 and the wiring part 52 are provided on one surface of the substrate 50. The wiring part 51 and the wiring part 52 can be, for example, a pattern wiring formed on the surface of the substrate 50.
The light emitting element 13 is electrically connected to the wiring part 51 and the wiring part 52.
The wavelength conversion unit 22 is provided so as to cover at least the irradiation surface 13 d of the light emitting element 13.
The wavelength conversion unit 32 is provided on the wavelength conversion unit 22.
The above is the case of the COB light emitting device 51. However, if the substrate 50 is a thin and flexible film substrate, a COF light emitting device can be obtained.
If the substrate 50 is a glass substrate, a COG light emitting device can be obtained.

次に、波長変換部３２に設けられる蛍光体３０についてさらに説明する。
まず、比較例に係る発光装置１０１について説明する。
図３は、比較例に係る発光装置１０１における光の放射を例示するための模式断面図である。
図４は、発光装置１０１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。 Next, the phosphor 30 provided in the wavelength conversion unit 32 will be further described.
First, the light emitting device 101 according to the comparative example will be described.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for illustrating light emission in the light emitting device 101 according to the comparative example.
FIG. 4 is a graph for illustrating the spectral distribution in the light emitting device 101.

図３に示すように、発光装置１０１には、前述した発光装置１と同様に、筐体１０、配線部１２、発光素子１３、波長変換部２２、および波長変換部１３２が設けられている。また、発光装置１０１には、前述した配線部１１および反射部４０を設けることができる。
すなわち、発光装置１０１には、前述した波長変換部３２に代えて、波長変換部１３２が設けられている。
また、波長変換部１３２の配設位置が、波長変換部３２の配設位置とは異なるものとなっている。
すなわち、本実施の形態に係る発光装置１においては、発光素子１３の上に波長変換部２２が設けられ、波長変換部２２の上に波長変換部３２が設けられている。
一方、比較例に係る発光装置１０１においては、発光素子１３の上に波長変換部１３２が設けられ、波長変換部１３２の上に波長変換部２２が設けられている。 As shown in FIG. 3, the light emitting device 101 is provided with a housing 10, a wiring unit 12, a light emitting element 13, a wavelength conversion unit 22, and a wavelength conversion unit 132, similarly to the light emitting device 1 described above. Further, the light emitting device 101 can be provided with the wiring part 11 and the reflection part 40 described above.
That is, the light emitting device 101 includes a wavelength conversion unit 132 instead of the wavelength conversion unit 32 described above.
Further, the arrangement position of the wavelength conversion unit 132 is different from the arrangement position of the wavelength conversion unit 32.
That is, in the light emitting device 1 according to the present embodiment, the wavelength conversion unit 22 is provided on the light emitting element 13, and the wavelength conversion unit 32 is provided on the wavelength conversion unit 22.
On the other hand, in the light emitting device 101 according to the comparative example, the wavelength conversion unit 132 is provided on the light emitting element 13, and the wavelength conversion unit 22 is provided on the wavelength conversion unit 132.

波長変換部１３２は、透光部３１および蛍光体１３０を有する。
蛍光体１３０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体１３０は、透光部３１の内部に分散して設けられている。
蛍光体１３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
蛍光体１３０は、例えば、ＳｒＣａＳｉＮ：Ｅｕ^３＋などの窒化物蛍光体や、Ｓｒ_ｘ（Ｓｉ_ｙＡｌ_３）_ｚ（Ｏ_ｘＮ）：Ｅｕ^Ｘ＋などの酸化物蛍光体である。 The wavelength conversion unit 132 includes the light transmitting unit 31 and the phosphor 130.
The phosphor 130 may have a granular shape. The plurality of phosphors 130 are provided dispersed inside the light transmitting portion 31.
The phosphor 130 absorbs light emitted from the light emitting element 13 and emits light having a peak wavelength in a wavelength region (red region) of 600 nm to 670 nm.
The phosphor 130 is, for example, a nitride phosphor such as SrCaSiN: Eu ³⁺ or an oxide phosphor such as Sr _x (Si _y Al ₃ ) _z (O _x N): Eu ^{X +} .

蛍光体１３０が窒化物蛍光体の場合には、蛍光体１３０の発光スペクトル１３０ａは、図４に示すものとなる。
また、蛍光体１３０の励起スペクトル１３０ｂは、図４に示すものとなる。
また、蛍光体２０がＬｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ_２Ｏ_８などの黄色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａは、図４に示すものとなる。
すると、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａと、蛍光体１３０の励起スペクトル１３０ｂとが重なる領域Ａが生ずることになる。
そのため、蛍光体１３０は、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢだけではなく、蛍光体２０から放射された黄色の光ＬＹの一部をも吸収し、赤色の光ＬＲを放射することができる。 When the phosphor 130 is a nitride phosphor, the emission spectrum 130a of the phosphor 130 is as shown in FIG.
The excitation spectrum 130b of the phosphor 130 is as shown in FIG.
When the phosphor 20 emits yellow light such as Li (Eu, Sm) W ₂ O ₈ , the emission spectrum 20a of the phosphor 20 is as shown in FIG.
As a result, a region A in which the emission spectrum 20a of the phosphor 20 and the excitation spectrum 130b of the phosphor 130 overlap is generated.
Therefore, the phosphor 130 absorbs not only the blue light LB emitted from the light emitting element 13 but also a part of the yellow light LY emitted from the phosphor 20, and emits the red light LR. it can.

図３に示すように、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢの一部は、蛍光体１３０に入射し、蛍光体１３０から赤色の光ＬＲが放射される。
発光素子１３から放射された青色の光ＬＢの一部は、蛍光体２０に入射し、蛍光体２０から黄色の光ＬＹが放射される。
そのため、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢと、蛍光体１３０から放射された赤色の光ＬＲと、蛍光体２０から放射された黄色の光ＬＹとが混ざることで白色の光が発光装置１０１から放射される。 As shown in FIG. 3, part of the blue light LB emitted from the light emitting element 13 enters the phosphor 130, and the red light LR is emitted from the phosphor 130.
A part of the blue light LB emitted from the light emitting element 13 enters the phosphor 20, and the yellow light LY is emitted from the phosphor 20.
Therefore, the blue light LB emitted from the light emitting element 13, the red light LR emitted from the phosphor 130, and the yellow light LY emitted from the phosphor 20 are mixed, whereby white light is emitted from the light emitting device. 101 is emitted.

ところが、蛍光体２０からは蛍光体１３０側に向けても黄色の光ＬＹが放射される。そして、黄色の光ＬＹが蛍光体１３０に吸収されると、赤色の光ＬＲが蛍光体１３０から放射されることになる。
つまり、蛍光体２０から蛍光体１３０側に向け放射された黄色の光ＬＹの一部は、反射による取り出しを行うことができず、赤色の光ＬＲに変換されてしまうことになる。
そのため、発光効率が低下するおそれがある。
また、赤色の光ＬＲの量が増え、黄色の光ＬＹの量が減るため、蛍光体の量に基づいて所望の色味を得るのが困難となる。
この場合、蛍光体２０の量を増やせば、発光装置１０１から放射される黄色の光ＬＹの量を増やすことができる。ところが、黄色の光ＬＹを放射する蛍光体２０の発光効率は低いため、蛍光体２０の量を増やせば発熱量が増加して発光装置１０１の温度が上昇するおそれがある。
なお、以上のことは、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合も同様である。
また、蛍光体１３０が酸化物蛍光体の場合も同様である。 However, the yellow light LY is also emitted from the phosphor 20 toward the phosphor 130 side. When the yellow light LY is absorbed by the phosphor 130, the red light LR is emitted from the phosphor 130.
That is, a part of the yellow light LY emitted from the phosphor 20 toward the phosphor 130 cannot be extracted by reflection, and is converted into red light LR.
As a result, the light emission efficiency may be reduced.
Further, since the amount of red light LR increases and the amount of yellow light LY decreases, it becomes difficult to obtain a desired color based on the amount of phosphor.
In this case, if the amount of the phosphor 20 is increased, the amount of yellow light LY emitted from the light emitting device 101 can be increased. However, since the luminous efficiency of the phosphor 20 that emits the yellow light LY is low, if the amount of the phosphor 20 is increased, the amount of generated heat may increase and the temperature of the light emitting device 101 may increase.
The same applies to the case where the phosphor 20 emits green light.
The same applies when the phosphor 130 is an oxide phosphor.

また、黄色の光を放射する蛍光体２０の屈折率は、１．９６程度である。
緑色の光を放射する蛍光体２０の屈折率は、２．０程度である。
赤色の光を放射する蛍光体１３０の屈折率は、１．３４程度である。
そのため、外気に接する波長変換部２２の屈折率は、波長変換部１３２の屈折率よりも高くなる。
その結果、発光装置１０１の光の放射部分（波長変換部２２）の屈折率と、外気（空気）の屈折率との差が大きくなり、界面における反射が増加する。界面における反射が増加すると、光の取り出し効率が悪くなる。 The refractive index of the phosphor 20 that emits yellow light is about 1.96.
The refractive index of the phosphor 20 that emits green light is about 2.0.
The refractive index of the phosphor 130 that emits red light is about 1.34.
Therefore, the refractive index of the wavelength conversion unit 22 in contact with the outside air is higher than the refractive index of the wavelength conversion unit 132.
As a result, the difference between the refractive index of the light emitting portion (wavelength conversion unit 22) of the light emitting device 101 and the refractive index of the outside air (air) increases, and reflection at the interface increases. When reflection at the interface increases, light extraction efficiency deteriorates.

図５は、本実施の形態に係る発光装置１における光の放射を例示するための模式断面図である。
図６は、発光装置１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。
図６に示すように、蛍光体３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
また、蛍光体３０の発光スペクトル３０ａは、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にある。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for illustrating light emission in the light-emitting device 1 according to the present embodiment.
FIG. 6 is a graph for illustrating the spectral distribution in the light emitting device 1.
As shown in FIG. 6, the phosphor 30 absorbs light emitted from the light emitting element 13 and emits light having a peak wavelength in a wavelength region (red region) of 600 nm to 670 nm.
The emission spectrum 30a of the phosphor 30 is in the range of 600 nm to 670 nm.

ここで、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂは、５１０ｎｍ以下の波長域にある。
そのため、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａと、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂとが重なる領域Ａが生ずることがない。
なお、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０の発光スペクトルと、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂとが重なる領域が生じる場合がある。
しかしながら、重なる領域を小さくすることができる。 Here, the excitation spectrum 30b of the phosphor 30 is in a wavelength region of 510 nm or less.
Therefore, the region A where the emission spectrum 20a of the phosphor 20 and the excitation spectrum 30b of the phosphor 30 overlap does not occur.
When the phosphor 20 emits green light, a region where the emission spectrum of the phosphor 20 and the excitation spectrum 30b of the phosphor 30 overlap may occur.
However, the overlapping area can be reduced.

つまり、蛍光体３０は、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢを吸収し、赤色の光ＬＲを放射する。そして、蛍光体２０が黄色の光を放射するものであっても、蛍光体３０は、蛍光体２０から放射された黄色ＬＹを吸収することはない。蛍光体２０から放射された黄色ＬＹは、蛍光体３０を透過して外部に放出される。
また、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０から放射された緑色の光が蛍光体３０に吸収されるのを抑制することができる。
そのため、発光効率の向上を図ることができる。
本実施の形態に係る発光装置１とすれば、比較例に係る発光装置１０１の場合と比べて、発光効率を１５％程度向上させることができた。 That is, the phosphor 30 absorbs the blue light LB emitted from the light emitting element 13 and emits the red light LR. Even if the phosphor 20 emits yellow light, the phosphor 30 does not absorb the yellow LY emitted from the phosphor 20. The yellow LY emitted from the phosphor 20 passes through the phosphor 30 and is emitted to the outside.
In addition, when the phosphor 20 emits green light, the green light emitted from the phosphor 20 can be suppressed from being absorbed by the phosphor 30.
Therefore, the light emission efficiency can be improved.
With the light emitting device 1 according to the present embodiment, it was possible to improve the light emission efficiency by about 15% compared to the case of the light emitting device 101 according to the comparative example.

また、赤色の光ＬＲの量は、蛍光体３０の量により制御することができる。
黄色の光ＬＹの量は、蛍光体２０の量により制御することができる。
そのため、所望の色味を得るのが容易となる。
この場合、発光効率が低い蛍光体２０の量を抑制することができるので、発光装置１の温度が上昇するのを抑制することもできる。 The amount of red light LR can be controlled by the amount of phosphor 30.
The amount of yellow light LY can be controlled by the amount of phosphor 20.
Therefore, it becomes easy to obtain a desired color.
In this case, since the amount of the phosphor 20 having low light emission efficiency can be suppressed, it is possible to suppress the temperature of the light emitting device 1 from rising.

また、赤色の光を放射する蛍光体３０の屈折率は、１．３４程度である。
そのため、外気に接する波長変換部３２の屈折率は、波長変換部２２の屈折率よりも低くなる。
その結果、発光装置１の光の放射部分（波長変換部３２）の屈折率と、外気（空気）の屈折率との差が小さくなり、界面における反射を抑制することができる。界面における反射を減少させることができれば、光の取り出し効率を向上させることができる。 The refractive index of the phosphor 30 that emits red light is about 1.34.
Therefore, the refractive index of the wavelength conversion unit 32 in contact with the outside air is lower than the refractive index of the wavelength conversion unit 22.
As a result, the difference between the refractive index of the light emitting portion (wavelength converting portion 32) of the light emitting device 1 and the refractive index of the outside air (air) is reduced, and reflection at the interface can be suppressed. If reflection at the interface can be reduced, light extraction efficiency can be improved.

この場合、透光部２１の屈折率は、蛍光体２０の屈折率になるべく近くなるようにすることが好ましい。
また、透光部３１の屈折率は、蛍光体３０の屈折率になるべく近くなるようにすることが好ましい。
その様にすれば、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。 In this case, it is preferable that the refractive index of the light transmitting portion 21 be as close as possible to the refractive index of the phosphor 20.
Further, it is preferable that the refractive index of the light transmitting portion 31 is as close as possible to the refractive index of the phosphor 30.
By doing so, the light extraction efficiency can be further improved.

（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０１を例示するための模式断面図ある。
図７に示すように、発光装置１０１には、発光素子１１３、波長変換部２２（第３の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第４の波長変換部の一例に相当する）、接着層１０３、反射層１０６、第１電極１０７ａ、第２電極１０７ｂ、第１金属ポスト１０８ａ、第２金属ポスト１０８ｂ、絶縁層１０９、封止層１１０、第１金属層１１１ａ、および第２金属層１１１ｂが設けられている。 (Second Embodiment)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the light emitting device 101 according to the second embodiment.
As illustrated in FIG. 7, the light emitting device 101 includes a light emitting element 113, a wavelength conversion unit 22 (corresponding to an example of a third wavelength conversion unit), and a wavelength conversion unit 32 (corresponding to an example of a fourth wavelength conversion unit). Adhesive layer 103, reflective layer 106, first electrode 107a, second electrode 107b, first metal post 108a, second metal post 108b, insulating layer 109, sealing layer 110, first metal layer 111a, and first Two metal layers 111b are provided.

発光素子１１３は、第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ、及び活性層１１３ｃを有する半導体積層体と、第１電極１０７ａと、第２電極１０７ｂとを有する。
第２半導体層１１３ｂおよび活性層１１３ｃは、第１半導体層１１３ａよりも面積が小さい。
活性層１１３ｃは、第１半導体層１１３ａおよび第２半導体層１１３ｂにより挟まれている。
半導体積層体（第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ、及び活性層１１３ｃ）は、例えば、基板の上にエピタキシャル成長された後に、基板から分離されたものとすることができる。 The light-emitting element 113 includes a semiconductor stacked body including a first semiconductor layer 113a, a second semiconductor layer 113b, and an active layer 113c, a first electrode 107a, and a second electrode 107b.
The second semiconductor layer 113b and the active layer 113c have a smaller area than the first semiconductor layer 113a.
The active layer 113c is sandwiched between the first semiconductor layer 113a and the second semiconductor layer 113b.
The semiconductor stacked body (the first semiconductor layer 113a, the second semiconductor layer 113b, and the active layer 113c) can be separated from the substrate after being epitaxially grown on the substrate, for example.

第１半導体層１１３ａは、例えば、ｎ形半導体層である第１クラッド層である。第２半導体層１１３ｂは、例えば、ｐ形半導体層である第２クラッド層である。ただし、これら各層の導電形は、任意である。つまり、第１半導体層１１３ａがｐ形で、第２半導体層１１３ｂがｎ形であってもよい。 The first semiconductor layer 113a is, for example, a first cladding layer that is an n-type semiconductor layer. The second semiconductor layer 113b is, for example, a second cladding layer that is a p-type semiconductor layer. However, the conductivity type of each of these layers is arbitrary. That is, the first semiconductor layer 113a may be p-type and the second semiconductor layer 113b may be n-type.

発光素子１１３は、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍの反対面である第２主面Ｍ２とを有する。
第１主面Ｍ１は第１半導体層１１３ａの上面である。第２主面Ｍ２は、第１半導体層１１３ａの下面及び第２半導体層１１３ｂの下面であり、途中に段差を有している。つまり、第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ及び活性層１１３ｃを有する半導体積層体は、第１主面Ｍ１と、これとは反対側の第２主面Ｍ２とを有する。そして、半導体積層体の第２主面Ｍ２の側に、第１電極１０７ａと第２電極１０７ｂとが設けられている。 The light emitting element 113 has a first main surface M1 and a second main surface M2 that is the opposite surface of the first main surface M.
The first major surface M1 is the upper surface of the first semiconductor layer 113a. The second main surface M2 is the lower surface of the first semiconductor layer 113a and the lower surface of the second semiconductor layer 113b, and has a step in the middle. That is, the semiconductor stacked body including the first semiconductor layer 113a, the second semiconductor layer 113b, and the active layer 113c has the first main surface M1 and the second main surface M2 opposite to the first main surface M1. The first electrode 107a and the second electrode 107b are provided on the second main surface M2 side of the semiconductor stacked body.

波長変換部２２は、接着層１０３を介して、発光素子１１３の第１主面Ｍ１側に設けられている。
波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。 The wavelength conversion unit 22 is provided on the first main surface M1 side of the light emitting element 113 with the adhesive layer 103 interposed therebetween.
The wavelength conversion unit 32 is provided on the wavelength conversion unit 22.

反射層１０６は、ＡｇやＡｌ等の金属により形成されている。反射層１０６の厚みは、例えば、０．３マイクロメータである。反射層１０６は、第２半導体層１１３ｂの下面の全領域に設けられている。 The reflective layer 106 is made of a metal such as Ag or Al. The thickness of the reflective layer 106 is, for example, 0.3 micrometers. The reflective layer 106 is provided in the entire area of the lower surface of the second semiconductor layer 113b.

第１電極１０７ａは、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。第１電極１０７ａの厚みは、例えば、０．２マイクロメータである。第１電極１０７ａは、例えば、第１半導体層１１３ａの下面の露出領域に直径１００マイクロメータの円形状に設けられている。 The first electrode 107a can be a laminated film of Ni / Au, for example. The thickness of the first electrode 107a is, for example, 0.2 micrometers. For example, the first electrode 107a is provided in a circular shape having a diameter of 100 micrometers in the exposed region of the lower surface of the first semiconductor layer 113a.

各第２電極１０７ｂも、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。各第２電極１０７ｂの厚みは、例えば、０．２マイクロメータである。第２電極１０７ｂは、反射層１０６の下面に、例えば、直径１００マイクロメータの円形状に２００マイクロメータのピッチで設けられている。 Each second electrode 107b can also be a laminated film of Ni / Au, for example. The thickness of each second electrode 107b is, for example, 0.2 micrometers. The second electrodes 107b are provided on the lower surface of the reflective layer 106, for example, in a circular shape with a diameter of 100 micrometers at a pitch of 200 micrometers.

第１金属ポスト１０８ａは、例えば、Ｃｕ等の金属により円柱状に形成されている。第１金属ポスト１０８ａの高さは、例えば、１００マイクロメータ程度であり、その直径は、例えば、１００マイクロメータである。第１金属ポスト１０８ａは、第１電極１０７ａに導通している。なお、第１電極１０７ａ及び第１金属ポスト１０８ａの形状は、適宜変更可能である。 The first metal post 108a is formed in a columnar shape from a metal such as Cu, for example. The height of the first metal post 108a is, for example, about 100 micrometers, and the diameter thereof is, for example, 100 micrometers. The first metal post 108a is electrically connected to the first electrode 107a. Note that the shapes of the first electrode 107a and the first metal post 108a can be changed as appropriate.

各第２金属ポスト１０８ｂは、例えば、それぞれＣｕ等の金属により円柱状に形成されている。第２金属ポスト１０８ｂの高さは、例えば、１００マイクロメータであり、その直径は、例えば、１００マイクロメータである。第２金属ポスト１０８ｂは、第２電極１０７ｂに導通している。各第２金属ポスト１０８ｂは、各第２電極１０７ｂの配置と同様に、例えば、２００マイクロメータのピッチで設けられている。なお、第２電極１０７ｂ及び第２金属ポスト１０８ｂの形状も、適宜変更可能である。 Each second metal post 108b is formed in a columnar shape, for example, with a metal such as Cu. The height of the second metal post 108b is, for example, 100 micrometers, and the diameter thereof is, for example, 100 micrometers. The second metal post 108b is electrically connected to the second electrode 107b. The second metal posts 108b are provided at a pitch of 200 micrometers, for example, in the same manner as the arrangement of the second electrodes 107b. The shapes of the second electrode 107b and the second metal post 108b can also be changed as appropriate.

絶縁層１０９は、例えば、ＳｉＯ_２などの絶縁材料により形成されており、パッシベーション膜（保護膜）として機能する。絶縁層１０９の厚みは、例えば、０．３マイクロメータである。絶縁層１０９は、発光素子１１３をその端部まで完全に覆っており、第１電極１０７ａ及び各第２電極１０７ｂを除いて外部との導通を防止している。これにより、実装用はんだの這い上がりによるショート等を防ぐことができる。 The insulating layer 109 is made of, for example, an insulating material such as SiO ₂ and functions as a passivation film (protective film). The thickness of the insulating layer 109 is, for example, 0.3 micrometers. The insulating layer 109 completely covers the light emitting element 113 up to its end portion, and prevents electrical connection to the outside except for the first electrode 107a and the second electrodes 107b. Thereby, it is possible to prevent a short circuit or the like due to the rising of the mounting solder.

封止層１１０は、例えば、熱硬化性樹脂により形成されている。封止層１１０の厚みは各金属ポスト１０８ａ、１０８ｂと同様に１００マイクロメータ程度である。封止層１１０は、第１金属ポスト１０８ａの端部及び各第２金属ポスト１０８ｂの端部を露出させて第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂを封止するように絶縁層１０９の全面に設けられている。これにより、第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂの周面は、封止層１１０により完全に覆われている。
またさらに、封止層１１０は、発光素子１１３の側面も覆っている。すなわち、発光素子１１３の第１主面Ｍ１と第２主面Ｍ２との間にある側面は、絶縁層１０９を介して、封止層１１０により覆われている。封止層１１０を、発光素子１１３から放射される光に対して遮光性の材料により形成した場合、発光素子１１３の側面を封止層１１０で覆うことによって、発光素子１１３の側面からの光の漏れを防ぐことができる。 The sealing layer 110 is made of, for example, a thermosetting resin. The thickness of the sealing layer 110 is about 100 micrometers like each metal post 108a, 108b. The sealing layer 110 is formed of the insulating layer 109 so as to seal the first metal post 108a and each second metal post 108b by exposing the end of the first metal post 108a and the end of each second metal post 108b. It is provided on the entire surface. As a result, the peripheral surfaces of the first metal posts 108 a and the second metal posts 108 b are completely covered with the sealing layer 110.
Furthermore, the sealing layer 110 also covers the side surface of the light emitting element 113. That is, the side surface between the first main surface M1 and the second main surface M2 of the light emitting element 113 is covered with the sealing layer 110 with the insulating layer 109 interposed therebetween. In the case where the sealing layer 110 is formed using a material that blocks light emitted from the light-emitting element 113, the side surface of the light-emitting element 113 is covered with the sealing layer 110, so that light from the side surface of the light-emitting element 113 is transmitted. Leakage can be prevented.

なお、絶縁層１０９は、発光素子１１３をその端部まで完全に覆うように設けられているが、これに限られるものではない。例えば、封止層１１０が絶縁層１０９にかわって発光素子１１３をその端部まで完全に覆うように設けられてもよい。この場合でも、第１電極１０７ａ及び各第２電極１０７ｂを除いて外部との導通が防止されるので、実装用はんだの這い上がりによるショート等を防ぐことができる。 Note that although the insulating layer 109 is provided so as to completely cover the light emitting element 113 up to its end portion, it is not limited thereto. For example, the sealing layer 110 may be provided so as to completely cover the light emitting element 113 up to its end instead of the insulating layer 109. Even in this case, since the continuity with the outside is prevented except for the first electrode 107a and the second electrodes 107b, it is possible to prevent a short circuit or the like due to the rising of the mounting solder.

第１金属層１１１ａ及び各第２金属層１１１ｂは、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。第１金属層１１１ａは、第１金属ポスト１０８ａの端部、すなわち露出部分に設けられている。各第２金属層１１１ｂは、それぞれ各第２金属ポスト１０８ｂの端部、すなわち露出部分に設けられている。なお、第１金属層１１１ａは第１電極１０７ａと同じ円形状となり、第２金属層１１１ｂは第２電極１０７ｂと同じ円形状となる。 The first metal layer 111a and each second metal layer 111b can be, for example, a multilayer film such as Ni / Au. The first metal layer 111a is provided at an end portion of the first metal post 108a, that is, an exposed portion. Each second metal layer 111b is provided at an end portion of each second metal post 108b, that is, an exposed portion. The first metal layer 111a has the same circular shape as the first electrode 107a, and the second metal layer 111b has the same circular shape as the second electrode 107b.

発光装置１０１では、第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂに電圧が印加されると、第１金属ポスト１０８ａから第１半導体層１１３ａに電位が与えられ、各第２金属ポスト１０８ｂから第２半導体層１１３ｂに電位が与えられ、第１半導体層１１３ａと第２半導体層１１３ｂとに挟まれた活性層１１３ｃから光が放射される。放射された光の一部は、そのまま表面から放出され、他の一部は、反射層１０６により反射されて表面から放出される。 In the light emitting device 101, when a voltage is applied to the first metal post 108a and each second metal post 108b, a potential is applied from the first metal post 108a to the first semiconductor layer 113a, and the second metal post 108b generates a second voltage. A potential is applied to the second semiconductor layer 113b, and light is emitted from the active layer 113c sandwiched between the first semiconductor layer 113a and the second semiconductor layer 113b. Part of the emitted light is directly emitted from the surface, and the other part is reflected by the reflective layer 106 and emitted from the surface.

（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る発光装置１０１ａを例示するための模式断面図ある。
図８に示すように、発光装置１０１ａには、発光素子１１３、波長変換部２２（第３の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第４の波長変換部の一例に相当する）、接着層１０３、反射層１０６、第１電極１０７ａ、第２電極１０７ｂ、第１金属ポスト１０８ａ、第２金属ポスト１０８ｂ、絶縁層１０９、封止層１１０、第１金属層１１１ａ、第２金属層１１１ｂ、および透光層１０５が設けられている。
本実施の形態に係る発光装置１０１ａは、前述した発光装置１０１に透光層１０５をさらに加えたものである。 (Third embodiment)
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for illustrating a light emitting device 101a according to the third embodiment.
As shown in FIG. 8, the light emitting device 101a includes a light emitting element 113, a wavelength conversion unit 22 (corresponding to an example of a third wavelength conversion unit), and a wavelength conversion unit 32 (corresponding to an example of a fourth wavelength conversion unit). Adhesive layer 103, reflective layer 106, first electrode 107a, second electrode 107b, first metal post 108a, second metal post 108b, insulating layer 109, sealing layer 110, first metal layer 111a, second A metal layer 111b and a translucent layer 105 are provided.
A light emitting device 101a according to this embodiment is obtained by further adding a light-transmitting layer 105 to the light emitting device 101 described above.

透光層１０５は、発光素子１１３から放射される光に対する透光性を有する。透光層１０５は、無機材料や有機材料により形成されている。無機材料としては、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウムなどの各種の酸化物、窒化シリコンなどの各種の窒化物、フッ化マグネシウムなどの各種のフッ化物などを挙げることができる。有機材料としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂などを挙げることができる。 The light-transmitting layer 105 has a light-transmitting property with respect to light emitted from the light-emitting element 113. The light transmitting layer 105 is formed of an inorganic material or an organic material. Examples of the inorganic material include various oxides such as glass, quartz, and aluminum oxide, various nitrides such as silicon nitride, and various fluorides such as magnesium fluoride. Examples of the organic material include acrylic, epoxy, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, and silicone resin.

透光層１０５の厚みは、例えば、２００マイクロメータ程度とすることができる。透光層１０５の材料は、透明材料に限られるものではなく、発光素子１１３から放射される光を透過させるものであればよい。すなわち、透光層１０５の材料は、発光素子１１３から放射される光を完全に吸収あるいは反射するものでなければよい。 The thickness of the translucent layer 105 can be set to, for example, about 200 micrometers. The material of the light transmissive layer 105 is not limited to a transparent material, and any material that transmits light emitted from the light emitting element 113 may be used. That is, the material of the light transmissive layer 105 may be any material that does not completely absorb or reflect the light emitted from the light emitting element 113.

透光層１０５を設けることにより、第１半導体層１１３ａの屈折率と空気の屈折率との差が緩和されるので、光の取り出し効率を上げることができる。すなわち、第１半導体層１１３ａの屈折率と、空気の屈折率と、の中間の屈折率を有する透光層１０５とすることで、発光素子１１３から放射された光が発光素子１１３の光取り出し面において全反射されることを抑制できる。その結果として、発光素子１１３から放射された光を外部（空気中）に取り出す効率を向上させることができる。
この観点からは、透光層１０５は、屈折率が１〜２の範囲にある透光材料により形成することが望ましい。 By providing the light-transmitting layer 105, the difference between the refractive index of the first semiconductor layer 113a and the refractive index of air is reduced, so that the light extraction efficiency can be increased. That is, by using the light-transmitting layer 105 having a refractive index intermediate between the refractive index of the first semiconductor layer 113a and the refractive index of air, light emitted from the light emitting element 113 can be extracted from the light extraction surface of the light emitting element 113. Can be prevented from being totally reflected. As a result, the efficiency of extracting light emitted from the light emitting element 113 to the outside (in the air) can be improved.
From this point of view, it is desirable that the light transmissive layer 105 be formed of a light transmissive material having a refractive index in the range of 1 to 2.

透光層１０５は、例えば、レンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することもできる。これにより、発光素子１１３から放射された光の放射角を調整することができる。 The translucent layer 105 can also have an action of changing the traveling direction of light, such as a lens action or a refraction action. Thereby, the radiation angle of the light radiated from the light emitting element 113 can be adjusted.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was illustrated, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.

１発光装置、１ａ発光装置、１ｂ発光装置、１０筐体、１１配線部、１２配線部、１３発光素子、２０蛍光体、２１透光部、２２波長変換部、３０蛍光体、３１透光部、３２波長変換部、４０反射部、５０基板、５１発光装置、１１３発光素子、１０７ａ第１電極、１０７ｂ第２電極、１１３ａ第１半導体層、１１３ｂ第２半導体層、１１３ｃ活性層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device, 1a Light-emitting device, 1b Light-emitting device, 10 housing | casing, 11 wiring part, 12 wiring part, 13 light emitting element, 20 fluorescent substance, 21 translucent part, 22 wavelength conversion part, 30 fluorescent substance, 31 translucent part , 32 wavelength conversion unit, 40 reflection unit, 50 substrate, 51 light emitting device, 113 light emitting element, 107a first electrode, 107b second electrode, 113a first semiconductor layer, 113b second semiconductor layer, 113c active layer

Claims

発光素子と、
前記発光素子の上に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第１の波長変換部と、
前記第１の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第２の波長変換部と、
を備えた発光装置。 A light emitting element;
A first phosphor that is provided on the light emitting element and emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 500 nm to 555 nm; and a first phosphor that emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 560 nm to 580 nm. A first wavelength converter having at least one of the two phosphors;
A second phosphor provided on the first wavelength conversion unit, which emits light having a peak wavelength in a wavelength region of 600 nm to 670 nm and has a third phosphor having an excitation spectrum in a wavelength region of 510 nm or less; A wavelength converter;
A light emitting device comprising:

基板の上にエピタキシャル成長された後に前記基板から分離された半導体積層体を含み、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、を有する発光素子と、
前記発光素子の前記第２主面側に設けられた第１電極及び第２電極と、
前記発光素子の前記第１主面側に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第３の波長変換部と、
前記第３の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第４の波長変換部と、
を備えた発光装置。 A light emitting device including a semiconductor stacked body that is epitaxially grown on the substrate and then separated from the substrate, the light emitting device having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface;
A first electrode and a second electrode provided on the second main surface side of the light emitting element;
A first phosphor that is provided on the first main surface side of the light emitting element and emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 500 nm to 555 nm; and a peak wavelength in a wavelength range of 560 nm to 580 nm. A third wavelength converter having at least one of second phosphors that emit light;
A fourth light source is provided on the third wavelength conversion unit, emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 600 nm to 670 nm and has a third phosphor having an excitation spectrum in a wavelength range of 510 nm or less. A wavelength converter;
A light emitting device comprising:

前記第３の蛍光体は、以下の組成を有する材料を含む請求項１または２に記載の発光装置。
Ｎ_２ＭＦ_６；Ｍｎ^４＋
ここで、Ｎは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのいずれかである。
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、およびＳｎのいずれかである。 The light emitting device according to claim 1, wherein the third phosphor includes a material having the following composition.
N ₂ MF ₆ ; Mn ⁴⁺
Here, N is any one of K, Li, Na, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, and Ba.
M is any one of Si, Ti, Zr, Hf, Ge, and Sn.

前記第３の蛍光体は、複フッ化物蛍光体である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the third phosphor is a double fluoride phosphor.

前記第１の波長変換部は、第１の透光部を有し、
前記第２の波長変換部は、前記第１の透光部の屈折率よりも低い屈折率を有する第２の透光部を有する請求項１、３、４のいずれか１つに記載の発光装置。 The first wavelength conversion unit has a first light transmission unit,
5. The light emitting device according to claim 1, wherein the second wavelength conversion unit includes a second light transmitting part having a refractive index lower than a refractive index of the first light transmitting part. apparatus.

前記第２の透光部の屈折率は、１．０以上１．５以下である請求項５記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, wherein a refractive index of the second light transmitting part is 1.0 or more and 1.5 or less.

前記第２の透光部は、フッ素系樹脂を含む請求項５または６に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, wherein the second light transmitting part includes a fluorine-based resin.

前記第１の透光部の屈折率は、１．５を超え２．０以下である請求項５〜７のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 5 to 7, wherein a refractive index of the first light transmitting part is more than 1.5 and not more than 2.0.

前記第１の透光部は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料を含む請求項５〜８のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 5 to 8, wherein the first light transmitting portion includes a material having a transmittance of 90% or more for light having a wavelength of 420 nm or more and 720 nm or less.

前記第２の透光部は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料を含む請求項５〜９のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 5 to 9, wherein the second light transmitting portion includes a material having a transmittance of 90% or more for light having a wavelength of 420 nm or more and 720 nm or less.

前記発光素子は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 10, wherein the light emitting element emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 440 nm to 470 nm.