JP2015210945A - Contact connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、端子の接点接続構造に関する。 The present invention relates to a terminal contact connection structure.
従来から種々提案されている端子は、特許文献１や、図５〜８に示すようなメス端子１００とオス端子２００が提案されている。
Various terminals that have been proposed in the past have been proposed in
図５，６に示すように、メス端子１００は、四角形状の箱部１０１と、この箱部１０１に設けられ、箱部１０１内に配置された弾性撓み部１０２とを有している。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
弾性撓み部１０２には、底面側に向かって突出するインデント部１０３が設けられている。
The
インデント部１０３は、外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。
The
また、メス端子１００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
The
オス端子２００は、平板状のタブ部２０１を有している。オス端子２００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
The
このような端子では、図６に示すように、オス端子２００のタブ部２０１をメス端子１００の箱部１０１に挿入すると、弾性撓み部１０２が撓み変形してタブ部２０１の挿入が許容される。
In such a terminal, as shown in FIG. 6, when the
タブ部２０１の挿入過程では、タブ部２０１が弾性撓み部１０２のインデント部１０３上を摺動し、端子挿入完了位置では、図６，７に示すように、弾性撓み部１０２のインデント部１０３とタブ部２０１の面が接触する。
In the insertion process of the
この従来例では、弾性撓み部１０２の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子１００のインデント部１０３とオス端子２００のタブ部２０１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子１００とオス端子２００間が通電する。
In this conventional example, the
ところで、弾性撓み部１０２とタブ部２０１の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されている。両端子を錫メッキし、さらにリフロー処理を行うことで、図８に示すように、銅合金材の母材層Ａの外面側に銅／錫合金層Ｂ、錫メッキ層Ｃが形成されるとともに、錫メッキ層Ｃの外面に酸化膜Ｄが生成されている。
By the way, the outer surface of the
酸化膜Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜Ｄを破壊して錫メッキ層Ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作り、接触抵抗の低減を図る必要がある。 Since the oxide film D has a very high electrical resistivity compared to tin and copper, it is necessary to destroy the oxide film D and create a large number of contact surfaces (ohmic points) between the tin plating layers C to reduce the contact resistance. There is.
そして、従来の接点接続構造では、インデント部とタブ部の接触面間の接触荷重によって酸化膜を破壊し、酸化膜の破壊された箇所において、インデント部とタブ部のメッキ金属同士の接触が得られるようにしている。 In the conventional contact connection structure, the oxide film is destroyed by the contact load between the contact surfaces of the indent portion and the tab portion, and the contact between the plated metal of the indent portion and the tab portion is obtained at the location where the oxide film is destroyed. I am trying to do it.
しかしながら、従来例において説明した端子では、酸化膜の破壊を促進させるために接点部間の接点圧力を大きくすることが考えられるが、両端子が大型化したり構造が複雑になってしまうという課題があった。 However, in the terminal described in the conventional example, it is conceivable to increase the contact pressure between the contact portions in order to promote the destruction of the oxide film, but there is a problem that both terminals are enlarged and the structure becomes complicated. there were.
そこで、本発明は、上述した課題を解決するために、端子を大型化したり、構造を極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる端子を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a terminal capable of reducing contact resistance without increasing the size of the terminal or complicating the structure as much as possible in order to solve the above-described problems.
上記の課題を解決するために、請求項１記載の発明では、インデント部が突設され、表面にメッキ層が形成された第１接点部と、表面にメッキ層が形成された第２接点部とを有し、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、前記第１接点部の前記インデント部に形成されたメッキ層、および、前記第２接点部における端子挿入完了位置で前記インデント部が接触する領域に形成されたメッキ層には、光沢剤が含有されていることを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problem, in the invention according to
請求項２記載の発明では、請求項１に記載の接点接続構造であって、前記第１接点部に形成されたメッキ層の全体および前記第２接点部４に形成されたメッキ層の全体に光沢剤が含有されていることを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the contact connection structure according to the first aspect, wherein the entire plating layer formed on the first contact portion and the entire plating layer formed on the
請求項１記載の発明によれば、第１接点部のインデント部に形成されたメッキ層、および、第２接点部における端子挿入完了位置でインデント部が接触する領域に形成されたメッキ層に、光沢剤が含有されるようにしている。このように、メッキ層に光沢剤を含有させると、メッキ層に圧縮応力（残留応力）が発生することが知られている。 According to the first aspect of the present invention, the plating layer formed in the indent portion of the first contact portion, and the plating layer formed in the region where the indent portion contacts at the terminal insertion completion position in the second contact portion, A brightener is included. Thus, it is known that when a brightening agent is contained in the plating layer, a compressive stress (residual stress) is generated in the plating layer.
したがって、第１接点部のインデント部に形成されたメッキ層、および、第２接点部における端子挿入完了位置でインデント部が接触する領域に形成されたメッキ層には、圧縮応力が発生していることとなる。 Therefore, compressive stress is generated in the plating layer formed in the indent portion of the first contact portion and the plating layer formed in the region where the indent portion contacts at the terminal insertion completion position in the second contact portion. It will be.
このように、圧縮応力が発生した状態のメッキ層を形成することで、メッキ層の表面に形成された酸化膜にも圧縮応力が働くため、酸化膜の破壊をより促進することが可能となる。 Thus, by forming the plating layer in a state where compressive stress is generated, the compressive stress also acts on the oxide film formed on the surface of the plating layer, so that it is possible to further promote the destruction of the oxide film. .
その結果、酸化膜の破壊を促進させるために接点部間の接点圧力を大きくする必要がなくなり、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができるようになる。 As a result, it is not necessary to increase the contact pressure between the contact portions in order to promote the destruction of the oxide film, and the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or complicating it as much as possible.
また、請求項２記載の発明によれば、第１接点部に形成されたメッキ層の全体および第２接点部に形成されたメッキ層の全体に光沢剤が含有されるようにしている。そのため、メッキ処理工程を増加させることなく、第１接点部のインデント部に形成されたメッキ層、および、第２接点部における端子挿入完了位置でインデント部が接触する領域に形成されたメッキ層に圧縮応力を発生させることができるようになり、より容易に製造することができるようになる。 According to the second aspect of the present invention, the brightener is contained in the entire plating layer formed on the first contact portion and the entire plating layer formed on the second contact portion. Therefore, without increasing the plating process step, the plating layer formed on the indent portion of the first contact portion, and the plating layer formed on the region where the indent portion contacts at the terminal insertion completion position in the second contact portion. It becomes possible to generate a compressive stress and to manufacture more easily.
以下、本発明の実施の形態について、図１〜４を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
図１に示すように、本発明の端子接続構造が用いられる端子は、メス端子１と、オス端子２とからなっている。メス端子１は、図示しないメス側コネクタハウジング内の端子収容室に配置されている。
As shown in FIG. 1, a terminal in which the terminal connection structure of the present invention is used includes a
このメス端子１は、表面に錫メッキが施されており、第１接点部としての箱部３を備えている。
The
箱部３は、前方が開口された方形状に形成されおり、上面が内方へ折り曲げられて形成される弾性撓み部５ａと、下面から上面へ向けて突設する底面部５ｂとを備えている。
The
弾性撓み部５ａは、弾性を有しており、箱部３の上面から下面へ向けて傾斜して形成されている。また、弾性撓み部５ａの表面には、底面側へ向けて突出するインデント部７が形成されている。
The
インデント部７は、弾性撓み部５ａから球面状に突出しており、中心位置が球面状の最下方に位置している。インデント部７は、弾性撓み部５ａに形成されているため、上下方向へ変位可能である。
The indent portion 7 protrudes in a spherical shape from the elastic deflecting
底面部５ｂは、インデント部７と略対向する位置に所定の間隔を空けて形成されており、底面部５ｂと、インデント部７との間にオス端子２が挿入される。
The
オス端子２は、表面に錫メッキが施されており、第２接点部としてのタブ部４を備えている。
The
タブ部４は、先端がメス端子１の底面部５ｂとインデント部７との間に挿入される。
The
ところで、弾性撓み部５ａとタブ部４の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されており、銅合金材の母材層Ａの外面側に銅／錫合金層Ｂ、錫メッキ層Ｃが形成されるとともに、錫メッキ層Ｃの外面に酸化膜Ｄが生成されている（図８参照）。
By the way, the outer surface of the
この酸化膜Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜Ｄ同士を接触させたとしても良好な電気的接続を得ることができない。 Since this oxide film D has a very high electrical resistivity as compared with tin and copper, even if the oxide films D are brought into contact with each other, a good electrical connection cannot be obtained.
したがって、インデント部７とタブ部４の接触面間の接触荷重によってこの酸化膜Ｄを破壊して、酸化膜Ｄの破壊された箇所において、インデント部７とタブ部４のメッキ金属同士を接触させて、より良好な電気的接続を得られるようにするのが一般的である。
Therefore, the oxide film D is destroyed by the contact load between the contact surfaces of the indent portion 7 and the
このとき、酸化膜Ｄの破壊をより促進させることができるようにするのが好ましい。 At this time, it is preferable that the destruction of the oxide film D can be further promoted.
そこで、本実施形態では、酸化膜Ｄの破壊をより促進させることができるようにした。 Therefore, in this embodiment, the destruction of the oxide film D can be further promoted.
具体的には、第１接点部３のインデント部７に形成されたメッキ層Ｃに光沢剤を含有させるとともに、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃに光沢剤を含有させている。この光沢剤としては、公知の光沢剤を用いることができる。
Specifically, the brightening agent is contained in the plating layer C formed on the indent portion 7 of the
本実施形態では、第１接点部３に形成されたメッキ層Ｃの全体に光沢剤が含有されるとともに第２接点部４に形成されたメッキ層Ｃの全体に光沢剤が含有されるようにしている。
In the present embodiment, the entire plating layer C formed on the
すなわち、光沢剤が含有された錫を用いてメス端子１の表面にメッキ処理を施すとともに、光沢剤が含有された錫を用いてオス端子２の表面にメッキ処理を施している。
That is, the surface of the
このように、メッキ層に光沢剤を含有させると、メッキ層に圧縮応力（残留応力）が発生することが知られている。 Thus, it is known that when a brightening agent is contained in the plating layer, a compressive stress (residual stress) is generated in the plating layer.
したがって、図３に示すように、第１接点部３のインデント部７に形成されたメッキ層Ｃ、および、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃには、圧縮応力（残留応力）が発生していることとなる。
Therefore, as shown in FIG. 3, the plating layer C formed on the indent portion 7 of the
そして、圧縮応力が発生した状態のメッキ層Ｃを形成することで、メッキ層Ｃの表面に形成された酸化膜Ｄにも圧縮応力が働くこととなる。 Then, by forming the plating layer C in a state where compressive stress is generated, the compressive stress also acts on the oxide film D formed on the surface of the plating layer C.
次に、メス端子１とオス端子２とが電気的に接続される状態の一例を説明する。
Next, an example of a state in which the
まず、図１に示すように、オス端子２のタブ部４をメス端子１の箱部３の開口側から挿入する。箱部３の開口から挿入されたタブ部４は、インデント部７と底面部５ｂとの間に挿入される。このとき、タブ部４がインデント部７と底面部５ｂに摺動し、弾性撓み部５ａを上方へ押し上げてインデント部７と底面部５ｂとが離間する方向へ弾性変形する。
First, as shown in FIG. 1, the
さらにタブ部４をメス端子１に挿入すると、図２に示す端子挿入完了位置に達する。
When the
このように、端子挿入完了位置までタブ部４が挿入された状態では、弾性撓み部５ａに撓み復帰力が発生しており、この撓み復帰力によってインデント部７とタブ部４の接触面間に接触荷重が働くこととなる。
Thus, in the state where the
また、インデント部７およびタブ部４のメッキ層Ｃには光沢剤が含有されているため、メッキ層Ｃには圧縮応力が発生している。したがって、メッキ層Ｃの表面に形成された酸化膜Ｄにも圧縮応力が働いている。
Further, since the plating layer C of the indent portion 7 and the
このように、酸化膜Ｄに圧縮応力が働いた状態で、インデント部７とタブ部４の接触面間に接触荷重が働くことで、酸化膜Ｄにひび割れが生じやすくなる（図３参照）。
As described above, when the compressive stress is applied to the oxide film D, the contact load is applied between the contact surfaces of the indent portion 7 and the
そして、酸化膜Ｄにひび割れが生じると、メッキ層Ｃが酸化膜Ｄの隙間から表面に侵入することとなる（図４参照）。 When the oxide film D is cracked, the plating layer C enters the surface through the gap between the oxide films D (see FIG. 4).
このように、メッキ層Ｃが酸化膜Ｄの隙間から表面に侵入することで、図４に示すように、メッキ層Ｃ同士（インデント部７とタブ部４のメッキ金属同士）が接触して、より良好な電気的接続を得ることができる。 Thus, as the plating layer C enters the surface from the gap of the oxide film D, as shown in FIG. 4, the plating layers C (the plating metal of the indent portion 7 and the tab portion 4) contact each other, A better electrical connection can be obtained.
なお、本実施形態では、メッキ層Ｃに光沢剤を含有させることで、メッキ層Ｃに圧縮応力（残留応力）が発生するようにしているため、メッキ層Ｃの酸化膜Ｄに形成された隙間への侵入がより促進される。その結果、酸化膜Ｄに形成された隙間の拡大がより促進されることになり、メッキ層Ｃ同士（インデント部７とタブ部４のメッキ金属同士）の接触面積をより拡大させることができるようになる。 In this embodiment, since the plating layer C contains a brightening agent so that compressive stress (residual stress) is generated in the plating layer C, the gap formed in the oxide film D of the plating layer C The intrusion into is promoted more. As a result, the expansion of the gap formed in the oxide film D is further promoted, and the contact area between the plating layers C (the plating metals of the indent portion 7 and the tab portion 4) can be further increased. become.
以上説明したように、本実施形態では、第１接点部３のインデント部７に形成されたメッキ層Ｃ、および、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃに、光沢剤が含有されるようにしている。
As described above, in the present embodiment, the plating layer C formed on the indent portion 7 of the
したがって、第１接点部３のインデント部７に形成されたメッキ層Ｃ、および、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃには、圧縮応力が発生していることとなる。
Therefore, the plating layer C formed on the indent portion 7 of the
このように、圧縮応力が発生した状態のメッキ層Ｃを形成することで、メッキ層Ｃの表面に形成された酸化膜Ｄにも圧縮応力が働くため、酸化膜Ｄの破壊をより促進することが可能となる。 In this way, by forming the plating layer C in a state where the compressive stress is generated, the compressive stress also acts on the oxide film D formed on the surface of the plating layer C, so that the destruction of the oxide film D is further promoted. Is possible.
その結果、酸化膜Ｄの破壊を促進させるために接点部間の接点圧力を大きくする必要がなくなり、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができるようになる。特に、本実施形態によれば、接点部間の接点圧力が小さくなってしまったとしても、酸化膜Ｄを破壊することができるようになるため、端子の小型化を図り易くなるという利点がある。 As a result, it is not necessary to increase the contact pressure between the contact portions in order to promote the destruction of the oxide film D, and the contact resistance can be reduced without increasing the size of the terminal or making it as complex as possible. . In particular, according to the present embodiment, since the oxide film D can be broken even if the contact pressure between the contact portions is reduced, there is an advantage that the terminal can be easily downsized. .
また、本実施形態では、第１接点部３に形成されたメッキ層Ｃの全体および第２接点部４に形成されたメッキ層Ｃの全体に光沢剤が含有されるようにしている。
In the present embodiment, the brightener is contained in the entire plating layer C formed on the
すなわち、光沢剤が含有された錫を用いてメス端子１の表面にメッキ処理を施すとともに、光沢剤が含有された錫を用いてオス端子２の表面にメッキ処理を施している。
That is, the surface of the
こうすることで、メス端子１の表面にメッキ処理を施すだけでインデント部７に形成されたメッキ層Ｃに光沢剤を含有させることができる。また、オス端子２の表面にメッキ処理を施すだけで第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃに光沢剤を含有させることができる。
By doing so, the brightening agent can be contained in the plating layer C formed on the indent portion 7 only by plating the surface of the
このように、第１接点部３に形成されたメッキ層Ｃの全体および第２接点部４に形成されたメッキ層Ｃの全体に光沢剤が含有されるようにすることで、メッキ処理工程を増加させることなく、第１接点部３のインデント部７に形成されたメッキ層Ｃ、および、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に形成されたメッキ層Ｃに圧縮応力を発生させることができるようになる。その結果、より容易に端子を製造することができるため、より良好な電気的接続を得ることのできる接点接続構造をより容易に得ることができるようになる。
As described above, the brightening agent is contained in the entire plating layer C formed in the
なお、本実施形態では、弾性撓み部５ａとタブ部４の表面に錫メッキ層が形成されているが、本発明は、錫以外の酸化膜が形成されるメッキ層であれば同様の効果が得られる。
In the present embodiment, tin plating layers are formed on the surfaces of the
また、光沢剤が含有されたメッキ層は、少なくとも、第１接点部３のインデント部７、および、第２接点部４における端子挿入完了位置でインデント部７が接触する領域に設けられていればよく、第１接点部３の全体や第２接点部４の全体に設けられている必要はない。
In addition, the plating layer containing the brightener is provided at least in the indented portion 7 of the
３ 第１接点部（箱部）
４ 第２接点部（タブ部）
７ インデント部
3 1st contact part (box part)
4 Second contact part (tab part)
7 Indentation
Claims (2)
前記第１接点部の前記インデント部に形成されたメッキ層、および、前記第２接点部における端子挿入完了位置で前記インデント部が接触する領域に形成されたメッキ層には、光沢剤が含有されていることを特徴とする接点接続構造。 A first contact portion having an indented portion projecting and having a plated layer formed on the surface; and a second contact portion having a plated layer formed on the surface, wherein the indented portion of the first contact portion is the first contact portion. 2 is a contact connection structure that slides on the contact surface of the contact portion, and at the terminal insertion completion position, the indent portion contacts the second contact portion,
The plating layer formed on the indented portion of the first contact portion, and the plating layer formed on the region where the indented portion contacts at the terminal insertion completion position in the second contact portion contain a brightener. A contact connection structure characterized by that.
前記第１接点部に形成されたメッキ層の全体および前記第２接点部に形成されたメッキ層の全体に光沢剤が含有されていることを特徴とする接点接続構造。 The contact connection structure according to claim 1,
A contact connection structure, wherein a brightener is contained in the entire plating layer formed on the first contact portion and the entire plating layer formed on the second contact portion.
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| DE102016221017A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Yazaki Corporation | Vehicle driving assist device |
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