JP2015203863A - 撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 72
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 45
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 10
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims abstract description 10
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 9
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 8
- 125000003387 indolinyl group Chemical group N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims abstract description 8
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 224
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 59
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 33
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 17
- -1 alkoxysilane Chemical group 0.000 claims description 15
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229940063013 borate ion Drugs 0.000 claims description 10
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 claims description 4
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 claims description 4
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 125000000751 azo group Chemical class [*]N=N[*] 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical class [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DBULDCSVZCUQIR-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Cr+3].[Cr+3] DBULDCSVZCUQIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- IOXPXHVBWFDRGS-UHFFFAOYSA-N hept-6-enal Chemical compound C=CCCCCC=O IOXPXHVBWFDRGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEIVNMVWRDMSMJ-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;oxotitanium Chemical compound OO.[Ti]=O DEIVNMVWRDMSMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AYKOTYRPPUMHMT-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag] AYKOTYRPPUMHMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K trifluorogadolinium Chemical compound F[Gd](F)F TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
- G02B5/223—Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/10—The polymethine chain containing an even number of >CH- groups
- C09B23/107—The polymethine chain containing an even number of >CH- groups four >CH- groups
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
- G02B5/282—Interference filters designed for the infrared light reflecting for infrared and transparent for visible light, e.g. heat reflectors, laser protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
また、前記シアニン色素は、例えば600〜1200nmに極大吸収波長を有し、400〜600nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数と、600〜1200nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数との比が0.1以下のものを使用することができる。
一方、前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素と、バインダー樹脂とを含有する樹脂組成物により形成することができる。
そのとき、前記バインダー樹脂としては、400〜600nmに吸収極大波長を有しない熱硬化型又は光硬化型樹脂を用いることができる。
具体的には、前記バインダー樹脂には、シロキサン結合を主骨格とする樹脂を用いることができる。
前記赤外光吸収層は、更に、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる1又は2種以上の色素を含有していてもよい。
又は、前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素を含有する第1吸収層と、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第2吸収層とが積層されて構成されていてもよい。
前記赤外光吸収層の厚さは、例えば0.5〜200μmである。
本開示の撮像素子は、前記オンチップレンズを高屈折率材料により形成し、前記平坦化層を前記オンチップレンズよりも屈折率が低い低屈折率材料で形成することができる。
また、前記化学式1におけるX−は、例えば、テトラフルオロアンチモン酸イオン、ビス(ハロゲノアルキルスルホニル)イミドイオン、テトラキス(ハロゲノアルキル)ホウ酸イオン及びビス(ジカルボキシレート)ホウ酸イオンから選択される少なくとも1種のアニオンとすることができる。
更に、前記赤外光吸収層の上には、保護層が設けられていてもよい。
本開示の撮像素子は、高屈折率材料からなる第1反射層と、前記第1反射層よりも低屈折率材料からなる第2反射層とが交互に積層されたバンドパス層を備えていてもよい。
また、本開示の撮像素子は、最上層に光反射防止層が設けられていてもよい。
更に、本開示の撮像素子は、前記オンチップレンズと光電変換層との間にカラーフィルタ層を設けることもできる。
その場合、前記カラーフィルタ層は、600〜1200nmに極大吸収波長を有していてもよい。
本開示の撮像素子は、前記赤外光吸収層を支持する支持基板を有していてもよい。
また、本開示の撮像素子は、前記平坦化層上に接着層を設けることもできる。
また、本開示の撮像装置は、前記撮像素子の光電変換層に入射光を集光する撮像光学系を備え、前記撮像光学系の中又は前記撮像素子と前記撮像光学系との間に、赤外光を吸収又は反射する赤外光カットフィルタが設けられていてもよい。
1.第1の実施形態
(赤外光吸収層を備える撮像素子の例)
2.第2の実施形態
(赤外光吸収層上に保護層が設けられた撮像素子の例)
3.第3の実施形態
(最上層に光反射防止層が設けられた撮像素子の例)
4.第4の実施形態
(赤外光吸収層上に赤外光反射層が設けられた撮像素子の例)
5.第5の実施形態
(支持基板上に赤外光吸収層が形成されている撮像素子の例)
6.第6の実施形態
(赤外光吸収層を備える撮像装置の例)
先ず、本開示の第1の実施形態に係る撮像素子について説明する。図1は本実施形態の撮像素子の構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態の撮像素子10は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等の撮像装置に搭載されるものであり、図1に示すように、オンチップレンズ3、平坦化層4及び赤外光吸収層5等を備えている。具体的には、本実施形態の撮像素子10は、光電変換層1の上に、カラーフィルタ層2、オンチップレンズ3、平坦化層4及び赤外光吸収層5が、この順に形成されている。
光電変換層1は、入射した光を電気信号として検出するものであり、例えばシリコン等の基板11に、複数の光電変換素子12が形成されている。光電変換層1の構造は、特に限定されるものではなく、CCDやCMOS構造等を採用することができる。また、光電変換層1は、光電変換素子12が2次元的(行列状)に配置されたイメージセンサであってもよく、光電変換素子12が1次元的(線状)に配置されたラインセンサであってもよい。
カラーフィルタ層2は、例えば赤色波長帯域を透過させる赤色カラーフィルタ2R、緑色波長帯域を透過させる緑色カラーフィルタ2G及び青色波長帯域を透過させる青色カラーフィルタ2Bの3色のカラーフィルタにより構成されている。なお、カラーフィルタ層2を構成する各カラーフィルタの透過波長は、前述した赤色、緑色及び青色の3色に限定されるものではなく、撮像素子の仕様等に応じて適宜選択することができる。また、各カラーフィルタを形成する材料も、特に限定されるものではなく、公知の材料を用いることができる。
オンチップレンズ3は、入射光を光電変換素子12に集光するものであり、例えば光透過性を有し、屈折率が1.5よりも高い高屈折率材料で形成されている。オンチップレンズ3を形成する高屈折率材料としては、例えばSiN等の高屈折率の無機材料が挙げられるが、エピスルフィド系樹脂、チエタン化合物やその樹脂等の高屈折率の有機材料を用いることもできる。
平坦化層4は、オンチップレンズ3のレンズ形状を吸収し、表面を平坦化するものであり、例えば光透過性を有し、オンチップレンズ3よりも屈折率が小さい低屈折率材料により形成することができる。そして、平坦化層4からオンチップレンズ3に入射した光は、平坦化層4とオンチップレンズ3の界面において屈折し、各オンチップレンズ3に対応する光電変換素子12に集光される。
赤外光吸収層5は、撮像素子10への入射光から赤外光成分を除去するものであり、下記化学式2で表されるシアニン色素を含有しており、例えば平坦化層4上に形成されている。
次に、本実施形態の撮像素子10の動作について説明する。図2は本実施形態の撮像素子10の動作を示す概念図である。図2に示すように、本実施形態の撮像素子10に入射した光(入射光L)は、赤外光吸収層5により赤外光成分が除去される。その後、赤外光成分が除去された入射光Lは、平坦化層4とオンチップレンズ5との界面で屈折し、カラーフィルタ層2の各カラーフィルタ2R、2G、2Bによって、所定波長帯域以外の成分が除去された後、光電変換素子12に集光される。そして、各光電変換素子12に入射した光は、光電変換され、電気信号として出力される。
次に、本開示の第2の実施形態に係る撮像素子について説明する。図3は本実施形態の撮像素子の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図3においては、図1に示す第1の実施形態の撮像素子の構成要素と同じものには、同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図3に示すように、本実施形態の撮像素子20は、赤外光吸収層5の上面、側面又はその両方に保護層6が形成されている以外は、前述した第1の実施形態の撮像素子10と同様である。なお、図3には、赤外光吸収層5上に保護層6が形成されている例を示しているが、保護層6は赤外光吸収層5の側面上にのみ形成されていてもよく、また、赤外光吸収層5の上面及び側面の両方を覆うように形成することもできる。
保護層6は、赤外光吸収層5を化学的及び物理的に保護するものである。保護層6を形成する材料としては、酸化銀(I)(Ag2O)、一酸化銀(AgO)、酸化アルミニウム(Al2O3)、フッ化アルミニウム(AlF3)、フッ化バリウム(BaF2)、酸化セリウム(IV)(CeO2)、酸化クロム(III)(Cr2O3)、硫化クロム(III)(Cr2S3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、酸化ハフニウム(IV)(HfO2)、酸化インジウム錫(ITO)、フッ化ランタン(LaF3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化マグネシウム(MgO)、ヘキサフルオロアルミン酸ナトリウム(Na3AlF6)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、ニッケルクロム合金(Ni−Cr)、ニッケルクロム合金の窒化物(NiCrNx)、窒酸化物(OxNy)、窒化シリコン(SiN4)、酸化シリコン(SiO)、二酸化シリコン(SiO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、三酸化チタン(Ti2O3)、五酸化チタン(Ti3O5)、酸化チタン(TiO)、二酸化チタン(TiO2)、酸化タングステン(WO3)、酸化イットリウム(Y2O3)、フッ化イットリウム(YF3)、硫化亜鉛(ZnS)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)及び酸化インジウム(In2O3)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
次に、本開示の第3の実施形態に係る撮像素子について説明する。図4は本実施形態の撮像素子の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図4においては、図1及び図3に示す第1及び第2の実施形態の撮像素子の構成要素と同じものには、同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図4に示すように、本実施形態の撮像素子30は、最上層に光反射防止層7が設けられている以外は、前述した第2の実施形態の撮像素子20と同様である。なお、図4には、保護層6を備える撮像素子を例に示しているが、光反射防止層7は保護層のない撮像素子にも設けることができ、その場合は、赤外光吸収層5の上に光反射防止層7を形成すればよい。
光反射防止層7は、赤外光吸収層5の表面での光反射を抑制するものである。光反射は、屈折率が異なる物質の界面で生じる。そこで、光反射防止層7として、屈折率が赤外光吸収層5と空気の間にある材料からなる層や、高屈折率材料と低屈折率材料を積層した構造の層を設けることにより、赤外光吸収層5の表面での光反射を低減することができる。
次に、本開示の第4の実施形態に係る撮像素子について説明する。図5は本実施形態の撮像素子の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図5においては、図1及び図3に示す第1及び第2の実施形態の撮像素子の構成要素と同じものには、同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図5に示すように、本実施形態の撮像素子40は、赤外光吸収層5よりも上層にバンドパス層8が設けられている以外は、前述した第1の実施形態の撮像素子10と同様である。なお、本実施形態の撮像素子40においても、前述した第2の実施形態と同様に保護層が設けられていてもよく、その場合、保護層は、バンドパス層8よりも上層に設けられていてもよく、また、バンドパス層8と赤外光吸収層5との間に設けられていてもよい。更に、本実施形態の撮像素子40では、前述した第3の実施形態と同様に、最上層に光反射防止層を設けることもできる。
バンドパス層8は、紫色の光の一部若しくは全部と、それより短い波長の光、赤外光又はその両方を反射(遮蔽)するものであり、高屈折率材料からなる第1反射層と、この第1反射層よりも低屈折率材料からなる第2反射層とが交互に積層された構成となっている。
次に、本開示の第5の実施形態に係る撮像素子について説明する。図6は本実施形態の撮像素子の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図6においては、図1に示す第1の実施形態の撮像素子の構成要素と同じものには、同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図6に示すように、本実施形態の撮像素子50は、赤外光吸収層5を支持する支持基板51を備えており、赤外光吸収層5は接着層52を介して平坦化層4に積層されている以外は、前述した第1の実施形態の撮像素子10と同様である。なお、本実施形態の撮像素子50においても、前述した第2の実施形態と同様に保護層が設けられていてもよく、また、前述した第3の実施形態と同様に、最上層に光反射防止層を設けることもできる。更に、前述した第4の実施形態と同様に、バンドパス層8が設けられていてもよい。
支持基板51は、赤外光吸収層5を支持可能な強度と透明性を有する材料により形成することができ、ガラスや透明樹脂シート等を用いることができる。
接着層52は、平坦化層4と赤外光吸収層5とを接着可能で、透明性を有する材料により形成することができる。接着層52の材料としては、合成樹脂等が挙げられる。
次に、本開示の第6の実施形態に係る撮像装置について説明する。本実施形態の撮像装置は、前述した第1〜5のいずれかの実施形態の撮像素子と、撮像素子の光電変換層に入射光を集光する撮像光学系等を備えている。本実施形態の撮像装置は、赤外光吸収層を備える撮像素子を用いているため、別途赤外光カットフィルタを設けなくても、入射光に含まれる赤外光を除去することが可能であり、撮像装置の小型化や撮像光学系の薄型化を実現することができる。
(1)
オンチップレンズと、
前記オンチップレンズ上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層よりも上層に設けられ、下記化学式(A)で表されるシアニン色素を含有する赤外光吸収層と、
を有する撮像素子。
(ここで、R1及びR2は、鎖状若しくは環状のアルキル基、前記アルキル基中の1又は2以上の水素原子が、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルカノイルオキシ基、アミノ基、チオール基及びメルカプト基のうち少なくとも1種の官能基で置換されたもの、前記アルキル基の末端若しくはインドリン環から炭素数が2個以上離れた位置にビニル基、アクリル基、カルボニル基、カルボキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトリル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、ベンゾイルオキシ基及びシアノ基のうち少なくとも1種の反応性基が導入されたもの、フェニル基又はベンジル基であり、同一でも異なっていてもよい。また、X−は、アニオンを表す。)
(2)
前記シアニン色素は、前記化学式(A)におけるR1及びR2のいずれか一方又は両方が、炭素数が1〜16の直鎖状アルキル基、前記アルキル基の末端にシロキサン、アルコキシシラン、アクリル若しくはエポキシ構造を導入したもの、ポリエーテル基、ベンジル基又はフェニル基である(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記シアニン色素は、600〜1200nmに極大吸収波長を有し、かつ400〜600nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数と、600〜1200nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数との比が、0.1以下である(1)又は(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素と、バインダー樹脂とを含有する樹脂組成物により形成されている(1)〜(3)のいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記バインダー樹脂は、400〜600nmに吸収極大波長を有しない熱硬化型又は光硬化型樹脂である(4)に記載の撮像素子。
(6)
前記バインダー樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする樹脂である(4)又は(5)に記載の撮像素子。
(7)
前記赤外光吸収層は、更に、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる1又は2種以上の色素を含有する(1)〜(6)のいずれかに記載の撮像素子。
(8)
前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素を含有する第1吸収層と、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第2吸収層とが積層されて構成されている(1)〜(6)のいずれかに記載の撮像素子。
(9)
前記赤外光吸収層は、厚さが0.5〜200μmである(1)〜(8)のいずれかに記載の撮像素子。
(10)
前記オンチップレンズは高屈折率材料により形成されており、前記平坦化層は前記オンチップレンズよりも屈折率が低い低屈折率材料で形成されている(1)〜(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(11)
前記シアニン色素は、前記化学式(A)におけるX−が、テトラフルオロアンチモン酸イオン、ビス(ハロゲノアルキルスルホニル)イミドイオン、テトラキス(ハロゲノアルキル)ホウ酸イオン及びビス(ジカルボキシレート)ホウ酸イオンから選択される少なくとも1種のアニオンである(1)〜(10)のいずれかに記載の撮像素子。
(12)
前記赤外光吸収層の上に保護層が設けられている(1)〜(11)のいずれかに記載の撮像素子。
(13)
前記赤外光吸収層よりも上層に、高屈折率材料からなる第1反射層と、前記第1反射層よりも低屈折率材料からなる第2反射層とが交互に積層された赤外光反射層が設けられている(1)〜(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(14)
最上層に光反射防止層が設けられている(1)〜(13)のいずれかに記載の撮像素子。
(15)
前記オンチップレンズと光電変換層との間にカラーフィルタ層が設けられている(1)〜(14)のいずれかに記載の撮像素子。
(16)
前記カラーフィルタ層は、600〜1200nmに極大吸収波長を有する(15)に記載の撮像素子。
(17)
前記赤外光吸収層を支持する支持基板を有する(1)〜(15)のいずれかに記載の撮像素子。
(18)
前記平坦化層上に接着層が設けられている(1)〜(16)のいずれかに記載の撮像素子。
(19)
(1)〜(18)のいずれかに記載の撮像素子を備える撮像装置。
(20)
前記撮像素子の光電変換層に入射光を集光する撮像光学系を備え、
前記撮像光学系の中又は前記撮像素子と前記撮像光学系との間に、赤外光を吸収又は反射する赤外光カットフィルタが設けられている(19)に記載の撮像装置。
2 カラーフィルタ層
3 オンチップレンズ
4 平坦化層
5 赤外光吸収層
6 保護層
7 光反射防止層
8 バンドパス層
10、20、30、40、50 撮像素子
11 基板
12 光電変換素子
51 支持基板
52 接着層
Claims (20)
- オンチップレンズと、
前記オンチップレンズ上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層よりも上層に設けられ、下記化学式(A)で表されるシアニン色素を含有する赤外光吸収層と、
を有する撮像素子。
(ここで、R1及びR2は、鎖状若しくは環状のアルキル基、前記アルキル基中の1又は2以上の水素原子が、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルカノイルオキシ基、アミノ基、チオール基及びメルカプト基のうち少なくとも1種の官能基で置換されたもの、前記アルキル基の末端若しくはインドリン環から炭素数が2個以上離れた位置にビニル基、アクリル基、カルボニル基、カルボキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトリル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、ベンゾイルオキシ基及びシアノ基のうち少なくとも1種の反応性基が導入されたもの、フェニル基又はベンジル基であり、同一でも異なっていてもよい。また、X−は、アニオンを表す。) - 前記シアニン色素は、前記化学式(A)におけるR1及びR2のいずれか一方又は両方が、炭素数が1〜16の直鎖状アルキル基、前記アルキル基の末端にシロキサン、アルコキシシラン、アクリル若しくはエポキシ構造を導入したもの、ポリエーテル基、ベンジル基又はフェニル基である請求項1に記載の撮像素子。
- 前記シアニン色素は、600〜1200nmに極大吸収波長を有し、400〜600nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数と、600〜1200nmの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数との比が、0.1以下である請求項1に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素と、バインダー樹脂とを含有する樹脂組成物により形成されている請求項1に記載の撮像素子。
- 前記バインダー樹脂は、400〜600nmに吸収極大波長を有しない熱硬化型又は光硬化型樹脂である請求項4に記載の撮像素子。
- 前記バインダー樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする樹脂である請求項4に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層は、更に、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる1又は2種以上の色素を含有する請求項1に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素を含有する第1吸収層と、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第2吸収層とが積層されて構成されている請求項1に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層は、厚さが0.5〜200μmである請求項1に記載の撮像素子。
- 前記オンチップレンズは高屈折率材料により形成されており、前記平坦化層は前記オンチップレンズよりも屈折率が低い低屈折率材料で形成されている請求項1に記載の撮像素子。
- 前記シアニン色素は、前記化学式(A)におけるX−が、テトラフルオロアンチモン酸イオン、ビス(ハロゲノアルキルスルホニル)イミドイオン、テトラキス(ハロゲノアルキル)ホウ酸イオン及びビス(ジカルボキシレート)ホウ酸イオンから選択される少なくとも1種のアニオンである請求項1に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層の上に保護層が設けられている請求項1に記載の撮像素子。
- 高屈折率材料からなる第1反射層と、前記第1反射層よりも低屈折率材料からなる第2反射層とが交互に積層されたバンドパス層を備える請求項1に記載の撮像素子。
- 最上層に光反射防止層が設けられている請求項1に記載の撮像素子。
- 前記オンチップレンズと光電変換層との間にカラーフィルタ層が設けられている請求項1に記載の撮像素子。
- 前記カラーフィルタ層は、600〜1200nmに極大吸収波長を有する請求項15に記載の撮像素子。
- 前記赤外光吸収層を支持する支持基板を有する請求項1に記載の撮像素子。
- 前記平坦化層上に接着層が設けられている請求項1に記載の撮像素子。
- 請求項1に記載の撮像素子を備える撮像装置。
- 前記撮像素子の光電変換層に入射光を集光する撮像光学系を備え、
前記撮像光学系の中又は前記撮像素子と前記撮像光学系との間に、赤外光を吸収又は反射する赤外光カットフィルタが設けられている請求項19に記載の撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014085042A JP6535979B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 撮像素子及び撮像装置 |
US15/125,028 US10317593B2 (en) | 2014-04-16 | 2015-04-08 | Image device and imaging apparatus |
PCT/JP2015/001972 WO2015159509A1 (en) | 2014-04-16 | 2015-04-08 | Imaging device and apparatus with infrared absorbing filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014085042A JP6535979B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 撮像素子及び撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015203863A true JP2015203863A (ja) | 2015-11-16 |
JP2015203863A5 JP2015203863A5 (ja) | 2017-03-30 |
JP6535979B2 JP6535979B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=53039546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014085042A Expired - Fee Related JP6535979B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 撮像素子及び撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10317593B2 (ja) |
JP (1) | JP6535979B2 (ja) |
WO (1) | WO2015159509A1 (ja) |
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-
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- 2015-04-08 WO PCT/JP2015/001972 patent/WO2015159509A1/en active Application Filing
- 2015-04-08 US US15/125,028 patent/US10317593B2/en active Active
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---|---|
US10317593B2 (en) | 2019-06-11 |
JP6535979B2 (ja) | 2019-07-03 |
US20170023713A1 (en) | 2017-01-26 |
WO2015159509A1 (en) | 2015-10-22 |
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WO2024048513A1 (ja) | 光学フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170223 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |