JP2015191029A - スポットサイズ変換器 - Google Patents
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Abstract
【課題】偏波無依存で使用可能であり、かつ簡易に製造可能なスポットサイズ変換器を提供する。【解決手段】第1光導波路コア30と、第1光導波路コア30よりも屈折率の小さい第2光導波路コア40とを備える。第1光導波路コア30は、細線導波路部31、第1MFD径変換部36及び第2MFD径変換部37を有し、第1MFD径変換部は、細線導波路部と接続された第1領域32、及び第2MFD径変換部と接続された第2領域34とで構成される。細線導波路部31及び第1領域32は第1の厚さとされ、第2領域34及び第2MFD径変換部37は、第1の厚さよりも小さい第2の厚さとされている。第1領域32と第2領域との境界の幅は、細線導波路部31の幅よりも大きい。第2DMFD径変換部37は、第1MFD径変換部36と接続された一端から他端の方向に向かって幅が連続的に縮小する。【選択図】図1
Description
この発明は、光デバイスと光ファイバ等の外部素子との間の接続に用いられるスポットサイズ変換器に関する。
情報伝達量の増大に伴い、光配線技術が注目されている。光配線技術では、光ファイバや光導波路素子を伝送媒体とした光デバイスを用いて、情報処理機器内の素子間、ボード間又はチップ間等の情報伝達を光信号で行う。その結果、高速信号処理を要する情報処理機器においてボトルネックとなっている、電気配線の帯域制限を改善することができる。
このような光配線技術で用いられる光導波路素子として、リブ型導波路やシリコン(Si)細線導波路の構造を用いたものがある。Si細線導波路では、実質的に光の伝送路となる光導波路コアを、Siを材料として形成する。Siを材料とした光導波路コアは、例えば石英(すなわち酸化シリコン(SiO2))クラッドとの屈折率差が極めて大きいため、光導波路コア内に光を強く閉じ込めることができる。その結果、曲げ半径を例えば数μm程度まで小さくした、小型の曲線導波路を実現することができるため、光デバイス全体の小型化に有利である。
また、Siを用いる光導波路素子では、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の半導体装置の製造過程を流用することが可能とされる。そのため、チップ上に電子機能回路と光機能回路とを一括形成する光電融合(シリコンフォトニクス)の実現が期待されている。
一方で、Si細線導波路では、シングルモード条件を達成するために、光導波路コアの幅及び厚さがそれぞれ例えば数100nm程度に設定される。これに対して、光ファイバでは、シングルモード条件を達成するために、直径が例えば10μm程度に設定される。そのため、光デバイスの光導波路コアと例えば光ファイバ等の外部素子とを光学的に接続するために、これらの間においてモードフィールド径(MFD:Mode Field Diameter)を変換する必要がある。
MFDを変換する素子として、例えばスポットサイズ変換器がある。スポットサイズ変換器を外部素子と光デバイスの光導波路コアとの間に設置することによって、外部素子と光導波路コアとの間で入出力される光のMFDを縮小又は拡大することができる。
スポットサイズ変換器として、互いに屈折率の異なる第1光導波路コアと第2光導波路コアとを備える構造がある(例えば特許文献1参照)。特許文献1のスポットサイズ変換器では、第1光導波路コアは、例えばSiを材料として形成されている。また、第2光導波路コアは、Siよりも屈折率の小さい物質を材料として形成されている。そして、第2光導波路コアは、第1光導波路コアの一端側から、第1光導波路コアを部分的に被覆して形成されている。第2光導波路コアによって第1光導波路コアが被覆された領域が、第2光導波路コア及び第1光導波路コアのMFD変換領域として機能する。そして、MFD変換領域において、第1光導波路コアは、第2光導波路コアに被覆されている一端に向かって幅が連続的に縮小するテーパ形状となっている。第1光導波路コアは、MFD変換領域において幅が狭くなるに従って、幅方向の光の閉じ込め効果が小さくなる。
このような構造により、第1光導波路コアを、幅が縮小された一端の方向へ伝播する光は、徐々に第2光導波路コアに移行する。第2光導波路コアは、第1光導波路コアよりも屈折率が小さいため、第1光導波路コアから第2光導波路コアへ移行する光のMFDが拡大する。
ここで、特許文献1のスポットサイズ変換器では、第1光導波路コアの幅方向のみがテーパ形状となっている。そのため、第1光導波路コアは、第2光導波路コアに被覆されている一端付近において、幅よりも厚さが大きくなる部分を含む。その結果、第1光導波路コアの一端付近では、幅方向の光の閉じ込め効果が小さくなるのに対し、厚さ方向の光の閉じ込め効果が依然大きいままとなる。そのため、第1光導波路コアから第2光導波路コアへ伝播する光のエネルギー変換効率に偏波依存性が生じる。その結果、例えば第1光導波路コアから第2光導波路コアへ移行する光について、第1光導波路コアに被覆されている一端付近では、TM(Transverse Magnetic)偏波のMFDが十分に広がらない。
このような偏波依存性を解消する構造として、平面的なテーパすなわち幅方向のテーパに加えて、厚さ方向の断面形状をテーパ形状とした光導波路コアを備えるスポットサイズ変換器がある(例えば特許文献2参照)。特許文献2のスポットサイズ変換器では、光導波路コアの幅及び厚さが、入出力端に向かって連続的に縮小する。その結果、光導波路コアは、入出力端に向かうに従って、幅方向及び厚さ方向の光の閉じ込め効果が小さくなる。その結果、光導波路コアを入出力端に向かって伝播するTM偏波及びTE(Transverse Electric)偏波の双方について、MFDを拡大することができる。従って、特許文献2のスポットサイズ変換器は、偏波無依存のスポットサイズ変換器として使用することができる。
なお、特許文献2のスポットサイズ変換器では、光導波路コアに複数の段差が形成されている。この段差によって段階的に光導波路コアの厚さを小さくすることによって、光導波路コアの厚さ方向の断面形状をテーパ形状としている。
しかしながら、光導波路コアに複数の段差を形成するためには、複数回のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程が必要となる。そのため、光導波路コアの厚さ方向の断面形状をテーパ形状とする構造には、製造プロセスの複雑化、及びこれに伴う製造コストの増加といった問題がある。
そこで、この発明の目的は、偏波無依存で使用可能であり、かつ簡易に製造可能なスポットサイズ変換器を提供することにある。
上述した課題を解決するために、この発明によるスポットサイズ変換器は、以下の特徴を備えている。
この発明のスポットサイズ変換器は、クラッド層と、クラッド層上に形成された第1光導波路コアと、第1光導波路コアを被覆して形成された、第1光導波路コアよりも屈折率の小さい第2光導波路コアとを備える。第1光導波路コアは、細線導波路部、第1モードフィールド径(MFD)変換部及び第2モードフィールド径(MFD)変換部が、光の伝播方向に沿ってこの順に接続されて構成されている。第1MFD変換部は、細線導波路部と接続された第1領域、及び第2MFD変換部と接続された第2領域とが、光の伝播方向に沿ってこの順に接続されて構成されている。細線導波路部及び第1領域は第1の厚さで形成され、第2領域及び第2MFD変換部は、第1の厚さよりも小さい第2の厚さで形成されている。第1領域と第2領域との境界の幅は、細線導波路部の幅よりも大きく設定されている。第2MFD変換部は、第1MFD変換部と接続された一端から他端の方向に向かって幅が連続的に縮小するように形成されている。
この発明のスポットサイズ変換器では、光は、実質的な伝送路として機能する第1光導波路コアを伝播する。第1光導波路コアの厚さは、第1MFD変換部の第1領域と第2領域との境界において、第1の厚さからより厚さの小さい第2の厚さに切り替わる。すなわち第1領域と第2領域との境界が段差となっている。第1光導波路コアの厚さが第2の厚さとなる領域では、厚さ方向の光の閉じ込め効果が小さくなる。従って、例えば細線導波路部側から入力される光が、第1領域と第2領域との境界を経て伝播することによって、TM偏波のMFDが拡大される。なお、光導波路コアに段差を設ける場合には、この段差における光の散乱損失が問題となる。これに対し、この発明のスポットサイズ変換器では、段差となる第1領域と第2領域との境界の幅を、細線導波路部よりも拡大することによって、幅方向からの光の閉じ込め効果を大きく設定する。その結果、段差による光の散乱損失を抑制することができる。
また、この発明のスポットサイズ変換器では、第2MFD変換部が、一端から他端の方向に向かって、幅が連続的に狭まるように設定されている。第2MFD変換部では、幅が狭まるに従って幅方向の光の閉じ込め効果(すなわちTE偏波に対する閉じ込め効果)が小さくなる。そして、第2MFD変換部を他端の方向へ伝播する光が、徐々に第2光導波路コアに移行する。第2光導波路コアは、第2MFD変換部よりも屈折率が小さいため、第1光導波路コアから第2光導波路コアへ移行する光に含まれるTE偏波のMFDが拡大される。
このように、この発明のスポットサイズ変換器では、TE偏波及びTM偏波の双方のMFDを拡大することができる。そのため、偏波無依存のスポットサイズ変換器として使用可能である。
また、この発明のスポットサイズ変換器では、TM偏波のMFDの拡大を、1つの段差を設けて第1光導波路コアの厚さを切り替えることによって達成することができる。従って、例えば特許文献1に記載された従来のスポットサイズ変換器に対して、第2の厚さを形成するための厚さ低減加工を追加するのみで製造することができる。そのため、この発明のスポットサイズ変換器は、複雑な製造プロセスを行うことなく製造することができる。
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。
(構成)
図1及び図2を参照して、この発明の実施の形態によるスポットサイズ変換器について説明する。図1は、スポットサイズ変換器を示す概略的斜視図である。図2(A)は、スポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。図2(B)は、図2(A)に示すスポットサイズ変換器をI−I線で切り取った概略的端面図である。なお、図1及び図2(A)では、後述する第2光導波路コアを透明として示してある。
図1及び図2を参照して、この発明の実施の形態によるスポットサイズ変換器について説明する。図1は、スポットサイズ変換器を示す概略的斜視図である。図2(A)は、スポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。図2(B)は、図2(A)に示すスポットサイズ変換器をI−I線で切り取った概略的端面図である。なお、図1及び図2(A)では、後述する第2光導波路コアを透明として示してある。
スポットサイズ変換器100は、例えば半導体レーザや光ファイバ等の外部素子と光デバイスの光導波路コアとの間において、MFDを変換する素子として使用される。ここでは、スポットサイズ変換器100を利用して、光デバイスから外部素子へ送られる光のMFDを変換する場合の例について説明する。スポットサイズ変換器100は、一方の入出力端100aにおいて光デバイスの光導波路コアと光学的に接続される。また、他方の入出力端100bにおいて外部素子と光学的に接続される。そして、光デバイスから送られる光は、入出力端100aから第1のスポットサイズ変換器100へ入力され、光導波路コア30を経てMFDが変換された後、入出力端100bから外部素子へ送られる。
スポットサイズ変換器100は、順次に積層された、支持基板10と、クラッド層20と、第1光導波路コア30と、第2光導波路コア40とを備えて構成されている。なお、以下の説明では、支持基板10の厚さに沿った方向を厚さ方向とする。また、光の伝播方向に沿った方向を長さ方向とする。また、長さ方向及び厚さ方向に直交する方向を幅方向とする。
支持基板10は、例えば単結晶Siを材料とした平板状体で構成されている。
クラッド層20は、支持基板10上に、支持基板10の上面10aを被覆して形成されている。クラッド層20は、例えばSiO2を材料として形成されている。また、クラッド層20は、支持基板10への光の放射を防ぐために、3μm以上の厚さであるのが好ましい。
第1光導波路コア30は、クラッド層20の上面20aに、クラッド層20よりも大きい屈折率を有する例えばSiを材料として形成されている。
第1光導波路コア30は、細線導波路部31と第1MFD変換部36と第2MFD変換部37とが、光の伝播方向、すなわちスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから他方の入出力端100bの方向にこの順に接続されて一体的に構成されている。
第2光導波路コア40は、第1光導波路コア30を被覆して形成されている。第2光導波路コア40は、クラッド層20の屈折率よりも大きく、かつ第1光導波路コア30の屈折率よりも小さい屈折率を有する例えばSiOx(xは0<x<2を満たす実数)、SiN又はSiON等を材料として形成されている。
細線導波路部31は、スポットサイズ変換器100の入出力端100a側の一端31aにおいて、光デバイスの光導波路コアと接続される。従って、細線導波路部31の幅及び厚さは、光デバイスの光導波路コアと一致させて、例えばシングルモード条件を満たすように設定される。
第1MFD変換部36は、第1領域である第1テーパ部32と第1幅広部33と、第2領域である第2幅広部34と第2テーパ部35とが、光の伝播方向に沿ってこの順に接続されて一体的に構成されている。
第1テーパ部32は、細線導波路部31の他端31bの幅から、第1幅広部33の一端33aの幅へ、幅が連続的に拡大するように設定されている。第1テーパ部32を設けることによって、細線導波路部31から第1幅広部33へ伝播する光の反射を緩和することができる。
第1幅広部33及び第2幅広部34は、共通する一定の幅で形成されている。第1幅広部33及び第2幅広部34の幅は、細線導波路部31よりも大きく設定されている。これら第1幅広部33及び第2幅広部34は、境界39において、幅を一致させて接続されている。
第2テーパ部35は、第2幅広部34の一端34aの幅から、第2MFD変換部37の一端37aの幅へ、幅が連続的に縮小するように設定されている。第2テーパ部35を設けることによって、第2幅広部34から第2MFD変換部37へ伝播する光の反射を緩和することができる。
第2MFD変換部37は、一端37a側で第2テーパ部35と接続されている。第2MFD変換部37の一端37aの幅は、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅よりも小さく設定されている。そして、第2MFD変換部37は、一端37aから他端37bへの方向(スポットサイズ変換器100の入出力端100bに向かう方向)に沿って、幅が連続的に縮小するように設定されている。
ここで、細線導波路部31、第1テーパ部32及び第1幅広部33は、一定の厚さ(第1の厚さ)T1で形成されている。また、第2幅広部34、第2テーパ部35及び第2MFD変換部37は、第1の厚さT1よりも小さい一定の厚さ(第2の厚さ)T2で形成されている。そして、第1幅広部33と第2幅広部34との境界39は段差とされている。従って、第1光導波路コア30は、第1の厚さT1と第2の厚さT2との2つの厚さが、境界39において切り替わる構造とされている。
スポットサイズ変換器100では、入出力端100aから入力された光が、実質的な伝送路として機能する第1光導波路コア30を伝播する。上述したように、第1幅広部33と第2幅広部34との境界39における段差において、第1光導波路コア30の厚さが、第1の厚さT1からより厚さの小さい第2の厚さT2に切り替わる。第1光導波路コア30の厚さが第2の厚さT2となる領域では、厚さ方向の光の閉じ込め効果が小さくなる。従って、第1幅広部33と第2幅広部34との境界39を経ることによって、光に含まれるTM偏波のMFDが拡大される。
ここで、第1光導波路コア30に段差を設ける場合には、この段差における光の散乱損失が問題となる。これに対し、スポットサイズ変換器100では、段差を設ける第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を、細線導波路部31よりも拡大する。すなわち、段差となる第1幅広部33及び第2幅広部34の幅を拡大する。これによって、幅方向からの光の閉じ込め効果を大きく設定する。その結果、段差における光の散乱損失を抑制することができる。
また、スポットサイズ変換器100では、第2MFD変換部37が、一端37aから他端37bの方向に沿って、幅が連続的に狭まるように設定されている。第2MFD変換部37では、幅が狭まるに従って幅方向の光の閉じ込め効果(すなわちTE偏波に対する閉じ込め効果)が小さくなる。第2光導波路コア40は、第2MFD変換部37を被覆する部分において、周囲の空気及びクラッド層20と相まって、コアとして機能する。そして、第2MFD変換部37を他端37bの方向へ伝播する光が、徐々に第2光導波路コア40に移行する。第2光導波路コア40は、第2MFD変換部37よりも屈折率が小さいため、第1光導波路コアから第2光導波路コア40へ移行する光に含まれるTE偏波のMFDが拡大される。
このように、スポットサイズ変換器100では、TE偏波及びTM偏波の双方のMFDを拡大することができる。そのため、偏波無依存のスポットサイズ変換器として使用可能である。
なお、図1及び図2に示す構成例では、第2光導波路コア40が第1光導波路コア30の全体を被覆しているが、第2光導波路コア40は、少なくとも第1光導波路コア30の第2MFD変換部37を被覆していれば良い。また、スポットサイズ変換器100の他方の入出力端100bにおける、第2光導波路コア40の長さ方向に直交する断面寸法は、接続される外部素子のMFDに応じて適宜設定することができる。
また、この実施の形態では、第1MFD変換部36が、第1領域である第1テーパ部32と第1幅広部33と、第2領域である第2幅広部34と第2テーパ部35とを含む構成例について説明したが、第1幅広部33及び第2幅広部34を省略することもできる。その場合には、第1テーパ部32と第2テーパ部35とを、互いの最大幅を一致させて直接接続する。そして、これら第1テーパ部32(第1領域)と第2テーパ部35(第2領域)との境界を段差とすることができる。
また、この実施の形態では、第2テーパ部35及び第2MFD変換部37の幅の変化量を一致させることによって、これら第2テーパ部35及び第2MFD変換部37を一つの構成要素として形成することもできる。
また、この実施の形態では、第2光導波路コア40を含むスポットサイズ変換器100全体を被覆する上部クラッド層を設けることもできる。その場合には、上部クラッド層を、第2光導波路コア40よりも小さい屈折率を有する例えばSiO2等を材料として形成する。上部クラッド層を形成することによって、第2光導波路コア40を保護することができる。
(製造方法)
この実施の形態のスポットサイズ変換器100は、SOI(Silicon On Insulator)基板を利用することによって、容易に製造することができる。
この実施の形態のスポットサイズ変換器100は、SOI(Silicon On Insulator)基板を利用することによって、容易に製造することができる。
すなわち、まず、支持基板層、SiO2層、及びSi層が順次積層されて構成されたSOI基板を用意する。
次に、例えばフォトリソ技術及びエッチング技術を用い、Si層を第1光導波路コア30の平面形状に合わせてパターニングする。このとき、パターニング後のSi層が、第1の厚さT1となるように設定する。
次に、再び例えばフォトリソ技術及びエッチング技術を用いて、Si層の、第2幅広部34、第2テーパ部35及び第2MFD変換部37の形成予定領域の厚さを、第2の厚さT2となるように低減加工する。これによって、Si層から、第1の厚さT1を有する細線導波路部31、第1テーパ部32及び第1幅広部33、並びに第2の厚さT2を有する第2幅広部34、第2テーパ部35及び第2MFD変換部37を含む第1光導波路コア30が形成される。その結果、支持基板10としての支持基板層上にクラッド層20としてのSiO2層が積層され、さらにクラッド層20上に第1光導波路コア30が形成された構造体を得ることができる。
次に、例えばCVD法を用いて、クラッド層20上に、例えばSiOx(xは0<x<2)、SiN又はSiONを材料とした材料層を形成する。そして、平坦化を行った後、例えばフォトリソ技術及びエッチング技術を用いて、材料層をパターニングする。このパターニングによって、第2光導波路コア40が形成される。
このように、スポットサイズ変換器100は、SOI基板に対して、Si層のパターニング工程及び第2光導波路コア40の形成工程の組合せによって簡易に製造することができる。また、例えば特許文献1に記載された従来のスポットサイズ変換器に対して、第2の厚さT2を形成するための厚さ低減加工を追加するのみで製造することができる。従って、この実施の形態では、複雑な製造プロセスを行うことなく、偏波無依存で使用可能なスポットサイズ変換器100を製造することができる。
(パラメータ設計)
発明者は、スポットサイズ変換器100の幾何学的なパラメータを設計するためのシミュレーションを行った。
発明者は、スポットサイズ変換器100の幾何学的なパラメータを設計するためのシミュレーションを行った。
まず、発明者は、第1光導波路コア30における第2MFD変換部37から第2導波路コア40へのMFDの変換に好適な第2の厚さT2を決定するため、光導波路コアの厚さとMFDの変換損失(モード変換損失)との関係を、セミベクトルBPM(Beam Propagation Method)を用いて確認した。
ここでは、上述したスポットサイズ変換器100から、第1MFD変換部36を除き、細線導波路部31と第2MFD変換部37とを直接接続する構造を想定した。なお、この構造では、段差を設けず、細線導波路部31及び第2MFD変換部37の厚さを一致させた。また、第2光導波路コア40の材料を、屈折率が1.51であるSiOx(xは0<x<2を満たす実数)とした。また、スポットサイズ変換器100の入出力端100bにおける、第2光導波路コア40の厚さ及び幅をともに3μmとした。また、第2MFD変換部37の最小幅(すなわち他端37bの幅)を80nmとし、長さを500nmとした。
このような段差を設けないスポットサイズ変換器に対して、入出力端100aから波長1550nmの光を入力した。そして、細線導波路部31及び第2MFD変換部37を含む第1光導波路コア30の厚さ全体を変化させつつ、入出力端100bから出力されるTE偏波及びTM偏波それぞれのモード変換損失を確認した。
このシミュレーションの結果を、図3(A)に示す。図3(A)は、波長1550nmの光を用いる場合における、光導波路コアの厚さとモード変換損失との関係を示す図である。図3(A)では、縦軸にモード変換損失をdB目盛で、また、横軸に細線導波路部31及び第2MFD変換部37からなる第1光導波路コア30の厚さをnm単位でとって示してある。なお、図3(A)において、◆はTE偏波の結果を、また、■はTM偏波の結果をそれぞれ示してある。
図3(A)に示されるように、第1光導波路コア30の厚さが130〜200nm程度の範囲内であるときに、TE偏波及びTM偏波のモード変換損失がともに小さくなることが確認できる。特に第1光導波路コア30の厚さが180nm程度である場合には、TM偏波のモード変換損失が極めて小さくなる。従って、第1光導波路コア30の厚さを、130〜200nm程度の範囲内、好ましくは180nm程度に設定することによって、スポットサイズ変換器を偏波無依存で使用することができる。
ここで、スポットサイズ変換器と接続される光デバイスの光導波路に、曲げ導波路等が含まれることを想定する。その場合には、光デバイスの光導波路コアの厚さが少なくとも220nm程度となる。そして、スポットサイズ変換器の細線導波路部31の厚さは、光デバイスの光導波路コアと一致させる必要がある。しかし、図3(A)を参照すると、第1光導波路コア30の厚さが220nm以上となる場合、TM偏波のモード変換損失が著しく大きくなることがわかる。従って、第1光導波路コア30全体の厚さを220nm以上に設定すると、段差を設けないスポットサイズ変換器は、偏波無依存で使用することが困難となる。
これに対し、この実施の形態のスポットサイズ変換器100では、段差が設けられることによって、第1光導波路コア30の厚さを切り替えることができる。そして、細線導波路部31の厚さを含む、第1光導波路コア30の第1の厚さT1を、光デバイスと接続するのに好適な220nmに設定する。そして、外部素子と接続される第2MFD変換部37の厚さを含む第2の厚さT2を、TE偏波及びTM偏波のモード変換損失がともに小さくなる180nmに設定する。その結果、損失を抑制しつつ、光デバイス及び外部素子の双方と偏波無依存で接続することができる。
次に、発明者は、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を決定するために、光導波路コアの幅と散乱損失との関係を、FDTD(Finite Differential Time Domain)法を用いて確認した。
ここでは、図1及び図2に示すスポットサイズ変換器100において、第2の厚さT2を180nmに設定する場合を想定した。そして、様々な第1の厚さT1について、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を変化させつつ、第1幅広部33及び第2幅広部34間の段差における光の散乱損失を確認した。なお、用いた光の波長は1550nmとした。
このシミュレーションの結果を、図3(B)に示す。図3(B)は、波長1550nmの光を用いる場合における、段差を有する光導波路コアの幅と散乱損失との関係を示す図である。図3(B)では、縦軸に散乱損失をdB目盛で、また、横軸に第1幅広部33及び第2幅広部34の幅をμm単位でとって示してある。なお、図3(B)において、◆は第1の厚さT1を220nmとした場合の結果を、■は第1の厚さT1を240nmとした場合の結果を、▲は第1の厚さT1を260nmとした場合の結果を、×は第1の厚さT1を280nmとした場合の結果を、*は第1の厚さT1を300nmとした場合の結果をそれぞれ示してある。
図3(B)に示されるように、第1の厚さT1が大きくなり、その結果、第1の厚さT1と第2の厚さT2との比が大きくなるほど、段差における散乱損失が大きくなる。そして、第1の厚さT1と第2の厚さT2との比が大きい場合においても、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を大きく設定することによって、散乱損失が抑制されることが確認された。
発明者は、図3(A)及び(B)の結果に基づき、波長1550nmの光を利用する場合における、スポットサイズ変換器100の幾何学的なパラメータの好適例を決定した。すなわち、図3(A)に基づき、第1光導波路コア30の第1の厚さT1を220nm、及び第2の厚さT2を180nmとした。そして、これら第1の厚さT1及び第2の厚さT2を、第1幅広部33及び第2幅広部34間の段差で切り替える場合に、散乱損失を抑制可能な第1幅広部33及び第2幅広部34の幅を、図3(B)に基づき設定した。ここでは、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅を3μmとした。また、第2光導波路40の材料を、屈折率が1.51であるSiOx(xは0<x<2を満たす実数)とした。また、入出力端100bにおける、第2光導波路コア40の厚さ及び幅をともに3μmとした。また、第2MFD変換部37の最小幅(すなわち他端37bの幅)を80nmとし、長さを500nmとした。また、第1テーパ部32及び第2テーパ部35の長さをそれぞれ500nmとした。このような設計条件において、セミベクトルBPMとFDTD法を用いて、入出力端100bから出力されるTE偏波及びTM偏波それぞれのモード変換損失を確認した。その結果、TE偏波のモード変換損失は−0.44dBとなった。また、TM偏波のモード変換損失は−1.12dBとなった。
ここで、図3(A)を参照すると、第1光導波路コア30全体の厚さを220nmに設定する場合には、TM偏波のモード変換損失は−2.0dB程度である。従って、第1光導波路コア30に段差を設けたこの実施の形態のスポットサイズ変換器100では、TM偏波のモード変換損失を0.9dB程度改善できることが確認された。
次に、発明者は、スポットサイズ変換器に入力する光の波長を1310nmとした場合について、上述した光導波路コアの厚さとモード変換損失との関係(図3(A)参照)及び段差を有する光導波路コアの幅と散乱損失との関係(図3(B)参照)を確認した。ここでは、スポットサイズ変換器の各パラメータを、図3(A)及び(B)を得たシミュレーションと同様の条件とし、使用する波長を1550nmから1310nmに変更した。この結果を図4(A)及び(B)に示す。
図4(A)は、波長1310nmの光を用いる場合における、光導波路コアの厚さとモード変換損失との関係を示す図である。図4(A)では、縦軸にモード変換損失をdB目盛で、また、横軸に細線導波路部31及び第2MFD変換部37からなる第1光導波路コア30の厚さをnm単位でとって示してある。なお、図4(A)において、◆はTE偏波の結果を、また、■はTM偏波の結果をそれぞれ示してある。
図4(A)に示されるように、波長1310nmの光を用いる場合には、第1光導波路コア30の厚さがおよそ160nm以下であるときに、TE偏波及びTM偏波のモード変換損失がともに小さくなることが確認できる。例えば第1光導波路コア30の厚さが140nm程度である場合には、TM偏波のモード変換損失が極めて小さくなる。従って、第1光導波路コア30の厚さを、およそ160nm以下の範囲内、好ましくは140nm程度に設定することによって、スポットサイズ変換器を偏波無依存で使用することができる。
また、図4(B)は、波長1310nmの光を用いる場合における、段差を有する光導波路コアの幅と散乱損失との関係を示す図である。なお、ここでは、上述した波長1550nmの光を利用する場合と条件を合わせて、第2の厚さT2を180nmに設定する場合を想定した。図4(B)では、縦軸に散乱損失をdB目盛で、また、横軸に第1幅広部33及び第2幅広部34の幅をμm単位でとって示してある。なお、図4(B)において、◆は第1の厚さT1を220nmとした場合の結果を、■は第1の厚さT1を240nmとした場合の結果を、▲は第1の厚さT1を260nmとした場合の結果を、×は第1の厚さT1を280nmとした場合の結果を、*は第1の厚さT1を300nmとした場合の結果をそれぞれ示してある。
図4(B)に示されるように、波長1310nmの光を用いる場合においても、第1の厚さT1が大きくなり、その結果、第1の厚さT1と第2の厚さT2との比が大きくなるほど、段差における散乱損失が大きくなる。そして、第1の厚さT1と第2の厚さT2との比が大きい場合においても、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を大きく設定することによって、散乱損失が抑制されることが確認された。
図3(A)及び(B)並びに図4(A)及び(B)の結果から、例えば波長1310〜1550nmの光に対して、スポットサイズ変換器100を利用する場合には、第2の厚さT2を例えば130〜160nm程度の範囲内に設定することによって、偏波無依存に使用することができる。そして、第1光導波路コア30の第1の厚さT1と第2の厚さT2との比に応じて、第1幅広部33及び第2幅広部34の幅W1を設定することによって、段差における散乱損失を抑制できる。
10:支持基板
20:クラッド層
30:第1光導波路コア
31:細線導波路部
32:第1テーパ部
33:第1幅広部
34:第2幅広部
35:第2テーパ部
36:第1MFD変換部
37:第2MFD変換部
39:境界
40:第2光導波路コア
100:スポットサイズ変換器
20:クラッド層
30:第1光導波路コア
31:細線導波路部
32:第1テーパ部
33:第1幅広部
34:第2幅広部
35:第2テーパ部
36:第1MFD変換部
37:第2MFD変換部
39:境界
40:第2光導波路コア
100:スポットサイズ変換器
Claims (3)
- クラッド層と、該クラッド層上に形成された第1光導波路コアと、該第1光導波路コアを被覆して形成された、前記第1光導波路コアよりも屈折率の小さい第2光導波路コアと
を備え、
前記第1光導波路コアは、細線導波路部、第1モードフィールド径変換部及び第2モードフィールド径変換部が、光の伝播方向に沿ってこの順に接続されて構成されており、
前記第1モードフィールド径変換部は、前記細線導波路部と接続された第1領域、及び前記第2モードフィールド径変換部と接続された第2領域とが、光の伝播方向に沿ってこの順に接続されて構成されており、
前記細線導波路部及び前記第1領域は第1の厚さで形成され、前記第2領域及び前記第2モードフィールド径変換部は、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さで形成され、
前記第1領域と前記第2領域との境界の幅は、前記細線導波路部の幅よりも大きく設定されており、
前記第2モードフィールド径変換部は、前記第1モードフィールド径変換部と接続された一端から他端の方向に向かって幅が連続的に縮小するように形成されている
ことを特徴とするスポットサイズ変換器。 - 前記第1領域と前記第2領域との境界の幅は、該境界を経て伝播する光の散乱損失を抑制可能な幅に設定されている
ことを特徴とする請求項1に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記第1領域は、第1テーパ部及び第1幅広部を含み、
前記第2領域は、第2幅広部及び第2テーパ部を含み、
前記第1幅広部及び前記第2幅広部は、一定の幅で形成され、かつ前記境界において幅を一致させて接続されており、
前記第1テーパ部は、前記細線導波路部と前記第1幅広部との間に形成され、かつ前記細線導波路部の幅から前記第1幅広部の幅へ、幅が連続的に拡大するように設定されており、
前記第2テーパ部は、前記第2幅広部と前記第2モードフィールド径変換部の間に形成され、かつ前記第2幅広部の幅から前記第2モードフィールド径変換部の一端の幅へ、幅が連続的に縮小するように設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のスポットサイズ変換器。
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