JP2015185815A - 研磨パッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】冷却効果を発揮する研磨パッド、その研磨パッドを用いた研磨方法、及びその研磨パッドを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨パッドは、化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含んでいる。研磨方法及び半導体装置の製造方法は、研磨対象物を研磨面で研磨する研磨工程と、研磨工程以前に研磨層の研磨面をドレスして冷却剤を露出させその冷却剤で研磨面を冷却するドレッシング工程と、を含む。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、研磨パッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing/CMP)は、半導体装置の製造において欠くことのできない技術である。このCMPでは、温度によって化学反応速度が変化するため、研磨対象物であるウェーハなどと接する研磨パッドは表面温度を適切に制御する必要がある。従来、研磨パッドの冷却方法としては、例えば研磨パッドに対して冷却用の空気を吹き付け、その気化熱により冷却する方法がある。
しかし、この方法では、空気を吹き出すためのノズルを研磨装置に設けるなど、大がかりな研磨装置の変更が必要となる。
しかし、この方法では、空気を吹き出すためのノズルを研磨装置に設けるなど、大がかりな研磨装置の変更が必要となる。
そこで、冷却効果を発揮する研磨パッド、その研磨パッドを用いた研磨方法、及びその研磨パッドを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
実施形態の研磨パッドは、化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含んでいる。
また、実施形態の研磨方法は、化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含む研磨パッドを備える。研磨方法は、前記研磨対象物を前記研磨面で研磨する研磨工程と、前記研磨工程以前に前記研磨層の研磨面をドレスして前記冷却剤を露出させその冷却剤で前記研磨面を冷却するドレッシング工程と、を含む。
また、実施形態の半導体装置の製造方法は、化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含む研磨パッドを備える。半導体装置の製造方法は、前記研磨対象物を前記研磨面で研磨する研磨工程と、前記研磨工程以前に前記研磨層の研磨面をドレスして前記冷却剤を露出させその冷却剤で前記研磨面を冷却するドレッシング工程と、を含む。
以下、実施形態を図面に基づいて説明する。
まず、実施形態による研磨パッドの構成について説明する。
図1に示す研磨パッド10は、図4に示す研磨装置20に取り付けられて、半導体装置の製造工程において研磨対象物となるウェーハ30をCMPにより研磨するために用いられる。研磨パッド10は、全体として円板状に構成されている。研磨パッド10は、異なる硬さのパッドを積層して構成されている。すなわち、実施形態の研磨パッド10は、図1に示すようにメインパッド11とサブパッド12とを積層して構成されている。
まず、実施形態による研磨パッドの構成について説明する。
図1に示す研磨パッド10は、図4に示す研磨装置20に取り付けられて、半導体装置の製造工程において研磨対象物となるウェーハ30をCMPにより研磨するために用いられる。研磨パッド10は、全体として円板状に構成されている。研磨パッド10は、異なる硬さのパッドを積層して構成されている。すなわち、実施形態の研磨パッド10は、図1に示すようにメインパッド11とサブパッド12とを積層して構成されている。
メインパッド11は、研磨対象物と接して研磨対象物を研磨する研磨層となる。サブパッド12は、メインパッド11よりもやや軟質である。そのため、サブパッド12は、研磨パッド10が取り付けられる研磨装置20の取り付け面のうねりなどの形状に追従し易くなり、これにより、研磨の際の加工均一性が向上される。なお、メインパッド11は、詳細は図示しないが、スラリーを排出するための複数の穴や溝を有していても良い。また、研磨パッド10は、複数のパッドを積層したものに限られず、メインパッド11の単体のみで構成しても良い。
実施形態において、メインパッド11は、例えば発泡性のポリウレタン樹脂を主要な材料として構成されている。サブパッド12は、例えば不織布を主要な材料として構成されている。メインパッド11は、その内部に、結晶粒状の冷却剤101を含んでいる。なお、各図では、冷却剤と研磨パッドとの寸法関係を実際よりも誇張して表現している。冷却剤101は、水溶性であって、水と反応して吸熱作用を発揮するものである。また、冷却剤101は、定形性を有し、例えば粒状に構成されている。なお、冷却剤101は、例えば粉体などであっても良い。粒状又は粉状の冷却剤101は、硬化前の液状のポリウレタンに均一となるように混合される。そして、冷却剤101を含むポリウレタンが型に注入されて硬化され、これによりメインパッド11が形成される。
冷却剤101は、例えば粒状又は粉状に形成した硝酸アンモニウムや尿素が考えられる。図2には、5g、10g、20gの各量の硝酸アンモニウムを、25℃の水15mLに溶解させたときの水温の変化を示している。いずれの量でも、溶解後約1分で急激に温度が低下している。この場合、5gでは約10℃、10gでは約15℃、15gでは約20℃近く温度が低下している。この結果から、水に溶解する硝酸アンモニウムの量が多いほど、冷却効果が高いといことがわかる。
また、冷却剤101としては、粒状又は粉状に形成した硝酸アンモニウムや尿素の混合物でも良い。図3は、水温25℃の所定量(15mL)の水に所定量(20g)の冷却剤を溶解させたときの水温の変化を示している。図3では、冷却剤として、硝酸アンモニウムのみ、尿素のみ、及び硝酸アンモニウムと尿素とを1対1の割合で混合した混合物を対象としている。
尿素のみの場合、水温は、水に溶解した後約1分で約15℃低下した。硝酸アンモニウムのみの場合、水温は、水に溶解した後約1分で約20℃低下した。そして、硝酸アンモニウムと尿素との混合物の場合、水温は、水に溶解した後約1分で約30℃低下した。これらの結果から、硝酸アンモニウムのみ又は尿素のみの場合に比べて、硝酸アンモニウムと尿素とを混合させた場合の方が、冷却剤としての冷却効果が高いことがわかる。そして、硝酸アンモニウムと尿素との混合物では、硝酸アンモニウムのみの場合に比べて約1.5倍、冷却効率が高いことがわかった。この場合、硝酸アンモニウムと尿素の混合比は、混合物全体の質量を10とすると、硝酸アンモニウムの割合を4から8とし、尿素の割合を6から2とすることが望ましい。
なお、冷却剤101の材料としては、上記したものの他に、例えばメタバナジン酸アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、糖アルコール、硫酸アンモニウム等の無機アンモニウム塩、硝酸ナトリウムや硝酸カリウムや塩化カリウム等のアルカリ金属塩、及びこれらの混合物等も考えられる。
次に、図4を参照して、研磨パッド10が取り付けられる研磨装置20の概略について説明する。研磨装置20は、テーブル21、研磨ヘッド22、ドレッサー23、及びスラリー供給部24を備えている。研磨パッド10は、テーブル21の研磨ヘッド22側、すなわち上方に設けられる。研磨パッド10は、研磨層となるメインパッド11が研磨ヘッド22側すなわち上方となり、サブパッド12がテーブル21側すなわち下方となるように設けられる。研磨層となるメインパッド11の表面、すなわちメインパッド11の研磨ヘッド22側の面が、研磨面111となる。テーブル21は、テーブル駆動部25によって駆動され、上方に設けられている研磨パッド10とともに回転する。
研磨ヘッド22は、テーブル21に設けられる研磨パッド10と対向して設けられている。すなわち、研磨ヘッド22は、テーブル21の上方に設けられている。また、研磨ヘッド22は、テーブル21の回転中心に対して一方側寄りに設けられている。研磨ヘッド22は、テーブル21側つまり下側に研磨対象物としてのウェーハ30を保持する。なお、図4では、ウェーハ30の厚みを、研磨パッド10等との寸法関係において実際よりも誇張して表現している。研磨ヘッド22は、ウェーハ30を保持した状態でウェーハ30に力を加える。これにより、ウェーハ30は、研磨ヘッド22に保持されるとともに、研磨パッド10の研磨面111に上方から押し付けられる。研磨ヘッド22は、研磨ヘッド駆動部26によって駆動され、回転する。これにより、ウェーハ30は、研磨ヘッド22とともに回転する。
ドレッサー23は、テーブル21に設けられる研磨パッド10と対向して設けられている。すなわち、ドレッサー23は、テーブル21の上方に設けられている。また、ドレッサー23は、テーブル21の回転中心に対して他方側寄り、すなわち研磨ヘッド22と反対側寄りに設けられている。ドレッサー23は、ドレッシングパッド231を有している。ドレッサー23は、ドレッシングパッド231に対して力を加える。これにより、ドレッシングパッド231は、研磨パッド10の研磨面111に上方から押し付けられる。ドレッサー23は、ドレッサー駆動部27によって駆動され、回転する。これにより、ドレッシングパッド231は、ドレッサー23とともに回転する。この結果、ドレッシングパッド231は、研磨パッド10の研磨層であるメインパッド11を研削し、メインパッド11に研磨面111を形成する。その際、図6に示すように、メインパッド11に含まれる冷却剤101が、研磨面111から露出する。
スラリー供給部24は、研磨剤及び水を含むスラリー31を、研磨パッド10の研磨面111に供給する。ウェーハ30を研磨する際、スラリー供給部24から供給されたスラリー31は、研磨ヘッド22に保持されたウェーハ30と研磨パッド10の研磨面111との間に侵入する。研磨ヘッド22に保持されているウェーハ30は、適切な力で研磨パッド10に押し付けられる。これにより、ウェーハ30は、研磨パッド10の研磨面111と接し、表面が研磨される。
次に、実施形態の研磨パッド10を用いたウェーハ30の研磨方法について説明する。ウェーハ30を研磨パッド10で研磨すると、摩擦熱によって研磨パッド10の研磨面111の温度が上昇する。そのため、実施形態の研磨装置20は、研磨工程以前、つまり研磨工程中又は研磨工程の前に、ドレッシング工程を行う。ドレッシング工程は、ウェーハ30と接するメインパッド11の表面を研削して研磨面111を形成するとともに、メインパッド11に含まれる冷却剤101を研磨面111に露出させる工程である。研磨工程は、研磨対象物であるウェーハ30を、研磨パッド10の研磨面111で研磨する工程である。
ドレッシング工程により研磨パッド10の研磨面111に露出された冷却剤101は、研磨工程において、スラリー供給部24から供給されるスラリー31に含まれる水と反応して周囲の熱を奪う。これにより、冷却剤101は冷却効果を発揮し、研磨パッド10の研磨面111が冷却される。
ドレッシング工程における研磨パッド10の研削量Lは、例えば次のように求められる。例えば、メインパッド11の半径RをR=37[cm]とすると、メインパッド11の表面積Sは、S=πR2=4.3×103[cm2]となる。ここで、スラリー31に含まれる水は、研磨面111からメインパッド11内に浸透する。そのため、研磨面111の周辺にはメインパッド11を構成するウレタンとスラリー31に含まれる水とが混在しており、このうち50%が水であると仮定する。また、図5に示すように、メインパッド11の研磨面111の算術平均粗さRaをRa=20[μm]と仮定する。この場合、研磨面111に存在する水の体積Wは、W=S×Ra×0.5=4.3[cm3]となる。すなわち、研磨面111の周囲には、約4.3gの水が存在することになる。
ここで、図2を見ると、15gの水を10℃冷却するためには硝酸アンモニウムが5g必要であることから、4.3gの水を10℃冷却するために必要な硝酸アンモニウムの量M1は、M1=(4.3/15)×5=1.43[g]であることがわかる。そして、図3に示すように、硝酸アンモニウムと尿素との混合物は、硝酸アンモニウムのみに比べて約1.5倍冷却効率が高い。そのため、4.3gの水を10℃冷却するために必要な硝酸アンモニウムと尿素の混合物の量M2は、M2=1.43÷1.5=0.95[g]となる。したがって、メインパッド11の研磨面111の周囲に存在する約4.3[g]の水を10℃冷却するためには、冷却剤101として硝酸アンモニウムと尿素の混合物が1[g]あれば十分であることがわかる。
この場合、メインパッド11に用いられるウレンタン及び冷却剤101の比重をともに1[g/cm2]とすると、メインパッド11の研磨面111に、1[g]の冷却剤101を露出させるために、ドレッシング工程で研削するメインパッド11の研削量Lは、L=1/(S×0.5)=4.7[μm]となる。以上より、ドレッシング工程における研磨パッド10の研削量Lが求められる。
次に、研磨パッド10を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
化学的機械的研磨では、研磨中に研磨パッドの温度が上昇するため、研磨レートの低下や研磨パッドの研磨層が軟化することによるエロ−ジョンの増加など、さまざまな問題がある。そのため、研磨パッドの温度制御は非常に重要である。そこで、本実施形態における半導体装置の製造プロセスでは、研磨対象物を研磨パッド10の研磨面111で研磨する研磨工程以前、つまり研磨工程中又は研磨工程の後に、ドレッシング工程を行う。これにより、メインパッド11中の冷却剤101を露出させその冷却剤101で研磨面111を冷却し、研磨パッド10の温度上昇を抑制する。
化学的機械的研磨では、研磨中に研磨パッドの温度が上昇するため、研磨レートの低下や研磨パッドの研磨層が軟化することによるエロ−ジョンの増加など、さまざまな問題がある。そのため、研磨パッドの温度制御は非常に重要である。そこで、本実施形態における半導体装置の製造プロセスでは、研磨対象物を研磨パッド10の研磨面111で研磨する研磨工程以前、つまり研磨工程中又は研磨工程の後に、ドレッシング工程を行う。これにより、メインパッド11中の冷却剤101を露出させその冷却剤101で研磨面111を冷却し、研磨パッド10の温度上昇を抑制する。
具体的には、まず、図7(a)に示すように、シリコン基板41上に、ストッパー膜となるシリコン窒化膜42を例えば約70nmの膜厚で形成する。次に、詳細は図示しないが、シリコン酸化膜等のエッチングマスク用いてシリコン窒化膜42及びシリコン基板41をエッチングし、これによりSTIパターンとして例えば深さ約450nmの溝411、412を形成する。なお、シリコン基板41とシリコン窒化膜42の間に、例えばシリコン酸化膜を設けても良い。
次に、図7(b)に示すように、STIパターンを構成する溝411、412を埋め込むようにして、シリコン酸化膜43を、例えば高密度プラズマCVD法(HDP−CVD)などにより、例えば約600nmの厚さで形成する。このとき、図7(b)に示すように、シリコン酸化膜43の表面は溝411、412に沿った凹凸面となる。
次に、図7(c)に示すように、研磨対象物であるシリコン酸化膜43を、研磨パッド10及び研磨装置20を用いて化学的機械的研磨を行う。その際、研磨中に研磨パッド10の温度が上昇する。そこで、本実施形態では、研磨中に研磨パッド10のドレッシングも行ういわゆるIN−Situドレッシングを行う。これにより、研磨中に研磨パッド10のメインパッド11から冷却剤101が露出する。そして、冷却剤101がスラリー中の水と反応して吸熱作用を発揮し、研磨面111が冷却される。このように化学的機械的研磨を行って、シリコン窒化膜42を露出させることで、図7(c)に示すよう溝411、412にシリコン酸化膜431、432に埋め込まれた半導体装置40が得られる。
以上説明した実施形態において、化学的機械的研磨に用いられる研磨パッド10は、研磨面111を有する研磨層たるメインパッド11を有している。研磨面111は、研磨対象物であるウェーハ30と接することが可能な面である。研磨層たるメインパッド11は、内部に冷却剤101を含んでいる。メインパッド11に含まれる冷却剤101は、スラリー31の水分と反応して吸熱作用を発揮し、これによりメインパッド11の研磨面111を急速に冷却する。
これによれば、研磨工程中に研磨面111の冷却が可能な研磨パッド10を提供することができる。すなわち、研磨パッド10の研磨面111を冷却するために、空気を吹き出すためのノズルを研磨装置20に設けるなど、大がかりな研磨装置20の変更を要することなく、研磨工程中に研磨面111を冷却することができる。この場合、研磨装置20の研磨パッドを、従来の冷却効果を発揮しない研磨パッドから、実施形態による研磨パッド10に取り替えるだけで、研磨工程中に研磨面111を冷却することができる。したがって、研磨工程の際に研磨面111を冷却することが容易となる。
本実施形態の冷却剤101は、水溶性である。これによれば、冷却剤101は、ウェーハ30の研磨工程で通常用いられるスラリー31に含まれる水分に溶解する。そのため、冷却剤101は、冷却効果を発揮し終えた後、スラリー31の水分とともに研磨パッド10上から排出される。したがって、冷却剤101を排出するための機構を別途設ける必要がない。
本実施形態の冷却剤101は、水と反応して吸熱作用を発揮するものである。これによれば、冷却剤101は、ウェーハ30の研磨工程で通常用いられるスラリー31に含まれる水分を利用して、吸熱作用すなわち冷却効果を発揮することができる。したがって、本実施形態の研磨パッド10を用いることで、研磨工程の際に研磨面111を容易に冷却することができる。
本実施形態の冷却剤101は、定型性を有した例えば粒状の冷却剤である。これによれば、メインパッド11の製造工程において、冷却剤101の取り扱いが容易となる。
また、本実施形態において、研磨装置20は、研磨対象物たるウェーハ30を研磨面111で研磨する研磨工程を実行する以前に、メインパッド11の研磨面111をドレスするドレッシング工程を実行する。これにより、研磨工程以前のドレッシング工程によって、メインパッド11に含まれる冷却剤101が研磨面111から露出する。したがって、研磨工程の際に、冷却剤101がスラリー31の水分と接触し易くなり、より効果的に冷却剤101による冷却効果を発揮させることができる。したがって、研磨レートの低下や研磨パッド10の研磨層たるメインパッド11が軟化することによるエロ−ジョンの増加等を抑制することができる。
そして、本実施形態による半導体装置の製造方法によれば、研磨パッド10の研磨面111について適切な温度制御ができるため、研磨レートの低下等を抑制し、半導体装置の表面を均一な面とすることができる。
本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、10は研磨パッド、101は冷却剤、11はメインパッド(研磨層)、111は研磨面、30はウェーハ(研磨対象物)、31はスラリー、40は半導体装置、43はシリコン酸化膜(研磨対象物)を示す。
Claims (7)
- 化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、
研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含んでいる研磨パッド。 - 前記冷却剤は、水溶性である請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記冷却剤は、水と反応して吸熱作用を発揮する請求項1又は2に記載の研磨パッド。
- 前記冷却剤は、定型性を有している請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨パッド。
- 前記冷却剤は、粒状である請求項1から4のいずれか一項に記載の研磨パッド。
- 化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含む研磨パッドを備え、
前記研磨対象物を前記研磨面で研磨する研磨工程と、
前記研磨工程以前に前記研磨層の研磨面をドレスして前記冷却剤を露出させその冷却剤で前記研磨面を冷却するドレッシング工程と、
を含む研磨方法。 - 化学的機械的研磨に用いられる研磨パッドであって、研磨対象物と接する研磨面を有する研磨層に冷却剤を含む研磨パッドを備え、
前記研磨対象物を前記研磨面で研磨する研磨工程と、
前記研磨工程以前に前記研磨層の研磨面をドレスして前記冷却剤を露出させその冷却剤で前記研磨面を冷却するドレッシング工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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