JP2015179810A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間のゲート絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された第１の導電膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜に接する領域を有する酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上に位置し、開口部を有する金属酸化物膜と、
   前記開口部を介して前記第１の導電膜に接する領域を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第２の導電膜は、画素電極としての機能を有し、
   前記容量素子は、
   前記ゲート絶縁膜上の導電性を有する膜と、
   前記第２の導電膜と、
   前記導電性を有する膜と前記第２の導電膜の間に設けられた前記金属酸化物膜と、を有し、
   前記導電性を有する膜は、前記金属酸化物膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間のゲート絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された第１の導電膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜に接する領域を有する酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上に位置し、第１の開口部を有する金属酸化物膜と、
   前記金属酸化膜上に位置し、第２の開口部を有する窒化物絶縁膜と、
   前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して前記第１の導電膜に接する領域を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第２の導電膜は、画素電極としての機能を有し、
   前記容量素子は、
   前記ゲート絶縁膜上の導電性を有する膜と、
   前記第２の導電膜と、
   前記導電性を有する膜と前記第２の導電膜の間に設けられた前記金属酸化物膜と、
   前記導電性を有する膜と前記第２の導電膜の間に設けられた前記窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記導電性を有する膜は、前記金属酸化物膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記導電性を有する膜は、前記酸化物半導体膜に含まれる金属元素を有することを特徴とする半導体装置。