JP2015176961A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、製造工程の簡略化が可能で信頼性の高い半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、前記第１半導体層の前記発光層とは反対側に設けられた前記第１半導体層よりも高抵抗の窒化物半導体層であって、前記第１半導体層に連通するリセス部を有する窒化物半導体層と、前記リセス部において前記第１半導体層と接する導電層と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、前記第１半導体層の前記発光層とは反対側に設けられた前記第１半導体層よりも高抵抗の窒化物半導体層であって、前記第１半導体層に連通するリセス部を有する窒化物半導体層と、前記リセス部において前記第１半導体層と接する導電層と、を備える。
【選択図】図１
Description
実施形態は、半導体発光装置およびその製造方法に関する。
発光ダイオード等の半導体発光装置の製造過程では、結晶成長基板を除去した表面に電極を形成する場合がある。例えば、窒化物半導体を結晶成長する場合には、結晶成長基板に接する部分に高抵抗のバッファ層が設けられることが多い。したがって、そのバッファ層を除去した後に電極形成を行う必要がある。しかしながら、窒化物半導体のエッチングには長時間を要し、半導体発光装置の製造効率を低下させる。また、窒化物半導体のエッチングには塩素ガスが用いられ、その汚染による電極の変質やコンタクト抵抗の増大が懸念される。
実施形態は、製造工程の簡略化が可能で信頼性の高い半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、前記第１半導体層の前記発光層とは反対側に設けられた前記第１半導体層よりも高抵抗の窒化物半導体層であって、前記第１半導体層に連通するリセス部を有する窒化物半導体層と、前記リセス部において前記第１半導体層と接する導電層と、を備える。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１を例示する模式断面図である。半導体発光装置１は、例えば、窒化物半導体を材料とする発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）である。
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１を例示する模式断面図である。半導体発光装置１は、例えば、窒化物半導体を材料とする発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）である。
半導体発光装置１は、第１導電形の第１半導体層（以下、ｎ形半導体層１０）と、第２導電形の第２半導体層（以下、ｐ形半導体層２０）と、発光層３０と、を備える。発光層３０は、ｎ形半導体層１０と、ｐ形半導体層２０と、の間に設けられる。
ｎ形半導体層１０は、例えば、ｎ形窒化ガリウム層（ＧａＮ層）であり、ｎ形不純物としてシリコン（Ｓｉ）を含む。ｐ形半導体層２０は、例えば、ｐ形ＧａＮ層であり、ｐ形不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含む。発光層３０は、少なくとも１つの量子井戸を有し、例えば、波長４５０ナノメートル（ｎｍ）の青色光を放射する。
ここでは、第１導電形をｎ形、第２導電形をｐ形として説明するが、実施形態は、これに限定される訳ではない。第１導電形をｐ形、第２導電形をｎ形としても良い。
図１に示すように、半導体発光装置１は、窒化物半導体層４０をさらに備える。窒化物半導体層４０は、ｎ形半導体層１０の発光層３０とは反対側に設けられ、第１の層４３と、第２の層４５と、を含む。窒化物半導体層４０は、ｎ形半導体層１０よりも高抵抗であり、ｎ形半導体層１０に連通するリセス部４０ａを有する。
第１の層４３は、例えば、アンドープＧａＮ層である。ここで、アンドープとは、意図して不純物をドーピングしないことを言い、例えば、ＧａＮ層の成長過程において、不可避的に導入される不純物を含んでも良い。アンドープＧａＮ層は、例えば、ｎ形不純物をドーピングしたｎ形ＧａＮ層よりも高抵抗である。
第２の層４５は、例えば、窒化アルミニウム層（ＡｌＮ層）である。ＡｌＮは、絶縁体であり、第２の層４５は、絶縁層である。また、第２の層４５は、第１の層４３に接する側にＡｌＧａＮ層を含んでも良い。例えば、第１の層４３および第２の層４５を合わせてバッファ層と呼ぶ場合がある。
リセス部４０ａは、例えば、溝状に設けられ、窒化物半導体層４０を複数の部分に分断する。また、リセス部４０ａは、窒化物半導体層４０を貫通する複数の貫通孔であっても良い。
さらに、半導体発光装置１は、ｎ形半導体層１０に接する導電層６０を備える。
図１に示すように、導電層６０は、窒化物半導体層４０を覆い、リセス部４０ａにおいてｎ形半導体層１０と接する。半導体発光装置１は、導電層６０の上に選択的に設けられたｎ側パッド電極７０をさらに備える。
図１に示すように、導電層６０は、窒化物半導体層４０を覆い、リセス部４０ａにおいてｎ形半導体層１０と接する。半導体発光装置１は、導電層６０の上に選択的に設けられたｎ側パッド電極７０をさらに備える。
なお、本明細書において、「覆う」とは、「覆うもの」が直接「覆われるもの」に接する場合に限定される訳ではなく、別の構成要素を介在させて覆う場合も含む。
導電層６０は、例えば、発光層３０から放射される光を透過する透明膜である。導電層６０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の金属酸化膜である。ｎ側パッド電極７０は、例えば、チタン膜（Ｔｉ膜）と、アルミニウム（Ａｌ）膜と、を積層した構造を有し、金属ワイヤのボンディングパッドに用いられる。
半導体発光装置１は、ｐ形半導体層２０の発光層３０とは反対側に設けられた基板５０をさらに備える。図１に示すように、基板５０は、接合層５５を介してｐ形半導体層２０に接続される。
接合層５５は、例えば、コンタクト部５１と、ボンディング部５３と、を含む。コンタクト部５１は、ｐ形半導体層２０に接し、オーミックコンタクトを形成する。ボンディング部５３は、基板５０と、ｐ形半導体層２０と、を接合する。コンタクト部５１は、好ましくは、銀（Ａｇ）を含み、発光層３０の光を反射するように形成する。ボンディング部５３は、例えば、金錫合金（ＡｕＳｎ合金）である。コンタクト部５１と、ボンディング部５３と、の間に、バリアメタルを設けても良い。
基板５０には、例えば、導電性を有するシリコン基板を用いる。基板５０の接合層５５に接する面５０ａとは反対側の裏面５０ｂ側には、裏面電極８０が設けられる。裏面電極８０には、例えば、金ゲルマニウム合金（ＡｕＧｅ合金）を用いる。
半導体発光装置１は、例えば、ｎ側パッド電極７０と、裏面電極８０と、の間に順電圧を印加し電流を流すことにより発光層３０を発光させる。そして、半導体発光装置１は、その光を外部に放射する。
次に、図２〜図４を参照して、第１実施形態に係る半導体発光装置１の製造方法を説明する。図２（ａ）〜図４（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光装置１の製造過程を例示する模式断面図である。
基板１００を用意し、その表面に、凸部１１０を形成する。例えば、基板１００を選択的にエッチングし、溝１２０を形成する。凸部１１０は、溝１２０の間に形成される。基板１００は、例えば、（１１１）面を主面とするシリコン基板である。溝１２０は、例えば、ドライエッチング法を用いて（１１１）面を選択的にエッチングすることにより形成する。
図２（ａ）に示すように、凸部１１０の上に絶縁膜１０１を形成する。絶縁膜１０１は、例えば、シリコン酸化膜である。絶縁膜１０１をエッチングマスクとして、基板１００を選択的にエッチングしても良いし、溝１２０を形成した後に、凸部１１０の上に絶縁膜１０１を選択的に形成しても良い。また、溝１２０は、その底面１００ａが（１１１）面となるようにエッチングする。
次に、図２（ｂ）に示すように、溝１２０の内部（言い換えれば、凸部１１０の周り）に、窒化物半導体層４０を選択的に形成する。窒化物半導体層４０は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。
窒化物半導体層４０のうちの第２の層４５は、シリコンの（１１１）面上に直接形成される。第２の層４５は、ＧａＮと、シリコンと、の間の格子不整合に起因する歪みを緩和する。第２の層４５には、例えば、ＡｌＮ層を用いる。さらに、第２の層４５は、ＡｌＮ層の上に形成されたＡｌＧａＮ層を含んでも良い。
続いて、第２の層４５の上に第１の層４３を形成する。第１の層４３は、例えば、ＧａＮ層であり、不純物をドーピングしないで成長することが望ましい。例えば、第２の層４５と、シリコンの（１１１）面との間の格子不整合に起因する多数の結晶転位は、第１の層４３を成長する間に合体し、その数を減少させる。
第１の層４３および第２の層４５は、例えば、シリコンの（１１１）面の結晶配列を引き継ぐように形成させる。すなわち、六方晶の窒化物半導体層を、そのｃ軸がシリコン結晶の＜１１１＞軸に一致するように成長させる。これにより、溝１２０の底面１００ａ上（言い換えれば、凸部１１０の周り）に、窒化物半導体層４０を選択的に成長させることができる。
第１の層４３および第２の層４５を合わせた窒化物半導体層４０の厚さは、溝１２０の深さｄＧよりも薄くすることが望ましい。溝１２０の深さｄＧは、例えば、１〜２マイクロメートル（μｍ）である。
本明細書において、「厚さ」もしくは「高さ」、「深さ」とは、特に言及しない限り、溝１２０の底面１００ａに垂直な方向（Ｚ方向）の長さを言う。また、「幅」とは、Ｚ方向に垂直なＸ方向、もしくは、Ｘ方向およびＺ方向に垂直なＹ方向の長さを言う。
次に、図２（ｃ）に示すように、凸部１１０および窒化物半導体層４０を覆うｎ形半導体層１０を形成する。ｎ形半導体層１０は、例えば、ｎ形不純物であるシリコンをドーピングしたＧａＮ層である。
ｎ形半導体層１０の形成過程の初期において、ｎ形半導体層１０は、窒化物半導体層４０の上に選択的に形成される。凸部１１０の上には、絶縁膜１０１が設けられているため、ｎ形半導体層１０は成長しない。ｎ形半導体層１０は、例えば、窒化物半導体層４０の上において、そのｃ軸方向（Ｚ方向）に成長する。
窒化物半導体層４０上において、ｎ形半導体層１０は、絶縁膜１０１の上面を超える高さになると、横方向（Ｘ方向）に広がるように成長する。所謂、ラテラル成長（Lateral growth）が始まる。そして、隣り合う溝１２０において窒化物半導体層４０上に成長したｎ形半導体層１０は、横方向に広がり相互につながる。これにより、凸部１１０および窒化物半導体層４０の上に、ｎ形半導体層１０を形成することができる。
次に、図３（ａ）に示すように、ｎ形半導体層１０の上に発光層３０を形成し、続いて、発光層３０の上にｐ形半導体層２０を形成する。
発光層３０は、例えば、ＧａＮ層を障壁層とし、ＩｎＧａＮ層を井戸層とする量子井戸を１つ以上含むように形成する。すなわち、ＧａＮ障壁層と、ＩｎＧａＮ井戸層と、を交互に積層して形成する。ＧａＮ障壁層は、例えば、１０〜２０ｎｍの厚さに形成し、ＩｎＧａＮ井戸層は、例えば、３〜５ｎｍの厚さに形成する。ＩｎＧａＮ層は、例えば、１５％のＩｎを含有する。
ｐ形半導体層２０は、例えば、ｐ形不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）を含むＧａＮ層である。ｐ形半導体層２０は、発光層３０に接する部分にｐ形ＡｌＧａＮ層を含んでも良い。
次に、図３（ｂ）に示すように、ｐ形半導体層２０の上に、接合層５５を介して基板５０を貼り付ける。接合層５５は、例えば、コンタクト部５１と、ボンディング部５３と、を含む。コンタクト部５１は、例えば、Ａｇを含む金属膜である。コンタクト部５１は、ｐ形半導体層２０との間にオーミックコンタクトを形成すると共に、発光層３０から放射される光をｎ形半導体層１０の方向に反射する反射層としても機能する。ボンディング部５３は、ＡｕＳｎ合金を含む金属膜であり、ｐ形半導体層２０と、基板５０と、を接合させる。
例えば、ｐ形半導体層２０の上にコンタクト部５１を形成し、基板５０の上にボンディング部５３を形成する。そして、コンタクト部５１と、ボンディング部５３と、が向き合うように、基板５０と、基板１００と、を配置し、両者を接触させる。その後、基板１００および基板５０を所定の圧力で接触した状態に保持し、ボンディング部５３の融点を上回る温度に両者を加熱する。これにより、ｐ形半導体層２０の上に基板５０を貼り付けることができる。
次に、基板１００の裏面１００ｂ側を処理する。例えば、基板１００の裏面１００ｂ側を研磨もしくは研削し、基板１００を薄くする。その後、基板１００およびその凸部１１０を、例えば、ウェットエッチングにより選択的に除去する。これにより、図３（ｃ）に示すように、ｎ形半導体層１０の上に窒化物半導体層４０を残し、その間にリセス部４０ａが設けられた構造を形成することができる。リセス部４０ａの底部には、ｎ形半導体層１０が露出する。
次に、図４（ａ）に示すように、リセス部４０ａの底部に露出したｎ形半導体層１０に接する導電層６０を形成する。導電層６０は、例えば、ＩＴＯ等を用いた透明電極であり、スパッタ法を用いて形成することができる。
導電層６０は、例えば、窒化物半導体層４０およびリセス部４０ａの底部を覆うように形成する。窒化物半導体層４０は、ｎ形半導体層１０に接する第１の層４３と、基板１００を除去した上面側に位置する第２の層４５と、を含む。したがって、導電層６０は、例えば、ＡｌＮ層を含む第２の層４５に接する。言い換えれば、窒化物半導体層は、導電層６０に接する部分にＡｌＮを含む。
次に、図４（ｂ）に示すように、導電層６０の上に、選択的にｎ側パッド電極７０を形成する。続いて、基板５０の裏面５０ｂに接する裏面電極８０を形成し、半導体発光装置１を完成させる。
上記の通り、本実施形態に係る製造方法では、基板１００を選択的に除去したリセス部４０ａの底部にｎ形半導体層１０を露出させることができる。したがって、バッファ層である窒化物半導体層４０をエッチングすることなく、ｎ形半導体層１０に接する導電層６０を形成することができる。これにより、製造工程の簡略化が可能となり、製造効率を向上させ、製造コストを低減することができる。
また、窒化物半導体層４０の除去に伴うｎ形半導体層１０のダメージ、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によるプラズマダメージをなくすことが可能となり、ｎ側電極のコンタクト抵抗を低減することができる。また、窒化物半導体層４０をドライエッチングする過程における塩素等の汚染を回避できるので、半導体発光装置１の信頼性を向上させることができる。
さらに、本実施形態では、リセス部４０ａの凹部に露出したｎ形半導体層１０に導電層６０を接触させるため、コンタクト面積を広くすることが可能である。この点からもコンタクト抵抗を低減することができる。
次に、図５を参照して、本実施形態の変形例に係る半導体発光装置２を説明する。
図５は、本実施形態の変形例に係る半導体発光装置２を例示する模式断面図である。
図５は、本実施形態の変形例に係る半導体発光装置２を例示する模式断面図である。
半導体発光装置２は、窒化物半導体を材料とするＬＥＤであり、ｎ形半導体層１０と、ｐ形半導体層２０と、発光層３０と、を備える。そして、半導体発光装置２は、ｎ形半導体層１０の発光層３０とは反対側に設けられた窒化物半導体層４０をさらに備える。窒化物半導体層４０は、第１の層４３と、第２の層４５とを含む。また、窒化物半導体層４０は、ｎ形半導体層１０に連通するリセス部４０ａを有する。
半導体発光装置２は、リセス部４０ａの底部に露出したｎ形半導体層１０に接する導電層６５を有する。導電層６５は、リセス部４０ａの底部に選択的に形成される。そして、導電層６５は、窒化物半導体層４０を覆わないように形成される。そして、発光層３０から放射された光は、窒化物半導体層４０を介して外部に放出される。このため、導電層６５には、発光層３０の放射光を透過しない金属膜を用いることができる。その結果、導電層６５を介した電流の広がり抵抗を低減することが可能となり、発光層３０における発光の均一度を向上させることができる。
［第２実施形態］
図６〜図９を参照して、第２実施形態に係る半導体発光装置３の製造方法を説明する。図６（ａ）〜図９は、第２実施形態に係る半導体発光装置３の製造過程を例示する模式断面図である。
図６〜図９を参照して、第２実施形態に係る半導体発光装置３の製造方法を説明する。図６（ａ）〜図９は、第２実施形態に係る半導体発光装置３の製造過程を例示する模式断面図である。
本実施形態では、基板２００を用意し、その表面に、凸部２１０を形成する。基板２００は、例えば、（１００）面を主面とするシリコン基板である。凸部２１０は、シリコンの（１００）面を、例えば、ウェットエッチング法を用いて選択的に異方性エッチングすることにより形成する。例えば、凸部２１０の一方の側面２１０ａに（１１１）面を露出させ、他方の側面２１０ｂに（−１−１１）面を露出させる。
図６（ａ）に示すように、基板２００を選択的にエッチングした部分は、例えば、溝２２０となる。凸部２１０は、溝２２０の間に形成される。溝１２０は、例えば、図６（ａ）中に示すＹ方向に延在するストライプ状に設けられる。
凸部２１０の頂面には、絶縁膜２０１を形成する。絶縁膜２０１は、例えば、シリコン酸化膜である。絶縁膜２０１をエッチングマスクとして、基板２００を選択的にエッチングしても良いし、溝２２０を形成した後に、凸部１１０の上に絶縁膜２０１を選択的に形成しても良い。また、絶縁膜２０１は、凸部２１０の頂面および側面２１０ｂを覆うように形成しても良い。
次に、溝２２０の内部（言い換えれば、凸部２１０の周り）に、窒化物半導体層１４０を選択的に形成する。窒化物半導体層１４０は、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用いて形成することができる。
図６（ｂ）に示すように、窒化物半導体層１４０のうちの第２の層１４５は、凸部２１０の側面２１０ａ上に選択的に形成される。第２の層１４５には、例えば、ＡｌＮ層を用いる。すなわち、第２の層１４５は、シリコンの（１１１）面上にＡｌＮ層を選択的に成長する条件を用いて形成する。さらに、ＡｌＮ層の上にＡｌＧａＮ層を形成しても良い。
続いて、図６（ｃ）に示すように、第２の層１４５の上に第１の層１４５を形成する。第１の層１４３は、例えば、ＧａＮ層であり、不純物をドーピングしないで成長することが望ましい。
第１の層１４３および第２の層１４５は、例えば、シリコンの（１１１）面の結晶配列を引き継ぐように形成させる。すなわち、六方晶の窒化物半導体層を、そのＣ軸がシリコン結晶の＜１１１＞軸に一致するように成長させる。これにより、凸部２１０の側面２１０ａ上に、窒化物半導体層４０を選択的に成長させることができる。また、このような選択成長は、例えば、凸部２１０の頂面および側面２１０ｂを絶縁膜で覆うことにより実施しても良い。
溝２２０の深さｄＧは、例えば、１〜２マイクロメートル（μｍ）である。また、溝２２０の幅ＷＧは、例えば、窒化物半導体層１４０の厚さ（側面２１０ａに垂直な方向の厚さ）と同程度、もしくは、それよりも広くする。溝２２０の幅ＷＧは、例えば、１〜２μｍである。すなわち、窒化物半導体層１４０は、凸部２１０を覆わないように形成する。
次に、図７（ａ）に示すように、凸部２１０および窒化物半導体層１４０を覆うｎ形半導体層１０を形成する。ｎ形半導体層１０は、例えば、ｎ形不純物であるシリコンをドーピングしたＧａＮ層である。
ｎ形半導体層１０は、例えば、窒化物半導体層１４０のｃ軸方向（側面２１０ａに垂直な方向）およびｃ軸に垂直な方向の両方に成長する。そして、隣り合う溝２２０において窒化物半導体層１４０上に成長したｎ形半導体層１０は、横方向に広がり相互につながる。これにより、凸部２１０および窒化物半導体層１４０の上に、ｎ形半導体層１０を形成することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、ｎ形半導体層１０の上に発光層３０を形成し、続いて、発光層３０の上にｐ形半導体層２０を形成する。発光層３０は、例えば、ＧａＮ層を障壁層とし、ＩｎＧａＮ層を井戸層とする量子井戸を１つ以上含むように形成する。
次に、図８（ａ）に示すように、ｐ形半導体層２０の上に、接合層５５を介して基板５０を貼り付ける。接合層５５は、例えば、コンタクト部５１と、ボンディング部５３と、を含む（図３（ｂ）参照）。
次に、基板２００の裏面２００ｂ側を処理する。例えば、基板２００の裏面２００ｂ側を研磨もしくは研削し、基板２００を薄くする。その後、基板２００およびその凸部２１０を、例えば、ウェットエッチングにより選択的に除去する。これにより、図８（ｂ）に示すように、ｎ形半導体層１０の上に窒化物半導体層１４０を残し、その間にリセス部１４０ａが設けられた構造を形成することができる。リセス部１４０ａの底部には、ｎ形半導体層１０が露出する。
次に、図９に示すように、リセス部１４０ａの底部に露出したｎ形半導体層１０に接する導電層６０を形成する。導電層６０は、例えば、ＩＴＯ等を用いた透明電極である。さらに、導電層６０の上に、選択的にｎ側パッド電極７０を形成する。続いて、基板５０の裏面５０ｂに接する裏面電極８０を形成し、半導体発光装置１を完成させる。
本実施形態では、窒化物半導体の成長用の基板２００として（１００）面を主面とするシリコン基板を用いることができる。この例でも、バッファ層をエッチングすることなしに、ｎ形半導体層１０に接する導電層６０を形成することができる。これにより、製造工程を簡略化でき、製造効率の向上、および、製造コストの低減が可能である。
また、本実施形態により形成される発光層３０の結晶軸（図９中に示すＺ軸）は、ｃ軸に対して傾いている。これにより、発光層３０に含まれる量子井戸では、ピエゾ分極を抑制することが可能となる。そして、量子井戸中における電子と正孔の発光再結合の確率を高くして、発光層３０の発光効率を向上させることができる。
このように、実施形態に係る半導体発光装置１〜３では、その特性および信頼性を向上させることができる。また、窒化物半導体からなるバッファ層のエッチングを省くことにより、製造効率を向上させ、製造コストを低減することができる。
本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１〜３・・・半導体発光装置、 １０・・・ｎ形半導体層、 ２０・・・ｐ形半導体層、 ３０・・・発光層、 ４０、１４０・・・窒化物半導体層、 ４０ａ、１４０ａ・・・リセス部、 ４３、１４３・・・第１の層、 ４５、１４５・・・第２の層、 ５０、１００、２００・・・基板、 ５１・・・コンタクト部、 ５３・・・ボンディング部、 ５５・・・接合層、 ６０、６５・・・導電層、 ７０・・・ｎ側パッド電極、 ８０・・・裏面電極、 １００ａ・・・底面、 ５０ｂ、１００ｂ、２２０ｂ・・・裏面、 １０１、２０１・・・絶縁膜、 １１０、２１０・・・凸部、 １２０、２２０・・・溝、 ２１０ａ、２１０ｂ・・・側面
Claims (6)
- 第１導電形の第１半導体層と、
第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、
前記第１半導体層の前記発光層とは反対側に設けられた前記第１半導体層よりも高抵抗の窒化物半導体層であって、前記第１半導体層に連通するリセス部を有する窒化物半導体層と、
前記リセス部において前記第１半導体層と接する導電層と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記窒化物半導体層は、前記導電層に接する部分に窒化アルミニウムを含む請求項１記載の半導体発光装置。
- 前記リセス部は溝状に設けられ、前記窒化物半導体層を複数の部分に分断する請求項１または２に記載の半導体発光装置。
- 前記リセス部は、前記窒化物半導体層を貫通する複数の孔である請求項１または２に記載の半導体発光装置。
- 前記第２半導体層の前記発光層とは反対側に設けられた基板をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
- 第１基板上を選択的にエッチングすることにより凸部を形成し、
前記凸部の周りに窒化物半導体層を選択的に形成し、
前記凸部および前記窒化物半導体層を覆う第１導電形の第１半導体層を形成し、
前記第１半導体層上に発光層を形成し、
前記発光層上に第２導電形の第２半導体層を形成し、
前記第２半導体層上に接合層を介して第２基板を貼り合わせ、
前記第１基板を除去し、
前記凸部を除去したリセス部に露出する前記第１半導体に接する導電層を形成する半導体発光装置の製造方法。
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