JP2015173252A - 撮像素子及び電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
光電変換部の受光面積を広く確保し、画質の劣化を抑制するのに有利な撮像素子を提供すること。
【解決手段】
第1の半導体チップと第2の半導体チップと、前記半導体チップを接続する接続部とを備え、前記第1の半導体チップは、光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する蓄積容量と、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとを含み、前記第2の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、前記接続部は、前記光電変換部と前記転送トランジスタ、前記転送トランジスタと前記蓄積容量、および前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとをそれぞれ接続する。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の実施形態1に係る撮像素子の構成例を示した図である。撮像素子100は、第1の半導体チップ101と第2の半導体チップ102及び後述する接続部207で構成される。また、第1の半導体チップ101と第2の半導体チップ102とをお互いに積層した構成により形成される。第1の半導体チップ101には、画素103が行列状に配置される。ここでは、便宜上、撮像素子を4×4の画素103で構成されているものとする。画素の例を図2に示す。画素103は、光電変換部201、フローティングデフュージョンとして機能する蓄積容量202、転送トランジスタ203、リセットトランジスタ204を有する。画素はさらに、ソースフォロア205、行選択トランジスタ206を有する。光電変換部201は、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する。転送トランジスタ203は、光電変換部201で生成された信号電荷の蓄積容量202への転送を制御する。リセットトランジスタ204は、光電変換部201で生成されて蓄積容量202に蓄積された信号電荷のリセットを行う。ソースフォロア205は、蓄積容量202に蓄積された信号電荷を増幅し、信号電圧に変換する。行選択トランジスタ206は、ソースフォロア205の出力と列出力線105の接続を制御する。
図1に示した撮像素子の構成のみならず、図5に示す所謂カラムAD変換器を用いた構成においても同様の効果を得ることが可能である。以下、図5を参照して、詳細な説明を行う。上述した図1と共通部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
光電変換部の受光面積を広く確保できる別の構成を図7により説明する。図7は、第1の半導体チップ101と第2の半導体チップ102に形成される画素103の回路構成を示し、第1の半導体チップ101と第2の半導体チップ102との境界部を点線で示す。本実施形態では、撮像素子100もしくは撮像素子500は、第1の半導体チップ101と第2の半導体チップ102と接続部207、208及び209で構成される。図7では、第1の半導体チップ101に光電変換部201、蓄積容量202、リセットトランジスタ204及びソースフォロア205が形成され、第2の半導体チップ102に転送トランジスタ203及び行選択トランジスタ206が形成される。
本実施形態では、図8に示すように、第2の半導体チップ102にリセットトランジスタ204と行選択トランジスタ206を配置している。リセットトランジスタ204は、電源電圧VDDと、転送トランジスタ203、蓄積容量202及びソースフォロア205のゲート電極との接続点に接続される。ソースフォロア205の出力と行選択トランジスタ206が接続部207で接続される。この実施形態も、ソースフォロア205の出力側に接続部207を設けているので、接続部207による撮像信号への影響は少ない。
本実施形態では、図9に示すようにソースフォロア205と行選択トランジスタ206とを第2の半導体チップ102に配置する。ソースフォロア205のゲート電極は、転送トランジスタ203、蓄積容量202及びリセットトランジスタ204の接続点に接続される。ソースフォロア205を第2の半導体チップに配置するので、画素103から熱源となるトランジスタを離すことができるため、発熱による撮像信号への影響を軽減できる点で有利である。
次に携帯電話を例に電子機器に上記した撮像素子のいずれかを適用した実施形態について説明する。図10は、本実施形態の携帯電話機700の構成を示すブロック図である。本実施形態の携帯電話機700は、音声通話機能の他、電子メール機能や、インターネット接続機能、画像の撮影、再生機能等を有する。図10において、通信部701は、ユーザが契約した通信キャリアに従う通信方式により他の電話機との間で音声データや画像データを通信する。音声処理部702は、音声通話時において、マイクロフォン703からの音声データを発信に適した形式に変換して通信部701に送る。また、音声処理部702は、通信部701から送られた通話相手からの音声データを復号し、スピーカ704に送る。撮像部705の撮像素子として本発明の撮像素子を用いる。すなわち、撮像部705は、実施形態1乃至5で説明した撮像素子のいずれかを備えており、被写体の画像を撮影し、画像データを出力する。画像処理部706は、画像の撮影時においては、撮像部705により撮影された画像データを処理し、記録に適した形式に変換して出力する。また、画像処理部706は、記録された画像の再生時には、再生された画像を処理して表示部707に送る。表示部707は、数インチ程度の液晶表示パネルを備え、制御部709からの指示に応じて各種の画面を表示する。不揮発メモリ708は、アドレス帳の情報や、電子メールのデータ、撮像部705により撮影された画像データ等のデータを記憶する。
Claims (7)
- 第1の半導体チップと、
第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを接続する接続部とを備え、
前記第1の半導体チップは、光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する蓄積容量と、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとを含み、
前記第2の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、
前記接続部は、前記光電変換部と前記転送トランジスタ、前記転送トランジスタと前記蓄積容量、および前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとをそれぞれ接続する
ことを特徴とする撮像素子。 - 第1の半導体チップと、
第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを接続する接続部とを備え、
前記第1の半導体チップは、光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する蓄積容量と、前記光電変換部で生成された電荷の蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとを含み、
前記第2の半導体チップは、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、
前記接続部は、前記転送トランジスタ、前記蓄積容量、および前記ソースフォロアの接続点と前記リセットトランジスタ、前記リセットトランジスタと電源電圧、前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとをそれぞれ接続する
ことを特徴とする撮像素子。 - 前記第2の半導体チップに前記列出力線と接続される列回路を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像素子。
- 前記列回路は、
参照信号を発生する参照信号発生器と、
前記参照信号と前記列出力線からの信号を比較し、比較結果に応じて出力を反転する比較回路と、
カウント値を出力するカウンタ回路と、
前記比較回路の出力が反転したときのカウント値を保持する列毎に設けられた列メモリと、
を備える請求項3に記載の撮像素子。 - 前記第2の半導体チップに前記列回路の出力を列毎に順次選択して出力する水平走査回路を備えることを特徴とする請求項3又は4に記載の撮像素子。
- 前記第2の半導体チップに画素を駆動する垂直走査回路を備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像素子を備えた撮像部と、撮像部からの信号を処理する画像処理部とを備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014240368A JP6494263B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-11-27 | 撮像素子及び電子機器 |
US14/625,238 US9627428B2 (en) | 2014-02-19 | 2015-02-18 | Image sensor and electronic device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029963 | 2014-02-19 | ||
JP2014029963 | 2014-02-19 | ||
JP2014240368A JP6494263B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-11-27 | 撮像素子及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015173252A true JP2015173252A (ja) | 2015-10-01 |
JP2015173252A5 JP2015173252A5 (ja) | 2017-12-28 |
JP6494263B2 JP6494263B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=53798807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014240368A Expired - Fee Related JP6494263B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-11-27 | 撮像素子及び電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9627428B2 (ja) |
JP (1) | JP6494263B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113099140A (zh) * | 2015-09-30 | 2021-07-09 | 株式会社尼康 | 摄像元件及电子相机 |
KR102324224B1 (ko) | 2017-06-28 | 2021-11-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그것에 포함되는 전자 회로 |
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JP2013016963A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Olympus Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置 |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100825808B1 (ko) | 2007-02-26 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 후면 조명 구조의 이미지 센서 및 그 이미지 센서 제조방법 |
JP5223343B2 (ja) | 2008-01-10 | 2013-06-26 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
JP4941490B2 (ja) | 2009-03-24 | 2012-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
WO2014064837A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置および信号読み出し方法 |
-
2014
- 2014-11-27 JP JP2014240368A patent/JP6494263B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-18 US US14/625,238 patent/US9627428B2/en active Active
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WO2013183266A2 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Sony Corporation | Semiconductor device and sensing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9627428B2 (en) | 2017-04-18 |
JP6494263B2 (ja) | 2019-04-03 |
US20150236063A1 (en) | 2015-08-20 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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