JP2015161600A - humidity sensor - Google Patents

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村田 稔
Minoru Murata
稔 村田
阿部 竜一郎
Ryuichiro Abe
竜一郎 阿部
久則 与倉
Hisanori Yokura
久則 与倉
喬干 古市
Takamoto Furuichi
喬干 古市
高成 長尾
Takashige Nagao
高成 長尾
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a humidity sensor which can be reduced in size and also number of components.SOLUTION: A cap 90 which surrounds a portion covering detection electrodes 41, 42 in a moisture sensitive film 60 is directly arranged on a sensor chip 10. A through hole 103 in which a space between the sensor chip 10 and the cap 90 communicates with an external space and which has such a size that liquid is blocked while vapor is allowed to come through is formed in the cap 90.

Description

本発明は、湿度に応じたセンサ信号を出力するセンサチップを備える湿度センサに関するものである。   The present invention relates to a humidity sensor including a sensor chip that outputs a sensor signal corresponding to humidity.

従来より、例えば、特許文献1には、湿度に応じたセンサ信号を出力するセンサチップがケースに収容された湿度センサが提案されている。具体的には、センサチップは、基板上に一対の検出電極が形成され、この検出電極を覆うように吸湿性の感湿膜が形成されている。また、ケースは、貫通孔が形成されていると共に、この貫通孔に、水蒸気(気体)を透過させつつ、液体(水滴)を透過させないフィルタが配置されている。   Conventionally, for example, Patent Document 1 proposes a humidity sensor in which a sensor chip that outputs a sensor signal corresponding to humidity is housed in a case. Specifically, in the sensor chip, a pair of detection electrodes is formed on a substrate, and a hygroscopic moisture sensitive film is formed so as to cover the detection electrodes. The case has a through-hole, and a filter that does not allow liquid (water droplets) to pass through while allowing water vapor (gas) to pass through the through-hole.

これによれば、センサチップ(感湿膜)に埃や水滴が付着することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。   According to this, it can suppress that dust and a water droplet adhere to a sensor chip (humidity sensitive film), and it can control that detection accuracy falls.

特開2011−102781号公報JP 2011-102781 A

しかしながら、このような湿度センサでは、センサチップを収容するケースを用意しなければならず、体格が大きくなってしまう。また、ケースに貫通孔を形成すると共にこの貫通孔にフィルタを配置しなければならないため、部品点数も増加する。   However, in such a humidity sensor, a case for housing the sensor chip has to be prepared, and the physique becomes large. Moreover, since a through hole must be formed in the case and a filter must be disposed in the through hole, the number of parts increases.

本発明は上記点に鑑みて、小型化を図ることができると共に、部品点数の削減を図ることができる湿度センサを提供することを目的とする。   In view of the above points, an object of the present invention is to provide a humidity sensor that can be miniaturized and can reduce the number of components.

上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(20a)を有する基板(20)と、基板の一面側に形成され、湿度に応じたセンサ信号を出力する検出電極(41、42)と、検出電極を覆う感湿膜(60)と、を有するセンサチップ(10)を備え、以下の点を特徴としている。   In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, a substrate (20) having one surface (20 a) and a detection electrode (41, formed on one surface side of the substrate and outputting a sensor signal corresponding to humidity. 42) and a moisture sensitive film (60) covering the detection electrode, and a sensor chip (10) having the following features.

すなわち、センサチップには、感湿膜のうちの検出電極を覆う部分を囲むキャップ(90)が直接配置されており、キャップには、センサチップとキャップとの間の空間と外部空間とを連通する貫通孔103が形成され、貫通孔は、水蒸気を透過しつつ、液体を遮断する大きさとされていることを特徴としている。   That is, a cap (90) surrounding the portion of the moisture sensitive film covering the detection electrode is directly disposed on the sensor chip, and the cap communicates with the space between the sensor chip and the cap and the external space. The through-hole 103 is formed, and the through-hole is sized to block the liquid while allowing water vapor to pass therethrough.

これによれば、センサチップには、キャップが直接配置されているため、小型化を図ることができる。また、キャップには、水蒸気を透過しつつ、液体を遮断する大きさの貫通孔が形成されているため、別部材としてのフィルタを備える必要がない。このため、部品点数の削減を図ることができる。   According to this, since the cap is directly disposed on the sensor chip, it is possible to reduce the size. In addition, since the cap has a through-hole having a size that blocks water while allowing water vapor to pass therethrough, it is not necessary to include a filter as a separate member. For this reason, the number of parts can be reduced.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第1実施形態における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in 1st Embodiment of this invention. 図1に示す湿度センサの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the humidity sensor shown in FIG. 図2に続く湿度センサの製造工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the humidity sensor following FIG. 2. 本発明の第2実施形態における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の変形例における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in the modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in 3rd Embodiment of this invention. 図6に示す湿度センサの平面図である。FIG. 7 is a plan view of the humidity sensor shown in FIG. 6. 図6に示す湿度センサの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the humidity sensor shown in FIG. 図8に続く湿度センサの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the humidity sensor following FIG. 本発明の第4実施形態における湿度センサの平面図である。It is a top view of the humidity sensor in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の変形例における湿度センサの平面図である。It is a top view of the humidity sensor in the modification of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in 5th Embodiment of this invention. 図12に示す湿度センサの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the humidity sensor shown in FIG. 本発明の第6実施形態における湿度センサの断面図である。It is sectional drawing of the humidity sensor in 6th Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態の湿度センサは、例えば、車室内のルームミラー近傍に取り付けられ、車室内の湿度を検出するものとして用いられると好適である。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The humidity sensor of the present embodiment is preferably attached, for example, in the vicinity of a room mirror in the vehicle interior and used to detect humidity in the vehicle interior.

図1に示されるように、湿度センサは、センサチップ10にキャップ90が直接配置された構成とされている。まず、センサチップ10の構成について説明する。   As shown in FIG. 1, the humidity sensor has a configuration in which a cap 90 is directly disposed on the sensor chip 10. First, the configuration of the sensor chip 10 will be described.

センサチップ10は、周知の湿度を検出する検出部が形成されたものである。本実施形態では、シリコン等で構成される基板20を備えている。そして、基板20の一面20a側に、酸化膜等で構成される第1絶縁膜30を介して一対の検出電極41、42が形成されている。   The sensor chip 10 is formed with a detection unit that detects a known humidity. In this embodiment, a substrate 20 made of silicon or the like is provided. A pair of detection electrodes 41 and 42 are formed on the one surface 20a side of the substrate 20 via a first insulating film 30 made of an oxide film or the like.

一対の検出電極41、42は、それぞれ複数本形成されており、互いに噛み合うように対向して形成された櫛歯状とされている。なお、この一対の検出電極41、42は、Al、Ti、Au、Cu等の導電性材料を用いて構成されている。   A plurality of pairs of detection electrodes 41 and 42 are formed, respectively, and have a comb-like shape formed so as to face each other so as to mesh with each other. In addition, this pair of detection electrodes 41 and 42 is comprised using electroconductive materials, such as Al, Ti, Au, and Cu.

そして、この検出電極41、42を覆うようにシリコン窒化膜等で構成される第2絶縁膜50が形成され、第2絶縁膜50上には、ポリイミドや酪酸酢酸セルロース等の吸湿性を有する高分子有機材料で構成された感湿膜60が形成されている。   A second insulating film 50 made of a silicon nitride film or the like is formed so as to cover the detection electrodes 41 and 42, and a high hygroscopic property such as polyimide or cellulose butyrate acetate is formed on the second insulating film 50. A moisture sensitive film 60 made of a molecular organic material is formed.

また、第1絶縁膜30上には、図1とは別断面において、検出電極41、42と電気的に接続されるパッド70が形成されている。このパッド70は、第2絶縁膜50に形成されたコンタクトホール50aを介して露出しており、ボンディングワイヤ80を介して外部回路との電気的な接続が図れるようになっている。なお、感湿膜60は、第2絶縁膜50のうちのコンタクトホール50aの周辺には配置されていない。   In addition, on the first insulating film 30, a pad 70 electrically connected to the detection electrodes 41 and 42 is formed in a cross section different from that in FIG. 1. The pad 70 is exposed through a contact hole 50a formed in the second insulating film 50, and can be electrically connected to an external circuit through a bonding wire 80. The moisture sensitive film 60 is not disposed around the contact hole 50 a in the second insulating film 50.

以上が本実施形態におけるセンサチップ10の構成である。このようなセンサチップ10では、感湿膜60が水分(水蒸気)を吸脱着するため、湿度に応じて検出電極41、42間の静電容量が変化する。このため、検出電極41、42間の容量変化(センサ信号)に基づいて湿度が検出される。   The above is the configuration of the sensor chip 10 in the present embodiment. In such a sensor chip 10, since the moisture sensitive film 60 absorbs and desorbs moisture (water vapor), the capacitance between the detection electrodes 41 and 42 changes according to the humidity. For this reason, humidity is detected based on the capacitance change (sensor signal) between the detection electrodes 41 and 42.

そして、このようなセンサチップ10にキャップ90が直接配置されている。キャップ90は、シリコン等で構成される基板100を備えており、基板100のうちのセンサチップ10側の一面100aに第1凹部101が形成されることで構成される薄肉部102を有している。本実施形態では、薄肉部102は、第1凹部101の底面と当該底面と対向する基板100の他面100bとの間の部分で構成され、厚さが100μm以下とされている。   A cap 90 is directly disposed on the sensor chip 10. The cap 90 includes a substrate 100 made of silicon or the like, and has a thin portion 102 formed by forming a first recess 101 on one surface 100a of the substrate 100 on the sensor chip 10 side. Yes. In the present embodiment, the thin portion 102 is configured by a portion between the bottom surface of the first recess 101 and the other surface 100b of the substrate 100 facing the bottom surface, and has a thickness of 100 μm or less.

なお、本実施形態では、基板100の一面100aが本発明のキャップの一面に相当し、基板100の他面100bが本発明の他面に相当している。   In the present embodiment, one surface 100a of the substrate 100 corresponds to one surface of the cap of the present invention, and the other surface 100b of the substrate 100 corresponds to the other surface of the present invention.

そして、キャップ90は、感湿膜60のうちの検出電極41、42を覆う部分を囲むように、センサチップ10に直接配置されている。なお、感湿膜60のうちの検出電極41、42を覆う部分とは、言い換えると、感湿膜60のうちの検出電極41、42の直上に位置する部分およびその周囲の部分のことである。   And the cap 90 is directly arrange | positioned at the sensor chip 10 so that the part which covers the detection electrodes 41 and 42 among the moisture sensitive films | membranes 60 may be enclosed. Note that the portions of the moisture sensitive film 60 that cover the detection electrodes 41 and 42 are, in other words, the portions of the moisture sensitive film 60 that are located immediately above the detection electrodes 41 and 42 and the surrounding portions. .

また、薄肉部102には、第1凹部101内の空間と外部空間とを連通させる貫通孔103が形成されている。言い換えると、薄肉部102には、センサチップ10とキャップ90との間の空間と外部空間とを連通させる貫通孔103が形成されている。本実施形態では、この貫通孔103は、複数形成されており、それぞれが水蒸気(気体)を透過させつつ、液体(水滴)を遮断する大きさ(形状)とされている。言い換えると、貫通孔103は、防滴透湿機能を有する大きさ(形状)とされている。本実施形態では、貫通孔103は、基板100の他面100bに対する法線方向に沿って形成された円筒状とされている。そして、直径が0.01〜10μmとされている。また、貫通孔103は、当該貫通孔103の壁面と基板100の他面100bとの境界が角張るように形成されている。言い換えると、貫通孔103の開口部は、丸みを帯びておらず、尖っている。   In addition, the thin portion 102 is formed with a through hole 103 that allows the space in the first recess 101 to communicate with the external space. In other words, the thin-walled portion 102 is formed with a through hole 103 that communicates the space between the sensor chip 10 and the cap 90 and the external space. In the present embodiment, a plurality of the through holes 103 are formed, each having a size (shape) that blocks water (droplets) while allowing water vapor (gas) to pass therethrough. In other words, the through hole 103 has a size (shape) having a drip-proof moisture permeability function. In the present embodiment, the through hole 103 has a cylindrical shape formed along the normal direction to the other surface 100 b of the substrate 100. The diameter is 0.01 to 10 μm. Further, the through hole 103 is formed such that the boundary between the wall surface of the through hole 103 and the other surface 100 b of the substrate 100 is angular. In other words, the opening of the through hole 103 is not rounded but sharp.

以上が本実施形態における湿度センサの構成である。次に、上記湿度センサの製造方法について図2および図3を参照しつつ説明する。なお、図2および図3では、1チップ分の領域を示している。   The above is the configuration of the humidity sensor in the present embodiment. Next, a method for manufacturing the humidity sensor will be described with reference to FIGS. 2 and 3 show an area for one chip.

まず、図2(a)に示されるように、チップ単位に分割されることで上記キャップ90を構成すると共に一面200aおよび他面200bを有するキャップウェハ200を用意し、キャップウェハ200のうちの一面200aにマスク210を形成する。そして、マスク210を所定形状にパターニングする。   First, as shown in FIG. 2A, the cap 90 is configured by being divided into chips, and a cap wafer 200 having one surface 200 a and another surface 200 b is prepared, and one surface of the cap wafer 200 is prepared. A mask 210 is formed on 200a. Then, the mask 210 is patterned into a predetermined shape.

次に、マスク210を用いた反応性イオンエッチングや溶融KOHを用いたエッチング等を行い、キャップウェハ200の各チップ形成領域に上記第1凹部101を形成することによって薄肉部102を形成すると共に、窪み部104を形成する。   Next, reactive ion etching using the mask 210, etching using molten KOH, or the like is performed to form the first recessed portion 101 in each chip formation region of the cap wafer 200, thereby forming the thin portion 102, A recess 104 is formed.

なお、窪み部104は、後述の図3(a)の工程において、キャップウェハ200とセンサウェハ300とを貼り合わせたとき、キャップウェハ200のうちのパッド70と対向する部分に形成されるものである。そして、窪み部104の底部にて隣接するチップ形成領域を連結する連結部104aが構成されている。   The recess 104 is formed in a portion of the cap wafer 200 that faces the pad 70 when the cap wafer 200 and the sensor wafer 300 are bonded together in the process of FIG. . A connecting portion 104 a that connects adjacent chip forming regions at the bottom of the recessed portion 104 is configured.

次に、図2(b)に示されるように、キャップウェハ200のうちの一面200a側に酸化膜等の保護膜220を形成すると共に、キャップウェハ200のうちの他面200bに酸化膜等のマスク230を形成する。なお、保護膜220は、第1凹部101の壁面(側面および底面)にも形成されている。   Next, as shown in FIG. 2B, a protective film 220 such as an oxide film is formed on the one surface 200a side of the cap wafer 200, and an oxide film or the like is formed on the other surface 200b of the cap wafer 200. A mask 230 is formed. The protective film 220 is also formed on the wall surface (side surface and bottom surface) of the first recess 101.

そして、マスク230を所定形状にパターニングする。続いて、マスク230を用いた反応性イオンエッチングや溶融KOHを用いたエッチング等を行い、各薄肉部102に上記貫通孔103を形成する。このとき、第1凹部101の底面に形成した保護膜220をエッチングストッパとすることにより、貫通孔103を形成した後にエッチング装置にダメージが入ることを抑制できる。   Then, the mask 230 is patterned into a predetermined shape. Subsequently, reactive ion etching using the mask 230, etching using molten KOH, or the like is performed to form the through-hole 103 in each thin portion 102. At this time, by using the protective film 220 formed on the bottom surface of the first recess 101 as an etching stopper, it is possible to suppress damage to the etching apparatus after the through hole 103 is formed.

続いて、図3(a)に示されるように、チップ単位に分割されることで上記センサチップ10を構成するセンサウェハ300を用意する。そして、一般的な製造プロセスを行い、センサウェハ300における各チップ形成領域に、第1絶縁膜30、検出電極41、42、第2絶縁膜50、パッド70を形成する。次に、第2絶縁膜50のうちの検出電極41、42上に位置する部分を覆うように、吸湿性を有する高分子有機材料を溶剤に溶かした溶液をスクリーン印刷法やスピンコート法等によって塗布する。   Subsequently, as shown in FIG. 3A, a sensor wafer 300 constituting the sensor chip 10 is prepared by being divided into chips. Then, a general manufacturing process is performed to form the first insulating film 30, the detection electrodes 41 and 42, the second insulating film 50, and the pad 70 in each chip formation region of the sensor wafer 300. Next, a solution obtained by dissolving a hygroscopic polymer organic material in a solvent so as to cover portions of the second insulating film 50 located on the detection electrodes 41 and 42 is screen-printed or spin-coated. Apply.

続いて、溶液中の溶剤を蒸発させないまま、溶液のうちの検出電極41、42を覆う部分が囲まれるように、キャップウェハ200の一面200aがセンサウェハ300と対向するように、キャップウェハ200をセンサウェハ300上に配置する。その後、溶液中の溶剤を蒸発させることで感湿膜60を形成する。これにより、感湿膜60(センサウェハ300)とキャップウェハ200とが接合される。   Subsequently, without evaporating the solvent in the solution, the cap wafer 200 is moved to the sensor wafer so that one surface 200a of the cap wafer 200 faces the sensor wafer 300 so that a portion covering the detection electrodes 41 and 42 of the solution is surrounded. 300. Thereafter, the moisture-sensitive film 60 is formed by evaporating the solvent in the solution. Thereby, the moisture sensitive film 60 (sensor wafer 300) and the cap wafer 200 are joined.

続いて、図3(b)に示されるように、連結部104aをハーフダイシングする。なお、図3(b)中の連結部104aは、ハーフダイシングされた後は、図3(b)に示したチップ形成領域と隣接するチップ形成領域と繋がっている。   Subsequently, as shown in FIG. 3B, the connecting portion 104a is half-diced. 3B is connected to the chip formation region adjacent to the chip formation region shown in FIG. 3B after half-dicing.

その後、図3(c)に示されるように、キャップウェハ200およびセンサウェハ300をフルダイシングしてチップ単位に分割する。その後は、パッド70にボンディングワイヤ80を接続等することにより、上記湿度センサが製造される。   Thereafter, as shown in FIG. 3C, the cap wafer 200 and the sensor wafer 300 are fully diced and divided into chips. Thereafter, the humidity sensor is manufactured by connecting the bonding wire 80 to the pad 70 or the like.

なお、ここでは、キャップウェハ200とセンサウェハ300とを接合した後にダイシングして湿度センサを製造する方法について説明した。しかしながら、キャップウェハ200とセンサウェハ300とをそれぞれダイシングし、実装工程にてキャップ90をセンサチップ10に1つずつ接着して湿度センサを製造するようにしてもよい。   Here, the method for manufacturing the humidity sensor by dicing after the cap wafer 200 and the sensor wafer 300 are joined has been described. However, the cap wafer 200 and the sensor wafer 300 may be diced, and the cap 90 may be bonded to the sensor chip 10 one by one in the mounting process to manufacture the humidity sensor.

以上説明したように、本実施形態では、センサチップ10には、感湿膜60のうちの検出電極41、42を覆う部分を囲むキャップ90を直接配置している。このため、小型化を図ることができる。   As described above, in the present embodiment, the cap 90 surrounding the portion of the moisture sensitive film 60 that covers the detection electrodes 41 and 42 is directly disposed in the sensor chip 10. For this reason, size reduction can be achieved.

また、キャップ90には、第1凹部101の内部と外部空間とを連通し、水蒸気を透過しつつ、液体を遮断する貫通孔103が形成されている。このため、従来の湿度センサと比較してフィルタを備える必要がなく、部品点数の削減を図ることができる。   In addition, the cap 90 is formed with a through hole 103 that allows the inside of the first recess 101 and the external space to communicate with each other, allows water vapor to pass therethrough, and blocks the liquid. For this reason, it is not necessary to provide a filter as compared with the conventional humidity sensor, and the number of parts can be reduced.

さらに、センサチップ10にキャップ90が備えられているため、モールド樹脂等の保護部材を備えずにベアチップ実装をすることも可能となる。   Furthermore, since the sensor chip 10 is provided with the cap 90, it is possible to perform bare chip mounting without providing a protective member such as a mold resin.

そして、薄肉部102は、基板100の他面100bに形成されているため、基板100の他面100bが平坦化されている。このため、水滴が基板100の他面100bのうちの貫通孔103の近傍に滞留することを抑制できる。すなわち、薄肉部102が基板100の他面100bから窪んだ位置に形成されている場合には、水滴が当該窪んだ部分に滞留することで貫通孔103の近傍に滞留し易い。これに対し、本実施形態では、基板100の他面100bが平坦化されているため、水滴が基板100の他面100bに付着した場合には、薄肉部102以外の基板100の他面100bにも濡れ広がる。このため、水滴が基板100の他面100bのうちの貫通孔103の近傍に滞留することを抑制できる。   And since the thin part 102 is formed in the other surface 100b of the board | substrate 100, the other surface 100b of the board | substrate 100 is planarized. For this reason, it is possible to suppress water droplets from staying in the vicinity of the through hole 103 in the other surface 100 b of the substrate 100. That is, when the thin portion 102 is formed at a position that is recessed from the other surface 100 b of the substrate 100, water droplets are likely to stay in the vicinity of the through-hole 103 by staying in the recessed portion. On the other hand, in this embodiment, since the other surface 100b of the substrate 100 is flattened, when a water droplet adheres to the other surface 100b of the substrate 100, the other surface 100b of the substrate 100 other than the thin portion 102 is applied. Even spread out wet. For this reason, it is possible to suppress water droplets from staying in the vicinity of the through hole 103 in the other surface 100 b of the substrate 100.

また、貫通孔103は、当該貫通孔103の壁面と基板100の他面100bとの境界が角張るように形成されている。このため、貫通孔103の壁面と基板100の他面100bとの境界が丸まっている場合と比較して、当該境界に水滴が付着した際にこの水滴との接触面積が小さくなり、水滴が貫通孔103内に導入されることを抑制できる。   Further, the through hole 103 is formed such that the boundary between the wall surface of the through hole 103 and the other surface 100 b of the substrate 100 is angular. For this reason, compared with the case where the boundary of the wall surface of the through-hole 103 and the other surface 100b of the board | substrate 100 is round, when a water droplet adheres to the said boundary, a contact area with this water droplet becomes small, and a water droplet penetrates. Introduction into the hole 103 can be suppressed.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して基板100の他面100bに疎水性膜を形成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a hydrophobic film is formed on the other surface 100b of the substrate 100 with respect to the first embodiment. Since the other aspects are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted here.

本実施形態では、図4に示されるように、キャップ90は、基板100の他面100bにSiF系の膜で構成される疎水性膜110が配置された構成とされている。なお、本実施形態では、この疎水性膜110が本発明の撥水手段に相当している。また、基板100の他面100bが本発明の外部空間に曝される外壁面のうちの貫通孔が形成される面に相当している。 In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the cap 90 has a configuration in which a hydrophobic film 110 made of a SiF 4 -based film is disposed on the other surface 100 b of the substrate 100. In the present embodiment, the hydrophobic film 110 corresponds to the water repellent means of the present invention. Further, the other surface 100b of the substrate 100 corresponds to a surface in which a through hole is formed in the outer wall surface exposed to the external space of the present invention.

これによれば、基板100(キャップ90)の他面100bに水滴が付着した場合、疎水性膜110によって当該水滴の表面張力が大きくなり、水滴の直径が大きくなり易い。このため、水滴が貫通孔103を通過することをさらに抑制できる。   According to this, when a water droplet adheres to the other surface 100b of the substrate 100 (cap 90), the surface tension of the water droplet increases due to the hydrophobic film 110, and the diameter of the water droplet tends to increase. For this reason, it can further suppress that a water droplet passes through the through-hole 103.

また、このように、疎水性膜110を配置することによって水滴の直径が大きくなり易いため、上記第1実施形態より貫通孔103の直径を大きくしても同等の効果を得ることができる。   In addition, since the hydrophobic film 110 is arranged in this manner, the diameter of the water droplet is easily increased. Therefore, even when the diameter of the through hole 103 is increased as compared with the first embodiment, the same effect can be obtained.

なお、疎水性膜110は、例えば、上記図2(b)の工程において、貫通孔103を形成する際のマスク230をSiF系の膜で構成し、当該マスク230をそのまま残存させることによって形成できる。つまり、この場合は、マスク230が疎水性膜110となる。このように疎水性膜110(保護膜)を形成することにより、疎水性膜110を形成する工程のみを必要とせず、製造工程が増加することを抑制できる。 The hydrophobic film 110 is formed, for example, by forming the mask 230 in forming the through-hole 103 with a SiF 4 film in the process of FIG. 2B and leaving the mask 230 as it is. it can. That is, in this case, the mask 230 becomes the hydrophobic film 110. By forming the hydrophobic film 110 (protective film) in this way, it is possible to suppress an increase in manufacturing steps without requiring only the process of forming the hydrophobic film 110.

(第2実施形態の変形例)
上記第2実施形態において、図5に示されるように、貫通孔103の壁面にも疎水性膜110を配置するようにしてもよい。このような湿度センサとしても、水滴が貫通孔103を通過することをさらに抑制できる。
(Modification of the second embodiment)
In the second embodiment, as shown in FIG. 5, the hydrophobic film 110 may be disposed also on the wall surface of the through hole 103. Even with such a humidity sensor, it is possible to further suppress water droplets from passing through the through-hole 103.

なお、貫通孔103の壁面に形成される疎水性膜110は、上記図2(b)の工程において、貫通孔103を形成する際、壁面に保護膜を形成する工程とエッチングを行う工程とを交互に行うエッチング方法を採用すればよい。そして、保護膜を形成する工程を最終工程とし、保護膜としてSiF系の膜を形成して当該保護膜をそのまま残存させればよい。このように疎水性膜110(保護膜)を形成することにより、疎水性膜110を形成する工程のみを必要とせず、製造工程が増加することを抑制できる。 The hydrophobic film 110 formed on the wall surface of the through hole 103 includes a step of forming a protective film on the wall surface and a step of etching when forming the through hole 103 in the step of FIG. An etching method that is alternately performed may be employed. Then, the step of forming the protective film may be the final step, and a SiF 4 -based film may be formed as the protective film, and the protective film may be left as it is. By forming the hydrophobic film 110 (protective film) in this way, it is possible to suppress an increase in manufacturing steps without requiring only the process of forming the hydrophobic film 110.

また、図5では、基板100の他面100bおよび貫通孔103の壁面に疎水性膜110が配置されているものを図示しているが、貫通孔103の壁面のみに疎水性膜110を配置するようにしてもよい。   5 shows that the hydrophobic film 110 is disposed on the other surface 100b of the substrate 100 and the wall surface of the through hole 103, the hydrophobic film 110 is disposed only on the wall surface of the through hole 103. You may do it.

(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して貫通孔103を形成する場所を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the place where the through-hole 103 is formed is changed with respect to the first embodiment, and the others are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

本実施形態では、図6および図7に示されるように、第1凹部101の側面と当該側面と対向する基板100の側面100cとの間の部分が薄肉部102とされている。そして、この薄肉部102に複数の貫通孔103が形成されている。   In this embodiment, as shown in FIG. 6 and FIG. 7, a portion between the side surface of the first recess 101 and the side surface 100 c of the substrate 100 facing the side surface is a thin portion 102. A plurality of through holes 103 are formed in the thin portion 102.

なお、本実施形態の貫通孔103は、基板100の側面100cに対する法線方向(基板100の一面100aに対する平面方向)に沿って形成され、断面が四角筒状とされている。また、図6は、図7中のVI−VI線に沿った断面に相当し、図7ではボンディングワイヤ80を省略して示してある。   In addition, the through-hole 103 of this embodiment is formed along the normal line direction with respect to the side surface 100c of the board | substrate 100 (plane direction with respect to the one surface 100a of the board | substrate 100), and the cross section is made into the square cylinder shape. 6 corresponds to a cross section taken along line VI-VI in FIG. 7, and the bonding wire 80 is omitted in FIG.

このように貫通孔103を形成する場所を変更した湿度センサとしても、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。次に、このような湿度センサの製造方法について図8および図9を参照しつつ説明する。   As described above, the same effect as that of the first embodiment can be obtained even in the humidity sensor in which the place where the through hole 103 is formed is changed. Next, a method for manufacturing such a humidity sensor will be described with reference to FIGS.

まず、図8(a)に示されるように、第1キャップウェハ201を用意する。そして、第1キャップウェハ201の一面201aに図示しないマスクを形成し、当該マスクを所定形状にパターニングする。次に、マスク210を用いた反応性イオンエッチングや溶融KOHを用いたエッチング等を行い、貫通孔103を構成する溝部103aを形成する。なお、溝部103aは、一端部(図8中では、紙面左側の端部)がチップ形成領域から突出するように形成される。   First, as shown in FIG. 8A, a first cap wafer 201 is prepared. Then, a mask (not shown) is formed on the one surface 201a of the first cap wafer 201, and the mask is patterned into a predetermined shape. Next, reactive ion etching using the mask 210, etching using molten KOH, or the like is performed to form the groove 103a that constitutes the through hole 103. The groove 103a is formed such that one end (the left end in FIG. 8) protrudes from the chip formation region.

続いて、図8(b)に示されるように、第1キャップウェハ201の一面201aに第2キャップウェハ202を接合することによってキャップウェハ200を構成する。第1キャップウェハ201と第2キャップウェハ202との接合は、例えば、第1、第2キャップウェハ201、202の各接合面を活性化させて接合させるいわゆる直接接合を採用できる。   Subsequently, as illustrated in FIG. 8B, the cap wafer 200 is configured by bonding the second cap wafer 202 to the one surface 201 a of the first cap wafer 201. The first cap wafer 201 and the second cap wafer 202 can be bonded by, for example, so-called direct bonding in which the bonding surfaces of the first and second cap wafers 201 and 202 are activated and bonded.

そして、図8(c)に示されるように、図2(a)と同様の工程を行い、キャップウェハ200(第1キャップウェハ201)に第1凹部101および窪み部104を形成する。なお、第1凹部101は、溝部103aの他端部(図8(c)中の紙面右側の端部)と連通するように形成される。   Then, as shown in FIG. 8C, the same steps as in FIG. 2A are performed to form the first recess 101 and the recess 104 in the cap wafer 200 (first cap wafer 201). The first recess 101 is formed so as to communicate with the other end of the groove 103a (the end on the right side in FIG. 8C).

その後、図9(a)に示されるように、図3(a)と同様の工程を行い、センサウェハ300にキャップウェハ200を接合する。   Thereafter, as shown in FIG. 9A, the same process as that in FIG. 3A is performed to join the cap wafer 200 to the sensor wafer 300.

次に、図9(b)に示されるように、図3(b)および図3(c)の工程を行うことによってチップ単位に分割する。このとき、溝部103aのうちの一端部がチップ形成領域から突出するように形成されているため、分割したときに第1凹部101内の空間と外部空間とを連通する貫通孔103が形成される。   Next, as shown in FIG. 9B, the process is divided into chips by performing the steps of FIGS. 3B and 3C. At this time, since one end portion of the groove portion 103a is formed so as to protrude from the chip formation region, a through-hole 103 that connects the space in the first recess 101 and the external space is formed when divided. .

(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対して貫通孔103の形状を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the shape of the through hole 103 is changed with respect to the third embodiment, and the other aspects are the same as those in the third embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

本実施形態では、図10に示されるように、貫通孔103は、第1凹部101側の開口端から基板100の側面100c側の開口端に至る経路において、この経路を屈曲させる角部103bが形成されている。本実施形態では、貫通孔103は、平面形状において、略V字とされている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the through-hole 103 has a corner 103 b that bends this path in the path from the opening end on the first recess 101 side to the opening end on the side surface 100 c side of the substrate 100. Is formed. In the present embodiment, the through hole 103 is substantially V-shaped in a planar shape.

これによれば、角部103bによって埃等の異物が第1凹部101内に導入されることを抑制できる。   According to this, it can suppress that foreign materials, such as dust, are introduced into the 1st recessed part 101 by the corner | angular part 103b.

なお、このような貫通孔103は、上記図8(a)の工程において、第1キャップウェハ201に形成する溝部103a(マスク)の形状を適宜調整すればよい。   Note that such a through-hole 103 may be appropriately adjusted in the shape of the groove 103a (mask) formed in the first cap wafer 201 in the step of FIG.

(第4実施形態の変形例)
上記第4実施形態において、図11に示されるように、貫通孔103の形状を変更してもよい。すなわち、基板100の側面100cと、第1凹部101の側面のうちの側面100cと対向する側面と異なる側面とを連通する折れ線状であり、複数の角部103bを有する貫通孔103を形成してもよい。
(Modification of the fourth embodiment)
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 11, the shape of the through hole 103 may be changed. In other words, the side surface 100c of the substrate 100 and the side surface that is different from the side surface opposite to the side surface 100c of the side surface of the first recess 101 are in the form of a broken line, and the through hole 103 having a plurality of corner portions 103b is formed. Also good.

(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してモールド樹脂を備えるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described. The present embodiment is provided with a mold resin with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus description thereof is omitted here.

本実施形態では、図12に示されるように、センサチップ10のうちのキャップ90側と反対側の一面にリードフレーム120が配置されている。そして、パッド70とリードフレーム120とがボンディングワイヤ80を介して接続されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 12, the lead frame 120 is disposed on one surface of the sensor chip 10 opposite to the cap 90 side. The pad 70 and the lead frame 120 are connected via the bonding wire 80.

また、キャップ90は、基板100の一面100aから第1凹部101が形成されていると共に他面100bから第2凹部105が形成されている。そして、第1凹部101の底面と第2凹部105の底面との間の部分にて薄肉部102が構成され、当該薄肉部102に貫通孔103が形成されている。つまり、本実施形態では、薄肉部102は、基板100の一面100aと他面100bとの間の部分に形成されている。   Further, the cap 90 has a first recess 101 formed from one surface 100a of the substrate 100 and a second recess 105 formed from the other surface 100b. And the thin part 102 is comprised in the part between the bottom face of the 1st recessed part 101, and the bottom face of the 2nd recessed part 105, and the through-hole 103 is formed in the said thin part 102. FIG. That is, in the present embodiment, the thin portion 102 is formed in a portion between the one surface 100a and the other surface 100b of the substrate 100.

そして、センサチップ10およびキャップ90を封止するモールド樹脂130が形成されている。具体的には、モールド樹脂130は、基板100の他面100b、薄肉部102、およびリードフレーム120のうちのセンサチップ10側と反対側の面が露出するように形成されている。なお、このモールド樹脂130は、後述するように、金型400を用いたトランスファーモールド法により成形されるもので、エポキシ樹脂等の典型的なモールド材料にて構成される。   A mold resin 130 for sealing the sensor chip 10 and the cap 90 is formed. Specifically, the mold resin 130 is formed such that the other surface 100b of the substrate 100, the thin portion 102, and the surface of the lead frame 120 opposite to the sensor chip 10 are exposed. As will be described later, the mold resin 130 is formed by a transfer mold method using a mold 400, and is made of a typical mold material such as an epoxy resin.

以上が本実施形態における湿度センサの構成である。次に、このような湿度センサの製造方法について説明する。   The above is the configuration of the humidity sensor in the present embodiment. Next, a method for manufacturing such a humidity sensor will be described.

まず、図2(a)の工程において、第1凹部101および第2凹部105を形成することにより、第1凹部101の底面と第2凹部105の底面との間の部分に薄肉部102を構成する。そして、図2(b)の工程において、この薄肉部102に貫通孔103を形成した後、図3(a)〜図3(c)と同様の工程を行う。   First, in the step of FIG. 2A, the first recessed portion 101 and the second recessed portion 105 are formed, so that the thin-walled portion 102 is formed at a portion between the bottom surface of the first recessed portion 101 and the bottom surface of the second recessed portion 105. To do. In the step of FIG. 2B, after forming the through hole 103 in the thin portion 102, the same steps as in FIGS. 3A to 3C are performed.

次に、センサチップ10のうちのキャップ90側と反対側にリードフレーム120を配置すると共に、パッド70とリードフレーム120とをボンディングワイヤ80を介して接続する。   Next, the lead frame 120 is disposed on the side of the sensor chip 10 opposite to the cap 90 side, and the pad 70 and the lead frame 120 are connected via the bonding wire 80.

そして、図13に示されるように、このものを、上型401と下型402とを合致させることで内部にキャビディを構成する金型400内に配置する。本実施形態では、リードフレーム120を下型402に当接させる共に、緩衝材410を介してキャップ90を上型401に当接させる。そして、この金型400内にモールド樹脂130を注入して成形することにより、図12に示す湿度センサが製造される。   Then, as shown in FIG. 13, this is placed in a mold 400 that forms a cavidi inside by matching the upper mold 401 and the lower mold 402. In the present embodiment, the lead frame 120 is brought into contact with the lower die 402 and the cap 90 is brought into contact with the upper die 401 through the buffer material 410. And the humidity sensor shown in FIG. 12 is manufactured by injecting and molding the mold resin 130 into the mold 400.

なお、緩衝材410は、基板100の他面100bと上型401との間に隙間が形成されることを抑制するものである。   The buffer material 410 suppresses the formation of a gap between the other surface 100 b of the substrate 100 and the upper mold 401.

以上説明したように、センサチップ10およびキャップ90を保護するモールド樹脂130を備える湿度センサに本発明を適用することもできる。また、薄肉部102は、基板100の一面100aと他面100bとの間の部分に構成されている。このため、図13に示されるように、キャップ90を金型400内に設置したとき、薄肉部102は上型401と当接しない。つまり、モールド樹脂130を成形する際、薄肉部102に上型401からの応力が直接印加されることを抑制でき、薄肉部102が破壊されることを抑制できる。   As described above, the present invention can also be applied to a humidity sensor including the mold resin 130 that protects the sensor chip 10 and the cap 90. Moreover, the thin part 102 is comprised in the part between the one surface 100a of the board | substrate 100, and the other surface 100b. For this reason, as shown in FIG. 13, when the cap 90 is installed in the mold 400, the thin portion 102 does not contact the upper mold 401. That is, when the mold resin 130 is molded, it is possible to suppress the stress from the upper mold 401 being directly applied to the thin portion 102 and to suppress the destruction of the thin portion 102.

さらに、薄肉部102が基板100の一面100aと他面100bとの間に形成されているため、実装時等においても薄肉部102が治具と接触することを抑制できる。   Furthermore, since the thin portion 102 is formed between the one surface 100a and the other surface 100b of the substrate 100, the thin portion 102 can be prevented from coming into contact with the jig even during mounting.

(第6実施形態)
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第5実施形態に対して薄肉部102の形成場所を変更したものであり、その他に関しては第5実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the place where the thin portion 102 is formed is changed with respect to the fifth embodiment, and the other parts are the same as those in the fifth embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

本実施形態では、図14に示されるように、キャップ90は、基板100の他面100bに第2凹部105が形成され、第2凹部105の底面と当該底面と対向する基板100の一面100aとの間の部分で薄肉部102が形成されている。すなわち、キャップ90は、上記第1実施形態のキャップ90が上下反転されて配置されているとも言える。   In the present embodiment, as shown in FIG. 14, the cap 90 has a second recess 105 formed on the other surface 100 b of the substrate 100, and the bottom surface of the second recess 105 and the one surface 100 a of the substrate 100 facing the bottom surface. A thin-walled portion 102 is formed at a portion therebetween. That is, it can be said that the cap 90 is arranged upside down from the cap 90 of the first embodiment.

そして、キャップ90は、薄肉部102とセンサチップ10(感湿膜60)との間に空間が形成されるように、接着剤140を介してセンサチップ10における感湿膜60と接合されている。   The cap 90 is joined to the moisture sensitive film 60 in the sensor chip 10 via the adhesive 140 so that a space is formed between the thin wall portion 102 and the sensor chip 10 (the moisture sensitive film 60). .

このような湿度センサは、上記図3の工程を行う際、溶液中の溶剤を蒸発させて感湿膜60を形成した後、キャップウェハ200の他面200bがセンサウェハ300と対向するように、接着剤140を介してキャップウェハ200をセンサウェハ300上に配置することで製造される。つまり、本実施形態では、基板100の一面100aが第1実施形態の基板100の他面100bに相当し、基板100の他面100bが第1実施形態の基板100の一面100aに相当し、第2凹部105が第1実施形態の第1凹部101に相当しているともいえる。   Such a humidity sensor is bonded so that the other surface 200b of the cap wafer 200 faces the sensor wafer 300 after evaporating the solvent in the solution to form the moisture sensitive film 60 when performing the process of FIG. It is manufactured by placing the cap wafer 200 on the sensor wafer 300 via the agent 140. That is, in the present embodiment, one surface 100a of the substrate 100 corresponds to the other surface 100b of the substrate 100 of the first embodiment, the other surface 100b of the substrate 100 corresponds to the one surface 100a of the substrate 100 of the first embodiment, It can be said that the two concave portions 105 correspond to the first concave portion 101 of the first embodiment.

このように薄肉部102を形成した湿度センサとしても、モールド樹脂130を成形する際、薄肉部102に上型401からの応力が直接印加されることを抑制でき、薄肉部102が破壊されることを抑制できる。また、このような湿度センサでは、キャップ90には、第1凹部101を形成する必要がないため、上記第5実施形態に対して製造工程の簡略化を図ることもできる。   Even in the humidity sensor in which the thin portion 102 is formed in this way, when the mold resin 130 is molded, it is possible to prevent the stress from the upper mold 401 from being directly applied to the thin portion 102 and the thin portion 102 is destroyed. Can be suppressed. Moreover, in such a humidity sensor, since it is not necessary to form the 1st recessed part 101 in the cap 90, a simplification of a manufacturing process can also be aimed at with respect to the said 5th Embodiment.

なお、ここでは、接着剤140によってセンサチップ10とキャップ90(薄肉部102)との間に空間を形成する例について説明した。しかしながら、センサチップ10とキャップ90(薄肉部102)との間に空間が形成されるのであれば、接着剤140を用いなくてもよい。例えば、第1絶縁膜30のうちの検出電極41、42下の部分を薄くすることにより、感湿膜60のうちの外縁部が検出電極41、42を覆う部分より基板20の一面20aからの高さが高くなるようにしてもよい。この場合は、上記第1実施形態と同様に、センサチップ10(感湿膜60)とキャップ90とを直接接合するようにしても、センサチップ10とキャップ90(薄肉部102)との間に空間を形成することができる。   Here, an example in which a space is formed between the sensor chip 10 and the cap 90 (thin wall portion 102) by the adhesive 140 has been described. However, the adhesive 140 may not be used as long as a space is formed between the sensor chip 10 and the cap 90 (thin wall portion 102). For example, by thinning the portions of the first insulating film 30 below the detection electrodes 41 and 42, the outer edge portion of the moisture sensitive film 60 covers the detection electrodes 41 and 42 from the one surface 20 a of the substrate 20. The height may be increased. In this case, similarly to the first embodiment, even if the sensor chip 10 (moisture sensitive film 60) and the cap 90 are directly joined, the gap between the sensor chip 10 and the cap 90 (thin wall portion 102) is not limited. A space can be formed.

(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.

上記各実施形態において、キャップ90を構成する基板100は特に限定されるものではなく、例えば、炭化シリコン(SiC)基板やガラス基板等を用いてもよい。   In the above embodiments, the substrate 100 constituting the cap 90 is not particularly limited, and for example, a silicon carbide (SiC) substrate, a glass substrate, or the like may be used.

また、上記各実施形態において、キャップ90とセンサチップ10とを接着剤等の接合部材を介して接合するようにしてもよい。   Moreover, in each said embodiment, you may make it join the cap 90 and the sensor chip 10 via joining members, such as an adhesive agent.

そして、上記第1、第2、第5、第6実施形態において、貫通孔103は、円筒状ではなく、センサチップ10側に向かって径が短くなる円錐状とされていてもよい。また、貫通孔103は、角筒状であってもよいし、角錐状であってもよい。さらに、上記第1、第2、第5、第6形態において、貫通孔103は、基板100の他面100bに対する法線方向に対して傾いていてもよい。同様に、上記第3実施形態において、貫通孔103は、基板100の側面100cに対する法線方向に対して傾いていてもよい。   And in the said 1st, 2nd, 5th, 6th embodiment, the through-hole 103 may be made into the cone shape whose diameter becomes short toward the sensor chip 10 side instead of a cylindrical shape. Further, the through hole 103 may have a rectangular tube shape or a pyramid shape. Furthermore, in the first, second, fifth, and sixth embodiments, the through hole 103 may be inclined with respect to the normal direction to the other surface 100b of the substrate 100. Similarly, in the third embodiment, the through hole 103 may be inclined with respect to the normal direction with respect to the side surface 100 c of the substrate 100.

そして、上記第2実施形態において、基板100の他面100bを荒らすことによって当該他面100bに微細な凹凸を複数形成し、複数の凹凸によって撥水手段を形成するようにしてもよい。   In the second embodiment, the other surface 100b of the substrate 100 may be roughened to form a plurality of fine irregularities on the other surface 100b, and the water repellent means may be formed by the plurality of irregularities.

また、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第2実施形態を上記第3、第4実施形態に組み合わせ、基板100の側面100cに疎水性膜110を形成してもよい。そして、上記第2実施形態を上記5、第6実施形態に組み合わせ、疎水性膜110およびモールド樹脂130を有する湿度センサとしてもよい。また、上記第1実施形態において、上記第5実施形態のように、薄肉部102を基板100の一面100aと他面100bとの間に形成してもよいし、上記第6実施形態のように、薄肉部102を基板の一面100aに形成してもよい。   The above embodiments can also be combined. For example, the hydrophobic film 110 may be formed on the side surface 100c of the substrate 100 by combining the second embodiment with the third and fourth embodiments. The second embodiment may be combined with the fifth and sixth embodiments to form a humidity sensor having the hydrophobic film 110 and the mold resin 130. In the first embodiment, the thin portion 102 may be formed between one surface 100a and the other surface 100b of the substrate 100 as in the fifth embodiment, or as in the sixth embodiment. The thin portion 102 may be formed on the one surface 100a of the substrate.

10 センサチップ
20 基板
20a 一面
41、42 検出電極
60 感湿膜
90 キャップ
103 貫通孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sensor chip 20 Substrate 20a One side 41, 42 Detection electrode 60 Moisture sensitive film 90 Cap 103 Through-hole

Claims (6)

一面(20a)を有する基板(20)と、
前記基板の一面側に形成され、湿度に応じたセンサ信号を出力する検出電極(41、42)と、
前記検出電極を覆う感湿膜(60)と、を有するセンサチップ(10)を備え、
前記センサチップには、前記感湿膜のうちの前記検出電極を覆う部分を囲むキャップ(90)が直接配置されており、
前記キャップには、前記センサチップと前記キャップとの間の空間と外部空間とを連通する貫通孔(103)が形成され、
前記貫通孔は、水蒸気を透過しつつ、液体を遮断する大きさとされていることを特徴とする湿度センサ。
A substrate (20) having one surface (20a);
Detection electrodes (41, 42) that are formed on one side of the substrate and output a sensor signal according to humidity;
A sensor chip (10) having a moisture sensitive film (60) covering the detection electrode;
In the sensor chip, a cap (90) surrounding a portion of the moisture sensitive film covering the detection electrode is directly disposed,
The cap is formed with a through hole (103) that communicates the space between the sensor chip and the cap and the external space,
The humidity sensor according to claim 1, wherein the through hole is sized to block water while allowing water vapor to pass therethrough.
前記キャップは、前記外部空間に曝される外壁面のうちの前記貫通孔が形成される面(100b、100c)に撥水手段(110)が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の湿度センサ。   2. The cap according to claim 1, wherein a water repellent means (110) is formed on a surface (100b, 100c) of the outer wall surface exposed to the external space where the through hole is formed. The humidity sensor described. 前記キャップは、前記貫通孔の壁面に撥水手段(110)が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の湿度センサ。   The humidity sensor according to claim 1 or 2, wherein the cap has water repellent means (110) formed on a wall surface of the through hole. 前記キャップには、前記センサチップ側の一面(100a)に第1凹部(101)が形成され、
前記貫通孔は、前記第1凹部の側面と前記キャップの側面(100c)との間に形成され、前記第1凹部側の一方の開口端から当該開口端と反対側の開口端に至る経路において、前記経路を屈曲させる角部(103b)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の湿度センサ。
The cap has a first recess (101) formed on one surface (100a) on the sensor chip side,
The through-hole is formed between the side surface of the first recess and the side surface (100c) of the cap, and in a path from one opening end on the first recess side to the opening end on the opposite side to the opening end. The humidity sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein a corner (103b) for bending the path is formed.
前記キャップには、前記センサチップ側の一面(100a)に第1凹部(101)が形成されていると共に前記センサチップ側の一面と反対側の他面(100b)に第2凹部(105)が形成されることにより、前記第1、第2凹部の底面の間の部分にて薄肉部(102)が構成されており、
前記貫通孔は、前記薄肉部に形成され、
前記キャップの他面を露出させつつ、前記センサチップおよび前記キャップを封止するモールド樹脂(130)を備えていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の湿度センサ。
The cap has a first recess (101) formed on one surface (100a) on the sensor chip side and a second recess (105) on the other surface (100b) opposite to the one surface on the sensor chip side. By being formed, a thin portion (102) is configured at a portion between the bottom surfaces of the first and second recesses,
The through hole is formed in the thin portion,
The humidity sensor according to any one of claims 1 to 3, further comprising a mold resin (130) for sealing the sensor chip and the cap while exposing the other surface of the cap.
前記キャップには、前記センサチップ側の一面(100a)と反対側の他面(100b)に第2凹部(105)が形成されることにより、前記第2凹部の底面と前記センサチップ側の一面との間の部分にて薄肉部(102)が構成されており、
前記貫通孔は、前記薄肉部に形成され、
前記キャップの他面を露出させつつ、前記センサチップおよび前記キャップを封止するモールド樹脂(130)を備えていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の湿度センサ。

The cap is formed with a second recess (105) on the other surface (100b) opposite to the one surface (100a) on the sensor chip side, so that the bottom surface of the second recess and one surface on the sensor chip side are formed. The thin wall part (102) is comprised in the part between and
The through hole is formed in the thin portion,
The humidity sensor according to any one of claims 1 to 3, further comprising a mold resin (130) for sealing the sensor chip and the cap while exposing the other surface of the cap.

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