JP2015155956A - プロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】光の強度を精度良く検出することが可能なプロジェクターを提供する。【解決手段】照明装置と、照明装置から射出された光を変調する光変調装置と、投射光学系と、を備えたプロジェクターにおいて、照明装置は、複数の発光素子を含む光源装置と、光源装置と光変調装置との間の光路に設けられ、部分透過反射素子を含む導光光学系と、部分透過反射素子の光入射面とは反対側の面に設けられた光路変換素子と、光路変換素子の光射出側に設けられた光検出装置と、を有するプロジェクターに関する。【選択図】図１

Description

本発明は、プロジェクターに関するものである。

プロジェクターは、光源部から射出される光を、光変調装置で画像情報に応じて変調し、得られた画像を投写レンズによって拡大投写するものである。近年、このようなプロジェクターに用いられる照明装置としてレーザー光源が用いられている。また、レーザー光源の強度をモニタリングすることで光源における異常を検出する技術がある（例えば、下記特許文献１参照）。この技術では、フライアイレンズにより生成されるサイドローブ光を検出している。

特開２００８−２９９０６３号公報

しかしながら、上記従来技術においては、光学上設計された光ではないサイドローブ光を利用するため、検出結果には個体差がある。そのため、検出結果の信頼性が低かった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、光の強度を精度良く検出することが可能なプロジェクターを提供することを目的とする。

本発明の第１態様に従えば、第１の照明装置と、前記第１の照明装置から射出された光を変調する第１の光変調装置と、投射光学系と、を備えたプロジェクターにおいて、前記第１の照明装置は、複数の発光素子を含む光源装置と、前記光源装置と前記第１の光変調装置との間の光路に設けられ、部分透過反射素子を含む導光光学系と、前記部分透過反射素子の光入射面とは反対側の面に設けられた光路変換素子と、前記光路変換素子の光射出側に設けられ、前記第１の照明装置から射出された光のうち一部の成分を検出する第１の光検出装置と、を有するプロジェクターが提供される。

第１態様に係るプロジェクターの構成によれば、導光光学系を構成する部分透過反射素子を透過した光の少なくとも一部を検出できる。部分透過反射素子を透過した光は光学上設計された光であるので、検出光としてサイドローブ光を用いた構成に比べ、光源装置からの光の強度を精度良く検出できる。また、光路変換素子により、複数の発光素子から射出された光を光検出装置へ導くことができる。よって、複数の発光素子に複数の光検出装置を１対１に対応させて設ける必要が無い。そのため、装置構成が小型化される。

上記第１態様において、前記光路変換素子が光拡散素子である構成としてもよい。
この構成によれば、部分透過反射素子を透過した複数の発光素子からの拡散光を良好に検出することができる。

上記第１態様において、前記光路変換素子がレンズである構成としてもよい。
この構成によれば、部分透過反射素子を透過した複数の光束がレンズにより集光されるので、複数の発光素子からの光を光検出装置が良好に検出できる。

上記第１態様において、前記第１の光検出装置および前記レンズを封止する封止部材を備える構成としてもよい。
この構成によれば、レンズおよび光検出装置の防塵性を向上させることができる。よって、ゴミや埃等の付着による検出精度の低下が防止されることで、装置の信頼性を向上させることができる。

上記第１態様において、前記部分透過反射素子は、誘電体多層膜からなる構成としてもよい。
この構成によれば、誘電体多層膜を最適設計することで光源装置からの光のうち最小限の光のみを光検出装置側に透過させることができる。よって、光源装置の光を有効利用することができる。

上記第１態様において、第２の照明装置と、前記第２の照明装置から射出された光のうち一部の成分を検出する第２の光検出装置と、前記第２の照明装置から射出された光を変調する第２の光変調装置と、前記第１の光検出装置による検出結果と前記第２の光検出装置による検出結果とに基づいて、前記第１の光変調装置に入射する光の強度と前記第２の光変調装置に入射する光の強度との比率を制御する制御装置をさらに備える構成としてもよい。
この構成によれば、複数の照明装置間において光の強度の比率が制御可能となるので、色バランスを調整することができる。

上記第１態様において、前記制御装置は、前記比率の目標値を記憶している構成としてもよい。
この構成によれば、例えば、比率の目標値として、目標とするホワイトバランスに対応する比率を記憶しているので、ホワイトバランスが調整された状態の出荷時の比率に合わせ込むように比率を制御することによって、ホワイトバランス調整を精度良く行うことができる。

本実施形態に係るプロジェクターの概略構成を示す平面図である。 本実施形態に係る照明装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は誘電体多層膜ミラーの周辺における要部構成を示す図である。 ホワイトバランスの調整動作のフロー図である。 照明装置における光量のモニタリング動作のフロー図である。 第１変形例に係る照明装置の要部構成を示す図である。 （ａ）、（ｂ）は第１変形例に係る誘電体多層膜ミラーの周辺における要部構成を示す図である。 第２変形例に係る照明装置の要部構成を示す図である。 （ａ）、（ｂ）は第２変形例に係る誘電体多層膜ミラーの周辺における要部構成を示す図である。 光検出センサーを複数配置した場合の要部構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（プロジェクター）
先ず、図１に示すプロジェクター１００の一例について説明する。
なお、図１は、プロジェクター１００の概略構成を示す平面図である。

本実施形態に係るプロジェクターは、スクリーン（被投射面）上にカラー映像（画像）を表示する投射型画像表示装置である。また、このプロジェクター１００が備える照明装置の光源として、高輝度・高出力な光が得られる半導体レーザー（ＬＤ）などのレーザー光源を用いている。

具体的に、プロジェクター１００は、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂと、光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂと、合成光学系１０３と、投射光学系１０４と、を備える。

照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ各々は、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応したレーザー光（照明光）を射出する光源装置と、レーザー光の強度を検出する光検出システムとを備えている。

照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは、後述のように光源として赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応した半導体レーザーを用いる以外は、基本的に同じ構成を有している。そして、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは、照明光を各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂに向かって照射する。

光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂは、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂからのレーザー光を画像信号に応じてそれぞれ変調し、各色に対応した画像光を形成する。
光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂは、液晶ライトバルブ（液晶パネル）からなり、各々は、各色に対応した照明光を画像情報に応じて変調した画像光を形成する。なお、各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂの入射側及び射出側には、偏光板（不図示）が配置されている。

合成光学系１０３は、各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂからの画像光を合成する。
合成光学系１０３は、クロスダイクロイックプリズムからなり、各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂからの画像光が入射する。合成光学系１０３は、各色に対応した画像光を合成し、この合成された画像光を投射光学系１０４に向かって射出する。

投射光学系１０４は、投射レンズ群からなり、合成光学系１０３により合成された画像光をスクリーンＳＣＲに向かって拡大投射する。これにより、スクリーンＳＣＲ上には、拡大されたカラー映像（画像）が表示される。

（照明装置）
続いて、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの具体的な構成について説明する。
なお、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは、上述したように、光源として赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応した半導体レーザーを用いる以外は、基本的に同じ構成である。したがって、以下の説明では、照明装置１０１Ｒを例に挙げて、その構成について説明し、照明装置１０１Ｇ，１０１Ｂの詳細な説明については省略する。

図２は、照明装置１０１Ｒの概略構成を示す図である。
照明装置１０１Ｒは、図２に示すように、光源装置２と、誘電体多層膜ミラー１０と、光拡散層（光路変換素子）１１と、光検出センサー（光検出装置）２０と、制御装置２００と、を備えている。誘電体多層膜ミラー１０は、光源装置２から射出された光を光変調装置１０２Ｒへ導くための導光光学系を構成する。従来のプロジェクターにおいて、導光光学系は少なくとも１枚のミラーによって構成されている。誘電体多層膜ミラー１０と光拡散層１１と光検出センサー２０とは、光検出システムを構成する。

光源装置２は、複数（例えば、２４個）の半導体レーザー（発光素子）２ａが二次元的に配列されたものである。光源装置２は、光軸と直交する面内に複数の半導体レーザー２ａがアレイ状に並ぶことによって構成されている。また、各半導体レーザー２ａから射出される光は、コヒーレントな直線偏光の光であり、互いに平行に射出される。

各半導体レーザー２ａは、所定の偏光方向を有する赤色（Ｒ）のレーザー光Ｌを射出する。レーザー光Ｌは、その光軸と直交する平面内で見た断面形状が楕円である。

なお、照明装置１０１Ｇにおいて各半導体レーザー２ａは、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面に対して、所定の偏光方向を有する緑色（Ｇ）のレーザー光Ｌを射出させ、照明装置１０１Ｂにおいて各半導体レーザー２ａは、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面に対して、所定の偏光方向を有する青色（Ｂ）のレーザー光Ｌを射出させる。本実施形態においては、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｇにおける各半導体レーザー２ａの各々から射出される光の偏光方向は互いに同じとなっている。

本説明では、２４個の半導体レーザー２ａが３行８列に配置された場合（後述の図３（ａ）参照）を例に挙げて説明するが、半導体レーザー２ａの数はこれに限定されない。

誘電体多層膜ミラー１０は、光源装置２と光変調装置１０２Ｒとの間の光路に設けられ、レーザー光Ｌの大部分を光変調装置１０２Ｒに向けて反射させるとともに、一部の成分を裏面側に透過させる光学特性を有するように設計されている。すなわち、誘電体多層膜ミラー１０は、レーザー光Ｌの波長特性を加味して設計されることで、レーザー光Ｌを反射および透過させることが可能であり、部分透過反射素子として機能する。すなわち、誘電体多層膜ミラー１０を透過した光は光学上設計された光である。

ここで、誘電体多層膜ミラー１０における赤色のレーザー光Ｌの透過率が１％程度に設定されており、光変調装置１０２Ｒに対して十分な光量のレーザー光Ｌを入射させることが可能である。

光拡散層１１は、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面と反対側の面（裏面）に配置される。

光検出センサー２０は、光拡散層１１の光出射側に設けられる。本実施形態においては、光検出センサー２０の受光面が誘電体多層膜ミラー１０に入射するレーザー光Ｌの光軸から傾いている。そのため、レーザー光Ｌの光軸に対して直交するように受光面を配置する構成に比べ、光検出センサー２０の設置スペースが抑えられている。

光検出センサー２０は、光拡散層１１から射出された拡散光の一部を検出する。光検出センサー２０は、制御装置２００に電気的に接続されており、検出結果を制御装置２００に送信する。制御装置２００は、光検出センサー２０の検出結果に基づき、赤色のレーザー光Ｌの強度を把握することが可能である。

なお、照明装置１０１Ｇにおいて誘電体多層膜ミラー１０は、緑色のレーザー光Ｌの透過率が１％程度に設定され、照明装置１０１Ｂにおいて誘電体多層膜ミラー１０は、青色のレーザー光Ｌの透過率が１％程度に設定されている。また、照明装置１０１Ｇにおいて光検出センサー２０は緑色のレーザー光Ｌの検出結果を制御装置２００に送信し、照明装置１０１Ｂにおいて光検出センサー２０は青色のレーザー光Ｌの検出結果を制御装置２００に送信する。このような構成に基づき、制御装置２００は、各光検出センサー２０の検出結果に基づき、赤色、緑色および青色のレーザー光Ｌの各強度をそれぞれ把握することが可能である。

図３は誘電体多層膜ミラー１０の周辺における要部構成を示す図であり、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は断面図である。
図３（ａ）に示すように、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面１０ａには、半導体レーザー２ａから射出された２４個のレーザー光Ｌが入射する。誘電体多層膜ミラー１０は、各レーザー光Ｌの１％程度のみを透過させ、残り９９％程度を反射させる。本実施形態において、光検出センサー２０は、平面視で、誘電体多層膜ミラー１０の略中央に配置されている。レーザー光Ｌの一部の成分は誘電体多層膜ミラー１０を透過し、図３（ｂ）に示すように、光拡散層１１により拡散される。光拡散層１１による拡散光Ｌ２の一部は、光検出センサー２０に入射する。

光検出センサー２０は、導光光学系を構成する誘電体多層膜ミラー１０の裏面側に配置される。そのため、光検出センサー２０は、光学上設計された拡散光Ｌ２を検出するため、光検出センサー２０による検出結果は信頼性の高いものとなる。

続いて、プロジェクター１００における動作について図４、５を参照しつつ説明する。図４はホワイトバランスの調整動作のフロー図であり、図５は照明装置における光量のモニタリング動作のフロー図である。
プロジェクター１００は、電源がＯＮとなった直後や、画像表示を行う直前のタイミングで照明装置１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂにおける色バランスを調整することで照明光のホワイトバランスを調整する。

具体的に、制御装置２００は、まず各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２ＢをＯＦＦ状態とする（図４のステップＳ１）。続いて、制御装置２００は、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの電源をＯＮ状態とする（図４のステップＳ２）。これにより、制御装置２００には、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの各光検出センサー２０からレーザー光Ｌの強度に関する情報が送信される。制御装置２００は、各光検出センサー２０からの検出結果に基づき、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのレーザー光Ｌの強度比率を検出する（図４のステップＳ３）。

出荷時には、プロジェクター１００のホワイトバランスが最適な値に調整されている。制御装置２００は、出荷時のＲＧＢ各光の強度比率を目標値として予め記憶している。目標値とは、目標とするホワイトバランスに対応するＲＧＢ各光の強度比率である。また、目標値には幅を持たせてある。制御装置２００は、各光検出センサー２０が検出した現在のＲＧＢ各色のレーザー光Ｌの光強度比率（強度比率）と記憶済みの目標値とを比較する（図４のステップＳ４）。

その結果、現在のＲＧＢ各色のレーザー光Ｌの光強度比率が目標値の範囲内であると判定した場合（図４のステップＳ５にてＹＥＳの場合）、ホワイトバランス調整が完了したものとし、各光変調装置１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２ＢをＯＮ状態とする（図４のステップＳ７）。

一方、現在のＲＧＢ各色のレーザー光Ｌの光強度比率が目標値の範囲外であると判定した場合（図４のステップＳ５にてＮＯの場合）、現在のＲＧＢ各色のレーザー光Ｌの光強度比率が目標値の範囲内となるように各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのレーザー光Ｌの出力を調整する（図４のステップＳ６）。その後、制御はステップＳ３へと戻る。ステップＳ３において、制御装置２００は、各光検出センサー２０からの検出結果に基づき、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのレーザー光Ｌの強度比率を検出する。さらにステップＳ４における比較、およびステップＳ５における判定を行う。

プロジェクター１００は、上記ホワイトバランスの調整動作を行った後、画像投影を開始する。プロジェクター１００が画像投影を行っている際、レーザー光Ｌに突発的な異常が生じることもあり得る。ここで、突発的な異常とは、例えば、レーザー光Ｌの不点灯あるいは急激な出力変化等である。

これに対し、本実施形態に係るプロジェクター１００は、画像投影時においても、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの各光検出センサー２０から検出結果が制御装置２００に出力されている（図５のステップＳ１０）。制御装置２００は、各光検出センサー２０からの検出結果に基づき、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのレーザー光Ｌの強度を検出する（図５のステップＳ１１）。

制御装置２００は、現在のＲＧＢ各色のレーザー光Ｌの強度と、各レーザー光Ｌを出力させるために半導体レーザー２ａに入力されている電力とを比較する。

その結果、現在のレーザー光Ｌの強度と実際に半導体レーザー２ａへ入力されている電力との比率が正常値であると判定した場合（図５のステップＳ１３にてＹＥＳの場合）、半導体レーザー２ａに異常が生じていないものと判断し、ステップＳ１０へと戻る。その後、制御装置２００は、ステップＳ１１乃至Ｓ１３を繰り返す。

一方、現在のレーザー光Ｌの強度と実際に半導体レーザー２ａへ入力されている電力との比率が正常値の範囲外であると判定した場合（図５のステップＳ１３にてＮＯの場合）、半導体レーザー２ａに異常が生じたと判断し、異常が生じた照明装置からのレーザー出力を停止する（図５のステップＳ１４）。

以上説明したように、本実施形態に係るプロジェクター１００によれば、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂにおいて、導光光学系を構成する誘電体多層膜ミラー１０を透過した光の少なくとも一部を検出できる。誘電体多層膜ミラー１０を透過した光は光学上設計された光であるので、検出光としてサイドローブ光を用いた構成に比べ、光源装置２からの光の強度を精度良く検出することができる。

また、光拡散層１１を備えているため、複数の半導体レーザー２ａから射出されたレーザー光Ｌの強度を１個の光検出センサー２０で検出可能である。そのため、装置構成が小型化される。

また、制御装置２００は、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのレーザー光Ｌの強度の比率が制御可能となるため、照明光におけるホワイトバランスを良好に調整することができる。さらに、制御装置２００は、ホワイトバランスが最適な値に調整された状態での出荷時のＲＧＢ各光の強度比率を予め記憶しており、記憶された目標値に強度比率を合わせ込むように制御を行うため、ホワイトバランス調整を精度良く行うことができる。

（第１変形例）
上記実施形態では、誘電体多層膜ミラー１０の裏面側に光拡散層１１を配置する場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されることはない。

以下、以下の説明では、照明装置１０１Ｒを例に挙げて、その変形例に係る構成について説明し、照明装置１０１Ｇ，１０１Ｂの詳細な説明については省略する。図６は第１変形例に係る照明装置１０１Ｒの要部構成を示す図である。図７は第１変形例に係る誘電体多層膜ミラー１０の周辺における要部構成を示す図であり、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は断面図である。

照明装置１０１Ｒは、図６に示すように、光源装置２と、誘電体多層膜ミラー１０と、集光レンズ（光路変換素子）１２と、光検出センサー２０と、制御装置２００と、を備えている。

集光レンズ１２は、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面と反対側の面（裏面）に配置される。集光レンズ１２は、後述のように誘電体多層膜ミラー１０を透過した複数のレーザー光Ｌを集光する。光検出センサー２０は、集光レンズ１２を透過した複数のレーザー光Ｌを検出する。

図７（ａ）に示すように、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面１０ａには、半導体レーザー２ａから射出された２４個のレーザー光Ｌが入射する。誘電体多層膜ミラー１０は、各レーザー光Ｌの１％程度のみを透過させ、残り９９％程度を反射させる。本変形例において、集光レンズ１２は、平面視で、誘電体多層膜ミラー１０の略中央に配置されている。誘電体多層膜ミラー１０を透過した複数のレーザー光Ｌは、図７（ｂ）に示すように、集光レンズ１２を介して光検出センサー２０に入射する。

以上述べたように、本変形例によれば、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂにおいて、導光光学系を構成する誘電体多層膜ミラー１０を透過した複数のレーザー光Ｌが集光レンズ１２により集光されるため、複数のレーザー光Ｌが１個の光検出センサー２０によって検出可能である。そのため、光源装置２における光の強度を精度良く検出できる。

さらに、誘電体多層膜ミラー１０を透過したレーザー光Ｌの総てが集光レンズ１２に入射するように構成し、かつ光検出センサー２０を集光レンズ１２の焦点位置に配置すれば、１個の光検出センサー２０によって総てのレーザー光Ｌを検出することも可能である。

（第２変形例）
上記第１変形例では、誘電体多層膜ミラー１０の裏面側に集光レンズ１２を配置し、該集光レンズ１２により複数のレーザー光Ｌを集光させて光検出センサー２０に入射させる場合を例に挙げたが、本変形例では集光レンズ１２が封止された構造となっている。

図８は第２変形例に係る照明装置１０１Ｒの要部構成を示す図である。図９は第２変形例に係る誘電体多層膜ミラー１０の周辺における要部構成を示す図であり、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は断面図である。

照明装置１０１Ｒは、図８に示すように、光源装置２と、誘電体多層膜ミラー１０と、集光レンズ１２と、保持部材（封止部材）３０と、光検出センサー２０と、制御装置２００と、を備えている。

集光レンズ１２および光検出センサー２０との間には間隙が必要となる。そのため、光検出センサー２０の光入射面に埃やごみなどの異物が付着することで検出不良が生じるおそれもある。これに対し、本変形例では、保持部材３０が集光レンズ１２および光検出センサー２０を内部に密閉する構造を有している。すなわち、保持部材３０は、集光レンズ１２および光検出センサー２０を封止する封止部材として機能する。

本変形例においても、図９（ａ）に示すように、誘電体多層膜ミラー１０の光入射面１０ａには、半導体レーザー２ａから射出された２４個のレーザー光Ｌが入射する。誘電体多層膜ミラー１０は、各レーザー光Ｌの１％程度のみを透過させ、残り９９％程度を反射させる。誘電体多層膜ミラー１０を透過したレーザー光Ｌは、図９（ｂ）に示すように、集光レンズ１２を介して光検出センサー２０に入射する。本変形例に係る構成によれば、光検出センサー２０の光入射面における異物の付着を防止することができる。

以上述べたように、本変形例によれば、各照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂにおいて、光検出センサー２０の光入射面における異物付着が防止されるので、光源装置２における光の強度を精度良く検出することができる。

（第３変形例）
図１０は第３変形例として、光検出センサー２０を複数（２個）配置した場合における誘電体多層膜ミラー１０の周辺における要部構成を示す平面図である。なお、図１０は、図３（ａ）において光検出センサー２０を２個配置した場合の構造を示すものである。

図１０において、２４個のレーザー光Ｌを左側領域の１２個のレーザー光Ｌと右側領域の１２個のレーザー光Ｌとに分割し、左側領域に光検出センサー２０ａを配置し、右側領域に光検出センサー２０ｂを配置している。光路変換素子として、拡散力が比較的小さい光拡散層１１を用いた場合、誘電体多層膜ミラー１０の周縁部に入射したレーザー光が誘電体多層膜ミラー１０の中央部に配置した光検出センサーによって検出されない虞がある。しかし、図１０に示したような構成によれば、光拡散層１１の拡散力が比較的小さい場合でも、一部のレーザー光が検出されないということを防ぐことができる。

また、この構成によれば、複数の半導体レーザー２ａから射出されたレーザー光Ｌの強度を該半導体レーザー２ａの数よりも少ない個数の光検出センサー２０で検出可能となるため、装置構成を小型化することができる。なお、光検出センサー２０の数としては２個に限定されることは無く、半導体レーザー２ａよりも少なく設定すればよい。

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記実施形態では、誘電体多層膜ミラー１０の光透過率を１％程度に設定していたが、これに限られない。光源装置２から射出された光を効率よく照明に利用するためには、誘電体多層膜ミラー１０の光透過率は小さい方が好ましい。誘電体多層膜ミラー１０の光透過率が所望の値になるように誘電体多層膜を設計すればよい。

また、上記実施形態では、全ての照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂについて本発明を適用した場合を例に挙げたが、これに限定されることは無い。照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのうち本発明を適用した照明装置においては、レーザー光Ｌの照度を精度良く検出することができる。

また、上記実施形態では、照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ各々が備える光検出システムに本発明を適用して、ホワイトバランスを調整することとしたが、これに限られない。照明装置１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのうち少なくとも一つの照明装置の光検出システムに本発明を適用してもよい。

また、上記実施形態では、光源装置として半導体レーザーを用いたがこれに限られない。光源装置として、発光ダイオード等の固体光源を用いてもよい。

また、上記実施形態では、光変調装置として液晶ライトバルブを用いたがこれに限られない。光変調装置として、デジタルマイクロミラー素子を用いてもよい。

２…光源装置、２ａ…半導体レーザー（発光素子）、１０…誘電体多層膜ミラー（部分透過反射素子）、１１…光拡散層（光路変換素子）、１２…集光レンズ（光路変換素子）、３０…保持部材（封止部材）、１００…プロジェクター、１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ…照明装置、１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ…光変調装置、２００…制御装置。

Claims (7)

1. 第１の照明装置と、前記第１の照明装置から射出された光を変調する第１の光変調装置と、投射光学系と、を備えたプロジェクターにおいて、
   前記第１の照明装置は、
   複数の発光素子を含む光源装置と、
   前記光源装置と前記第１の光変調装置との間の光路に設けられ、部分透過反射素子を含む導光光学系と、
   前記部分透過反射素子の光入射面とは反対側の面に設けられた光路変換素子と、
   前記光路変換素子の光射出側に設けられ、前記第１の照明装置から射出された光のうち一部の成分を検出する第１の光検出装置と、を有するプロジェクター。
2. 前記光路変換素子が光拡散素子である
   請求項１に記載のプロジェクター。
3. 前記光路変換素子がレンズである
   請求項１に記載のプロジェクター。
4. 前記第１の光検出装置および前記レンズを封止する封止部材を備える
   請求項３に記載のプロジェクター。
5. 前記部分透過反射素子は、誘電体多層膜からなる
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロジェクター。
6. 第２の照明装置と、
   前記第２の照明装置から射出された光のうち一部の成分を検出する第２の光検出装置と、
   前記第２の照明装置から射出された光を変調する第２の光変調装置と、
   前記第１の光検出装置による検出結果と前記第２の光検出装置による検出結果とに基づいて、前記第１の光変調装置に入射する光の強度と前記第２の光変調装置に入射する光の強度との比率を制御する制御装置をさらに備える
   請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロジェクター。
7. 前記制御装置は、前記比率の目標値を記憶している
   請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロジェクター。

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