JP2015153829A - 半導体発光装置、実装基板、及び、半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置、実装基板、及び、半導体発光装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
新規な構成を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
当該半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板上に形成され、強磁性体材料を含む第1基板電極と、前記支持基板上に、前記第1基板電極と間隙を空けて、該第1基板電極の少なくとも一部を囲うように形成される第2基板電極と、を備える実装基板と、前記第1基板電極および前記第2基板電極の上方に配置され、発光性を有する光半導体積層と、前記光半導体積層の下面中央に、前記第1基板電極と接触するように形成され、強磁性体材料を含む中央電極と、前記光半導体積層の下面周縁に、前記中央電極と間隙を空けて、前記第2基板電極と接触するように形成される周縁電極と、を備える半導体発光素子と、を含む。
【選択図】 図6−2
Description
Claims (7)
- 実装基板と、該実装基板上に実装される半導体発光素子と、を含む半導体発光装置であって、
前記実装基板は、
支持基板と、
前記支持基板上に形成され、強磁性体材料を含む第1基板電極と、
前記支持基板上に、前記第1基板電極と間隙を空けて、該第1基板電極の少なくとも一部を囲うように形成される第2基板電極と、
を備え、
前記半導体発光素子は、
前記第1基板電極および前記第2基板電極の上方に配置され、発光性を有する光半導体積層と、
前記光半導体積層の下面中央に、前記第1基板電極と接触するように形成され、強磁性体材料を含む中央電極と、
前記光半導体積層の下面周縁に、前記中央電極と間隙を空けて、前記第2基板電極と接触するように形成される周縁電極と、
を備える、
半導体発光装置。 - 前記光半導体積層は、前記実装基板側から、p型半導体層、発光性を有する活性層、および、n型半導体層、が積層する構成を有し、さらに、該p型半導体層側表面の中央領域において、該p型半導体層および該活性層が除去され、該n型半導体層が表出する穴部を備え、
前記中央電極は、前記穴部を通って、前記n型半導体層と電気的に接続し、
前記周縁電極は、前記p型半導体層の表面において該p型半導体層と電気的に接続する、
請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記光半導体積層は、前記実装基板側から、p型半導体層、発光性を有する活性層、および、n型半導体層、が積層する構成を有し、
前記中央電極は、前記p型半導体層の表面において該p型半導体層と電気的に接続し、
前記周縁電極は、前記p型半導体層および前記活性層の側面を通って、前記n型半導体層と電気的に接続する、
請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記第1基板電極は、自発磁化している請求項1〜3いずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記第2基板電極および前記周縁電極は、反磁性体材料または常磁性体材料を含み、
前記実装基板は、さらに、
前記第1基板電極と接続して形成され、反磁性体材料または常磁性体材料を含む第1配線部材と、
前記第2基板電極と接続して形成され、反磁性体材料または常磁性体材料を含む第2配線部材と、
を備える請求項1〜4いずれか1項記載の半導体発光装置。 - 支持基板と、
前記支持基板表面に形成され、自発磁化した強磁性体材料を含む第1基板電極と、
前記支持基板表面に、前記第1基板電極と間隙を空けて形成され、反磁性体材料または常磁性体材料を含む第2基板電極と、
前記支持基板表面に、前記第1基板電極と連続して形成され、反磁性体材料または常磁性体材料を含む第1配線部材と、
前記支持基板表面に、前記第2基板電極と連続して形成され、反磁性体材料または常磁性体材料を含む第2配線部材と、
を備える実装基板。 - 工程a)支持基板と、前記支持基板上に形成され、自発磁化した強磁性体材料を含む第1基板電極と、前記支持基板上に、前記第1基板電極と間隙を空けて、該第1基板電極の少なくとも一部を囲うように形成される第2基板電極と、を備える実装基板を準備する工程と、
工程b)発光性を有する光半導体積層と、前記光半導体積層表面の中央領域に形成され、強磁性体材料を含む中央電極と、前記光半導体積層表面の周縁領域に、前記中央電極と間隙を空けて形成される周縁電極と、を備える半導体発光素子が、溶媒中に分散する素子分散溶媒を準備する工程と、
工程c)前記素子分散溶媒を前記実装基板に供給する工程であって、前記半導体発光素子の中央電極が前記第1基板電極に引き寄せられることにより、該中央電極が該第1基板電極と接触し、前記周縁電極が前記第2基板電極と接触する工程と、
を有する半導体発光装置の製造方法。
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