JP2015153550A - 微細空間内に導体を形成する製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 224
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 167
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 167
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 44
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 6
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 triazine thiol compound Chemical class 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDGKUVSVPIIUCF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpiperidine Chemical compound CC1CCCC(C)N1 SDGKUVSVPIIUCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002744 anti-aggregatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0224—Conductive particles having an insulating coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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- Powder Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】第1金属材料たる高融点金属微粒子52を、液状分散媒51中に分散させたもの(機能性材料)5を、微細空間3の内部に充填する。次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させる。次に、第2金属材料として、溶融した低融点金属材料53Lを供給し、加圧F1しながら冷却する。
【選択図】図1
Description
(a)第1金属材料:高融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料
(b)第1金属材料:高融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料及び高融点金属材料
(c)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料
(d)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料
(e)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料及び高融点金属材料
(f)第1金属材料:低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料
(g)第1金属材料:低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
(1)第2金属材料を、溶融金属として供給する場合
この場合は、例えば、組合せ(a)に従い、前記第1金属材料は、高融点金属材料を含む組成とし、前記第2金属材料は、低融点金属材料を含む組成とすることができる。第2金属材料は、溶融状態で前記微細空間に供給される。
(2)第2金属材料を金属微粉末として供給する場合
前記第2金属材料は、金属微粉末として供給してもよい。この場合は、微細空間内の液状分散媒を蒸発させた後、微細空間内に第2金属材料を供給し、加熱する。すると、第1又は第2金属材料に含まれる低融点金属微粒子が溶融し、第1又は第2金属材料に含まれる高融点金属微粒子の間に存在する隙間に、溶融した低融点金属材料が入り込み、低融点金属材料と高融点金属微粒子との間で、拡散結合が生じる。この拡散結合により、製造プロセスでは、低融点金属材料の有する低い温度で融解させ、硬化後は、融解温度を、高融点金属微粒子持つ高い融点まで上昇させることができる。よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体を形成することができる。
前記第2金属材料は金属膜として供給してもよい。
本明細書で、分散系とは、微細な固体粒子が液体の分散媒中に分散した懸濁液又はペーストを言い、同じ粒度の粒子がそろった単分散系,粒度が不ぞろいに変化する多分散系の両系を含む。また、粗粒の分散系のみならず、コロイダルな分散系をも含む。また、液状分散媒とは、水性分散媒又は揮発性有機分散媒をいう。
図1に図示された製造方法は、前述した組合せ(a)に係るものである。まず、微細空間3を有する対象物1を準備する(図1(a))。対象物1には、ウエハ、回路基板、積層基板、半導体チップ、MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)等、微細空間を有するものが広く含まれる。微細空間3には、TSV(Through Silicon Via)で代表される貫通孔、非貫通孔(盲孔)の他、積層された基板間に生じる微細隙間G1等が含まれる。対象物1が、半導体基板等、導電性を有する場合、微細空間3の内壁面は、絶縁膜又は絶縁層によって構成される。
図3は、別の製造方法を示している。図において、図1に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付してある。この製造方法は、第1金属材料と第2金属材料との組合せに関して、組合せ(a)をとるものである。図3(a)〜(c)のプロセスは、図1(a)〜(c)に図示された製造方法のプロセスと同じであり、同じ作用効果が得られる。
上述したプロセスによれば、図3に示した製造方法と同様の作用効果を得ることができる。
図7に示した製造方法は、第1金属材料及び第2金属材料の組合せに関して、組合せ(a)をとる。即ち、第1金属材料は、高融点金属材料たる高融点金属微粉末52Hであり、第2金属材料は、低融点金属材料たる低融点金属膜53である。
まず、流動性充填材である機能性材料5を用いるから、本来、充填の困難な微粉末形態を有する第1金属材料を、機能性材料5の流動性を利用し、例えば、印刷などの手段によって、微細空間3の内部に確実に充填することができる。
第1金属材料又は第2金属材料は、好ましくは、樹脂膜で被覆された金属粒子であることが好ましい。樹脂被覆された金属粒子は、酸化防止及び凝集防止作用が得られるからである。その概念図を、図11に示した。図11を参照すると、低融点金属微粒子又は高融点金属微粒子でなる金属コア部分501を、樹脂膜502で被覆した金属微粒子500が図示されている。金属コア部分501は、ナノコンポジット構造を持つ。金属コア部分501は、粒径が不揃いであっても、統一されていてもよい。また、球状、鱗片状、扁平状等、任意の形状をとることができる。樹脂膜502は、酸化防止膜及び凝集防止膜として機能する。そのような技術は、例えば、特許文献3で知られている。
3 微細空間
5 機能性材料
50 導体
51 分散媒
52H、53H 高融点金属微粒子又は高融点金属膜
52L、53L 低融点金属微粒子又は低融点金属膜
Claims (5)
- 対象物に設けられた微細空間内に導体を形成する製造方法であって、
微粉末でなる第1金属材料を液状分散媒中に分散させたものを、微細空間内に充填し、
次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させ、
次に、前記微細空間に第2金属材料を供給する工程を含み、
前記第1金属材料と前記第2金属材料との組合せは、高融点金属材料と低融点金属材料との組合せを含む、
製造方法。 - 請求項1に記載された製造方法であって、
前記第1金属材料は、高融点金属材料を含み、
前記第2金属材料は、低融点金属材料を含み、溶融状態で前記微細空間に供給される、
製造方法。 - 請求項1に記載された製造方法であって、
前記第1金属材料は、高融点金属材料又は低融点金属材料の少なくとも一種を含み、
前記第2金属材料は、低融点金属材料又は高融点材料の少なくとも一種を含み、前記微細空間に供給された後、加熱される、
製造方法。 - 請求項3に記載された製造方法であって、前記第2金属材料は、微粉末又は金属膜として供給される製造方法。
- 金属微粒子を分散媒に分散させた機能性材料であって、
前記金属微粒子は、金属コア部分を、樹脂膜で被覆したものであり、
前記分散媒は、前記水性分散媒又は揮発性有機分散媒である、
機能性材料。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014025116A JP6022492B2 (ja) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 微細空間内に導体を形成する製造方法 |
US14/552,878 US20150228382A1 (en) | 2014-02-13 | 2014-11-25 | Method for forming conductor in minute space |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014025116A JP6022492B2 (ja) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 微細空間内に導体を形成する製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015153550A true JP2015153550A (ja) | 2015-08-24 |
JP6022492B2 JP6022492B2 (ja) | 2016-11-09 |
Family
ID=53775502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014025116A Expired - Fee Related JP6022492B2 (ja) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 微細空間内に導体を形成する製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150228382A1 (ja) |
JP (1) | JP6022492B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6022492B2 (ja) | 2016-11-09 |
US20150228382A1 (en) | 2015-08-13 |
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