JP2015153550A - 微細空間内に導体を形成する製造方法 - Google Patents

微細空間内に導体を形成する製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】微細空間の内部に電気抵抗の低い高信頼度、高品質の導体を形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】第1金属材料たる高融点金属微粒子52を、液状分散媒51中に分散させたもの(機能性材料)5を、微細空間3の内部に充填する。次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させる。次に、第2金属材料として、溶融した低融点金属材料53Lを供給し、加圧F1しながら冷却する。
【選択図】図1

Description

本発明は、微細空間内に導体分を形成する製造方法に関する。
例えば、半導体デバイスによって代表される電子デバイスや、マイクロマシン等においては、内部に高アスペクト比を持つ微細な導体充填構造、絶縁構造又は機能構造を形成しなければならないことがある。このような場合、予め選択された充填材を微細孔内に充填することによって、導体充填構造、絶縁構造及び機能構造等を実現する技術が知られている。しかし、高アスペクト比を持つ微細孔内に、空隙や硬化後変形などを生じさせることなく、その底部まで充填材を充分に充填することは困難を極める。
そのような技術的困難性を克服し得る先行技術として、特許文献1及び2に記載された充填製造方法及び装置が知られている。
特許文献1に記載された技術は、ウエハに存在する微細孔に溶融金属を充填し硬化させる製造方法であって、前記微細孔内の前記溶融金属に対し、大気圧を超える強制外力を印加したままで、前記溶融金属を冷却し硬化させる工程を含む。前記強制外力は、プレス圧、射出圧又は転圧から選択された少なくとも1種で与えられ、前記微細孔の他端側を閉じた状態で、前記微細孔の開口する開口面側から前記溶融金属に印加される。特許文献2は、特許文献1に記載された製造方法を実施するための装置を開示している。
上述した特許文献1,2に記載された技術によれば、空隙やボイドなどを生じることなく、微細孔を充填物によって満たし得ること、微細隙間G1で冷却された硬化金属の凹面化を回避し得ること、及び、工程の簡素化、歩留りの向上などに寄与し得ること、等の優れた作用効果を得ることができる。
特許第4278007号公報 特許第4505540号公報 特開2006−22384号公報
本発明の課題は、ち密な構造を持ち、電気抵抗が低く、機械的強度に優れた導体を、容易に形成する製造方法を提供することである。
上述した課題を達成するため、本発明は、対象物に設けられた微細空間内に導体を形成する製造方法であって、微粉末でなる第1金属材料を液状分散媒中に分散させたものを、微細空間内に充填し、次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させ、次に、前記微細空間に第2金属材料を供給する工程を含む。前記第1金属材料と前記第2金属材料との組合せは、高融点金属材料と低融点金属材料との組合せを含む。
上述したように、微粉末でなる第1金属材料を液状分散媒中に分散させたもの(機能性材料)を、微細空間内に充填するから、本来、充填の困難な微粉末形態を有する第1金属材料を、機能性材料の流動性を利用して、微細空間内に確実に充填することができる。
次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させる。微細空間の内部には、微粉末でなる第1金属材料の金属微粒子が残ることになり、第1金属微粒子の間に隙間が生じる。
次に、前記微細空間に第2金属材料を供給する。ここで、前記第1金属材料と前記第2金属材料との組合せは、高融点金属材料と低融点金属材料との組合せを含む。この組合せに従えば、第2金属材料を供給する前、又は、供給後に、加熱することにより、前記第1金属材料及び前記第2金属材料の何れかに含まれる低融点金属材料を溶融し、第1金属微粒子の間に存在する隙間に、溶融した低融点金属材料を侵入させ、低融点金属材料と高融点金属微粒子との間に、拡散結合を生じさせることができる。
この拡散結合により、製造プロセスでは、低融点金属材料の有する低い温度で融解させ、硬化後は、融解温度を、高融点金属微粒子持つ高い融点まで上昇させることができる。よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体を形成することができる。高融点金属微粒子は、殆ど溶融することなく、原形を保ち、低融点金属材料との境界において、拡散結合を生成する。
第1金属材料と第2金属材料との組合せは、高融点金属材料と低融点金属材料との組合せを含むことが基本である。可能な組合せとして、下記のタイプがあり得る。
(a)第1金属材料:高融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料
(b)第1金属材料:高融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料及び高融点金属材料
(c)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料
(d)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料
(e)第1金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
第2金属材料:低融点金属材料及び高融点金属材料
(f)第1金属材料:低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料
(g)第1金属材料:低融点金属材料
第2金属材料:高融点金属材料及び低融点金属材料
具体的な製造プロセスとしては、次のような例を上げることができる。
(1)第2金属材料を、溶融金属として供給する場合
この場合は、例えば、組合せ(a)に従い、前記第1金属材料は、高融点金属材料を含む組成とし、前記第2金属材料は、低融点金属材料を含む組成とすることができる。第2金属材料は、溶融状態で前記微細空間に供給される。
微細空間内に溶融した低融点金属材料を供給した後は、加圧しながら冷却し、硬化させることが好ましい。これにより、高融点金属微粒子の間に存在する隙間に、溶融した低融点金属材料が入り込み、低融点金属材料と高融点金属微粒子との間に、拡散結合が形成される。高融点金属微粒子は、殆ど溶融することなく、原形を保ち、低融点金属材料との境界において、拡散結合を生成する。この拡散結合により、製造プロセスでは、第2金属材料を、低融点金属材料の有する低い温度で融解させ、硬化後は、融解温度を、第1金属材料を構成する高融点金属微粒子持つ高い融点まで上昇させることができる。よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体を形成することができる。
しかも、微細空間内に充填された低融点金属材料及び高融点金属材料が、その冷却プロセスにおいて加圧されるから、低融点金属材料及び高融点金属材料が、冷却時の収縮に追従するようにして変形し又は変位する。よって、隙間や、ボイド等の発生が抑制される。
別の例として、組合せ(c)に従い、前記第1金属材料は、高融点金属材料及び低融点金属材料を含む組成とし、前記第2金属材料は、低融点金属材料を含む組成とすることが考えられる。
この場合も、上に述べたような作用効果を期待することができる。
(2)第2金属材料を金属微粉末として供給する場合
前記第2金属材料は、金属微粉末として供給してもよい。この場合は、微細空間内の液状分散媒を蒸発させた後、微細空間内に第2金属材料を供給し、加熱する。すると、第1又は第2金属材料に含まれる低融点金属微粒子が溶融し、第1又は第2金属材料に含まれる高融点金属微粒子の間に存在する隙間に、溶融した低融点金属材料が入り込み、低融点金属材料と高融点金属微粒子との間で、拡散結合が生じる。この拡散結合により、製造プロセスでは、低融点金属材料の有する低い温度で融解させ、硬化後は、融解温度を、高融点金属微粒子持つ高い融点まで上昇させることができる。よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体を形成することができる。
しかも、微細空間内に充填された低融点金属材料及び高融点金属材料が、その冷却プロセスにおいて加圧されるから、低融点金属材料及び高融点金属材料が、冷却時の収縮に追従するようにして変形し又は変位する。よって、隙間や、ボイド等の発生が抑制される。
(3)第2金属材料を金属膜として供給する場合
前記第2金属材料は金属膜として供給してもよい。
(4)定義等
本明細書で、分散系とは、微細な固体粒子が液体の分散媒中に分散した懸濁液又はペーストを言い、同じ粒度の粒子がそろった単分散系,粒度が不ぞろいに変化する多分散系の両系を含む。また、粗粒の分散系のみならず、コロイダルな分散系をも含む。また、液状分散媒とは、水性分散媒又は揮発性有機分散媒をいう。
本明細書で、第1金属材料及び第2金属材料は、単一金属元素からなるもののみならず、複数金属元素からなるものを含む。
高融点金属材料は、具体的には、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si又はNiの群から選択された少なくても1種を含む金属材料又は合金材料によって構成することができる。高融点金属材料は、nmサイズ(1μm以下)に属するナノ微粒子又はナノコンポジット構造を有する微粒子で構成されていることが好ましい。
低融点金属材料は、Sn、Bi、GaもしくはInから選択された少なくとも一種の金属又はそれらの合金を含むことができる。低融点金属材料も、ナノ微粒子又はナノコンポジット構造を有する微粒子で構成されていることが好ましい。
低融点金属微粒子及び高融点金属微粒子は、粒径が不揃いであっても、統一されていてもよい。また、球状、鱗片状、扁平状等、任意の形状をとることができる。
以上述べたように、本発明によれば、対象物に存在する微細空間内に空隙、隙間または空洞のない機能部分を形成する製造方法を提供することができる。
本発明に係る製造方法を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法の更に別の例を示すフローチャートである。 本発明に係る製造方法に用いられる第1金属材料又は第2金属材料に含まれる金属微粒子の断面図である。
1.第2金属材料を溶融金属として供給する場合
図1に図示された製造方法は、前述した組合せ(a)に係るものである。まず、微細空間3を有する対象物1を準備する(図1(a))。対象物1には、ウエハ、回路基板、積層基板、半導体チップ、MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)等、微細空間を有するものが広く含まれる。微細空間3には、TSV(Through Silicon Via)で代表される貫通孔、非貫通孔(盲孔)の他、積層された基板間に生じる微細隙間G1等が含まれる。対象物1が、半導体基板等、導電性を有する場合、微細空間3の内壁面は、絶縁膜又は絶縁層によって構成される。
対象物1に設けられた微細空間3は、この実施例では、貫通孔又は非貫通孔であり、開口部の孔径D1、深さH1を有している。孔径D1は、例えば25μm以下であり、深さH1は、孔径D1とのアスペクト比が、1以上、好ましくは5以上となる値である。対象物1が、例えばウエハである場合には、上述した微細空間3は、ウエハ面内に多数設けられる。
上述した対象物1の微細空間3に、機能性材料5を充填(流し込み)する。機能性材料5は、微粉末の第1金属材料を液状分散媒51中に分散させた(図1(b))ものでなる。微粉末の第1金属材料は、高融点金属微粒子52Hからなる。機能性材料5を微細空間内に充填する製造方法として、遠心力を利用した充填法、対象物又は装置に超音波振動与える充填法等を利用することができる。
機能性材料5を、微細空間3の内部に充填する場合、真空チャンバ内の減圧雰囲気で処理することが好ましい。減圧処理の後、真空チャンバの内圧を増圧する差圧充填方式を採用してもよい。この差圧充填によれば、機能性材料5を、微細空間3の内部に確実に充填することができる。
次に、微細空間3の内部において、液状分散媒51を蒸発させる(図1(c))。これにより、高融点金属微粒子52Hの間に隙間G1が生じる。
次に、微細空間3の内部に、第2金属材料として、溶融した低融点金属材料53Lを供給し(図1(d))、加圧F1しながら冷却し、硬化させる(図1(e))。これにより、高融点金属微粒子52Hの間に存在する隙間G1に、溶融した低融点金属材料53Lが入り込み(図1(d))、低融点金属材料53Lと高融点金属微粒子52Hとの間に拡散結合を生じさせた導体50が得られる。高融点金属微粒子52Hは、溶融することなく、ほぼ原形を保ち、低融点金属材料53Lとの境界において、拡散結合を生成する。
上述したように、図1に示した製造方法では、微粉末の第1金属材料を液状分散媒中に分散させた機能性材料5を用いる。即ち、流動性のある機能性材料5を用いるから、本来、充填の困難な微粉末形態を有する第1金属材料を、機能性材料5の流動性を利用し、例えば、印刷などの手段によって、微細空間3の内部に確実に充填することができる。
また、液状分散媒51を微細空間3の内部から外部に蒸発させることにより、高融点金属微粒子52Hの間に隙間G1が生じさせ、高融点金属微粒子52Hの間に存在する隙間G1に、低融点金属材料53Lの溶融物が入り込み、低融点金属材料53Lと高融点金属微粒子52Hとの間で、拡散結合が形成されることになる。高融点金属微粒子52Hは、殆ど溶融することなく、原形を保ち、低融点金属材料53Lとの境界において、拡散結合を生成する。
このため、製造プロセスでは、第2金属材料を、低融点金属材料53Lの有する低い温度で融解させて、第1金属材料と拡散結合を生じさせ、硬化後は、融解温度を、第1金属材料を構成する高融点金属微粒子52Hの持つ高い融点まで上昇させることができる。
よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物1に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体50を形成することができる。
また、微細空間3の内部に充填された低融点金属材料53L及び高融点金属微粒子52Hが、その冷却プロセスにおいて加圧F1され、硬化するから、低融点金属材料及び高融点金属材料が、冷却時の収縮に追従するようにして変形し又は変位する。よって、隙間やボイド等の発生が抑制され、電気抵抗の低い高信頼度、高品質の導体50が形成される。
図2は、組合せ(c)に係る製造方法を示している。図において、図1に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付してある。まず、高融点金属微粒子52H及び低融点金属微粒子52Lを混ぜ合わせて混合微粉末52HLを、液状分散媒51中に分散させた機能性材料5を、微細空間3の内部に充填(図2(a)、(b))する。
次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させ(図2(c))た後、微細空間3の内部に、第2金属材料として、溶融した低融点金属材料53Lを供給し(図1(d))、加圧しながら冷却し、硬化させる(図1(e))。これにより、図1で説明した製造方法と同様の作用効果を得ることができる。
説明は省略するが、第2金属材料を溶融金属として供給する場合における第1金属材料と第2金属材料との組合せに関しては、組合せ(b)、(e)、(g)をとることもできる。
2.第2金属材料を金属微粉末として供給する場合
図3は、別の製造方法を示している。図において、図1に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付してある。この製造方法は、第1金属材料と第2金属材料との組合せに関して、組合せ(a)をとるものである。図3(a)〜(c)のプロセスは、図1(a)〜(c)に図示された製造方法のプロセスと同じであり、同じ作用効果が得られる。
図3の特徴点は、微細空間3の内部において、液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の内部に微粉末でなる低融点金属材料53Lを供給し(図3(d))、加熱し、加圧し、硬化させる工程(図3(e))を含む点にある。微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の内部に低融点金属材料53Lを供給し加熱すると、低融点金属材料53Lが溶融し、高融点金属微粒子52Hの間に存在する隙間G1に低融点金属材料53Lの溶融物が入り込み、低融点金属材料53Lと高融点金属微粒子52Hとの間で、拡散結合が形成されることになる。
このため、製造プロセスでは、第2金属材料を、低融点金属材料53Lの有する低い温度で融解させて、第1金属材料と拡散結合を生じさせ、硬化後は、融解温度を、第1金属材料を構成する高融点金属微粒子52Hの持つ高い融点まで上昇させることができる。
よって、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物1に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体50を形成することができる。
更に、微細空間3の内部に低融点金属材料53Lを供給し、加熱し、加圧し、硬化させる工程を含むから、微細空間3の内部に充填された低融点金属材料53L及び高融点金属微粒子52Hが、その冷却プロセスにおいて加圧F1され、低融点金属材料53L及び高融点金属材料52が、冷却時の収縮に追従するようにして変形し又は変位する。よって、隙間やボイド等の発生が抑制され、電気抵抗の低い高信頼度、高品質の導体50が形成される。
次に、図4に示す実施例は、第1金属材料と第2金属材料との組合せに関して、組合せ(b)をとるものである。まず、微粉末である高融点金属材料52Hからなる第1金属材料を、液状分散媒51中に分散させた機能性材料5を、微細空間3の内部に充填し(図4(a)〜(b))、次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させ(図3(c))、次に、微細空間3の内部に、第2金属材料として、高融点金属材料53H及び低融点金属材料53Lを混合した混合微粉末53HLを供給し(図4(d))、加熱し、加圧F1し、硬化させる工程(図4(e))を含む。
上述したプロセスによれば、図3に示した製造方法と同様の作用効果を得ることができる。
次に、図5に示す実施例は、第1金属材料と第2金属材料との組合せに関して、組合せ(d)をとるものである。まず、第1金属材料を、高融点金属微粉末52H及び低融点金属微粉末52Lを混ぜ合わせた混合微粉末52HLによって構成する。この第1金属材料を、液状分散媒51中に分散させた機能性材料を、微細空間の内部に充填し(図5(a)〜(b))、次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させ(図5(c))、次に、図3及び図4で示したように、微細空間の内部の第1金属材料の上に、第2金属材料として、高融点金属材料53Hを供給し(図5(d))、加熱し、加圧F1し、硬化させる(図5(e))を含む。
上述したプロセスによれば、第1金属材料に含まれる低融点金属微粉末52Lが溶融し、低融点金属微粉末52Lと、第1金属材料に含まれる高融点金属微粉末52H及び第2金属材料を構成する高融点金属微粉末53Hとの間で、拡散結合が生じる。よって、図3、図4に示した製造方法と同様の作用効果を得ることができる。
図6に示す実施例は、第1金属材料と第2金属材料との組合せに関して、組合せ(e)をとるものである。まず、第1金属材料を、高融点金属微粉末52H及び低融点金属微粉末52Lを混ぜ合わせた混合微粉末52HLによって構成する。この第1金属材料を、液状分散媒中に分散させた機能性材料を、微細空間の内部に充填し(図6(a)〜(b))、次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させ(図6(c))、次に、図3及び図4で示したように、微細空間の内部の第1金属材料の上に、第2金属材料を供給し(図5(d))、加熱し、加圧F1し、硬化させる(図5(e))。第2金属材料は、高融点金属微粉末53H及び低融点金属微粉末53Lを混ぜ合わせた混合微粉末53HLによって構成する。
上述したプロセスによれば、第1金属材料及び第2金属材料に含まれる低融点金属微粉末52L及び53Lが溶融し、低融点金属微粉末52L、53Lと、第1金属材料に含まれる高融点金属微粉末52H及び第2金属材料を構成する高融点金属微粉末53Hとの間で、拡散結合が生じる。よって、図3、図4に示した製造方法と同様の作用効果を得ることができる。
3.膜状の第2金属材料を用いる場合
図7に示した製造方法は、第1金属材料及び第2金属材料の組合せに関して、組合せ(a)をとる。即ち、第1金属材料は、高融点金属材料たる高融点金属微粉末52Hであり、第2金属材料は、低融点金属材料たる低融点金属膜53である。
微細空間3の内部に導体を形成するに当たり、高融点金属材料52Hを、液状分散媒51中に分散させた機能性材料51を、微細空間3の内部に充填し、次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させる工程を含む(図7(a)〜(c))。
次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に薄膜状の高融点金属膜52を重ね(図7(d)、加熱し、加圧し、硬化させる。
上述したように、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に低融点金属膜53Lを重ね、加熱すると、低融点金属膜53Lが溶融し、その溶融した低融点金属材料53Lと、高融点金属膜52Hとの間で、拡散結合が形成される。
次に、図8に示した製造方法は、第1金属材料及び第2金属材料の組合せに関して、組合せ(b)をとる。即ち、第1金属材料は、高融点金属材料たる高融点金属微粉末52Hであり、第2金属材料は、低融点金属材料たる低融点金属膜53Lと高融点金属材料たる高融点金属膜53Hである。
微細空間3の内部に導体を形成するに当たり、高融点金属材料52Hを、液状分散媒51中に分散させた機能性材料51を、微細空間3の内部に充填し、次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させる(図7(a)〜(c))。
次に、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に、低融点金属膜53L及び高融点金属膜53Hを、この順序で重ね(図8(d))、その状態で加熱し、加圧し、硬化させる。
上述したように、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に低融点金属膜53L及び高融点金属膜53Hを重ね、加熱すると、低融点金属膜53Lが溶融し、その溶融した低融点金属材料53Lと、高融点金属膜52H及び高融点金属膜53Hとの間で、拡散結合が形成される。
次に、図9に示した製造方法は、第1金属材料及び第2金属材料の組合せに関して、組合せ(d)をとる。即ち、第1金属材料は、高融点金属微粉末52H及び低融点金属微粉末52Lを混合した混合微粉末52HLであり、第2金属材料は、高融点金属材料たる高融点金属膜53Hである。
微細空間3の内部に導体を形成するに当たり、混合微粉末52HLを、液状分散媒中に分散させた機能性材料を、微細空間の内部に充填し、次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させる(図9(a)〜(c))。
次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させた後、微細空間の開口部を含む領域に、高融点金属膜53Hを重ね(図9(d))、その状態で加熱し、加圧し、硬化させる。
上述したように、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に高融点金属膜53Hを重ね、加熱すると、第1金属材料の低融点金属膜52Lが溶融し、その溶融した低融点金属材料52Lと、高融点金属膜52H及び高融点金属膜53Hとの間で、拡散結合が形成される。
更に、図10に示した製造方法は、第1金属材料及び第2金属材料の組合せに関して、組合せ(e)をとる。即ち、第1金属材料は、高融点金属微粉末52H及び低融点金属微粉末52Lを混合した混合微粉末52HLであり、第2金属材料は、低融点金属膜53L及び高融点金属膜53Hを、図8に示したような状態で積層したものである。
微細空間の内部に導体を形成するに当たり、混合微粉末52HLを、液状分散媒中に分散させた機能性材料を、微細空間の内部に充填し、次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させる(図10(a)〜(c))。
次に、微細空間の内部の液状分散媒を蒸発させた後、微細空間の開口部を含む領域に、低融点金属膜53L及び高融点金属膜53Hを重ね(図9(d))、その状態で加熱し、加圧し、硬化させる。
上述したように、微細空間3の内部の液状分散媒51を蒸発させた後、微細空間3の開口部を含む領域に低融点金属膜53L及び高融点金属膜53Hを重ね、加熱すると、第1金属材料の低融点金属微粉末52L、及び、第2金属材料の低融点金属膜53Lが溶融し、その溶融した低融点金属材料52L及び53Lと、高融点金属膜52H及び高融点金属膜53Hとの間で、拡散結合が形成される。
図7〜図10に示した実施例においても、次のような作用効果を奏する。
まず、流動性充填材である機能性材料5を用いるから、本来、充填の困難な微粉末形態を有する第1金属材料を、機能性材料5の流動性を利用し、例えば、印刷などの手段によって、微細空間3の内部に確実に充填することができる。
次に、低融点金属材料を溶融させて、高融点金属材料との間で拡散結合を生じさせるから、製造プロセスにおける熱エネルギー消費が少なくて済み、対象物に設けられることのある半導体回路素子等に対する熱的ダメージを軽減し、耐熱性の高い導体50を形成することができる。
また、微細空間3の内部に充填された低融点金属材料及び高融点金属微粒子が、その冷却プロセスにおいて加圧され、硬化するから、低融点金属材料及び高融点金属材料が、冷却時の収縮に追従するようにして変形し又は変位する。よって、隙間やボイド等の発生が抑制され、電気抵抗の低い高信頼度、高品質の導体50が形成される。
4.第1金属材料及び第2金属材料の構造
第1金属材料又は第2金属材料は、好ましくは、樹脂膜で被覆された金属粒子であることが好ましい。樹脂被覆された金属粒子は、酸化防止及び凝集防止作用が得られるからである。その概念図を、図11に示した。図11を参照すると、低融点金属微粒子又は高融点金属微粒子でなる金属コア部分501を、樹脂膜502で被覆した金属微粒子500が図示されている。金属コア部分501は、ナノコンポジット構造を持つ。金属コア部分501は、粒径が不揃いであっても、統一されていてもよい。また、球状、鱗片状、扁平状等、任意の形状をとることができる。樹脂膜502は、酸化防止膜及び凝集防止膜として機能する。そのような技術は、例えば、特許文献3で知られている。
特許文献3は、金属粒子の表面が樹脂層で被覆された樹脂被覆金属粒子を製造するに当たり、金属粒子として、トリアジンチオール化合物で表面処理された金属粒子と、重合性反応基を有し且つトリアジンチオール化合物と反応し得る有機化合物とを反応させて得られた表面に重合性反応基を有する金属粒子を用い、前記表面に重合性反応基を有する金属粒子と、重合性単量体との重合によって樹脂被覆を行う。
上述のようにして樹脂膜502で被覆した金属微粒子500は、水性分散媒又は揮発性有機分散媒中に分散され、機能性材料を構成する。
もっとも、金属粒子の表面が樹脂層で被覆された樹脂被覆金属粒子及びその製造方法は、特許文献3に開示されたものに限らず、既に知られており、または、これから提案されることのあるものを、広く用いることができる。例えば、ある種の水素化物にも、その適応性が期待される。
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様及び説明されない他の適用技術分野を想到しえることは自明である。
1 対象物
3 微細空間
5 機能性材料
50 導体
51 分散媒
52H、53H 高融点金属微粒子又は高融点金属膜
52L、53L 低融点金属微粒子又は低融点金属膜

Claims (5)

  1. 対象物に設けられた微細空間内に導体を形成する製造方法であって、
    微粉末でなる第1金属材料を液状分散媒中に分散させたものを、微細空間内に充填し、
    次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させ、
    次に、前記微細空間に第2金属材料を供給する工程を含み、
    前記第1金属材料と前記第2金属材料との組合せは、高融点金属材料と低融点金属材料との組合せを含む、
    製造方法。
  2. 請求項1に記載された製造方法であって、
    前記第1金属材料は、高融点金属材料を含み、
    前記第2金属材料は、低融点金属材料を含み、溶融状態で前記微細空間に供給される、
    製造方法。
  3. 請求項1に記載された製造方法であって、
    前記第1金属材料は、高融点金属材料又は低融点金属材料の少なくとも一種を含み、
    前記第2金属材料は、低融点金属材料又は高融点材料の少なくとも一種を含み、前記微細空間に供給された後、加熱される、
    製造方法。
  4. 請求項3に記載された製造方法であって、前記第2金属材料は、微粉末又は金属膜として供給される製造方法。
  5. 金属微粒子を分散媒に分散させた機能性材料であって、
    前記金属微粒子は、金属コア部分を、樹脂膜で被覆したものであり、
    前記分散媒は、前記水性分散媒又は揮発性有機分散媒である、
    機能性材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020217361A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
JP2022021741A (ja) * 2020-07-22 2022-02-03 有限会社 ナプラ 半導体基板に設けられた微細空間内に導体を形成する方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5687175B2 (ja) * 2011-11-28 2015-03-18 有限会社 ナプラ 微細空間内に機能部分を形成する方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897528A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Toshiba Corp 導体ペーストおよびそれを用いたセラミックス多層配線基板
JP2000038624A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Riken Corp 鉄系焼結体
JP2003110243A (ja) * 2000-12-26 2003-04-11 Denso Corp プリント基板およびその製造方法
JP2003218200A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 Fujitsu Ltd 導電性材料及びビアホールの充填方法
JP2004234900A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Asahi Kasei Corp 導電性粒子を用いた導電性ペースト、及び、これを用いた接続用シート
JP2006024672A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Asahi Kasei Corp 配線回路板の製造方法
JP2006165508A (ja) * 2004-11-09 2006-06-22 Sony Corp 多層配線基板及び基板製造方法
JP2008243391A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Plastics Ind Ltd ビアホール充填用導電性ペースト組成物とそれを用いた多層配線基板
JP2009065008A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Mitsubishi Plastics Inc 導電性ペースト組成物
JP2009146839A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Sony Chemical & Information Device Corp 導電ペースト及びこれを用いた多層配線基板
JP2010021383A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Panasonic Corp 導体ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
JP2010080179A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子の製造方法、導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体
JP2012009546A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Hitachi Ltd 薄膜製造方法、薄膜付基板および薄膜製造装置
JP2013115177A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Napura:Kk 微細空間内に機能部分を形成する方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897528A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Toshiba Corp 導体ペーストおよびそれを用いたセラミックス多層配線基板
JP2000038624A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Riken Corp 鉄系焼結体
JP2003110243A (ja) * 2000-12-26 2003-04-11 Denso Corp プリント基板およびその製造方法
JP2003218200A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 Fujitsu Ltd 導電性材料及びビアホールの充填方法
JP2004234900A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Asahi Kasei Corp 導電性粒子を用いた導電性ペースト、及び、これを用いた接続用シート
JP2006024672A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Asahi Kasei Corp 配線回路板の製造方法
JP2006165508A (ja) * 2004-11-09 2006-06-22 Sony Corp 多層配線基板及び基板製造方法
JP2008243391A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Plastics Ind Ltd ビアホール充填用導電性ペースト組成物とそれを用いた多層配線基板
JP2009065008A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Mitsubishi Plastics Inc 導電性ペースト組成物
JP2009146839A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Sony Chemical & Information Device Corp 導電ペースト及びこれを用いた多層配線基板
JP2010021383A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Panasonic Corp 導体ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
JP2010080179A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子の製造方法、導電性微粒子、異方性導電材料、及び、導電接続構造体
JP2012009546A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Hitachi Ltd 薄膜製造方法、薄膜付基板および薄膜製造装置
JP2013115177A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Napura:Kk 微細空間内に機能部分を形成する方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020217361A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29
WO2020217361A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 日立化成株式会社 シリコン貫通電極を有する基板の製造方法、シリコン貫通電極を有する基板及びシリコン貫通電極形成用銅ペースト
JP7226531B2 (ja) 2019-04-24 2023-02-21 株式会社レゾナック シリコン貫通電極を有する基板の製造方法、シリコン貫通電極を有する基板及びシリコン貫通電極形成用銅ペースト
JP2022021741A (ja) * 2020-07-22 2022-02-03 有限会社 ナプラ 半導体基板に設けられた微細空間内に導体を形成する方法

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