JP2015141028A - 絶縁検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができる絶縁検出装置を提供する。
【解決手段】接地電位部から絶縁された直流電源(B)の正端子および負端子に接続され、前記直流電源の電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタ(C1)が充電される際の充電電圧と、電圧検出手段(15)によって検出される前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置であって、
前記フライングキャパシタへの充電と放電を切り換える切換スイッチが、2個以上にわたって直列接続される半導体リレー(Sa、Sb)と、前記各半導体リレーに並列接続されるバランス抵抗(Ra、Rb)とから構成され、前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記切換スイッチの開閉制御を行うスイッチ制御手段(20)を備える。
【選択図】図3
【解決手段】接地電位部から絶縁された直流電源(B)の正端子および負端子に接続され、前記直流電源の電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタ(C1)が充電される際の充電電圧と、電圧検出手段(15)によって検出される前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置であって、
前記フライングキャパシタへの充電と放電を切り換える切換スイッチが、2個以上にわたって直列接続される半導体リレー(Sa、Sb)と、前記各半導体リレーに並列接続されるバランス抵抗(Ra、Rb)とから構成され、前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記切換スイッチの開閉制御を行うスイッチ制御手段(20)を備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、接地電位部から絶縁された直流電源により充電されるフライングキャパシタの充電電圧に基づいて、直流電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態を検出する絶縁検出装置に関するものである。
従来の絶縁検出装置としては、例えば、フライングキャパシタ方式の絶縁検出装置が提案されている。
この絶縁検出装置は、直流の高圧電源の絶縁状態を検出する際に、接地から浮かせた状態のコンデンサ(即ち、フライングキャパシタ)に高圧電源の電圧を充電してその両端電圧を計測した計測値と、コンデンサの一方を抵抗を介して接地した状態において、同様に高圧電源の電圧をコンデンサに充電してその両端電圧を計測した計測値とに基づいて地絡抵抗を算出することにより高圧電源の絶縁状態を検出している(例えば、特許文献1等参照)。
そして、例えば、推進用エネルギーとして電力を利用する車両においては、高圧化(例えば200V)された直流電源を車体から絶縁して非接地電源とするのが通常であり、このような非接地電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態の検出に上述のような構成の絶縁検出装置が用いられている。
ところで、絶縁検出装置の被検査対象(車両等)の電力が高圧化(例えば、400V)するのに伴い、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路に使用される光MOS−FET等の半導体リレーも高耐圧化が求められている。
しかしながら、高耐圧(例えば、耐圧900V程度)の光MOS−FET等は、技術的に製造が難しく部品単価が高くなり、装置全体のコストが嵩むという不都合があった。
また、高耐圧の光MOS−FET等を用いた場合には、通電電流が低下してしまうという難点もあった。
即ち、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路において、回路の高耐圧化に伴って光MOS−FET等の通電電流が低く制限されてしまうと、当該回路の方式上、充放電のための電流が低く制限されてしまう。これに伴い、規定の充放電に要する時間を長く変更せざるを得なくなり、計測サイクルが遅くなるため、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求に応えられないという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができると共に、通電電流を確保することのできる絶縁検出装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、接地電位部から絶縁された直流電源の正端子および負端子に接続され、前記直流電源の電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタが充電される際の充電電圧と、電圧検出手段によって検出される前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置であって、前記フライングキャパシタへの充電と放電を切り換える切換スイッチが、2個以上にわたって直列接続される半導体リレーと、前記各半導体リレーに並列接続されるバランス抵抗とから構成され、前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記切換スイッチの開閉制御を行うスイッチ制御手段を備えることを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の絶縁検出装置において、前記切換スイッチは、第1スイッチから第4スイッチで構成され、前記第1スイッチは、前記正端子に直列接続された第1ダイオードおよび第1抵抗を介して前記フライングキャパシタの一方の端子に接続され、前記第2スイッチは、前記負端子を前記フライングキャパシタの他方の端子に第2抵抗を介して接続され、前記第3スイッチは、前記第1スイッチと前記第1ダイオードとを接続する配線と前記電圧検出手段との間に直列に接続され且つ前記フライングキャパシタの一方の端子に直列接続された第2ダイオードおよび第3抵抗を介して前記電圧検出手段に接続され、第4スイッチは、前記フライングキャパシタの他方の端子を第4抵抗を介して前記接地電位部に接続され、前記スイッチ制御手段は、前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記第1から第4スイッチの開閉制御を行い、前記スイッチ制御手段の制御により前記第1スイッチおよび前記第4スイッチを閉路して充電した前記フライングキャパシタの電圧に基づいて前記負端子と前記接地電位部との間の負端子側地絡抵抗値を算出し、且つ、前記スイッチ制御手段の制御により前記第2スイッチおよび前記第3スイッチを閉路して充電した前記フライングキャパシタの電圧に基づいて前記正端子と前記接地電位部との間の正端子側地絡抵抗値を算出する演算手段をさらに備えることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の絶縁検出装置において、前記各半導体リレーは、光MOS−FETリレーで構成され、光MOS−FETリレーの耐圧条件は、
V1t+V3t>Vd
但し、V1t:第1スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V3t:第3スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
V2t+V4t>Vd
但し、V2t:第2スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V4t:第4スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
であり、
且つ、バランス抵抗の抵抗値の条件は、
Rd<{(R1t+R3t)×(R2t+R4t)}/{(R1t+R3t)+(R2t+R4t)}
但し、R1t:第1スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R2t:第2スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R3t:第3スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R4t:第4スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、Rd:要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値であることを特徴とする。
V1t+V3t>Vd
但し、V1t:第1スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V3t:第3スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
V2t+V4t>Vd
但し、V2t:第2スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V4t:第4スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
であり、
且つ、バランス抵抗の抵抗値の条件は、
Rd<{(R1t+R3t)×(R2t+R4t)}/{(R1t+R3t)+(R2t+R4t)}
但し、R1t:第1スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R2t:第2スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R3t:第3スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R4t:第4スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、Rd:要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3の何れか1項に記載の絶縁検出装置において、前記スイッチ制御手段は、前記切換スイッチ毎に1つずつ設けられ、前記各スイッチ制御手段は、前記切換スイッチ毎に、各半導体リレーの一斉制御を行うことを特徴とする。
本発明によれば、高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができると共に、通電電流を確保することのできる絶縁検出装置を提供することができる。
図1〜図3を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
(絶縁検出装置の構成について)
図1は本発明の実施形態に係る絶縁検出装置(地絡センサ)11の基本構成を示す回路図である。また、図2は実施の形態に係る絶縁検出装置に適用されるスイッチの構成例を示す回路図である。
図1は本発明の実施形態に係る絶縁検出装置(地絡センサ)11の基本構成を示す回路図である。また、図2は実施の形態に係る絶縁検出装置に適用されるスイッチの構成例を示す回路図である。
ここで、本発明に係る絶縁検出装置(地絡センサ)は、接地電位部から絶縁された直流電源Bの正端子および負端子に接続され、直流電源Bの電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタC1が充電される際の充電電圧と、電圧検出手段15によって検出されるフライングキャパシタC1の充電電圧とに基づいて、直流電源Bの絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置である。
そして、フライングキャパシタC1への充電と放電を切り換える切換スイッチは、2個以上にわたって直列接続される半導体リレーSa、Sbと、各半導体リレーSa、Sbに並列接続されるバランス抵抗Ra、Rbとから構成され、フライングキャパシタC1の充電およびフライングキャパシタC1の電圧の検出のために切換スイッチの開閉制御を行うスイッチ制御手段20を備えている。
なお、図1の基本構成を示す回路図および図3の絶縁検出装置の構成例を示す回路図では、切換スイッチは、4個のスイッチ(第1スイッチS1〜第4スイッチS4)で構成される場合を示すが、これに限定されるものではなく、2〜3個のスイッチあるいは5個以上のスイッチで構成するようにしてもよい。
図1を参照して、本発明の実施形態に係る絶縁検出装置(地絡センサ)11の基本構成の詳細について説明する。
本実施形態の絶縁検出装置11は、車両の車体等において、接地電位部から絶縁された高圧直流電源Bの絶縁状態を検出するものである。
なお、図1において引用符号RLpは高圧直流電源Bの正側の地絡抵抗、RLnは同じく負側の地絡抵抗をそれぞれ示す。
絶縁検出装置11は、両極性のフライングキャパシタC1と、スイッチS1〜S5と、フライングキャパシタC1の充電電圧や放電電圧をサンプルホールドするサンプルホールド回路14と、サンプルホールド回路14のホールド値を検出してフライングキャパシタC1の充電電圧や放電電圧を測定する電圧検出手段としてのマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と略記する。)15とを有している。なお、フライングキャパシタC1としては、セラミックスコンデンサ等を用いることができる。
絶縁検出装置11は、フライングキャパシタC1の他、フライングキャパシタC1を直流電源Bの正極及び負極にそれぞれ選択的に接続する第1スイッチS1、第2スイッチS2と、フライングキャパシタC1をマイコン15及び接地電位部に選択的に接続する第3スイッチS3、第4スイッチS4とを有している。フライングキャパシタC1と第1スイッチS1、第2スイッチS2との間には、第1抵抗R1、第2抵抗R2がそれぞれ直列に接続されている。
なお、マイコン15によってフライングキャパシタC1の充電電圧や放電電圧を測定する際の直流電源Bに対する絶縁性を確保するために、第1抵抗R1、第2抵抗R2には、同じ値の比較的高い抵抗値(例えば、300kΩ等)の抵抗が使用される。
各第1スイッチS1〜第4スイッチS4には、例えば光MOS−FETリレー等の半導体リレーが用いられ、マイコン15によりオンオフ制御(開閉制御)できるようになっている。
ここで、光MOS−FETは、光を使って、電気的には絶縁しながら信号を伝える素子であり、駆動側に発光ダイオード、接点にMOS−FETを採用した完全固体型のリレー(半導体リレー)の一種である。この光MOS−FETを用いた光MOS−FETリレーは、従来の機械式リレーに比べて小型、軽量であるだけでなく、駆動が容易で高速で、ノイズが出難いという特性を有する。一方で、光MOS−FETは、高耐圧化(例えば、耐圧900V等)を図る場合には技術的な困難性等から部品単価が通常の耐圧(例えば、600V程度)のものより相当高額になるという難点がある。
なお、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の具体的な構成例については図2を参照して後述する。
マイコン15は高圧直流電源Bよりも低い低圧系の補機バッテリによって動作するもので、高圧直流電源Bはマイコン15の接地電位からも絶縁されている。なお、直流電源Bはマイコン15の接地電位からも絶縁されている。
マイコン15の第1A/D変換ポートA/D1はサンプルホールド回路14を介して第3スイッチS3と接続されている。サンプルホールド回路14と第3スイッチS3との接続点は、抵抗R4を介して接地されており、第4スイッチS4と接地電位部との間には、第4抵抗R5が接続されている。また、フライングキャパシタC1の一端(図1中上方の極)側の第1スイッチS1、第3スイッチS3は直列接続されており、両者の接続点とフライングキャパシタC1の一端との間には、電流方向切替回路Xが接続されている。
電流方向切替回路Xは並列回路であり、その一つは、第1スイッチS1からフライングキャパシタC1の一端に向けて順方向となる第1ダイオードD0と第1抵抗R1の直列回路で構成され、他の一つは、第3スイッチS3からフライングキャパシタC1の一端に向けて順方向となるダイオードD1で構成され、最後の一つは、フライングキャパシタC1の一端からスイッチS3に向けて順方向となる第2ダイオードD2と第3抵抗R3の直列回路で構成されている。
なお、本実施形態の高圧直流電源Bには、正負の各極と接地電位部との間に、コモンモードノイズ対策用のYコンデンサY+,Y−が介設されている。
また、図1に示すように、正側のYコンデンサY+は、高圧電源出力の正極側電源ライン111と接地電極113との間に接続されている。負側のYコンデンサY−は、高圧電源出力の負極側電源ライン112と接地電極113との間に接続されている。また、正極側電源ライン111と接地電極113との間の絶縁状態は地絡抵抗(RLp)として表され、負極側電源ライン112と接地電極113との間の絶縁状態は地絡抵抗(RLn)として表される。
(絶縁検出装置の動作について)
次に、上述した構成の絶縁検出装置11において、地絡や絶縁状態を検出する際の動作手順について説明する。
次に、上述した構成の絶縁検出装置11において、地絡や絶縁状態を検出する際の動作手順について説明する。
まず、マイコン15の制御により、予め決定しておいた予定時間に亘って、第1スイッチS1、第2スイッチS2をオンさせると共に第3スイッチS3、第4スイッチS4、サンプルホールド回路14のスイッチをオフさせる。ここで、予定時間とは、フライングキャパシタC1が完全に充電されるのに要する時間よりも短い時間である。
これにより、直流電源Bの正極から、正端子側の主回路配線1p、第1スイッチS1、第1ダイオードD0、第1抵抗R1、フライングキャパシタC1の一端(図1中上方の極)、他端(同下方の極)、第2抵抗R2、第2スイッチS2及び負端子側の主回路配線1nを経て、直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。以後、この充電回路を第1充電回路と称する。
そして、この第1充電回路において、フライングキャパシタC1を直流電源Bの電圧に応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、第1スイッチS1、第2スイッチS2をオフさせると共に第3スイッチS3、第4スイッチS4をオンさせる。これにより、フライングキャパシタC1の正極が、第2ダイオードD2、第3抵抗R3及び第3スイッチS3を介してサンプルホールド回路14に接続され、負極が第4スイッチS4及び第4抵抗R5を介して接地電位部に接続される。これにより、フライングキャパシタC1を放電させる。
また、第3スイッチS3、第4スイッチS4のオンと同時に、マイコン15の制御により、サンプルホールド回路14のスイッチを短時間(例えば、200〜300μs)オンさせる。これにより、フライングキャパシタC1の充電電圧を第3抵抗R3と抵抗R4で分圧したうちの、第3抵抗R3の両端電圧の差に相当する電位で読込用コンデンサ(図示せず)が充電される。
ここで、フライングキャパシタC1の放電開始時には、直流電源Bの電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタC1が充電された状態にある。そのため、フライングキャパシタC1の放電開始直後にその放電電圧で充電される読込用コンデンサには、直流電源Bの電圧に応じた電荷量のうち、抵抗R4と第4抵抗R5の分圧比に応じた電荷量が蓄積されることになる。
そして、マイコン15の制御によりサンプルホールド回路14のスイッチをオフさせると、読込用コンデンサの充電電圧を分圧した電位が、サンプルホールド回路14を介してマイコン15の第1A/D変換ポートA/D1に入力されて測定される。そこで、この測定値と、第3抵抗R3と抵抗R4の分圧比と、抵抗R4と第4抵抗R5の分圧比とから、直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1をマイコン15で測定させる。
なお、サンプルホールド回路14のスイッチをオフさせた後、フライングキャパシタC1の充電電圧を測定している間も、第3スイッチS3、第4スイッチS4はオンされたままであるので、フライングキャパシタC1は引き続き放電状態にある。
さらに、フライングキャパシタC1の充電電圧の測定終了後、マイコン15の制御により、サンプルホールド回路14のスイッチをオンさせる。これにより、フライングキャパシタC1と読込用コンデンサとを放電状態とする。それぞれを完全に放電させた時点で、マイコン15の制御により、第3スイッチS3、第4スイッチS4およびサンプルホールド回路14のスイッチをオフさせる。
そして、フライングキャパシタC1と読込用コンデンサとを完全に放電させた後、マイコン15の制御により、上述した予定時間に亘って、第1スイッチS1、第4スイッチS4をオンさせると共に第2スイッチスイッチS2、第3スイッチS3をオフさせる。
これにより、直流電源Bの正極から、正端子側の主回路配線1p、第1スイッチS1、第1ダイオードD0、第1抵抗R1、フライングキャパシタC1の一端、他端、第4スイッチS4、第4抵抗R5、(接地電位部、)負端子側の地絡抵抗RLn及び負端子側の主回路配線1nを経て、直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。以後、この充電回路を第2充電回路と称する。
そして、この第2充電回路において、フライングキャパシタC1を、負端子側の地絡抵抗RLnに応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、第1スイッチS1、第2スイッチS2をオフさせると共に第3スイッチS3、第4スイッチS4をオンさせ、かつ、サンプルホールド回路14のスイッチを短時間(例えば、200〜300μs)オンさせる。
その後、マイコン15の制御によりサンプルホールド回路14のスイッチを再びオンさせるまでの間、直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧の測定の際と同様にして、負端子側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧をマイコン15で測定させる。
そして、フライングキャパシタC1と読込用コンデンサとを完全に放電させた後、マイコン15の制御により、上述した予定時間に亘って、第2スイッチS2、第3スイッチS3をオンさせると共に第1スイッチS1、第4スイッチS4をオフさせる。
これにより、直流電源Bの正極から、正端子側の主回路配線1p、正端子側の地絡抵抗RLp、(接地電位部、)抵抗R4、第3スイッチS3、ダイオードD1、フライングキャパシタC1の一端、他端、第2抵抗R2、第2スイッチS2及び負端子側の主回路配線1nを経て、直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。以後、この充電回路を第3充電回路と称する。
そして、この第3充電回路において、フライングキャパシタC1を、正端子側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、第1スイッチS1、第2スイッチS2をオフさせると共に第3スイッチS3、第4スイッチS4をオンさせ、かつ、サンプルホールド回路14のスイッチを短時間(例えば、200〜300μs)オンさせる。
その後、マイコン15の制御によりサンプルホールド回路14のスイッチを再びオンさせるまでの間、直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1の測定の際や、負端子側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧の測定の際と同様にして、正端子側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧をマイコン15で測定させる。そして、フライングキャパシタC1と読込用コンデンサとを完全に放電させる。
ここで、図1に示した絶縁状態検出装置11における地絡抵抗の計測に関して、{(Vc1p)+(Vc1n)}/Vc1に基いて、合成地絡抵抗「(RLp×RLn)/(RLp+RLn)」を導出することができる。
但し、Vc1:直流高圧電源Bの出力電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧、Vc1n:負側の地絡抵抗RLnの影響を受けたフライングキャパシタC1の充電電圧、Vc1p:正側の地絡抵抗RLpの影響を受けたフライングキャパシタC1の充電電圧、RLp,RLn:各地絡抵抗の抵抗値である。
これにより、マイコン15は、各状態でアナログ入力ポート(A/D1)に入力される信号レベルから各充電電圧「Vc1」、「Vc1n」、「Vc1p」を把握し、上記関係式に基づいて地絡抵抗RLp、RLnを算出することができる。
よって、マイコン15は、正端子側と負端子側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を算出し、直流電源Bの地絡や絶縁状態を検出することができる。
(第1スイッチS1〜第4スイッチS4の構成例について)
図2および図3を参照して、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の構成例について説明する。
図2および図3を参照して、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の構成例について説明する。
本実施形態の絶縁検出装置11に適用される第1スイッチS1〜第4スイッチS4は、何れも図2の回路図に示す構成を有している。
即ち、図2に示すように、第1スイッチS1〜第4スイッチS4は、2個直列接続される半導体リレーSa、Sbと、各半導体リレーSa、Sbに並列接続されるバランス抵抗Ra、Rbとから構成される。
なお、図2では、半導体リレーを2個直列接続する例を示したが、これに限定されず、2個以上にわたって半導体リレーを直列接続し、各半導体リレーにバランス抵抗を並列接続する構成としてもよい。
また、各半導体リレーSa、Sbは、光MOS−FETリレーで構成することができる。
ここで、図3は、図2に示す構成の第1スイッチS1〜第4スイッチS4を搭載した実施の形態に係る絶縁検出装置11の構成例を示す回路図である。
そして、絶縁検出装置11において、光MOS−FETリレーの耐圧条件は、
(第1スイッチS1を構成する各光MOS−FETリレーS1a、S1bの耐圧の合計(V1t))+(第3スイッチS3を構成する各光MOS−FETリレーS3a、S3bの耐圧の合計(V3t))>要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧(Vd)(例えば、900V〜1000V)
(第2スイッチS2を構成する各光MOS−FETリレーS2a、S2bの耐圧の合計(V2t))+(第4スイッチを構成する各光MOS−FETリレーS4a、S4bの耐圧の合計(V4t))>要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧(Vd)(例えば、900V〜1000V)であり、且つ、バランス抵抗の抵抗値の条件は、
Rd<{(R1t+R3t)×(R2t+R4t)}/{(R1t+R3t)+(R2t+R4t)}
但し、R1t:第1スイッチS1に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R2t:第2スイッチS2に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R3t:第3スイッチS3に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R4t:第4スイッチS4に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、Rd:要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値(例えば、100MΩ)となる条件を満たすようにするとよい。
(第1スイッチS1を構成する各光MOS−FETリレーS1a、S1bの耐圧の合計(V1t))+(第3スイッチS3を構成する各光MOS−FETリレーS3a、S3bの耐圧の合計(V3t))>要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧(Vd)(例えば、900V〜1000V)
(第2スイッチS2を構成する各光MOS−FETリレーS2a、S2bの耐圧の合計(V2t))+(第4スイッチを構成する各光MOS−FETリレーS4a、S4bの耐圧の合計(V4t))>要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧(Vd)(例えば、900V〜1000V)であり、且つ、バランス抵抗の抵抗値の条件は、
Rd<{(R1t+R3t)×(R2t+R4t)}/{(R1t+R3t)+(R2t+R4t)}
但し、R1t:第1スイッチS1に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R2t:第2スイッチS2に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R3t:第3スイッチS3に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R4t:第4スイッチS4に設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、Rd:要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値(例えば、100MΩ)となる条件を満たすようにするとよい。
そして、上述のように、要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧が例えば900V〜1000Vで、要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値が例えば100MΩである場合に、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の各光MOS−FETリレーの耐圧は例えば600V以下、各バランス抵抗の抵抗値は例えば50MΩ程度となる。
また、スイッチ制御手段としてのIC20は、第1スイッチS1〜第4スイッチS4毎に1つずつ設けられ、各IC20は、第1スイッチS1〜第4スイッチS4毎に、各光MOS−FETリレーの一斉制御を行うようにするとよい。
なお、切換スイッチを2〜3個のスイッチあるいは5個以上のスイッチで構成する場合においても各スイッチの構成は、上記と同様にすることができる。
(比較例に係る絶縁検出装置の構成例)
図4は、比較例に係る絶縁検出装置100の構成例を示す回路図である。
図4は、比較例に係る絶縁検出装置100の構成例を示す回路図である。
なお、本実施の形態に係る絶縁検出装置11と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。
比較例に係る絶縁検出装置100が、本実施の形態に係る絶縁検出装置11と異なる点は、図2に示す回路構成の第1スイッチS1〜第4スイッチS4の代わりに、単に光MOS−FETリレーから成るスイッチS11〜S14を設けている点である。
ここで、比較例に係る絶縁検出装置100等の被検査対象(車両等)の電力が高圧化するのに伴い、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路に使用される光MOS−FETリレーS11〜S14も高耐圧化(例えば、耐圧900V以上など)が求められている。
しかしながら、光MOS−FET(S11〜S14)の高耐圧化は技術的に難しいため、製造できるメーカも限られ、部品単価が高くなりコストが嵩むという不都合があった。
また、高耐圧の光MOS−FET(S11〜S14)を用いた場合には、通電電流が低下してしまうという難点もあった。つまり、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路において、回路の高耐圧化に伴って光MOS−FET(S11〜S14)の通電電流が低く制限されてしまうと、このような回路の方式上、充放電のための電流が低く制限されてしまう。これに伴い、規定の充放電に要する時間を長く変更せざるを得なくなり、計測サイクルが遅くなるため、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求に応えられなくなってしまう。
これに対して、本実施の形態に係る絶縁検出装置11では、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の各光MOS−FETリレーとして、耐圧が600V以下のいわゆる汎用品に相当するものを複数個(図3の例では各2個)直列接続し、各光MOS−FETリレーS1a、S1b等にバランス抵抗R1a、R1b等を並列接続する構成としている。
これにより、各光MOS−FETリレーS1a、S1b等のオフ時に印加される高電圧が所定の抵抗値のバランス抵抗R1a、R1b等により、各光MOS−FETリレーS1a、S1b等の印加電圧をバランスさせる形で終端され、第1スイッチS1〜第4スイッチS4の全体の耐圧を高めることができる。よって、比較例に係る絶縁検出装置100のように部品コストが嵩むこともなく、比較的低コストで絶縁検出装置11を提供することができる。
また、バランス抵抗R1a、R1b等により通電電流を確保することもできるので、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求にも応えることができる。
以上、本発明の絶縁検出装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。
B…高圧直流電源
C1…フライングキャパシタ
D0…第1ダイオード
D1…ダイオード
D2…第2ダイオード
R1…第1抵抗
R2…第2抵抗
R3…第3抵抗
R4…抵抗
R5…第4抵抗
Ra、Rb…バランス抵抗
R1a、R1b…バランス抵抗
R2a、R2b…バランス抵抗
R3a、R3b…バランス抵抗
R4a、R4b…バランス抵抗
RLp…高圧直流電源の正側の地絡抵抗
RLn…高圧直流電源の負側の地絡抵抗
S1…第1スイッチ(切換スイッチ)
S2…第2スイッチ(切換スイッチ)
S3…第3スイッチ(切換スイッチ)
S4…第4スイッチ(切換スイッチ)
S1a〜S4b…光MOS−FETリレー(半導体リレー)
1n、1p…主回路配線
11、100…絶縁検出装置
14…サンプルホールド回路
15…マイクロコンピュータ(電圧検出手段、演算手段)
20…IC
X…電流方向切替回路
Y+,Y−…Yコンデンサ
C1…フライングキャパシタ
D0…第1ダイオード
D1…ダイオード
D2…第2ダイオード
R1…第1抵抗
R2…第2抵抗
R3…第3抵抗
R4…抵抗
R5…第4抵抗
Ra、Rb…バランス抵抗
R1a、R1b…バランス抵抗
R2a、R2b…バランス抵抗
R3a、R3b…バランス抵抗
R4a、R4b…バランス抵抗
RLp…高圧直流電源の正側の地絡抵抗
RLn…高圧直流電源の負側の地絡抵抗
S1…第1スイッチ(切換スイッチ)
S2…第2スイッチ(切換スイッチ)
S3…第3スイッチ(切換スイッチ)
S4…第4スイッチ(切換スイッチ)
S1a〜S4b…光MOS−FETリレー(半導体リレー)
1n、1p…主回路配線
11、100…絶縁検出装置
14…サンプルホールド回路
15…マイクロコンピュータ(電圧検出手段、演算手段)
20…IC
X…電流方向切替回路
Y+,Y−…Yコンデンサ
Claims (4)
- 接地電位部から絶縁された直流電源の正端子および負端子に接続され、前記直流電源の電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタが充電される際の充電電圧と、電圧検出手段によって検出される前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置であって、
前記フライングキャパシタへの充電と放電を切り換える切換スイッチが、2個以上にわたって直列接続される半導体リレーと、前記各半導体リレーに並列接続されるバランス抵抗とから構成され、
前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記切換スイッチの開閉制御を行うスイッチ制御手段を備えることを特徴とする絶縁検出装置。 - 前記切換スイッチは、第1スイッチから第4スイッチで構成され、
前記第1スイッチは、前記正端子に直列接続された第1ダイオードおよび第1抵抗を介して前記フライングキャパシタの一方の端子に接続され、
前記第2スイッチは、前記負端子を前記フライングキャパシタの他方の端子に第2抵抗を介して接続され、
前記第3スイッチは、前記第1スイッチと前記第1ダイオードとを接続する配線と前記電圧検出手段との間に直列に接続され且つ前記フライングキャパシタの一方の端子に直列接続された第2ダイオードおよび第3抵抗を介して前記電圧検出手段に接続され、
第4スイッチは、前記フライングキャパシタの他方の端子を第4抵抗を介して前記接地電位部に接続され、
前記スイッチ制御手段は、前記フライングキャパシタの充電および前記フライングキャパシタの電圧の検出のために前記第1から第4スイッチの開閉制御を行い、
前記スイッチ制御手段の制御により前記第1スイッチおよび前記第4スイッチを閉路して充電した前記フライングキャパシタの電圧に基づいて前記負端子と前記接地電位部との間の負端子側地絡抵抗値を算出し、且つ、前記スイッチ制御手段の制御により前記第2スイッチおよび前記第3スイッチを閉路して充電した前記フライングキャパシタの電圧に基づいて前記正端子と前記接地電位部との間の正端子側地絡抵抗値を算出する演算手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の絶縁検出装置。 - 前記各半導体リレーは、光MOS−FETリレーで構成され、
光MOS−FETリレーの耐圧条件は、
V1t+V3t>Vd
但し、V1t:第1スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V3t:第3スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
V2t+V4t>Vd
但し、V2t:第2スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、V4t:第4スイッチを構成する各光MOS−FETリレーの耐圧の合計、Vd:要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
であり、
且つ、バランス抵抗の抵抗値の条件は、
Rd<{(R1t+R3t)×(R2t+R4t)}/{(R1t+R3t)+(R2t+R4t)}
但し、R1t:第1スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R2t:第2スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R3t:第3スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、R4t:第4スイッチに設けられるバランス抵抗の抵抗値の合計、Rd:要求される高圧〜低圧間の絶縁抵抗の抵抗値
であることを特徴とする請求項2に記載の絶縁検出装置。 - 前記スイッチ制御手段は、前記切換スイッチ毎に1つずつ設けられ、
前記各スイッチ制御手段は、前記切換スイッチ毎に、各半導体リレーの一斉制御を行うことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の絶縁検出装置。
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