JP2015103599A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2015103599A
JP2015103599A JP2013241735A JP2013241735A JP2015103599A JP 2015103599 A JP2015103599 A JP 2015103599A JP 2013241735 A JP2013241735 A JP 2013241735A JP 2013241735 A JP2013241735 A JP 2013241735A JP 2015103599 A JP2015103599 A JP 2015103599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
layer
mounting substrate
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013241735A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
竜舞 斎藤
Tatsuma Saito
竜舞 斎藤
紀子 二瓶
Noriko Nihei
紀子 二瓶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2013241735A priority Critical patent/JP2015103599A/en
Publication of JP2015103599A publication Critical patent/JP2015103599A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device having high performance and high luminous efficiency, in which optical crosstalk in the device to the outside of an element region is suppressed to a large extent.SOLUTION: A semiconductor light emitting device comprises: a mounting substrate 11; a semiconductor light emitting element 10 arranged on the mounting substrate 11; electrode pads 12A, 12B which are provided on the mounting substrate 11 and adjacent to the semiconductor light emitting element 10; and a plurality of projections 13 provided on the electrode pads 12A, 12B and each of which has a pointed shape.

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を複数個用いた半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device using a plurality of semiconductor light emitting elements such as light emitting diodes (LEDs).

半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体構造層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。さらに、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、半導体構造層を成長用基板とは別の支持基板に接合した後、成長用基板を除去した半導体発光素子が知られている。また、複数の半導体発光素子を実装基板上に固定し、さらに波長変換用の蛍光体層を形成した後、樹脂などで封止することによって、半導体発光装置が作製される。   In a semiconductor light emitting device, a semiconductor structure layer composed of an n type semiconductor layer, a light emitting layer and a p type semiconductor layer is usually grown on a growth substrate, and a voltage is applied to the n type semiconductor layer and the p type semiconductor layer, respectively. It is fabricated by forming an electrode and a p-electrode. Further, as a semiconductor light emitting device for improving heat dissipation performance, a semiconductor light emitting device is known in which a semiconductor structure layer is bonded to a support substrate different from a growth substrate and then the growth substrate is removed. Further, after fixing a plurality of semiconductor light emitting elements on a mounting substrate and forming a phosphor layer for wavelength conversion, the semiconductor light emitting device is manufactured by sealing with a resin or the like.

特許文献１には、ベース基板の主面に、発光素子であるＬＥＤが直列に接続されたＬＥＤアレイが配置され、当該ＬＥＤアレイを覆う蛍光体膜が設けられた半導体発光装置が開示されている。   Patent Document 1 discloses a semiconductor light emitting device in which an LED array in which LEDs as light emitting elements are connected in series is arranged on the main surface of a base substrate, and a phosphor film is provided to cover the LED array. .

特開2011-044741号公報JP 2011-044741 A

自動車用ヘッドライトはその配光形状が規格によって定められている。例えば自動車用ヘッドライトに使用する光源を作製する場合、全体として当該配光形状に対応するように複数の半導体発光素子を配置した半導体発光装置を作製する。また、並置された複数の半導体発光素子の周囲には、半導体発光素子への給電用に電極パッドが設けられる。さらに、半導体発光素子及び電極パッドを埋設するように蛍光体層を形成して装置が作製される。このような半導体発光装置において、半導体発光素子から放出された光は、その一部が蛍光体層を介して素子領域以外の領域、例えば電極パッド上の領域から外部に取出される場合がある。この素子領域外から外部に取出される光の量はわずかであるため、全体として規格に適合した配光形状を満足することはできる。しかし、配光形状は厳密に制御できることが一層望ましい。例えば、厳密には発光装置の照射領域の縁部分がより明確になること、すなわち明暗の境界が明確になることが望ましい。光源装置の種々の応用分野において、配光形状を厳密に制御できることは、発光装置からの眩惑光（グレア）の発生を抑制することができるのみならず、発光装置における照射領域の制御や発光装置の配置シミュレーションなどを容易にする。   The light distribution shape of an automotive headlight is determined by the standard. For example, when a light source used for an automobile headlight is manufactured, a semiconductor light emitting device in which a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged so as to correspond to the light distribution shape as a whole is manufactured. In addition, an electrode pad is provided around the plurality of semiconductor light emitting elements arranged side by side for feeding power to the semiconductor light emitting elements. Further, a phosphor layer is formed so as to embed the semiconductor light emitting element and the electrode pad, thereby manufacturing the device. In such a semiconductor light emitting device, a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element may be extracted outside from a region other than the element region, for example, a region on the electrode pad, via the phosphor layer. Since the amount of light extracted from the outside of the element region to the outside is small, the light distribution shape conforming to the standard can be satisfied as a whole. However, it is more desirable that the light distribution shape can be strictly controlled. For example, strictly speaking, it is desirable that the edge portion of the irradiation region of the light emitting device be clearer, that is, the boundary between light and dark is clearer. In various application fields of the light source device, the fact that the light distribution shape can be strictly controlled not only can suppress the generation of glare from the light emitting device, but also controls the irradiation area in the light emitting device and the light emitting device. This facilitates the placement simulation.

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、装置内における素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device having high performance and high luminous efficiency in which crosstalk of light outside the element region in the device is greatly suppressed. Yes.

本発明による半導体発光装置は、搭載基板と、搭載基板上に配置された半導体発光素子と、半導体発光素子に隣接して搭載基板上に設けられた電極パッドと、電極パッド上に設けられた尖端形状の複数の突起と、を有することを特徴としている。   A semiconductor light emitting device according to the present invention includes a mounting substrate, a semiconductor light emitting element arranged on the mounting substrate, an electrode pad provided on the mounting substrate adjacent to the semiconductor light emitting element, and a tip provided on the electrode pad. And a plurality of protrusions having a shape.

（ａ）及び（ｂ）は、実施例１の半導体発光装置の構成を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 1. FIG. （ａ）及び（ｂ）は実施例１の半導体発光装置における突起の上面図である。(A) And (b) is a top view of the processus | protrusion in the semiconductor light-emitting device of Example 1. FIG. 実施例１の半導体発光装置における半導体発光素子の構造を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing a structure of a semiconductor light emitting element in the semiconductor light emitting device of Example 1. FIG. （ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。(A)-(c) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device of Example 1. FIG. （ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。(A)-(d) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device of Example 1. FIG. （ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。(A)-(d) is the elements on larger scale explaining the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device of Example 1. FIG.

本願の発明者らは、素子領域外の発光不要な領域である例えば電極パッド上の蛍光体層を除去することを検討した。蛍光体層の主成分は例えばガラス材料であり、例えばレーザを照射することによって蛍光体層を除去することができた。これによって素子領域外から光が外部に放出されることが抑制され、照射領域の明暗の境界が明確なものとなり、配光形状がより明確なものとなった。しかし、電極パッド上の蛍光体層は完全には除去されず、電極パッド上には蛍光体層の一部が残ったままでであった。この状態で電極パッドにワイヤボンディングを行うと、パッドとワイヤとの間の電気的接続が阻害され、これによって両者の間で高抵抗となり、場合によっては絶縁状態を引き起こした。本願の発明者らはこの製造上の不具合に着目し、素子外領域への光のクロストークを抑制するのみならず確実に電極パッドとボンディングワイヤとの電気的接続を得ることを検討した結果、本発明に至った。   The inventors of the present application have considered removing a phosphor layer on, for example, an electrode pad, which is a region that does not require light emission outside the element region. The main component of the phosphor layer is, for example, a glass material, and the phosphor layer can be removed by, for example, laser irradiation. As a result, light is prevented from being emitted from the outside of the element region, the light / dark boundary of the irradiation region becomes clear, and the light distribution shape becomes clearer. However, the phosphor layer on the electrode pad was not completely removed, and a part of the phosphor layer remained on the electrode pad. When wire bonding was performed on the electrode pad in this state, the electrical connection between the pad and the wire was hindered, resulting in a high resistance between the two and in some cases causing an insulating state. The inventors of the present application paid attention to this manufacturing defect, and as a result of examining not only suppressing crosstalk of light to the outside region of the element but also surely obtaining electrical connection between the electrode pad and the bonding wire, The present invention has been reached.

以下に本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。   Examples of the present invention will be described in detail below. In the following description and the accompanying drawings, substantially the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals.

図１（ａ）は、実施例１の半導体発光装置１０の構造を示す断面図である。図１（ｂ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。半導体発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１上に互いに隣接して並置された２つの半導体発光素子２０及び３０と、を有している。また、搭載基板１１上の半導体発光素子２０及び３０の配列方向に沿って、かつ隣接する半導体発光素子２０及び３０の外側には、電極パッドとして、第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂがそれぞれ並置されている。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、外部（空気又は封止ガス雰囲気中）に露出している。   FIG. 1A is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor light emitting device 10 of the first embodiment. FIG. 1B is a diagram schematically showing the upper surface of the semiconductor light emitting device 10. 1A is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. The semiconductor light emitting device 10 includes a mounting substrate 11 and two semiconductor light emitting elements 20 and 30 juxtaposed adjacent to each other on the mounting substrate 11. The first electrode pad 12A and the second electrode pad are disposed as electrode pads along the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements 20 and 30 on the mounting substrate 11 and outside the adjacent semiconductor light emitting elements 20 and 30. 12B are juxtaposed. The first and second electrode pads 12A and 12B are exposed to the outside (in air or a sealing gas atmosphere).

第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上には、複数の突起１３が形成されている。突起１３は、図１（ａ）に示すように、尖端形状すなわち先の尖った形状を有している。また、突起１３は、錐形状又は錐台形状を有している。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料からなる。突起１３は、例えばＡｕからなる。突起１３は、例えば第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上にスパッタリングによってパターニングされた金属のベース構造体を形成した後、当該ベース構造体にレーザを照射することによって形成することができる。なお、尖端形状の突起１３を容易に形成するために、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂと突起１３との間に中間層としてＰｔ層、Ｒｈ層又はＰｄ層が形成されていてもよい。中間層としての例えばＰｔ層は、レーザ照射によって突起１３のＡｕ層に応力を与え、突起１３が尖端形状となることを促進させる。   A plurality of protrusions 13 are formed on the first and second electrode pads 12A and 12B. As shown in FIG. 1A, the projection 13 has a pointed shape, that is, a pointed shape. The protrusion 13 has a cone shape or a frustum shape. The first and second electrode pads 12A and 12B are made of a metal material such as Au, Al, Ni, and Ti, for example. The protrusion 13 is made of, for example, Au. The protrusion 13 can be formed, for example, by forming a metal base structure patterned by sputtering on the first and second electrode pads 12A and 12B and then irradiating the base structure with a laser. In order to easily form the tip-shaped protrusion 13, a Pt layer, Rh layer, or Pd layer may be formed as an intermediate layer between the first and second electrode pads 12 A and 12 B and the protrusion 13. Good. For example, a Pt layer as an intermediate layer applies stress to the Au layer of the protrusion 13 by laser irradiation and promotes the protrusion 13 to have a pointed shape.

搭載基板１１上には、半導体発光素子２０及び３０を埋設するように蛍光体層１４が設けられている。蛍光体層１４は、樹脂材料又はガラス材料からなるバインダからなり、蛍光体層１４内には、波長変換部材としての蛍光体１４Ａが多数分散して設けられている。蛍光体１４Ａは、例えば青色波長の光を黄色波長の光に変換する。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ並びに突起１３は外部（空気又は封止ガス雰囲気中）に露出しており、搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の領域には蛍光体層１４は設けられていない。従って、蛍光体層１４を介して素子２０又は３０からの光が電極パッド上の領域に進むことが抑制され、これによって装置内の素子領域以外の領域への光のクロストークが抑制される。蛍光体層１４は、例えば蛍光体１４Ａを含むガラスバインダを第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを含む搭載基板１１上の領域に塗布し、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上のガラスバインダを除去することによって形成することができる。   A phosphor layer 14 is provided on the mounting substrate 11 so as to embed the semiconductor light emitting elements 20 and 30. The phosphor layer 14 is made of a binder made of a resin material or a glass material, and a large number of phosphors 14 </ b> A serving as wavelength conversion members are dispersed in the phosphor layer 14. The phosphor 14A converts, for example, blue wavelength light into yellow wavelength light. The first and second electrode pads 12A and 12B and the protrusions 13 are exposed to the outside (in the atmosphere of air or sealing gas), and regions on the first and second electrode pads 12A and 12B on the mounting substrate 11 Is not provided with the phosphor layer 14. Accordingly, the light from the element 20 or 30 is prevented from traveling to the region on the electrode pad via the phosphor layer 14, and thereby the light crosstalk to the region other than the device region in the device is suppressed. The phosphor layer 14 is formed by, for example, applying a glass binder containing the phosphor 14A to a region on the mounting substrate 11 including the first and second electrode pads 12A and 12B, and on the first and second electrode pads 12A and 12B. It can be formed by removing the glass binder.

搭載基板１１は、実装基板１５上に保持されている。実装基板１５上には、給電パッドとして、第１の給電パッド１６Ａ及び第２の給電パッド１６Ｂが形成されている。実装基板１５は、例えばアルミナやＡｌＮなどのセラミック材料からなる。また、第１及び第２の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂは、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料からなる。なお、図示していないが、搭載基板１１の裏面、すなわち半導体発光素子２０及び３０などが形成されていない側の主面には金属層が形成されており、実装基板１５上の搭載基板１１を固定する領域には接合層が形成されている。搭載基板１１は、当該金属層を実装基板１５の接合層に接合することによって、実装基板１５に固定されている。   The mounting substrate 11 is held on the mounting substrate 15. A first power supply pad 16A and a second power supply pad 16B are formed on the mounting substrate 15 as power supply pads. The mounting substrate 15 is made of a ceramic material such as alumina or AlN. The first and second power supply pads 16A and 16B are made of a metal material such as Au, Al, Ni, and Ti. Although not shown, a metal layer is formed on the back surface of the mounting substrate 11, that is, the main surface on which the semiconductor light emitting elements 20 and 30 and the like are not formed. A bonding layer is formed in the area to be fixed. The mounting substrate 11 is fixed to the mounting substrate 15 by bonding the metal layer to the bonding layer of the mounting substrate 15.

図１（ｂ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。図１（ｂ）においては、蛍光体層１４の領域を破線で示している。図１（ｂ）に示すように、本実施例においては、半導体発光素子２０及び３０は、搭載基板１１に垂直な方向から見たとき、矩形形状を有している。半導体発光素子２０及び３０は、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ間において互いに直列に接続されている。搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、それぞれ実装基板１５上の第１及び第２の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂに、ボンディングワイヤＢＷによって接続されている。後述するが、ボンディングワイヤＢＷは、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の突起１３上に形成されている。   FIG. 1B is a diagram schematically showing the upper surface of the semiconductor light emitting device 10. In FIG.1 (b), the area | region of the fluorescent substance layer 14 is shown with the broken line. As shown in FIG. 1B, in this embodiment, the semiconductor light emitting elements 20 and 30 have a rectangular shape when viewed from a direction perpendicular to the mounting substrate 11. The semiconductor light emitting elements 20 and 30 are connected in series between the first and second electrode pads 12A and 12B. The first and second electrode pads 12A and 12B on the mounting substrate 11 are connected to the first and second power supply pads 16A and 16B on the mounting substrate 15 by bonding wires BW, respectively. As will be described later, the bonding wire BW is formed on the protrusion 13 on the first and second electrode pads 12A and 12B.

図２（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極パッド１２Ａの上面を拡大した図である。突起１３の各々は、例えば図２（ａ）に示すように円形状の底面を有している。すなわち、突起１３の各々は、円錐形状を有している。また、突起１３の各々は、第１の電極パッド１２Ａ上においてハニカム状に配列されている。突起１３の各々は、第２の電極パッド１２Ｂ上にも同様に形成されている。なお、突起１３の各々は、図２（ａ）に示す円錐形状を有する場合に限定されない。突起１３は、例えば図２（ｂ）に示すように、底面が三角形の三角錐形状を有していても良い。突起１３は、突起１３の形成時に使用するマスクのパターン形状を変更することによって様々な形状で形成することができる。なお、マスクの製造の容易さすなわち製造コストを考慮すると、図２（ａ）のような円錐形状の突起１３を形成することが望ましい。   2A and 2B are enlarged views of the upper surface of the first electrode pad 12A. Each of the protrusions 13 has a circular bottom as shown in FIG. 2A, for example. That is, each of the protrusions 13 has a conical shape. Further, each of the protrusions 13 is arranged in a honeycomb shape on the first electrode pad 12A. Each of the protrusions 13 is similarly formed on the second electrode pad 12B. Note that each of the protrusions 13 is not limited to the case having the conical shape shown in FIG. The protrusion 13 may have a triangular pyramid shape with a triangular bottom surface, for example, as shown in FIG. The protrusions 13 can be formed in various shapes by changing the pattern shape of the mask used when forming the protrusions 13. In consideration of the ease of manufacturing the mask, that is, the manufacturing cost, it is desirable to form the conical protrusion 13 as shown in FIG.

図３は、半導体発光装置１０の詳細構造を示す断面図である。半導体発光素子２０は、半導体構造層２１、ｎ電極（第１の電極）２２及びｐ電極（第２の電極）２３からなる。半導体構造層２１は発光層２１Ｂがｎ型半導体層（第１の半導体層）２１Ａ及びｐ型半導体層（第２の半導体層）２１Ｃに挟まれるように形成された構造を有している。半導体構造層２１は、例えば、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有するｎ型半導体層２１Ａ、発光層２１Ｂ及びｐ型半導体層２１Ｃが搭載基板１１上に順次積層された構造を有している。半導体構造層２１は、ｎ型半導体層２１Ａの表面に、複数の突起２１Ｐからなる凹凸構造面を有している。ｎ型半導体層２１Ａの当該凹凸構造面は光取出し面として機能する。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a detailed structure of the semiconductor light emitting device 10. The semiconductor light emitting element 20 includes a semiconductor structure layer 21, an n-electrode (first electrode) 22, and a p-electrode (second electrode) 23. The semiconductor structure layer 21 has a structure formed such that the light emitting layer 21B is sandwiched between the n-type semiconductor layer (first semiconductor layer) 21A and the p-type semiconductor layer (second semiconductor layer) 21C. The semiconductor structure layer 21 includes, for example, an n-type semiconductor layer 21A, a light-emitting layer 21B, and a p-type semiconductor layer 21C having a composition of Al x In y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1). It has a structure of being sequentially stacked on the mounting substrate 11. The semiconductor structure layer 21 has a concavo-convex structure surface composed of a plurality of protrusions 21P on the surface of the n-type semiconductor layer 21A. The concavo-convex structure surface of the n-type semiconductor layer 21A functions as a light extraction surface.

ｎ電極２２は、ｐ型半導体層２１Ｃの表面からｐ型半導体層２１Ｃ及び発光層２１Ｂを貫通し、ｎ型半導体層２１Ａに接続されている。ｎ電極２２は、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｐｔ及びＡｕなどの金属材料を用いて形成される。ｐ電極２３はｐ型半導体層２１Ｃ上に形成され、反射性の高い金属からなる反射金属層２３Ａ及び反射金属層２３Ａの全体を覆うように形成されたキャップ層２３Ｂからなる。反射金属層２３Ａは、例えばＡｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ及びＰｄなどの金属材料並びにこれらを含む合金を用いて形成される。キャップ層２３Ｂは、例えばＴｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕなど、自身が他の層にマイグレーションしにくく、反射金属層２３Ａのマイグレーションを防止する金属材料を用いて形成される。   The n-electrode 22 penetrates the p-type semiconductor layer 21C and the light emitting layer 21B from the surface of the p-type semiconductor layer 21C, and is connected to the n-type semiconductor layer 21A. The n electrode 22 is formed using a metal material such as Ti, Al, Pt, and Au, for example. The p-electrode 23 is formed on the p-type semiconductor layer 21C, and includes a reflective metal layer 23A made of a highly reflective metal and a cap layer 23B formed so as to cover the entire reflective metal layer 23A. The reflective metal layer 23A is formed using, for example, a metal material such as Ag, Pt, Ni, Al, and Pd and an alloy including these. The cap layer 23B is formed using a metal material that prevents migration of the reflective metal layer 23A, such as Ti, W, Pt, Pd, Mo, Ru, Ir, and Au, which hardly migrates to other layers. .

半導体発光素子３０は、半導体発光素子２０と同様の構成を有している。半導体発光素子３０は半導体構造層３１、ｎ電極３２及びｐ電極３３を有し、半導体構造層３１（ｎ型半導体層３１Ａ、突起３１Ｐ、発光層３１Ｂ及びｐ型半導体層３１Ｃ）は半導体構造層２１と、ｎ電極３２はｎ電極２２と、ｐ電極３３（反射金属層３３Ａ及びキャップ層３３Ｂ）はｐ電極３３と、それぞれ同様の構成を有している。   The semiconductor light emitting element 30 has the same configuration as the semiconductor light emitting element 20. The semiconductor light emitting element 30 includes a semiconductor structure layer 31, an n electrode 32, and a p electrode 33. The semiconductor structure layer 31 (n-type semiconductor layer 31A, protrusion 31P, light-emitting layer 31B, and p-type semiconductor layer 31C) is the semiconductor structure layer 21. The n electrode 32 and the p electrode 33 (the reflective metal layer 33A and the cap layer 33B) have the same configuration as the p electrode 33, respectively.

半導体発光素子２０の半導体構造層２１は、その隣接する半導体発光素子３０に対向する側面が、隣接する半導体発光素子３０の半導体構造層３１との間隔、すなわち隣接する半導体構造層２１及び３１間の間隔が搭載基板１１に向かって拡大するように傾斜している。本実施例においては、半導体構造層２１の全ての側面が傾斜している。半導体発光素子３０の半導体構造層３１の側面は、半導体構造層２１の側面と同様に傾斜している。これによって、半導体発光素子２０から半導体発光素子２０の側面に向かって放出された光が当該側面によって全反射される確率が高くなる。全反射された光は半導体発光素子２０自身の光取出し面であるｎ型半導体層２１Ａの表面に向かって進んだ後、外部に取出される。従って、半導体発光素子２０からの光が隣接する半導体発光素子３０に向かって漏れることを抑制することができる。   The semiconductor structure layer 21 of the semiconductor light emitting device 20 has a side surface facing the adjacent semiconductor light emitting device 30 spaced from the semiconductor structure layer 31 of the adjacent semiconductor light emitting device 30, that is, between the adjacent semiconductor structure layers 21 and 31. The interval is inclined so as to increase toward the mounting substrate 11. In this embodiment, all side surfaces of the semiconductor structure layer 21 are inclined. The side surface of the semiconductor structure layer 31 of the semiconductor light emitting element 30 is inclined similarly to the side surface of the semiconductor structure layer 21. This increases the probability that light emitted from the semiconductor light emitting element 20 toward the side surface of the semiconductor light emitting element 20 is totally reflected by the side surface. The totally reflected light travels toward the surface of the n-type semiconductor layer 21A, which is the light extraction surface of the semiconductor light emitting element 20 itself, and is extracted outside. Therefore, the light from the semiconductor light emitting element 20 can be prevented from leaking toward the adjacent semiconductor light emitting element 30.

搭載基板１１上には絶縁層１７及び接合層１８が形成されている。また、半導体発光素子２０は、それぞれｎ電極２２及びｐ電極２３に接続されたｎ側接続電極２２Ｃ及びｐ側接続電極２３Ｃを有している。同様に、半導体発光素子３０は、それぞれｎ電極３２及びｐ電極３３に接続されたｎ側接続電極３２Ｃ及びｐ側接続電極３３Ｃを有している。搭載基板１１と半導体発光素子２０及び３０とは、接合層１８と、ｎ側接続電極２２Ｃ及び３２Ｃ並びにｐ側接続電極２３Ｃ及び３３Ｃとを介して接合されている。このようにして、半導体発光素子２０及び３０は、搭載基板１１上に並置されている。   An insulating layer 17 and a bonding layer 18 are formed on the mounting substrate 11. The semiconductor light emitting element 20 has an n-side connection electrode 22C and a p-side connection electrode 23C connected to the n-electrode 22 and the p-electrode 23, respectively. Similarly, the semiconductor light emitting element 30 has an n-side connection electrode 32C and a p-side connection electrode 33C connected to the n-electrode 32 and the p-electrode 33, respectively. The mounting substrate 11 and the semiconductor light emitting elements 20 and 30 are bonded to each other through the bonding layer 18, the n-side connection electrodes 22C and 32C, and the p-side connection electrodes 23C and 33C. In this manner, the semiconductor light emitting elements 20 and 30 are juxtaposed on the mounting substrate 11.

第１の電極パッド１２Ａは、接合層１８を介して半導体発光素子２０のｐ側接続電極２３Ｃに接続されている。第２の電極パッド１２Ｂは、接合層１８を介して半導体発光素子３０のｎ側接続電極３２Ｃに接続されている。また、接合層１８は、隣接する一方の素子２０のｎ側接続電極２２Ｃと他方の素子３０のｐ側接続電極３３Ｃとを接続するように形成されている。従って、半導体発光装置１０は、半導体発光素子２０及び３０が互いに直列に接続された構造を有している。半導体発光素子２０において、ｎ電極２２及びｎ側接続電極２２Ｃとｐ電極２３及びｐ側接続電極２３Ｃとの間は、絶縁膜２４によって絶縁されている。半導体発光素子３０についても同様に絶縁層３４が形成されている。   The first electrode pad 12 </ b> A is connected to the p-side connection electrode 23 </ b> C of the semiconductor light emitting element 20 through the bonding layer 18. The second electrode pad 12 </ b> B is connected to the n-side connection electrode 32 </ b> C of the semiconductor light emitting element 30 through the bonding layer 18. The bonding layer 18 is formed so as to connect the n-side connection electrode 22C of one adjacent element 20 and the p-side connection electrode 33C of the other element 30. Therefore, the semiconductor light emitting device 10 has a structure in which the semiconductor light emitting elements 20 and 30 are connected to each other in series. In the semiconductor light emitting device 20, the n electrode 22 and the n side connection electrode 22 </ b> C and the p electrode 23 and the p side connection electrode 23 </ b> C are insulated by an insulating film 24. An insulating layer 34 is similarly formed for the semiconductor light emitting element 30.

搭載基板１１は、例えばＳｉ、ＡｌＮ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｕＷなどの放熱性の高い材料からなる。絶縁層１７並びに絶縁膜２４及び３４は、例えばＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4などの絶縁材料からなる。接合層１８及び各接続電極は、Ａｕ及びＳｎ、Ａｕ及びＩｎ、Ｐｄ及びＩｎ、Ｃｕ及びＳｎ、Ａｇ及びＳｎ、Ａｇ及びＩｎ並びにＮｉ及びＳｎなど、互いに融着して接合される材料の組み合わせか、又はＡｕなどの互いに拡散して接合される材料を用いて形成される。 The mounting substrate 11 is made of a material with high heat dissipation such as Si, AlN, Mo, W, or CuW. The insulating layer 17 and the insulating films 24 and 34 are made of an insulating material such as SiO 2 and Si 3 N 4 , for example. The bonding layer 18 and each connection electrode may be a combination of materials that are fused and bonded to each other, such as Au and Sn, Au and In, Pd and In, Cu and Sn, Ag and Sn, Ag and In, and Ni and Sn. Or materials such as Au that are diffused and bonded to each other.

次に、図４乃至図６を用いて、半導体発光装置１０の製造方法について説明する。図４（ａ）は、搭載基板１１に接合する直前における半導体発光素子２０及び３０を含む半導体ウェハを示す断面図である。本実施例においては、まず、成長用基板１９としてサファイア基板を準備した。次に、成長用基板１９上に半導体構造層２１及び３１となる、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体膜をこの順で順次成長した。次に、当該半導体膜上にスパッタリングを行い、ｐ電極２３及び３３として、反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂを形成した。このとき、半導体膜の一部の表面にはｐ電極２３及び３３が形成されないようにした。   Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 4A is a cross-sectional view showing a semiconductor wafer including the semiconductor light emitting elements 20 and 30 immediately before bonding to the mounting substrate 11. In this example, first, a sapphire substrate was prepared as the growth substrate 19. Next, a semiconductor film consisting of an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer, which become the semiconductor structure layers 21 and 31, was sequentially grown on the growth substrate 19 in this order. Next, sputtering was performed on the semiconductor film to form reflective metal layers 23A and 33A and cap layers 23B and 33B as p-electrodes 23 and 33, respectively. At this time, the p electrodes 23 and 33 were not formed on a part of the surface of the semiconductor film.

次に、当該半導体膜にエッチングを行うことによって、ｐ電極２３及び３３（反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂ）が形成されていない半導体膜の領域の表面から、ｎ型半導体層に至るｎ電極２６及び３６用のコンタクトホールを形成した。次に、ｐ電極２３及び３３を含む半導体膜の全体を覆うように絶縁膜２４及び３４となる絶縁膜を形成した。続いて、コンタクトホール内に形成された絶縁膜の一部を除去し、当該コンタクトホール内にそれぞれｎ電極２２及び３２を形成した。また、ｐ電極２３及び３３上に形成された絶縁膜の一部を除去してｐ電極２３及び３３に至る開口部を形成し、当該開口部にそれぞれｐ側接続電極２３Ｃ及び３３Ｃを形成した。また、絶縁膜上において、ｎ電極２２及び３２に至るコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールにおいてｎ電極２２及び３２に接続されるように、それぞれｎ側接続電極２２Ｃ及び３２Ｃを形成した。その後、ｐ型半導体層上に直接絶縁膜が形成されている領域にエッチングを行って成長用基板１９に至る溝部ＴＲを形成し、これによって半導体膜を半導体構造層２１及び３１に分割した。このとき、溝部ＴＲが成長用基板１９に向かってテーパ形状をなすようにエッチング条件を調整した。このようにして、搭載基板１１に接合する半導体ウェハを作製した。   Next, the n-type semiconductor layer is etched from the surface of the region of the semiconductor film where the p-electrodes 23 and 33 (the reflective metal layers 23A and 33A and the cap layers 23B and 33B) are not formed by etching the semiconductor film. Contact holes for the n electrodes 26 and 36 were formed. Next, insulating films to be the insulating films 24 and 34 were formed so as to cover the entire semiconductor film including the p electrodes 23 and 33. Subsequently, a part of the insulating film formed in the contact hole was removed, and n-electrodes 22 and 32 were formed in the contact hole, respectively. Further, a part of the insulating film formed on the p-electrodes 23 and 33 was removed to form openings reaching the p-electrodes 23 and 33, and p-side connection electrodes 23C and 33C were formed in the openings. Further, contact holes reaching the n electrodes 22 and 32 were formed on the insulating film, and n-side connection electrodes 22C and 32C were formed so as to be connected to the n electrodes 22 and 32 in the contact holes, respectively. Thereafter, the region where the insulating film is directly formed on the p-type semiconductor layer is etched to form a trench TR reaching the growth substrate 19, thereby dividing the semiconductor film into the semiconductor structure layers 21 and 31. At this time, the etching conditions were adjusted so that the trench part TR was tapered toward the growth substrate 19. In this way, a semiconductor wafer bonded to the mounting substrate 11 was produced.

図４（ｂ）は、半導体発光素子２０及び３０を含む半導体ウェハを接合する直前の搭載基板１１を示す断面図である。まず、搭載基板１１を準備し、搭載基板１１上に絶縁層１７を形成した。次に、絶縁層１７上にパターニングされたマスクを形成した後、スパッタリングを行うことによって、接合層１８を形成した。次に、接合層１８上に第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂを形成した。続いて、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上に、突起１３となるベース構造体１３Ｐを形成した。   FIG. 4B is a cross-sectional view showing the mounting substrate 11 just before the semiconductor wafer including the semiconductor light emitting elements 20 and 30 is bonded. First, the mounting substrate 11 was prepared, and the insulating layer 17 was formed on the mounting substrate 11. Next, after forming a patterned mask on the insulating layer 17, the bonding layer 18 was formed by sputtering. Next, the first electrode pad 12 </ b> A and the second electrode pad 12 </ b> B were formed on the bonding layer 18. Subsequently, a base structure 13P to be the protrusion 13 was formed on the first and second electrode pads 12A and 12B.

図４（ｃ）は、蛍光体層１４を形成する直前の搭載基板１１及び搭載基板１１上の半導体発光素子及び電極パッドを示す断面図である。ベース構造体１３Ｐを形成した後、接合層１８とｎ側及びｐ側接続電極２２Ｃ、２３Ｃ、３２Ｃ及び３３Ｃとが接するように、搭載基板１１に半導体ウェハを密着させ、加熱及び圧着によって両者を接合した。次に、成長用基板１９をレーザリフトオフによって除去した。続いて、露出したｎ型半導体層２１Ａ及び３１Ａの表面にエッチングを行い、複数の突起２１Ｐ及び３１Ｐを形成し、凹凸構造面とした。   FIG. 4C is a cross-sectional view showing the mounting substrate 11 immediately before the phosphor layer 14 is formed, the semiconductor light emitting device and the electrode pads on the mounting substrate 11. After the base structure 13P is formed, the semiconductor wafer is brought into close contact with the mounting substrate 11 so that the bonding layer 18 and the n-side and p-side connection electrodes 22C, 23C, 32C, and 33C are in contact, and both are bonded by heating and pressure bonding. did. Next, the growth substrate 19 was removed by laser lift-off. Subsequently, the exposed surfaces of the n-type semiconductor layers 21A and 31A were etched to form a plurality of protrusions 21P and 31P, thereby forming a concavo-convex structure surface.

図５（ａ）は、蛍光体層１４を形成した状態の半導体発光素子及び電極パッドを示す断面図である。なお、図５乃至図６においては、半導体発光素子２０及び３０の詳細構造の図示は省略してある。本実施例においては、搭載基板１１上に半導体発光素子２０及び３０並びに第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが埋設されるように、蛍光体１４Ａを含む蛍光体層１４を形成した。   FIG. 5A is a cross-sectional view showing the semiconductor light emitting element and the electrode pad in a state where the phosphor layer 14 is formed. 5 to 6, the detailed structure of the semiconductor light emitting elements 20 and 30 is not shown. In this example, the phosphor layer 14 including the phosphor 14A was formed on the mounting substrate 11 so that the semiconductor light emitting elements 20 and 30 and the first and second electrode pads 12A and 12B were embedded.

次に、図５（ｂ）に示すように、搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の領域にレーザ光ＬＢを照射した。これによって電極パッド上の蛍光体層１４を部分的に除去した。さらにレーザ照射を継続し、図５（ｃ）に示すように、ベース構造体１３Ｐを先鋭化させて突起１３を形成した。続いて、搭載基板１１を実装基板１５上に固定し、各電極パッド１２Ａ及び１２Ｂと各給電パッド１６Ａ及び１６ＢとをボンディングワイヤＢＷによって接続した。上記の工程を経て、図５（ｄ）に示すように半導体発光装置１０を作製した。   Next, as shown in FIG. 5B, the laser beam LB was irradiated to the regions on the first and second electrode pads 12 </ b> A and 12 </ b> B on the mounting substrate 11. As a result, the phosphor layer 14 on the electrode pad was partially removed. Further, laser irradiation was continued, and as shown in FIG. 5C, the base structure 13P was sharpened to form the protrusions 13. Subsequently, the mounting substrate 11 was fixed on the mounting substrate 15, and the electrode pads 12A and 12B and the power supply pads 16A and 16B were connected by bonding wires BW. Through the above steps, the semiconductor light emitting device 10 was manufactured as shown in FIG.

図６（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）〜（ｄ）の破線で囲んだ部分を拡大して示す部分拡大断面図である。以下においては、第２の電極パッド１２Ｂを単に電極パッド１２Ｂと称する。まず、図６（ａ）に示すように、レーザ照射前の電極パッド１２Ｂ上には、ベース構造体１３Ｐが形成されている。ベース構造体１３Ｐは、錐台形状の突起が複数個配列された凹凸構造を有している。レーザ光ＬＢの照射から、図６（ｂ）に示すように、電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が除去され始める。この電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４の領域の除去に伴って、蛍光体１４Ａが除去される。   6 (a) to 6 (d) are partial enlarged cross-sectional views showing enlarged portions surrounded by broken lines in FIGS. 5 (a) to 5 (d), respectively. Hereinafter, the second electrode pad 12B is simply referred to as an electrode pad 12B. First, as shown in FIG. 6A, a base structure 13P is formed on the electrode pad 12B before laser irradiation. The base structure 13P has an uneven structure in which a plurality of frustum-shaped protrusions are arranged. As shown in FIG. 6B, the phosphor layer 14 on the electrode pad 12B starts to be removed from the irradiation with the laser beam LB. With the removal of the region of the phosphor layer 14 on the electrode pad 12B, the phosphor 14A is removed.

電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が除去されることによって、ベース構造体１３Ｐの一部が露出し始める。これによってレーザ光ＬＢがベース構造体１３Ｐに照射される。ベース構造体１３Ｐの材料であるＡｕは、レーザ光ＬＢの熱によって凝集し、変形する。具体的には、ベース構造体１３Ｐは、その幅が小さくなるとともに、高さが大きくなり、先鋭化される。従って、図６（ｃ）に示すような錐形状又は錐形状に近い錐台形状の先が尖った突起１３が形成される。なお、電極パッド１２Ｂ上の突起１３間の領域には依然として蛍光体層１４の残渣１４Ｒが残っている場合がある。すなわち、半導体発光装置１０は、電極パッド１２Ｂ上の突起１３間の領域に蛍光体層１４の残渣１４Ｒを有している。しかし、突起１３は残渣１４Ｒに覆われず、その上部が完全に露出している。   By removing the phosphor layer 14 on the electrode pad 12B, a part of the base structure 13P starts to be exposed. Thus, the base structure 13P is irradiated with the laser beam LB. Au that is a material of the base structure 13P is aggregated and deformed by the heat of the laser beam LB. Specifically, the base structure 13P has a small width and a large height, which is sharpened. Accordingly, the projection 13 having a pointed tip having a cone shape or a truncated cone shape close to the cone shape as shown in FIG. 6C is formed. In addition, the residue 14R of the phosphor layer 14 may still remain in the region between the protrusions 13 on the electrode pad 12B. That is, the semiconductor light emitting device 10 has a residue 14R of the phosphor layer 14 in a region between the protrusions 13 on the electrode pad 12B. However, the protrusion 13 is not covered with the residue 14R, and its upper part is completely exposed.

図６（ｄ）に示すように、この突起１３の上にワイヤボンディングを行うと、ボールＢＬが突起１３を押し潰すように形成され、突起１３を介してボールＢＬ及びボンディングワイヤＢＷが十分に電極パッド１２Ｂに接触する。このようにして、仮に電極パッド１２Ｂ上に蛍光体層１４のバインダが残渣として残っていた場合であっても、電極パッド１２ＢとボンディングワイヤＢＷとの良好な電気的接続を得ることができる。また、機械的な接続強度も大きいものとなる。なお、突起１３及びボンディングワイヤＢＷは、第１の電極パッド１２Ａについても同様に形成される。   As shown in FIG. 6D, when wire bonding is performed on the protrusion 13, the ball BL is formed so as to crush the protrusion 13, and the ball BL and the bonding wire BW are sufficiently electroded through the protrusion 13. It contacts the pad 12B. Thus, even if the binder of the phosphor layer 14 remains as a residue on the electrode pad 12B, good electrical connection between the electrode pad 12B and the bonding wire BW can be obtained. Also, the mechanical connection strength is increased. The protrusion 13 and the bonding wire BW are formed in the same manner for the first electrode pad 12A.

なお、本実施例においては、突起はレーザ光の照射によって形成する場合について説明したが、他の方法によっても形成することが可能である。例えば、電極パッド上に金属層を形成する際のスパッタリングの条件を制御して直接形成することもできる。   In the present embodiment, the case where the protrusions are formed by laser light irradiation has been described, but the protrusions can also be formed by other methods. For example, it can also be formed directly by controlling the sputtering conditions when forming the metal layer on the electrode pad.

また、第１及び第２の半導体層がそれぞれｐ型半導体層及びｎ型半導体層である場合について説明したが、第１及び第２の半導体層の導電型は反対であってもよい。また、光取出し面である半導体構造層の表面が複数の突起からなる凹凸構造面である場合について説明したが、半導体構造層の表面は平坦であってもよい。また、半導体発光装置における並置された複数の発光素子が直列に接続された場合について説明したが、複数の発光素子は、並列に接続されていてもよく、また、互いに電気的に分離されていてもよい。また、搭載基板上に複数の半導体発光素子が並置されている場合について説明したが、搭載基板上には少なくとも１つの半導体発光素子が配置され、当該半導体発光素子に隣接して電極パッドが設けられていればよい。   Although the case where the first and second semiconductor layers are a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer has been described, the conductivity types of the first and second semiconductor layers may be opposite. Moreover, although the case where the surface of the semiconductor structure layer that is the light extraction surface is an uneven structure surface including a plurality of protrusions has been described, the surface of the semiconductor structure layer may be flat. Further, although the case where a plurality of juxtaposed light emitting elements in a semiconductor light emitting device are connected in series has been described, the plurality of light emitting elements may be connected in parallel or electrically separated from each other. Also good. Further, the case where a plurality of semiconductor light emitting elements are juxtaposed on the mounting substrate has been described. However, at least one semiconductor light emitting element is disposed on the mounting substrate, and an electrode pad is provided adjacent to the semiconductor light emitting element. It only has to be.

上記した実施例においては、電極パッド上に尖端形状の突起が形成されている。従って、電極パッド上に蛍光体層の一部が残っていた場合であっても確実に電極パッド上に金属接点を形成することができる。従って、電極パッドと実装基板上の給電パッドへの接続用のボンディングワイヤとの電気的接点を確保することができる。また、電極パッドは空気又は封止ガス雰囲気中に露出しているため、蛍光体層を介して電極パッド上の領域に素子からの光が漏れることが抑制される。従って、素子領域外への光のクロストークが抑制され、配光形状の制御が容易な高性能の半導体発光装置を提供することができる。   In the above-described embodiment, the tip-shaped protrusion is formed on the electrode pad. Therefore, even if a part of the phosphor layer remains on the electrode pad, the metal contact can be reliably formed on the electrode pad. Therefore, an electrical contact between the electrode pad and the bonding wire for connection to the power supply pad on the mounting substrate can be ensured. Moreover, since the electrode pad is exposed to the atmosphere of air or sealing gas, the light from the element is prevented from leaking to the region on the electrode pad through the phosphor layer. Therefore, it is possible to provide a high-performance semiconductor light emitting device in which crosstalk of light to the outside of the element region is suppressed and the light distribution shape can be easily controlled.

１０ 半導体発光装置
１１ 搭載基板
２０、３０ 半導体発光素子
１２Ａ、１２Ｂ （第１及び第２の）電極パッド
１３ 突起
１４ 蛍光体層
１５ 実装基板
１６Ａ、１６Ｂ （第１及び第２の）給電パッド
ＢＷ ボンディングワイヤ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor light-emitting device 11 Mounting board | substrate 20, 30 Semiconductor light emitting element 12A, 12B (1st and 2nd) electrode pad 13 Protrusion 14 Phosphor layer 15 Mounting board | substrate 16A, 16B (1st and 2nd) electric power feeding pad BW Bonding Wire

Claims (7)

搭載基板と、
前記搭載基板上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子に隣接して前記搭載基板上に設けられた電極パッドと、
前記電極パッド上に設けられた尖端形状の複数の突起と、を有することを特徴とする半導体発光装置。 A mounting substrate;
A semiconductor light emitting device disposed on the mounting substrate;
An electrode pad provided on the mounting substrate adjacent to the semiconductor light emitting element;
And a plurality of point-shaped protrusions provided on the electrode pad. 前記複数の突起の各々は、錐形状又は錐台形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein each of the plurality of protrusions has a cone shape or a frustum shape. 前記半導体発光素子を前記搭載基板上に埋設するように設けられた蛍光体層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, further comprising a phosphor layer provided so as to embed the semiconductor light-emitting element on the mounting substrate. 前記突起はＡｕから構成され、
前記電極パッドと前記突起との間には、中間層としてＰｔ層、Ｒｈ層又はＰｄ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 The protrusion is made of Au,
4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a Pt layer, an Rh layer, or a Pd layer is formed as an intermediate layer between the electrode pad and the protrusion. 5. 前記電極パッド上の前記突起間の領域に前記蛍光体層の残渣を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein a residue of the phosphor layer is provided in a region between the protrusions on the electrode pad. 前記搭載基板上には複数の半導体発光素子が互いに隣接して並置されており、
前記電極パッドは、前記複数の半導体発光素子の隣接する前記半導体発光素子の外側に、かつ前記隣接する前記半導体発光素子の配列方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 A plurality of semiconductor light emitting elements are juxtaposed adjacent to each other on the mounting substrate,
6. The electrode pad is provided outside the semiconductor light emitting element adjacent to the plurality of semiconductor light emitting elements and along an arrangement direction of the adjacent semiconductor light emitting elements. A semiconductor light-emitting device according to any one of the above. 前記搭載基板を保持する実装基板と、
前記実装基板上に設けられた給電パッドと、を有し、
前記電極パッド及び前記給電パッド間はボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つのいずれか１つに記載の半導体発光装置。 A mounting substrate for holding the mounting substrate;
A power supply pad provided on the mounting substrate,
7. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the electrode pad and the power supply pad are connected by a bonding wire.
JP2013241735A 2013-11-22 2013-11-22 Semiconductor light emitting device Pending JP2015103599A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013241735A JP2015103599A (en) 2013-11-22 2013-11-22 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013241735A JP2015103599A (en) 2013-11-22 2013-11-22 Semiconductor light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015103599A true JP2015103599A (en) 2015-06-04

Family

ID=53379088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013241735A Pending JP2015103599A (en) 2013-11-22 2013-11-22 Semiconductor light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015103599A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018133555A (en) * 2017-02-13 2018-08-23 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018133555A (en) * 2017-02-13 2018-08-23 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101978968B1 (en) Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus
JP4804485B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method
EP3007238B1 (en) Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device
KR101150861B1 (en) Light emitting diode having multi-cell structure and its manufacturing method
KR101276053B1 (en) Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus
TWI569470B (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
KR101237538B1 (en) Light emitting devices
TWI434437B (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting device
TWI415302B (en) Optoelectronic semiconductor body
JP2011199221A (en) Light emitting diode
JP6219177B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2008091459A (en) Led illumination apparatus and manufacturing method thereof
JP2013179215A (en) Led array and photoelectric integrated device
US8574936B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR101246733B1 (en) Light emitting diode having separated electrode structures and its manufacturing method
US9559270B2 (en) Light-emitting device and method of producing the same
JP5781409B2 (en) Semiconductor light emitting element array and vehicle lamp
KR101457036B1 (en) Light emitting diode and manufacturing method of the same
JP2015103599A (en) Semiconductor light emitting device
TW201203611A (en) Light emitting device and its manufacturing method
KR20110132161A (en) Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing thereof
KR20140092127A (en) Semiconductor light emitting device and the method of the same
KR20110083290A (en) Semiconductor light emitting device and preparing therof
KR102338181B1 (en) Method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP2016100449A (en) Led chip, semiconductor light-emitting device, and manufacturing method of led chip