KR101457036B1 - Light emitting diode and manufacturing method of the same - Google Patents

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김태근
윤민주
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고려대학교 산학협력단
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Abstract

A semiconductor light emitting device and a method to manufacture the same are disclosed. According to the present invention, an active layer is vertically and lengthily formed on top of a bottom reflective layer and an insulating film; a first and a second semiconductor layer are vertically and lengthily formed on each side of the active layer respectively; and a pair of side reflective layers is vertically and lengthily formed to contact with a surface of the first and second semiconductor layers, wherein the surface is not in contact with the active layer. Therefore, light is directly emitted upwards, which is the lengthwise direction of the active layer, and currents are supplied through the pair of side reflective layers formed on each side. As a result, the present invention can generate more light than the existing horizontal light-emitting devices by not eliminating a part of the active layer, and has excellent light-extraction efficiency compared to the existing horizontal and vertical light emitting devices by emitting light directly, and not through a transparent electrode. Also, according to a desirable embodiment of the present invention, the semiconductor light-emitting device has an n-type and a p-type electrode in a region corresponding to the entire semiconductor layer region and enables currents to be supplied through the entire area of the side reflective layers having excellent conductivity, therefore improving luminance efficiency by preventing current crowding effect where currents are concentrated in a certain region. In addition, the semiconductor light emitting device releases heat to the outside by having a lead frame connected and in contact with the entire area of the n-type and p-type electrodes (or the entire area of the pair of side reflective layers if the n-type and p-type electrodes are integrated with the side reflective layers) and a heat slug connected to the bottom reflective layer, therefore having excellent heat-release efficiency.

Description

반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{Light emitting diode and manufacturing method of the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명은 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same.

최근 LED가 차세대 조명 광원으로 자리잡고 있다. LED(Light Emitting Diode)는 p-n 접합에 의해 인가된 전류가 빛으로 방출되는 성질을 이용하는 반도체 소자이다. 이 소자의 장점은 43% 의 높은 에너지 변환 효율, 100,000시간 정도의 장수명, 빠른 응답속도, 낮은 발열, 유해물질이 없는 특징을 가진다. Recently, LED has become the next generation lighting source. LED (Light Emitting Diode) is a semiconductor device that utilizes the property that a current applied by a pn junction is emitted as light. The device has a high energy conversion efficiency of 43%, a long life span of 100,000 hours, fast response time, low heat generation, and no toxic properties.

현재 LED 소자의 효율을 높이기 위하여 수평형, 수직형, 플립칩 등 다양한 구조의 LED가 연구되고 있다. 하지만, 수평형 구조의 LED는 n-전극 형성 과정에서 식각 공정으로 인하여 활성 층의 손실이 발생하므로 발광 면적이 감소하여 발광효율이 저하된다. 또한 n-전극과 p-전극이 활성층이 바닥면과 수평으로 형성되므로, 활성층에서 수직으로 발생하는 광 중 한쪽 부분의 손실이 발생하게 된다. 이러한 종래의 LED 소자의 일 예가 한국 특허 제 10-0905442 호에 공개되어 있다.In order to increase the efficiency of LED devices, LEDs having various structures such as horizontal type, vertical type, and flip chip are being studied. However, in the horizontal type LED, since the active layer is lost due to the etching process in the process of forming the n-electrode, the light emitting area is decreased and the luminous efficiency is lowered. In addition, since the active layer is formed horizontally with the bottom surface of the n-electrode and the p-electrode, loss of one portion of the light vertically generated in the active layer occurs. An example of such a conventional LED device is disclosed in Korean Patent No. 10-0905442.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근 수직형 구조의 LED가 활발히 연구되고 있다. 수직형 구조는 LED의 상부에 p-전극, 하부에 n-전극이 형성되므로 별도의 식각 공정이 필요하지 않으며, 수평형 구조의 LED에 비해 발광 면적이 증가함으로써 발광 효율이 증가한다는 장점이 있다. 하지만 수직형 구조의 LED는 레이저 리프트 오프(Laser lift off) 공정을 통하여 기판을 제거한 후 n-전극을 형성하는 과정에서 레이저로 인한 박막의 손상이 발생하게 되고, 이로 인하여 전극과 반도체 층과의 오믹 특성이 저하되는 문제가 있다. 또한 LED 소자의 원활한 전류 주입 및 분산을 위해 금속 전극과 반도체 층 사이에 투명전극을 삽입하는데, 현재 투명전극은 투과도와 전기적 특성(오믹 특성)과의 서로 반비례 관계에 있어 투과도도 높으면서 양호한 오믹 특성을 나타내는 LED 소자의 개발이 필요한 실정이다.Recently, vertical type LEDs have been actively researched to solve these problems. In the vertical structure, since the p-electrode is formed on the upper part of the LED and the n-electrode is formed on the lower part of the LED, a separate etching process is unnecessary and the light emitting area is increased compared to the horizontal type LED. However, in the vertical type LED, damage to the thin film due to the laser occurs in the process of forming the n-electrode after removing the substrate through the laser lift off process. As a result, There is a problem that the characteristics are deteriorated. In addition, a transparent electrode is inserted between the metal electrode and the semiconductor layer for smooth current injection and dispersion of the LED element. At present, the transparent electrode is in inverse proportion to the transmittance and electrical characteristics (ohmic characteristic) It is necessary to develop an LED device.

아울러, LED가 실제로 백열등과 같은 기존의 조명을 대체하기 위해서는 소자의 신뢰성에 큰 영향을 미치는 방열 문제가 해결되어야 한다. 고출력 LED의 경우 높은 소비전력으로 인하여 인가된 파워의 약 70% 이상을 열로 소비하게 되는데, 내부에서 발생한 이러한 열을 외부로 얼마나 잘 방출시킬 수 있는가 하는 것이 소자의 기본적인 전기적, 광학적 특성에 매우 중요한 요소이다. 종래의 LED 칩 패키지 구조의 일 예를 도 1에 도시하였다. 도 1에 도시된 수직형 LED 소자를 참조하면, LED 소자에서 발생된 열은 하부 전극과 접촉한 리드 프레임을 통해서만 주로 방출되므로, 효율적인 열 방출이 되지 않아 발광 소자의 수명을 단축시키는 요인이 되고 있다. 따라서, 고효율의 LED 소자 구현을 위해서는 효율적인 방열 구조가 필요한 실정이다.
Furthermore, in order for an LED to actually replace an existing light such as an incandescent lamp, the heat dissipation problem, which greatly affects the reliability of the device, must be solved. High-power LEDs consume about 70% of the applied power due to high power consumption due to high power consumption. How well these internally generated heat can be emitted to the outside is very important for the basic electrical and optical characteristics of the device to be. An example of a conventional LED chip package structure is shown in Fig. Referring to the vertical type LED device shown in FIG. 1, since heat generated in the LED device is mainly emitted only through the lead frame contacting the lower electrode, efficient heat emission is not achieved and the lifetime of the light emitting device is shortened . Therefore, an efficient heat dissipating structure is required for realizing a highly efficient LED device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광투과도가 높으면서도 양호한 오믹 접촉이 가능하고, 양호하게 내부에서 발생된 열을 외부로 방출할 수 있는 구조를 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device having a structure capable of satisfactory ohmic contact with high light transmittance and capable of externally emitting heat generated internally, and a method of manufacturing the same.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 수직 방향으로 길게 형성된 활성층; 상기 활성층에 접촉하도록 상기 활성층의 양측에 수직 방향으로 길게 각각 형성된 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 상기 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 형성된 한 쌍의 측면 반사층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device including: an active layer formed in a long vertical direction; A first semiconductor layer and a second semiconductor layer formed on both sides of the active layer to be in contact with the active layer in the vertical direction; And a pair of side reflection layers formed in the first semiconductor layer and the second semiconductor layer in a vertical direction to be in contact with a surface not in contact with the active layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 상기 한 쌍의 측면 반사층은 반도체층의 전체 영역에 접촉하도록 형성될 수 있다.In addition, the pair of side reflection layers of the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention may be formed to contact the entire region of the semiconductor layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 상기 한 쌍의 측면 반사층의 반도체층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 각각 형성된 한 쌍의 전극을 더 포함할 수 있다.The semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention may further include a pair of electrodes formed to be in contact with a surface of the pair of side reflection layers that is not in contact with the semiconductor layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 상기 한 쌍의 전극은 각각 상기 측면 반사층의 전체 영역과 접촉하도록 형성될 수 있다.In addition, the pair of electrodes of the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention may be formed so as to be in contact with the entire area of the side reflective layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 상기 활성층, 상기 제 1 반도체층, 상기 제 2 반도체층, 및 상기 한 쌍의 반사층의 하면에 접촉하도록 형성된 절연막; 및 상기 절연막의 다른 일 면에 접촉하도록 형성된 하부 반사층을 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device including: an insulating layer formed to contact a bottom surface of an active layer, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a pair of reflective layers; And a lower reflective layer formed to contact the other surface of the insulating layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 상기 하부 반사층은 히트 슬러그와 접촉하여, 상기 히트 슬러그를 통해서 열을 외부로 방출할 수 있다.In addition, the lower reflective layer of the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention may contact the heat slug, and heat may be discharged to the outside through the heat slug.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 상기 한 쌍의 측면 반사층은 리드 프레임과 오믹 접촉을 이루는 반사 전극으로 구현되고, 상기 한 쌍의 반사 전극은 상기 리드 프레임을 통해서 열을 방출할 수 있다.In addition, the pair of side reflective layers of the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention is implemented as a reflective electrode that makes an ohmic contact with a lead frame, and the pair of reflective electrodes emits heat through the lead frame can do.

한편, 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법은, (a) 지지 기판 위에 제 1 반사층, 상기 제 1 반사층 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 제 1 절연막, 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 기판을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 절연막이 드러나도록 상기 제 1 절연막 위에 형성된 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 1 반도체층을 식각하여 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계; (c) 상기 복수의 발광 구조물의 일 측면(제 1 측면)에만 접촉하도록 제 2 절연막 및 하부 반사층을 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 제 2 반사층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 하부 반사층과 인접한 발광 구조물 사이의 제 1 반사층 영역을 절단하여 발광 소자를 분리하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: (a) forming a first reflective layer on a supporting substrate, a plurality of first insulating films spaced apart from each other in the first reflective layer, Forming a substrate on which a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer are sequentially stacked; (b) forming a plurality of light emitting structures by etching the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer formed on the first insulating layer so that the first insulating layer is exposed; (c) forming a second insulating layer and a lower reflective layer so as to contact only one side (first side) of the plurality of light emitting structures, and forming a second reflective layer on the second semiconductor layer; And (d) cutting the first reflective layer region between the lower reflective layer and the adjacent light emitting structure to separate the light emitting device.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법에서, 상기 (a) 단계는, (a1) 임시 기판위에 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제 1 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 서로 이격된 상기 복수의 제 1 절연막을 형성하는 단계; (a2) 상기 제 2 반도체층 및 상기 복수의 제 1 절연막 위에 상기 제 1 반사층을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 제 1 반사층과 상기 지지 기판을 접합시키고, 상기 임시 기판을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention, the step (a) may include: (a1) sequentially forming the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer on a temporary substrate Forming the plurality of first insulating films spaced apart from each other on the second semiconductor layer; (a2) forming the first reflective layer on the second semiconductor layer and the plurality of first insulating films; And (a3) bonding the first reflective layer and the support substrate, and separating the temporary substrate.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법에서, 상기 (c) 단계는, (c1) 상기 발광 구조물의 다른 일 측면(제 2 측면)과 상기 제 2 반도체층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c2) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 1 측면에 접촉하도록 제 2 절연막을 형성하고 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; (c3) 상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과 상기 제 2 반도체층 및 상기 제 2 절연막의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c5) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 (c6) 상기 제 2 반도체층 위에 상기 제 2 반사층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention, the step (c) includes the steps of: (c1) covering another side (second side) of the light emitting structure and an upper portion of the second semiconductor layer Forming a photoresist pattern so that a part of the first insulating film is exposed; (c2) forming a second insulating film on the first insulating film so as to be in contact with the first side face and removing the photoresist pattern; (c3) forming a photoresist pattern so as to cover the second side surface of the light emitting structure, the second semiconductor layer, and the upper portion of the second insulating film, and expose a part of the first insulating film; (c5) forming a lower reflective layer on the first insulating layer so as to be in contact with the second insulating layer, and removing the photoresist pattern; And (c6) forming the second reflective layer on the second semiconductor layer.

또한, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법은, 상기 (c3) 단계 내지 상기 (c5) 단계 사이에, (c4) 상기 제 1 절연막 위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 접착층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 더 포함하고, 상기 (c5) 단계는, 상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과, 상기 제 2 반도체층, 상기 제 2 절연막, 및 상기 접착층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 절연막 위에 상기 접착층과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다.
The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention may further include the steps of (c3) to (c5), (c4) forming an adhesive layer on the first insulating film so as to be in contact with the second insulating film And (c5) covering the second side of the light emitting structure and the upper portion of the second semiconductor layer, the second insulating film, and the adhesive layer, and removing the photoresist pattern, A photoresist pattern is formed so that a part of the first insulating film is exposed, a lower reflective layer is formed on the first insulating film so as to be in contact with the adhesive layer, and the photoresist pattern is removed.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 하부 반사층 및 절연막에 수직 방향으로 길게 활성층을 형성하고, 활성층에 접촉하도록 활성층의 양측에 수직 방향으로 길게 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성하며, 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층 중 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 한 쌍의 측면 반사층을 형성함으로써, 활성층에서 생성된 빛이 활성층의 수직 방향으로 방출되지 않고, 활성층의 길이 방향인 상부로 직접 방출되도록 구성하고, 측면에 형성된 한 쌍의 측면 반사층을 통해서 전류를 공급하였다. A semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention includes a lower reflective layer and an insulating layer and includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer vertically formed on both sides of the active layer so as to be in contact with the active layer, , A pair of side reflection layers extending in the vertical direction are formed in the first semiconductor layer and the second semiconductor layer so as to be in contact with the surface not in contact with the active layer so that light generated in the active layer is not emitted in the vertical direction of the active layer, And the current was supplied through a pair of side reflection layers formed on the side surface.

따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 활성층의 일부를 제거하지 않으므로 종래의 수평형 발광 소자에 비하여 더 많은 양의 빛을 발생시킬 수 있고, 투명 전극을 통하지 않고 직접 빛을 방출하므로 종래의 수평형 발광 소자 및 수직형 발광 소자에 비하여 광 추출 효율이 뛰어나다. Therefore, since the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention does not remove a part of the active layer, it can emit a larger amount of light than the conventional horizontal light emitting device, and emits light directly without passing through the transparent electrode The light extraction efficiency is superior to that of the conventional horizontal light emitting device and vertical light emitting device.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 반도체층 전체 영역에 대응되는 되는 영역에 n형 및 p형 전극을 형성하고, 전도성이 뛰어난 측면 반사층의 전체 면적을 통해서 전류를 공급하므로 전류가 일부 영역에 집중되는 current crowding 현상을 방지하여 광 효율을 향상시킬 수 있으며, n형 및 p형 전극 전체 면적(n형 및 p형 전극이 측면 반사층과 통합되어 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층 전체 면적)과 접촉하도록 리드 프레임을 연결하고 하부 반사층에 히트 슬러그를 연결하여 열을 외부로 방출함으로써 열 방출 효율이 뛰어나다.
Also, since the semiconductor light emitting device according to the preferred embodiment of the present invention forms n-type and p-type electrodes in a region corresponding to the entire region of the semiconductor layer and supplies current through the entire area of the side reflective layer having excellent conductivity, The total area of the n-type and p-type electrodes (when the n-type and p-type electrodes are integrated with the side reflection layer, the total area of the pair of side reflection layers And the heat slug is connected to the lower reflective layer to discharge the heat to the outside.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 발광 소자의 패키지 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자가 패키지화된 일 예를 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자에서의 전류의 흐름과 빛의 경로를 각각 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법을 설명하는 도면이다.1 is a view showing a package structure of a semiconductor light emitting device according to the related art.
2 is a view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view illustrating an example in which a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention is packaged.
4A and 4B are views showing a current flow and a light path in a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention, respectively.
5A to 5D are views illustrating a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.2 is a view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(10)는 하부 반사층(700) 위에 절연막(600)이 형성되고, 절연막(600) 위에 절연막(600) 및 하부 반사층(700)의 수직 방향으로 길게 활성층(300)이 배치된다. 활성층(300)은 일반적인 반도체 발광 소자와 마찬가지로 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다.2, the semiconductor light emitting device 10 according to the preferred embodiment of the present invention includes an insulating layer 600 formed on a lower reflective layer 700, an insulating layer 600 and a lower reflective layer 700 on an insulating layer 600, The active layer 300 is arranged in a vertical direction. The active layer 300 may be formed in a multiple quantum well structure like a general semiconductor light emitting device.

또한, 제 1 반도체층(200) 및 제 2 반도체층(400)이 활성층(300)에 접촉하도록 활성층(300)의 양측에 수직 방향으로 길게 절연막(600) 위에 배치된다. 제 1 반도체층(200)과 제 2 반도체층(400) 중 어느 하나는 p형 반도체층으로 형성되고, 다른 하나는 n형 반도체층으로 형성된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 제 1 반도체층(200)은 p-GaN 층으로 형성되었고, 제 2 반도체층(400)은 n-GaN층으로 형성되었으나, 반도체 발광소자에 적용될 수 있는 것이라면 그 재질에 제한은 없다. The first semiconductor layer 200 and the second semiconductor layer 400 are vertically disposed on the insulating layer 600 on both sides of the active layer 300 so as to be in contact with the active layer 300. One of the first semiconductor layer 200 and the second semiconductor layer 400 is formed of a p-type semiconductor layer and the other is formed of an n-type semiconductor layer. In the preferred embodiment of the present invention, the first semiconductor layer 200 is formed of a p-GaN layer, and the second semiconductor layer 400 is formed of an n-GaN layer. However, .

한편, 제 1 반도체층(200) 및 상기 제 2 반도체층(400) 중 활성층(300)에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 형성된 한 쌍의 측면 반사층(110,510)이 절연막(600) 위에 배치된다. 반사층은 Al, Ag, Au, Rh, Pd, Pt, Cu, Ru 등 및 이들을 포함하는 합금이나 이들의 다층 구조로 형성될 수 있고, 제 1 반도체층(200) 및 제 2 반도체층(400) 전체 영역과 접촉하도록 형성된다.On the other hand, a pair of side reflection layers 110 and 510, which are vertically extended in contact with the first semiconductor layer 200 and the second semiconductor layer 400 so as not to contact the active layer 300, . The reflective layer may be formed of a multilayer structure of Al, Ag, Au, Rh, Pd, Pt, Cu, Ru, Region.

또한, 한 쌍의 측면 반사층(110,510)의 전체 영역과 각각 접촉하도록 p형 전극(120) 및 n형 전극(520)이 절연막(600) 위에 추가로 배치될 수 있다. 본 발명은 활성층(300)에서 발생된 빛이 전극을 통해서 외부로 방출되는 것이 아니므로, p형 전극(120) 및 n형 전극(520)은 투명전극일 필요가 없다. 따라서, p형 전극(120) 및 n형 전극(520)은 전기적 특성이 양호한 재질로서 선택될 수 있다.In addition, the p-type electrode 120 and the n-type electrode 520 may be additionally disposed on the insulating film 600 so as to be in contact with the entire area of the pair of side reflection layers 110 and 510, respectively. Since the light generated in the active layer 300 is not emitted to the outside through the electrode, the p-type electrode 120 and the n-type electrode 520 need not be transparent electrodes. Therefore, the p-type electrode 120 and the n-type electrode 520 can be selected as materials having good electrical characteristics.

아울러, 본 발명의 바람직한 실시 예에서 한 쌍의 측면 반사층(110,510)과 p형 전극(120) 및 n형 전극(520)은 하나로 통합될 수 있다. 즉, 빛을 잘 반사하면서도 오믹 접촉이 양호한 성질을 갖는 Ni, Pt, Au, Ag, Cr, AgAl, AgCu 등과 이들을 포함하는 합금을 이용하거나, 이들을 다층 구조로 형성하면 반사층과 전극을 개별적으로 형성하지 않고, 하나의 반사전극(100,500)으로 통합하여 형성할 수 있고, 이 경우, 제조 공정은 더욱 단순화될 수 있다.
In addition, in a preferred embodiment of the present invention, the pair of side reflection layers 110 and 510, the p-type electrode 120 and the n-type electrode 520 may be integrated into one. That is, when a Ni, Pt, Au, Ag, Cr, AgAl, or AgCu alloy having good properties of good ohmic contact while reflecting light is used and an alloy containing them is used, But can be formed integrally with one reflective electrode 100, 500. In this case, the manufacturing process can be further simplified.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(10)가 패키지화된 일 예를 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(10)가 패키지화되는 경우에, p형 전극 및 n형 전극(전극과 측면 반사층이 통합 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층) 각각은 그 전체 영역이 리드 프레임(20)에 연결되고, 하부 반사층(700)은 히트 슬러그(heat slug;30)와 연결된다. 따라서, 본 발명의 반도체 발광 소자(10)는 반도체 발광 소자(10)에서 발생된 열을 각 전극에 연결된 리드 프레임(20)과 히트 슬러그(30)의 3방향으로 방출하므로, 열 방출 효과가 뛰어나다.
FIG. 3 is a view showing an example in which the semiconductor light emitting device 10 according to the preferred embodiment of the present invention is packaged. Referring to FIG. 3, when the semiconductor light emitting device 10 according to the preferred embodiment of the present invention is packaged, a p-type electrode and an n-type electrode (a pair of side reflective layers when the electrode and the side reflective layer are integrally formed) The entire area of which is connected to the lead frame 20 and the lower reflective layer 700 is connected to the heat slug 30. Therefore, the semiconductor light emitting device 10 of the present invention emits heat generated in the semiconductor light emitting device 10 in three directions of the lead frame 20 connected to the respective electrodes and the heat slug 30, .

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자에서의 전류의 흐름과 빛의 경로를 각각 도시하는 도면이다.4A and 4B are views showing a current flow and a light path in a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention, respectively.

먼저, 도 4a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 내부에서 전류의 흐름을 도시하는 도면이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(10)는 제 1 반도체층(200) 및 제 2 반도체층(400) 전체 영역에 대응되는 되는 영역에 p형 전극(120) 및 n형 전극(520)(전극과 측면 반사층이 통합 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층(110,510))을 형성하고, 전도성이 뛰어난 전극(120,520) 및 측면 반사층(110,510)의 전체 면적을 통해서 전류를 공급하므로 전류가 일부 영역에 집중되는 current crowding 현상을 방지할 수 있어 광 효율을 향상시킬 수 있다.4A is a view illustrating a current flow in a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention. 4A, a semiconductor light emitting device 10 according to a preferred embodiment of the present invention includes a p-electrode (not shown) in a region corresponding to the entire region of the first semiconductor layer 200 and the second semiconductor layer 400 120 and the n-type electrode 520 (a pair of side reflective layers 110 and 510 when the electrode and the side reflective layer are integrally formed) are formed and the entire area of the electrodes 120 and 520 and the side reflective layers 110 and 510 The current crowding phenomenon in which the current is concentrated in a certain region can be prevented, thereby improving the light efficiency.

도 4b 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 내부에서 빛의 경로를 도시하는 도면이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(10)는 활성층(300)에서 생성된 빛이 하부 반사층(700) 및 측면 반사층(110,510)에서 반사되어 상부로 방출되고, 특히, 투명 전극을 통과하지 않고 직접 방출되므로, 종래 기술에 비해서 광추출 효율이 뛰어나다.
FIG. 4B is a view illustrating paths of light in a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention. 4B, in the semiconductor light emitting device 10 according to the preferred embodiment of the present invention, light generated in the active layer 300 is reflected by the lower reflective layer 700 and the side reflective layers 110 and 510, , In particular, it is emitted directly without passing through the transparent electrode, so that the light extraction efficiency is excellent as compared with the prior art.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법을 설명하는 도면이다. 이하에서는, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명한다.5A to 5D are views illustrating a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.

먼저, 도 5a의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래의 수직형 발광 소자 제조 공정과 동일한 방식으로 임시 기판(본 발명에서는 사파이어 기판을 적용함)(51)위에 n타입으로 도핑된 반도체층(제 2 반도체층(400)), 다중 양자 우물 구조의 활성층(300), 및 p타입으로 도핑된 반도체층(제 1 반도체층(200))을 순차적으로 형성하고, 제 1 반도체층(200) 위에 서로 일정한 거리만큼 이격되도록 복수의 제 1 절연막(800)을 형성한 후, 제 1 반도체층(200) 및 복수의 제 1 절연막(800) 위에 제 1 반사 전극(100)을 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, an n-type doped semiconductor layer (not shown) is formed on a temporary substrate (a sapphire substrate is applied in the present invention) 51 in the same manner as a conventional vertical type light emitting device manufacturing process The active layer 300 of the multiple quantum well structure and the p-type doped semiconductor layer (the first semiconductor layer 200) are sequentially formed on the first semiconductor layer 200 A plurality of first insulating films 800 are formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance and then a first reflective electrode 100 is formed on the first semiconductor layer 200 and the plurality of first insulating films 800. [

여기서, 본 발명의 바람직한 실시예는 도 2에 도시된 바와 같이 반사층(110,510)과 전극(120,520)을 별도의 층으로 구현할 수도 있고, 오믹 접촉이 양호한 재질의 반사층을 형성함으로써, 반사층과 전극을 하나로 통합할 수도 있음은 상술한 바와 같다. 반사층과 전극이 별개로 형성된 예는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명하였으므로, 이하에서는 반사층과 전극을 통합하여 반사 전극을 형성하는 예를 설명한다.2, the reflective layers 110 and 510 and the electrodes 120 and 520 may be formed as a separate layer, and a reflective layer of a material having good ohmic contact may be formed. Thus, It is also possible to integrate them. An example in which the reflective layer and the electrode are separately formed has been described with reference to FIGS. 2 to 4. Hereinafter, an example of forming the reflective electrode by integrating the reflective layer and the electrode will be described.

제 1 반사전극(100)이 형성된 후, 도 5a의 (b)에 도시된 바와 같이, 지지 기판(900)을 제 1 반사전극(100) 위에 접합하고, 기판을 뒤집은 후, 도 5a의 (c)에 도시된 바와 같이, 임시 기판(51)을 통해서 레이저를 조사하여, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정을 수행함으로써, 임시 기판(51)인 사파이어 기판을 분리한다. 이 때, 지지 기판(900)의 접합을 용이하게 하기 위한 접착층(52)의 제 1 반사전극(100) 위에 추가로 형성될 수 있다.After the first reflective electrode 100 is formed, the supporting substrate 900 is bonded onto the first reflective electrode 100 and the substrate is turned upside down as shown in FIG. 5A, , The laser is irradiated through the temporary substrate 51 and a laser lift off process is performed to separate the sapphire substrate which is the temporary substrate 51. At this time, it may be additionally formed on the first reflective electrode 100 of the adhesive layer 52 for facilitating bonding of the supporting substrate 900.

그 후, 도 5b의 (d)에 도시된 바와 같이, 제 2 반도체층(400) 위에 포토레지스트 패턴(미도시 됨)을 형성하여 제 1 절연막(800)이 드러나도록 제 2 반도체층(400), 활성층(300), 제 1 반도체층(200)을 식각하여 반도체 발광 소자들의 영역을 분리함으로써, 제 2 반도체층(400), 활성층(300), 및 제 1 반도체층(200)으로 구성되는 복수의 발광 구조물들을 생성한다.5D, a photoresist pattern (not shown) is formed on the second semiconductor layer 400 to expose the second semiconductor layer 400 so that the first insulating layer 800 is exposed, The active layer 300 and the first semiconductor layer 200 by etching the active layer 300 and the first semiconductor layer 200 to separate the regions of the semiconductor light emitting devices Lt; / RTI >

그리고 나서, 도 5b의 (e)에 도시된 바와 같이, 발광 구조물의 일 측면에만 접촉하도록 제 1 절연막(800)과 제 2 반도체층(400) 위에 포토레지스트 패턴(61)을 형성한 후, 발광 구조물의 다른 일 측면과 제 1 절연막(800)에 접촉하도록 제 2 절연막(600)(도 2의 절연막(600)에 대응됨)을 증착하여 형성하고, 도 5b의 (f)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(61)을 제거한다.5 (e), a photoresist pattern 61 is formed on the first insulating layer 800 and the second semiconductor layer 400 so as to be in contact with only one side of the light emitting structure, A second insulating film 600 (corresponding to the insulating film 600 in FIG. 2) is formed by vapor deposition so as to be in contact with the other side surface of the structure and the first insulating film 800. As shown in FIG. 5 (f) , The photoresist pattern 61 is removed.

그 후, 도 5b의 (e) 내지 (f)와 동일한 방식으로, 발광 구조물의 일 측면에만 접촉하도록 제 1 절연막(800), 제 2 반도체층(400), 및 제 2 절연막(600) 위에 포토레지스트 패턴(62)을 형성한 후, 제 2 절연막(600)과 제 1 절연막(800)에 접촉하도록 접착층(610)을 증착하여 형성하고(도 5c의 (g)참조), 도 5c의 (h)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴을 제거한다. 이 때, 접착층(610)은 도 2를 참조하여 상술한 예에서는 제 2 절연막(600)에 포함된 구성으로 설명되었다.Thereafter, the first insulating layer 800, the second semiconductor layer 400, and the second insulating layer 600 are patterned so as to contact only one side of the light emitting structure, After the resist pattern 62 is formed, an adhesive layer 610 is formed by evaporation so as to be in contact with the second insulating film 600 and the first insulating film 800 (see (g) in FIG. 5C) , The photoresist pattern is removed. At this time, the adhesive layer 610 has been described as being included in the second insulating film 600 in the example described above with reference to FIG.

마찬가지 방식으로, 발광 구조물의 일 측면에만 접촉하도록 제 1 절연막(800), 제 2 반도체층(400), 제 2 절연막(600) 및 접착층(610) 위에 포토레지스트 패턴(63)을 형성한 후, 접착층(610)과 제 1 절연막(800)에 접촉하도록 하부 반사층(700)을 증착하여 형성하고(도 5c의 (i)참조), 도 5d의 (j)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴을 제거한다.Similarly, a photoresist pattern 63 is formed on the first insulating layer 800, the second semiconductor layer 400, the second insulating layer 600, and the adhesive layer 610 so as to contact only one side of the light emitting structure, The lower reflection layer 700 is formed by evaporation so as to be in contact with the adhesive layer 610 and the first insulating film 800 (see (i) of FIG. 5C) Remove.

그 후, 발광 구조물의 일 측면에만 접촉하도록 하부 반사층(700), 접착층(610), 및 제 2 절연막(600) 위에 포토레지스트 패턴(64)을 형성한 후, 제 2 반도체층(400) 위에 제 2 반사전극(500)을 형성한다(도 5d의 (k)참조). 여기서, 제 2 반사전극(500)은 도 2의 n형 전극(520)과 반사층(510)이 통합되도록 형성된 구성임은 제 1 반사전극(100)과 동일하다.Thereafter, a photoresist pattern 64 is formed on the lower reflective layer 700, the adhesive layer 610, and the second insulating layer 600 so as to be in contact with only one side surface of the light emitting structure, 2 reflective electrode 500 is formed (see (k) of FIG. 5D). Here, the second reflective electrode 500 is the same as the first reflective electrode 100 in that the n-type electrode 520 and the reflective layer 510 of FIG. 2 are integrated.

마지막으로, 포토레지스트 패턴(64)을 제거하고, 제 1 반사전극(100)으로부터 지지 기판(900)을 분리한 후, 발광 구조물의 일 측면과 하부 반사층(700) 사이의 제 1 절연막(800) 및 제 1 반사전극(100)에 레이저를 조사하여 laser scribing 공정을 수행함으로써, 반도체 발광 소자를 서로 분리한다(도 5d의 (l)참조). Finally, after the photoresist pattern 64 is removed and the supporting substrate 900 is separated from the first reflective electrode 100, a first insulating layer 800 is formed between one side of the light emitting structure and the lower reflective layer 700, And the first reflective electrode 100 are subjected to a laser scribing process by irradiating a laser to separate the semiconductor light emitting elements from each other (see (1) in FIG.

분리된 반도체 발광 소자는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 반사층(700)이 수평으로 배치되고, 제 1 반사전극(100) 내지 제 2 반사층(500)을 포함하는 발광 구조물이 수직 방향으로 배치되도록 실장된다.
2 and 3, the separated semiconductor light emitting device has a structure in which the lower reflective layer 700 is horizontally arranged and the light emitting structure including the first reflective electrode 100 to the second reflective layer 500 is vertically Direction.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.

100 제 1 반사 전극 110 반사층
120 p형 전극 200 제 1 반도체층
300 활성층 400 제 2 반도체층
500 제 2 반사 전극 510 반사층
520 n형 전극 600 절연막
700 하부 반사층 100 First reflective electrode 110 Reflective layer
120 p-type electrode 200 First semiconductor layer
300 active layer 400 second semiconductor layer
500 Second reflective electrode 510 Reflective layer
520 n-type electrode 600 insulating film
700 lower reflective layer

Claims (11)

절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 형성된 활성층,
상기 활성층에 접촉하도록 상기 활성층의 양측에, 상기 절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 각각 형성된 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층,
상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 상기 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록, 상기 절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 형성된 한 쌍의 측면 반사층,
상기 활성층, 상기 제 1 반도체층, 상기 제 2 반도체층, 및 상기 한 쌍의 반사층의 하면에 접촉하도록 형성된 상기 절연막, 및
상기 절연막의 다른 일 면에 접촉하도록 형성된 하부 반사층을 포함하는 반도체 발광 소자;
상기 하부 반사층과 접촉하여 열을 외부로 방출하는 히트 슬러그; 및
상기 한 쌍의 측면 반사층의 전체 면적에 오믹 접촉하여 열을 외부로 방출하는 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.An active layer formed to be long in the vertical direction with respect to the insulating film,
A first semiconductor layer and a second semiconductor layer formed on both sides of the active layer so as to be in contact with the active layer,
A pair of side reflection layers formed so as to be elongated in a direction perpendicular to the insulating film so as to be in contact with a surface of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer that does not contact the active layer,
The insulating film being formed so as to be in contact with the bottom surfaces of the active layer, the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the pair of reflection layers;
And a lower reflective layer formed to contact the other surface of the insulating layer;
A heat slug contacting the lower reflective layer to discharge heat to the outside; And
And a lead frame for ohmic contact with the entire area of the pair of side reflection layers to emit heat to the outside. 제 1 항에 있어서,
상기 한 쌍의 측면 반사층은 반도체층의 전체 영역에 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the pair of side reflection layers are formed so as to contact the entire region of the semiconductor layer. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는
상기 한 쌍의 측면 반사층의 반도체층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 각각 형성된 한 쌍의 전극을 더 포함하고, 상기 한 쌍의 리드프레임은 상기 한 쌍의 전극의 전체 면적에 오믹 접촉하여 열을 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.The semiconductor light emitting device according to claim 1,
And a pair of electrodes formed to contact the surfaces of the pair of side reflection layers which are not in contact with the semiconductor layer, wherein the pair of lead frames are in ohmic contact with the entire area of the pair of electrodes, To the semiconductor light emitting device. 제 3 항에 있어서,
상기 한 쌍의 전극은 각각 상기 측면 반사층의 전체 영역과 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.The method of claim 3,
And the pair of electrodes are formed so as to be in contact with the entire area of the side reflective layer, respectively. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 한 쌍의 측면 반사층은 상기 리드프레임과 오믹 접촉을 이루는 반사 전극으로 구현되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the pair of side reflection layers are formed as a reflective electrode in ohmic contact with the lead frame.
(a) 지지 기판 위에 제 1 반사층, 상기 제 1 반사층 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 제 1 절연막, 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 기판을 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 절연막이 드러나도록 상기 제 1 절연막 위에 형성된 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 1 반도체층을 식각하여 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계;
(c) 상기 복수의 발광 구조물의 일 측면(제 1 측면)에만 접촉하도록 제 2 절연막 및 하부 반사층을 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 제 2 반사층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 하부 반사층과 인접한 발광 구조물 사이의 제 1 반사층 영역을 절단하여 발광 소자를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.(a) forming a substrate on which a first reflective layer, a plurality of first insulating films spaced apart from each other in the first reflective layer, a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer are sequentially stacked on a support substrate;
(b) forming a plurality of light emitting structures by etching the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer formed on the first insulating layer so that the first insulating layer is exposed;
(c) forming a second insulating layer and a lower reflective layer so as to contact only one side (first side) of the plurality of light emitting structures, and forming a second reflective layer on the second semiconductor layer; And
(d) cutting the first reflective layer region between the lower reflective layer and the adjacent light emitting structure to separate the light emitting device. 제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는
(a1) 임시 기판위에 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제 1 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 서로 이격된 상기 복수의 제 1 절연막을 형성하는 단계;
(a2) 상기 제 2 반도체층 및 상기 복수의 제 1 절연막 위에 상기 제 1 반사층을 형성하는 단계; 및
(a3) 상기 제 1 반사층과 상기 지지 기판을 접합시키고, 상기 임시 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein step (a)
(a1) sequentially forming the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer on a temporary substrate, and forming the plurality of first insulating films spaced apart from each other on the second semiconductor layer;
(a2) forming the first reflective layer on the second semiconductor layer and the plurality of first insulating films; And
(a3) bonding the first reflective layer and the supporting substrate, and separating the temporary substrate. 제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계는
(c1) 상기 발광 구조물의 다른 일 측면(제 2 측면)과 상기 제 2 반도체층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(c2) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 1 측면에 접촉하도록 제 2 절연막을 형성하고 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
(c3) 상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과 상기 제 2 반도체층 및 상기 제 2 절연막의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(c5) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및
(c6) 상기 제 2 반도체층 위에 상기 제 2 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein step (c)
(c1) forming a photoresist pattern so as to cover another side (second side) of the light emitting structure and an upper portion of the second semiconductor layer and expose a part of the first insulating film;
(c2) forming a second insulating film on the first insulating film so as to be in contact with the first side face and removing the photoresist pattern;
(c3) forming a photoresist pattern so as to cover the second side surface of the light emitting structure, the second semiconductor layer, and the upper portion of the second insulating film, and expose a part of the first insulating film;
(c5) forming a lower reflective layer on the first insulating layer so as to be in contact with the second insulating layer, and removing the photoresist pattern; And
(c6) forming the second reflective layer on the second semiconductor layer. 제 10 항에 있어서, 상기 (c3) 단계 내지 상기 (c5) 단계 사이에
(c4) 상기 제 1 절연막 위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 접착층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 더 포함하고,
상기 (c5) 단계는
상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과, 상기 제 2 반도체층, 상기 제 2 절연막, 및 상기 접착층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 절연막 위에 상기 접착층과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
11. The method according to claim 10, further comprising the step (c3) to the step (c5)
(c4) forming an adhesive layer on the first insulating film so as to be in contact with the second insulating film, and removing the photoresist pattern,
The step (c5)
Forming a photoresist pattern covering the second side surface of the light emitting structure and the second semiconductor layer, the second insulating film, and the upper portion of the adhesive layer so that a part of the first insulating film is exposed; Forming a lower reflective layer to be in contact with the adhesive layer, and removing the photoresist pattern.
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