JP2015088664A - ダイシング用基体フィルム、ダイシングフィルム、及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルムを提供する。【解決手段】一態様において、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルムに関する。【選択図】図１

Description

本開示は、ダイシング用基体フィルム、ダイシングフィルム、及び半導体チップの製造方法に関する。

半導体チップの製造方法としては、半導体ウエハ等の半導体部材を予め大面積で製造した後、チップ状にダイシング（切断分離）し、ダイシングによって個片化されたチップをピックアップする方法が知られている。ダイシング工程において、半導体ウエハを固定するために用いられるのがダイシングフィルムである。

ダイシングフィルムは一般的に、ダイシングブレードによって切り込まれるダイシング用基体フィルムと、半導体ウエハを固定するための粘着剤層とから構成されている。ダイシングフィルムに固定された半導体ウエハは、チップ状にダイシングされ、その後、ダイシングフィルムをエキスパンド（拡張）することでチップ同士が分離され、半導体チップがピックアップされる。

ところで、ダイシング工程で発生するダイシングフィルム由来の切削屑（基材屑）は、半導体ウエハを汚染し、半導体チップの歩留まりを低下させるため、切削屑の発生を極力低減する必要がある。また、半導体チップのピッキングの精度を高め、さらに生産性を向上させるため、ダイシングフィルムには、裂けたり切断したりすることなく、均一により広く円滑に拡張できるという特性（以下、エキスパンド性という。）も要求される。また、ダイシングフィルムは、通常ロール状に巻いて製造、保管、運搬等されるが、フィルム同士のブロッキングが生じると品質の低下につながるため、耐ブロッキング性も要求される。

このような要求に対して、様々なダイシングフィルムが提案されている。例えば、特許文献１では、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物：６０〜９０重量％、及びポリスチレン系樹脂：１０〜４０重量％を含む樹脂成分から形成される表面層を有するダイシング用基体フィルムを備えたダイシングフィルムが提案されている。

特開２０１３−５５１１２号公報

しかしながら、従来のダイシングフィルムは、切削屑の発生の抑制効果は十分ではなく、未だ改善の余地がある。

また、エキスパンド後のダイシングフィルムは、リングカセット内に収納されることになるが、フィルムの収納性を考慮して、リングカセット内に容易に収納できるサイズにまで復元できる特性（以下、復元性という。）を有するダイシングフィルムが望まれている。しかし、従来のダイシングフィルムでは、十分な復元性は得られていない。

そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルムを提供する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルムに関する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示のダイシング用基体フィルムの表面層側の主面上に、粘着剤層が設けられた、ダイシングフィルムに関する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する貼付工程と、前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む半導体チップの製造方法に関する。

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルムを提供できる。

図１は、本開示のダイシング用基体の一例を示す概略断面図である。

本開示は、ダイシング工程では、半導体部材とともにダイシングフィルムの一部も切断されるため、このダイシングフィルムの一部が摩擦熱により溶融状態となり、切削屑の発生につながる、という知見に基く。さらに、本開示は、基材層上に、ポリスチレン系樹脂とビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物とを含有する表面層を設け、ダイシングブレードを表面層のみに切り込ませることにより、切削屑を著しく低減できる、という知見に基く。

すなわち、本開示は、一態様において、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルムに関する。

本開示のダイシング用基体フィルムによれば、一又は複数の実施形態において、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシング用基体フィルムを提供できる。

以下、本開示のダイシング用基体フィルムについて詳細に説明する。

図１は、本開示のダイシング用基体フィルムの構成の一例を示す概略断面図である。図１に示すように、本開示のダイシング用基体フィルム１０は、基材層１１と、基材層１１の一主面上に配置された表面層１２とを備えている。このダイシング用基体フィルム１０の表面層１２上にさらに粘着剤層１３を設けることで、ダイシングフィルム２０が得られる。

以下、本開示のダイシング用基体フィルムを構成する各層について詳細に説明する。

＜表面層＞
本開示のダイシング用基体フィルムを構成する表面層は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である。表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物とを含有する。

［ポリスチレン系樹脂］
ポリスチレン系樹脂としては、特に限定されないが、一又は複数の実施形態において、汎用ポリスチレン樹脂、耐衝撃性ポリスチレン樹脂、又はこれらの混合物等が挙げられる。本開示における「汎用ポリスチレン」とは、通常、スチレンホモポリマーである。また、「耐衝撃性ポリスチレン」とは、通常、汎用ポリスチレンにブタジエン等のゴム成分を加えたものをいい、一又は複数の実施形態において、ポリスチレンのマトリックス中に微細なゴム状粒子がブレンド又はグラフト重合された構造をとっている。

表面層におけるポリスチレン系樹脂の含有量としては、一又は複数の実施形態において、耐ブロッキング性の向上と、切削屑の発生を抑制できる観点から、５０重量％以上を超え、好ましくは６０重量％以上である。また、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

［ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体］
本開示において、ビニル芳香族炭化水素とは、少なくとも１つのビニル基を有する芳香族炭化水素のことをいう。ビニル芳香族炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、スチレンが好ましい。

共役ジエン炭化水素とは、一対の共役二重結合を有するジオレフィンのことをいう。共役ジエン炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、１，３−ブタジエンが好ましい。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素中の二重結合の存在により引き起こされる酸化劣化等を抑制して、フィルムの強度を高める観点から、水素添加物とすることが好ましい。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等による水素添加）して飽和にしておくことが好ましい。これにより、前述の効果に加えてさらに、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂にすることができる。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の水添率は、一又は複数の実施形態において、共重合体中の共役ジエン炭化水素に由来する二重結合の８５％以上、９０％以上、又は９５％以上である。水添率は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、１０〜５０重量％が好ましく、１５〜４５重量％がより好ましい。また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、フィルムのエキスパンド性、及び、耐ブロッキング性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、水添前の含有量で、５０〜９０重量％、又は５５〜８５重量％である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、一又は複数の実施形態において、１万〜６０万、又は５万〜３０万である。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定できる。

表面層を形成する樹脂成分におけるビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、一又は複数の実施形態において、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは１５重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。また、耐ブロッキング性を向上でき、切削屑の発生を抑制できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは５０重量％未満、さらに好ましくは４０重量％以下である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのランダム共重合体の形態であってもよい。又は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのブロック共重合体の形態であってもよい。又は、ランダム共重合体とブロック共重合体の両方を含む形態であってもよい。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定でき、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

ランダム共重合体及びその水素添加物は、一又は複数の実施形態において、特開２００４−５９７４１号公報に記載の方法等によって製造できる。

ブロック共重合体としては、一又は複数の実施形態において、共重合体の一端又は両末端にビニル芳香族炭化水素由来のブロックセグメントを有し、さらに共役ジエン炭化水素由来のブロックセグメントを有するもの、あるいはこれらをブレンドしたもの等が挙げられる。具体例としては、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（以下、ＳＥＢＳともいう。）が挙げられる。ＳＥＢＳ中のスチレン構成単位の含有量（以下、Ｓｔ含有量という。）は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムの製膜性を向上させる観点から、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上であり、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４５重量％以下である。

表面層は、一又は複数の実施形態において、発明の趣旨を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

表面層の厚みは、切削屑低減の点から、ダイシングブレードによる表面層への切り込みの深さ（以下、切込み量ともいう。）よりも厚いことが好ましい。表面層の厚みは、一又は複数の実施形態において、５〜６０μｍ、又は２０〜４０μｍである。また、表面層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ダイシング用基体フィルムの厚みに対し、５〜６０％、又は２０〜４０％である。

＜基材層＞
本開示のダイシング用基体フィルムを構成する基材層としては、一又は複数の実施形態において、従来使用され、又は今後開発され得るエキスパンド層を用いることができ、樹脂材料から構成されることが好ましい。樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂；エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂；スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物；等が挙げられる。これらの中でも、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、又はポリエチレンとエラストマーとの混合物が好ましい。このような樹脂材料を用いることにより、優れたエキスパンド性が得られる。

基材層は、一又は複数の実施形態において、フィルムの物性を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

基材層の厚みは、一又は複数の実施形態において、エキスパンド工程においてフィルムを引き延ばしたときにフィルムが破れない程度の強度を確保できる観点から、４０〜９５μｍ、又は６０〜８０μｍである。また、基材層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ダイシング用基体フィルムの厚みに対し、４０〜９５％、又は６０〜８０％である。

本開示のダイシング用基体フィルムは、生産歩留まりを向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、基材層と表面層との間にさらに中間層を有していてもよい。

＜中間層＞
中間層は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれない層である。

中間層を形成する樹脂成分としては、一又は複数の実施形態において、フィルムのエキスパンド性を低下させずに、基材層と表面層との接着性を向上できる観点から、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物を含有することが好ましい。なお、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物としては、前述の表面層と同じものを用いることができ、ここではその詳細な説明を省略する。

また、中間層を形成する樹脂成分としては、一又は複数の実施形態において、上記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物以外に、ポリスチレン系樹脂や基材層を構成する樹脂成分等の他の樹脂成分をさらに含有してもよい。なお、ポリスチレン系樹脂としては、前述の表面層と同じものを用いることができ、基材層を構成する樹脂成分については前述したとおりであるため、ここではその詳細な説明を省略する。

中間層が、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、その他の樹脂成分とを含有する場合、フィルムのエキスパンド性の低下を抑制しつつ、基材層と表面層との接着性を向上できる観点から、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有割合は、５０重量％以上、又は６０重量％以上であり、１００重量％以下、又は９０重量％以下である。

中間層の厚みは、一又は複数の実施形態において、５〜６０μｍ、又は２０〜４０μｍである。

本開示のダイシング用基体フィルムの全体の厚みとしては、一又は複数の実施形態において、５０〜２００μｍ、又は８０〜１５０μｍである。ダイシング基体フィルムの全体の厚みを５０μｍ以上とすることで、ウエハをダイシングする際に衝撃から保護できる。なお、ダイシング用基体フィルムが中間層を有する場合には、一又は複数の実施形態において、表面層の厚みは変更せずに、基材層の厚みを薄くすることで、フィルム全体の厚みが上記数値の範囲内となるよう設定する。

本開示のダイシング用基体フィルムの製造方法としては、Ｔダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等の公知の方法が挙げられるが、基体フィルムの厚み精度の点から、Ｔダイスを使用した押出法が好ましい。

以下、Ｔダイスを使用した押出法について説明する。

まず、表面層及び基材層を構成する樹脂成分をそれぞれドライブレンド又は溶融混練し、各層形成用樹脂を得る。そして、各層形成用樹脂をスクリュー式押出機に供給し、１８０〜２４０℃に調整された多層Ｔダイからフィルム状に押出し、これを１０〜５０℃に調整された冷却ロールに通しながら冷却して巻き取る。あるいは、各層形成用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記のように押出成形してもよい。形成される各層の厚みは、押出機のスクリュー回転数を調整することで、調整できる。

上記冷却ロールに通しながら冷却してフィルムを巻き取る工程では、エキスパンド時にフィルムが破れない程度の強度を確保し、エキスパンド後の復元性を向上できる観点から、実質的に無延伸で巻き取りを行うことが好ましい。実質的に無延伸とは、積極的な延伸を行わないことをいい、無延伸、あるいは、ダイシング時のウエハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルムの巻き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。

本開示のダイシング用基体フィルムは、一又は複数の実施形態において、図１に示すように、表面層１２上に粘着剤層１３を設けることで、本開示のダイシングフィルム２０を構成できる。

＜粘着剤層＞
粘着剤層としては、半導体部材を貼り付け、かつ、ダイシング後に個片化された半導体部材を好適に剥がすことができるものであれば特に限定されないが、アクリル系粘着剤、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等を含む樹脂組成物から構成されるものが好ましい。これにより、ダイシング前には半導体部材を十分に保持でき、かつ、個片化された半導体部材をピックアップする前に紫外線照射を行うことで粘着剤の保持力（粘着力）を低下させて、好適にピックアップすることができる。

粘着剤層の厚みは、一又は複数の実施形態において、半導体部材との密着性を向上できる観点から、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。また、ダイシング時の加工性を向上できる観点から、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下である。

本開示のダイシングフィルムの製造方法は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層を形成する樹脂組成物を適宜溶剤に溶解又は分散させた塗工液を、ダイシング用基体フィルムの表面層上に、ロールコーティングやグラビアコーティング等の公知のコーティング方法によって塗布し乾燥することにより、粘着剤層を形成する方法等が挙げられる。

本開示のダイシングフィルムは、一又は複数の実施形態において、粘着剤層上にさらに保護層を備えていても良い。

＜保護層＞
保護層としては、ダイシングフィルムの使用時まで粘着剤層を保護し、ダイシングフィルムの使用時に好適に除去できるものであれば特に限定されない。保護層としては、ダイシングフィルムの使用時における作業性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂等で構成されているフィルムが好ましい。

保護層は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層に接する面が離型処理されていてもよい。この場合、ダイシングフィルムの使用時に保護層をより好適に除去できる。離型処理する方法としては、一又は複数の実施形態において、シリコン樹脂、アルキッド樹脂等の離型樹脂を塗布する方法が挙げられる。

本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する貼付工程と、前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む方法が挙げられる。

貼付工程では、一又は複数の実施形態において、市販のマウンター等を使用して、ダイシングフィルムの粘着剤層と半導体部材とを貼り付ける。ダイシングフィルムが保護層を有する場合には、保護層を除去しながら、ダイシングフィルムと半導体部材を貼り付けることができる。

ダイシング工程では、一又は複数の実施形態において、市販のダイサー等を使用して、半導体部材をダイシングして個片化する。

エキスパンド工程では、一又は複数の実施形態において、市販のエキスパンダー装置等を使用して、隣り合う個片化された半導体部材の間を拡張する。これにより、後段のピックアップ工程を好適に実行可能となる。

ピックアップ工程では、一又は複数の実施形態において、市販のチップボンダー等を使用して、個片化された半導体部材をピックアップすることで、半導体チップが得られる。

本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、エキスパンド工程の後、個片化された半導体部材をダイシングフィルムを介して、市販の対物顕微鏡等を用いて目視検査する検査工程を含んでいてもよい。これにより、個片化された半導体部材に不良部分があるかどうかを検知できるため、生産性を向上できる。

本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層が紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂等を含む場合、ピックアップ工程の前に紫外線照射工程を含んでいてもよい。これにより、ピックアップ工程の前に紫外線を照射して、粘着剤層の保持力を低下させて、好適にピックアップすることができる。

本開示は、さらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
［１］ 基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルム。
［２］ 前記ポリスチレン系樹脂は、汎用ポリスチレン及び耐衝撃性ポリスチレンからなる群から選択される少なくとも１つである、［１］に記載のダイシング用基体フィルム。
［３］ 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体である、［１］又は［２］に記載のダイシング用基体フィルム。
［４］ 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、［１］から［３］のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
［５］ 前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下、又は１５重量％以上５０重量％未満である、［１］から［４］のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
［６］ 前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、［１］から［５］のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
［７］ 前記基材層と前記表面層との間に、さらに中間層を含む、［１］から［６］のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
［８］ ［１］から［７］のいずれかに記載のダイシング用基体フィルムの表面層側の主面上に、粘着剤層が設けられた、ダイシングフィルム。
［９］ ［８］に記載のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する工程と、前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む、半導体チップの製造方法。

本開示を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本開示はこれにより限定されるものではない。

＜原料＞
実施例及び比較例のダイシング用基体フィルムの作製に使用した原料は以下の通りである。
・スチレン−ブタジエン共重合体（ＨＩＰＳ）：「Ｈ９１５２」（商品名、ＰＳジャパン株式会社製）
・スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＢＳ、Ｓｔ含量：１８重量％）：「タフテックＨ１０６２」（商品名、旭化成ケミカルズ株式会社製）
・ポリプロピレン（ＰＰ）：「ＦＳ２０１１ＤＧ−２」（商品名、住友化学株式会社製）
・ポリスチレン（ＰＳ）：「ＨＦ７７」（商品名、ＰＳジャパン株式会社製）

（実施例１）
ＨＩＰＳ：５５重量％とＳＥＢＳ：４５重量％とをタンブラーにてドライブレンドし、表面層形成用樹脂を得た。また、ＰＰ：６０重量％とＳＥＢＳ：４０重量％とをドライブレンドし、基材層形成用樹脂を得た。そして、得られた各層形成用樹脂を、２００℃に調整されたそれぞれの押出機に供給し、表面層／基材層の順序になるように、２００℃の２層ダイスから押出し、３０℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、２層構造のダイシング用基体フィルムを得た。実施例１において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例２）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を６０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を４０重量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例２において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例３）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を７０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を３０重量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例３において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例４）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を８０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を２０重量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例４において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例５）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を８５重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を１５重量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例５において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例６）
表面層を形成する樹脂成分であるＨＩＰＳの代わりに、ＰＳを同量（６０重量％）用いたこと以外、実施例２と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例６において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例７）
表面層を形成する樹脂成分であるＨＩＰＳの代わりに、ＰＳを同量（８０重量％）用いたこと以外、実施例４と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例７において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例１）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を４０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を６０重量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。比較例１において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例２）
表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳのみ（含有量：１００重量％）に変更した以外は、実施例１と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。比較例２において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例３）
ＨＩＰＳ：８０重量％とＳＥＢＳ：２０重量％とをタンブラーにてドライブレンドし、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を、２００℃に調整された押出機に供給し、２００℃に調整された単層ダイスから押出し、３０℃の冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、単層構造のダイシング用基体フィルムを得た。

以上のようにして作製した実施例１〜７及び比較例１〜３の各ダイシング用基体フィルムの表面層上に粘着剤層を設け、ダイシングフィルムを得た。具体的には、まず、２−エチルヘキシルアクリレート：３０重量％、酢酸ビニル：７０重量％及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート：１重量％をトルエン溶媒中にて混合し、重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂を得た。そして、このベース樹脂：１００重量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）：１０重量部とを酢酸エチルに溶解した後、乾燥後の厚さが１０μｍになるようにダイシング用基体フィルムの表面層上にバーコード塗工した後、８０℃で５分間乾燥してダイシングフィルムを得た。

得られたダイシングフィルムについて、下記のとおり、切削屑特性、エキスパンド性、及び復元性の評価を行い、その結果を表１に示した。また、表１には、実施例１〜７及び比較例１〜３のダイシングフィルムを構成する粘着剤層の厚み、表面層を形成する樹脂成分の含有量、表面層の厚み、基材層を形成する樹脂成分の含有量、基材層の厚み、及び、ダイシング用基体フィルム全体の厚みについても併せて示した。

（切削屑特性）
切削屑特性は、次のようにして評価した。まず、ダイシングフィルムに、シリコンウエハ（厚み：０．２ｍｍ）を貼り付け、下記条件でダイシングを実施し、カットラインの観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の切削屑の数をカウントし、切削屑特性を評価し、評価結果を表１に示した。ここでは、切削屑の数が０〜５本の場合は、切削屑特性に優れていると評価し、表１では「Ａ」と表記した。切削屑の数が６〜１０本の場合は、切削屑特性が良好であると評価し、表１では「Ｂ」と表記した。切削屑の数が１１本以上の場合は、切削屑特性が良好でないと評価し、表１では「Ｃ」と表記した。

［ダイシング条件］
ダイシング装置：「ＤＡＤ―３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングブレード：「ＺＨ２０５Ｏ ２７ＨＥＤＤ」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ブレード回転数：４５０００ｒｐｍ
カット速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込み：ダイシングフィルム表面から４０μｍ（表面層に対する切込み量は３０μｍ）
カットサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ

（エキスパンド性及び復元性）
エキスパンド性及び復元性については、次のようにして評価した。まず、上記切削屑特性の評価と同様して、ダイシングフィルムにシリコンウエハを貼り付け、ダイシングを実施し、ダイシングによって個片化されたウエハが貼り付けられた状態のダイシングフィルムをウエハエキスパンダー装置（商品名「ＨＳ１０１０」、ヒューグル社製）に設置し、引落し量６ｍｍにてエキスパンドを行った。

エキスパンド性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にダイシングフィルムが破断したかどうかを評価し、評価結果を表１に示した。ここでは、フィルムが破断しなかった場合、エキスパンド性は良好であると評価し、表１では「Ａ」と表記した。フィルムが破断した場合、エキスパンド性は良好ではないと評価し、表１では、「Ｂ」と表記した。

復元性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にエキスパンドをやめて、その後１０分間放置した後のフィルムのたるみ量を測定し、測定値に基づいて評価し、評価結果を表１に示した。ここでは、フィルムのたるみ量が５ｍｍ以下の場合、復元性に優れていると評価し、表１では「Ａ」と表記した。フィルムのたるみ量が５ｍｍを超え９ｍｍ未満の場合、復元性は良好であると評価し、表１では「Ｂ」と表記した。フィルムのたるみ量が９ｍｍ以上の場合、復元性は良好ではないと評価し、表１では「Ｃ」と表記した。

表１に示すように、実施例１〜７のダイシングフィルムは、比較例１〜３のダイシングフィルムに比べて、切削屑の発生の抑制効果が高く、また、エキスパンド性及び復元性に優れていることが分かった。また、表面層におけるＨＩＰＳ含有量が５０重量％を超える実施例１は、表面層中のＨＩＰＳ含有量が５０重量％以下の比較例１に比べて、切削屑の発生を大幅に低減できていたことから、切削屑の発生の抑制にはＨＩＰＳの含有量が５０重量％を超えることが重要であることが分かった。また、ＳＥＢＳを含有しない比較例２は、復元性が良好ではなかったことから、十分な復元性を得るためには、ＳＥＢＳが重要であることが分かった。単層構造の比較例３は、エキスパンドしたときに破断してしまったことから、十分なエキスパンド性を得るためには、ダイシング用基体フィルムを二層構造とすることが重要であることが分かった。

本開示のダイシングフィルムは、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果が高いため、半導体装置を製造する際、ダイシング工程において半導体部材固定用フィルムとして好適に用いられる。

１０ ダイシング用基体フィルム
１１ 基材層
１２ 表面層
１３ 粘着剤層
２０ ダイシングフィルム

Claims (9)

1. 基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、
   前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、
   前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルム。
2. 前記ポリスチレン系樹脂は、汎用ポリスチレン及び耐衝撃性ポリスチレンからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１に記載のダイシング用基体フィルム。
3. 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体である、請求項１又は２に記載のダイシング用基体フィルム。
4. 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
5. 前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、
   前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
6. 前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、請求項１から５のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
7. 前記基材層と前記表面層との間に、さらに中間層を含む、請求項１から６のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
8. 請求項１から７のいずれかに記載のダイシング用基体フィルムの表面層側の主面上に、粘着剤層が設けられた、ダイシングフィルム。
9. 請求項８に記載のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する貼付工程と、
   前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、
   前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、
   前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む、半導体チップの製造方法。

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