JP2015060852A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産性が高い半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造装置は、リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する装置である。前記製造装置は、前記リム部を保持するチャックと、前記第１面に対して第１の流体を吐出するノズルと、前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する吐出口が形成されたプレートと、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造装置は、リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する装置である。前記製造装置は、前記リム部を保持するチャックと、前記第１面に対して第１の流体を吐出するノズルと、前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する吐出口が形成されたプレートと、を備える。
【選択図】図１
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。
一般に、ディスクリート半導体は、ウェーハの厚さ方向にデバイス構造が形成されている。このため、ディスクリート半導体を製造する際には、目標とする耐圧に適合するように、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くする必要がある。しかしながら、ウェーハを薄くすると、剛性が低下して自重により撓み、ハンドリングが困難になる。そこで、ウェーハのリム部は研削せずに元の厚さのまま残し、ウェーハ全体の剛性を確保する技術が提案されている。
株式会社ディスコ ホームページ http://www.disco.co.jp/jp/solution/library/taiko.html［平成２５年８月２２日検索］
実施形態の目的は、生産性が高い半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することである。
実施形態に係る半導体装置の製造装置は、リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する装置である。前記製造装置は、前記リム部を保持するチャックと、前記第１面に対して第１の流体を吐出するノズルと、前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する吐出口が形成されたプレートと、を備える。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する方法である。前記製造方法は、前記リム部を保持し、前記第１面に対して第１の流体を吐出しつつ、前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する工程を備える。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図である。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図である。
図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造装置１は、例えば、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）及び縦型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）等のディスクリート半導体を製造するために、ウェーハ１００に対してウェット処理を行う装置である。製造装置１は枚葉式の処理装置であり、例えば、ウェットエッチング装置、洗浄装置、又は塗布装置である。
先ず、製造装置１の処理対象であるウェーハ１００について説明する。
ウェーハ１００は例えばシリコンウェーハである。ウェーハ１００は、半導体装置が製造される薄板部１０１が研削により簿化され、ウェーハ１００の周縁部であるリム部１０２が研削されずに元の厚さのまま残留したウェーハである。薄板部１０１は、ウェーハ１００のうちリム部１０２を除く部分であり、その厚さは、例えば１００〜２５０μｍである。リム部１０２の形状は円環状であり、薄板部１０１よりも厚い。ウェーハ１００においては、リム部１０２が補強部分となり、全体の剛性をある程度実現しているため、自重による撓みを抑制できる。ウェーハ１００においては、例えば、薄板部１０１の上面１０１ａが研削されており、下面１０１ｂは研削されていない。また、ウェーハ１００の下面の全面には、ＢＳＧ（Back Side Grinding：裏面研削）テープ１０３が貼付されている。
ウェーハ１００は例えばシリコンウェーハである。ウェーハ１００は、半導体装置が製造される薄板部１０１が研削により簿化され、ウェーハ１００の周縁部であるリム部１０２が研削されずに元の厚さのまま残留したウェーハである。薄板部１０１は、ウェーハ１００のうちリム部１０２を除く部分であり、その厚さは、例えば１００〜２５０μｍである。リム部１０２の形状は円環状であり、薄板部１０１よりも厚い。ウェーハ１００においては、リム部１０２が補強部分となり、全体の剛性をある程度実現しているため、自重による撓みを抑制できる。ウェーハ１００においては、例えば、薄板部１０１の上面１０１ａが研削されており、下面１０１ｂは研削されていない。また、ウェーハ１００の下面の全面には、ＢＳＧ（Back Side Grinding：裏面研削）テープ１０３が貼付されている。
次に、製造装置１について説明する。
製造装置１においては、複数のチャック１１が設けられている。チャック１１は、ウェーハ１００のリム部１０２を上下方向に挟み込むことによりウェーハ１００を保持し、ウェーハ１００を自転させる。チャック１１はリム部１０２のみに接触し、薄板部１０１の上面１０１ａ及び下面１０１ｂには接触しない。このため、薄板部１０１の上面１０１ａ及び下面１０１ｂは、非接触でウェット処理を受けることができる。
製造装置１においては、複数のチャック１１が設けられている。チャック１１は、ウェーハ１００のリム部１０２を上下方向に挟み込むことによりウェーハ１００を保持し、ウェーハ１００を自転させる。チャック１１はリム部１０２のみに接触し、薄板部１０１の上面１０１ａ及び下面１０１ｂには接触しない。このため、薄板部１０１の上面１０１ａ及び下面１０１ｂは、非接触でウェット処理を受けることができる。
また、製造装置１には、薄板部１０１の上面１０１ａに対して液体１０５を吐出するノズル１２が設けられている。液体１０５は、薄板部１０１の上面１０１ａに対してウェット処理を行うための処理用の液体であり、例えば、薄板部１００の上面１０１ａを洗浄するための薬液、例えば、ｄＨＦ、ＮＣ−２、ＳＣ−１、ＳＣ−２、硫酸及び過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合液（ＳＰＭ）等であってもよく、上面１０１ａをエッチングするための薬液、例えば、硝酸（ＨＮＯ３）及びフッ酸（ＨＦ）の混合液、ＦＥＰ等であってもよく、上面１０１ａをリンスのための薬液、例えば、ＤＩＷ（Deionized Water：脱イオン水）等であってもよく、上面１０１ａに対してレジスト膜を形成するためのレジスト材料であってもよい。
更に、製造装置１には、プレート１３が設けられている。プレート１３は、ウェーハ１００の下方であって、薄板部１０１の下面１０１ｂに対向する位置に配置されている。プレート１３には、薄板部１０１の下面１０１ｂに向けて液体１０６を吐出する吐出口１３ａが形成されている。上述の如く、ウェーハ１００の下面にはＢＳＧテープ１０３が貼付されているため、液体１０６はＢＳＧテープ１０３に接触し、ＢＳＧテープ１０３を介して薄板部１０１に上向きの力を加える。本実施形態においては、吐出口１３ａはウェーハ１００の中心に向けて垂直に液体１０６を吐出する位置に１ヶ所のみ形成されている。また、製造装置１には、吐出口１３ａに対して液体１０６を供給する液体供給手段１４が設けられている。液体１０６は、ウェーハ１００が撓まないように支持するための支持用の流体であり、例えば、ＤＩＷである。なお、薄板部１０１に対しては、非接触の処理が求められるため、下面１０１ｂに当接するような支持部材を設けることはできず、薄板部１０１の下方には隙間が存在する。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造装置１の動作、すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図１に示すように、先ず、チャック１１がウェーハ１００のリム部１０２を保持し、ウェーハ１００を自転させる。この状態のまま、ノズル１２から、ウェーハ１００の薄板部１０１の上面１０１ａの中央部に対して液体１０５を吐出する。同時に、液体供給手段１４がプレート１３の吐出口１３ａを介して、薄板部１０１の下面１０１ｂの中央部に対して液体１０６を吐出する。例えば、液体１０６の流量又は圧力は、液体１０５の流量又は圧力よりも高くする。
図１に示すように、先ず、チャック１１がウェーハ１００のリム部１０２を保持し、ウェーハ１００を自転させる。この状態のまま、ノズル１２から、ウェーハ１００の薄板部１０１の上面１０１ａの中央部に対して液体１０５を吐出する。同時に、液体供給手段１４がプレート１３の吐出口１３ａを介して、薄板部１０１の下面１０１ｂの中央部に対して液体１０６を吐出する。例えば、液体１０６の流量又は圧力は、液体１０５の流量又は圧力よりも高くする。
液体１０５は、上面１０１ａの中央部に接触し、ウェーハ１００の自転に伴う遠心力により、リム部１０２に向けて拡がる。これにより、上面１０１ａが液体１０５によってウェット処理される。例えば、上面１０１ａが、液体１０５によって、洗浄、エッチング、リンス等の処理を施される。しかしながら、このとき、液体１０５の水圧、及び、薄板部１０１上に滞留する液体１０５の重量により、薄板部１０１には下方に向かう力が印加される。一方、吐出口１３ａから吐出された液体１０６は、薄板部１０１の下面１０１ｂの中央部に接触し、ＢＳＧテープ１０３を介して下面１０１ｂに対して水圧を印加する。これにより、薄板部１０１に対して、上方に向かう力が印加される。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態によれば、液体１０６の水圧によって薄板部１０１に印加される上向きの力が、液体１０５の水圧及び重量によって薄板部１０１に印加される下向きの力に対抗することにより、薄板部１０１に固体の部材を接触させることなく、薄板部１０１を支持することができる。これにより、薄板部１０１の撓みを抑制して、薄板部１０１を平坦に保つことができる。この結果、液体１０５によって印加される力により、薄板部１０１が大きく撓み、薄板部１０１にクラックや割れが発生することを防止できる。また、薄板部１０１が撓むことにより、薄板部１０１上における液体１０５の分布が不均一になり、液体１０５による処理が不均一になることを抑制できる。この結果、液体１０５によるウェット処理の歩留まりが向上し、半導体装置の生産性が向上する。
本実施形態によれば、液体１０６の水圧によって薄板部１０１に印加される上向きの力が、液体１０５の水圧及び重量によって薄板部１０１に印加される下向きの力に対抗することにより、薄板部１０１に固体の部材を接触させることなく、薄板部１０１を支持することができる。これにより、薄板部１０１の撓みを抑制して、薄板部１０１を平坦に保つことができる。この結果、液体１０５によって印加される力により、薄板部１０１が大きく撓み、薄板部１０１にクラックや割れが発生することを防止できる。また、薄板部１０１が撓むことにより、薄板部１０１上における液体１０５の分布が不均一になり、液体１０５による処理が不均一になることを抑制できる。この結果、液体１０５によるウェット処理の歩留まりが向上し、半導体装置の生産性が向上する。
なお、液体１０５の種類と液体１０６の種類との組み合わせは任意である。例えば、液体１０５として洗浄用の薬液を用いる場合に、液体１０６にも同じ洗浄用の薬液を用いることにより、薄板部１０１の上面１０１ａと同時に下面１０１ｂも洗浄することができる。また、液体１０５及び１０６の粘度及び比重等の物性を揃えることができるため、圧力の制御が容易になる。更に、液体１０５として洗浄用の薬液を用いる場合に、液体１０６として純水を用いれば、ＢＳＧテープ１０３が貼付された下面１０１ｂをリンスすることができると共に、液体１０５の薬液が下面１０１ｂに回り込むことを抑制できる。
次に、比較例について説明する。
図２（ａ）は本比較例に係る半導体装置の製造装置を例示する図であり、（ｂ）はウェーハの薄板部の変形状態を例示する一部拡大図である。
図２（ａ）に示すように、本比較例に係る製造装置９においては、プレート１３及び液体供給手段１４（図１参照）が設けられておらず、薄板部１０１の下面１０１ｂに対して支持用の液体１０６（図１参照）が吐出されない。
図２（ａ）は本比較例に係る半導体装置の製造装置を例示する図であり、（ｂ）はウェーハの薄板部の変形状態を例示する一部拡大図である。
図２（ａ）に示すように、本比較例に係る製造装置９においては、プレート１３及び液体供給手段１４（図１参照）が設けられておらず、薄板部１０１の下面１０１ｂに対して支持用の液体１０６（図１参照）が吐出されない。
このため、ウェーハ１００の薄板部１０１は、液体１０５の水圧及び重量によって、下に凸となるように撓む。ウェーハ１００には厚いリム部１０２が設けられているため、ある程度の剛性が実現されており、ウェーハ１００の自重によって大きく撓むことはない。しかしながら、薄板部１０１はリム部１０２に比べて薄いため、液体１０５によって薄板部１０１の中央部に下向きの力が印加されると、大きく撓んでしまう場合がある。これにより、薄板部１０１にクラックが発生したり、薄板部１０１に割れが発生したりする場合がある。また、図２（ｂ）に示すように、薄板部１０１が下に凸に撓むことにより、薄板部１０１の中央部上に滞留する液体１０５の量が、薄板部１０１の周辺部上に滞留する液体１０５の量よりも多くなり、処理の面内均一性が低下する。例えば、液体１０５がエッチング液である場合は、薄板部１０１の中央部においては相対的にエッチングが進み、周辺部においては相対的にエッチングが遅れる。この結果、半導体装置の歩留まりが低下する。
これに対して、前述の第１の実施形態によれば、薄板部１０１を挟んで、液体１０５の反対側から液体１０６を吐出することにより、液体１０６によって薄板部１０１を支持し、撓みを抑制することができる。
次に、第２の実施形態について説明する。
図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図である。
図３に示すように、本実施形態に係る製造装置２においては、液体供給手段１４（図１参照）の代わりに、気体供給手段２４が設けられている。これにより、ウェーハ１００の薄板部１０１の下面１０１ｂに対して、気体１０７が噴射される。気体１０７は、例えば、窒素ガス（Ｎ２）である。気体１０７は、気体１０７の流れによる吸引効果を避けるために、ベルヌーイの法則が成立しないような条件で噴射する。
図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図である。
図３に示すように、本実施形態に係る製造装置２においては、液体供給手段１４（図１参照）の代わりに、気体供給手段２４が設けられている。これにより、ウェーハ１００の薄板部１０１の下面１０１ｂに対して、気体１０７が噴射される。気体１０７は、例えば、窒素ガス（Ｎ２）である。気体１０７は、気体１０７の流れによる吸引効果を避けるために、ベルヌーイの法則が成立しないような条件で噴射する。
本実施形態においては、前述の第１の実施形態と同様に、気体１０７の圧力によって薄板部１０１を支持し、薄板部１０１の撓みを抑制することができる。また、気体１０７によって液体１０５が下面１０１ｂ側に回り込むことを抑制できる。これにより、例えば、液体１０５としてレジスト材料を使用し、ＢＳＧテープ１０３として有機溶剤に対する耐性がないテープを使用する場合に、レジスト材料がＢＳＧテープ１０３に接触することを防止できる。また、本実施形態においては、ノズル１２から、液体１０５の代わりに、気体を噴射させてもよい。これにより、例えば、ウェット処理後のウェーハ１００を乾燥させることができる。この場合は、薄板部を支持するための流体として液体１０５ではなく気体１０７を用いることにより、ウェーハ１００の両面を同時に乾燥させることができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第３の実施形態について説明する。
図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置におけるプレートを例示する平面図である。
図４に示すように、本実施形態に係る製造装置においては、プレート１３（図１参照）の代わりにプレート３３が設けられている。プレート３３においては、複数の吐出口３３ａ〜３３ｄが形成されている。吐出口３３ａは、プレート３３の中心３４ａに配置されている。また、吐出口３３ｂ〜３３ｄは、中心３４ａを中心とした仮想的な同心円３４ｂ〜３４ｄに沿って、同心円状に配置されている。
図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置におけるプレートを例示する平面図である。
図４に示すように、本実施形態に係る製造装置においては、プレート１３（図１参照）の代わりにプレート３３が設けられている。プレート３３においては、複数の吐出口３３ａ〜３３ｄが形成されている。吐出口３３ａは、プレート３３の中心３４ａに配置されている。また、吐出口３３ｂ〜３３ｄは、中心３４ａを中心とした仮想的な同心円３４ｂ〜３４ｄに沿って、同心円状に配置されている。
本実施形態によれば、複数の吐出口３３ａ〜３３ｄから液体１０６を吐出することにより、液体１０６を、薄板部１０１の下面１０１ｂの中心部だけではなく、下面１０１ｂにおける複数の領域に向けて吐出することができる。そして、例えば、吐出口３３ａ〜３３ｄの直径を相互に異ならせることにより、各吐出口３３ａ〜３３ｄから吐出される液体１０６の流量を相互に異ならせることができる。又は、プレート３３の下面側に適当な調整手段を設けることにより、各吐出口３３ａ〜３３ｄから吐出される液体１０６の圧力を相互に異ならせることができる。このようにして、液体１０６の流量又は圧力を制御することにより、液体１０６が薄板部１０１に印加する力の面内分布を最適化することができ、薄板部１０１の形状を、より精度よく平坦化することができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第４の実施形態について説明する。
図５（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置の動作を例示する図である。
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造装置４においては、前述の第１の実施形態に係る製造装置１（図１参照）の構成に加えて、レーザセンサ４１が設けられている。レーザセンサ４１は、ウェーハ１００の上方であって、レーザ光１０９を、薄板部１０１の中心以外の部分に向けて、上面１０１ａに対して垂直な方向から入射させるような位置に配置されている。なお、図５（ａ）及び（ｂ）においては、ノズル１２、液体１０５、ウェーハの薄板部１０１、及びレーザセンサ４１以外の構成要素は、図示を省略している。
図５（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置の動作を例示する図である。
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造装置４においては、前述の第１の実施形態に係る製造装置１（図１参照）の構成に加えて、レーザセンサ４１が設けられている。レーザセンサ４１は、ウェーハ１００の上方であって、レーザ光１０９を、薄板部１０１の中心以外の部分に向けて、上面１０１ａに対して垂直な方向から入射させるような位置に配置されている。なお、図５（ａ）及び（ｂ）においては、ノズル１２、液体１０５、ウェーハの薄板部１０１、及びレーザセンサ４１以外の構成要素は、図示を省略している。
本実施形態に係る製造装置４においては、レーザセンサ４１が薄板部１０１に対してレーザ光１０９を出射し、薄板部１０１によって反射されたレーザ光１０９の強度を測定する。これにより、レーザセンサ４１は、レーザ光１０９の反射率Ｒを算出する。反射率Ｒは、レーザセンサ４１から出射されるレーザ光１０９の光量をＩｉとし、レーザセンサ４１に入射したレーザ光１０９の光量をＩｒとするとき、Ｒ＝Ｉｒ／Ｉｉによって定義する。
図５（ａ）に示すように、ウェーハの薄板部１０１が撓んでいないときは、レーザセンサ４１から出射されたレーザ光１０９は、薄板部１０１の上面１０１ａに対して、上面１０１ａの法線方向から入射し、上面１０１ａによって垂直に反射されて、その大部分がレーザセンサ４１に入射する。このため、上述の反射率Ｒは、相対的に高くなる。
一方、図５（ｂ）に示すように、薄板部１０１が撓んでいるときは、レーザセンサ４１から出射されたレーザ光１０９は、上面１０１ａに、上面１０１ａの法線１０１ｎに対して傾斜した方向から入射する。そして、レーザ光１０９は、法線１０１ｎに関して入射方向の反対側に傾斜した方向に反射され、液体１０５の水面によって屈折するため、レーザセンサ４１に向かう方向からずれた方向に向かう。従って、レーザ光１０９のうち、レーザセンサ４１に入射する光量は少なく、上述の反射率Ｒは、相対的に低くなる。
従って、反射率Ｒを算出することにより、薄板部１０１の撓み量を評価することができる。そして、この評価結果を液体供給手段１４にフィードバックすることにより、ウェーハの薄板部１０１を平坦に維持することができる。これにより、バッチ毎に薄板部１０１の厚さが異なっていたり、液体１０５の種類及び吐出条件が異なっていて、薄板部１０１の撓み量が異なる場合でも、撓み量をその場測定（ｉｎ−ｓｉｔｕモニタリング）してフィードバックすることにより、薄板部１０１を高い精度で平坦にすることができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第５の実施形態について説明する。
図６（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図であり、（ｂ）は、横軸にウェーハ面内の位置をとり、縦軸に液体１０６の水圧をとって、水圧の面内分布を例示するグラフ図である。
図６（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を例示する図であり、（ｂ）は、横軸にウェーハ面内の位置をとり、縦軸に液体１０６の水圧をとって、水圧の面内分布を例示するグラフ図である。
図６（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造装置５においては、前述の第３の実施形態において説明したプレート３３が設けられている。プレート３３には、複数の吐出口３３ａ〜３３ｄが同心円状に形成されている。また、製造装置５においては、前述の第４の実施形態において説明したレーザセンサ４１が複数個設けられている。更に、製造装置５においては、液体供給手段１４とプレート３３との間に、吐出口３３ａ〜３３ｄに供給する液体１０６の圧力を相互に独立して制御する水圧制御手段５１が設けられている。なお、水圧制御手段５１は、液体１０６の圧力ではなく流量を制御してもよい。更にまた、全てのレーザセンサ４１及び水圧制御手段５１に接続された制御部５２が設けられている。そして、製造装置５においては、ノズル１２の位置がウェーハ１００の半径方向に移動可能である。
本実施形態に係る製造装置５においては、ノズル１２がウェーハ１００の半径方向に移動することにより、液体１０５がウェーハ１００に対して印加する力の分布が変化し、薄板部１０１の撓み状態が変化する。一方、製造装置５においては、複数のレーザセンサ４１が薄板部１０１の各部分について反射率Ｒを求め、これを制御部５２に対して出力する。これにより、制御部５２は、薄板部１０１の撓みの状態を評価し、これに基づいて液体１０６の圧力分布を決定し、水圧制御手段５１に対して制御信号を出力する。水圧制御手段５１は、制御部５２から伝達された制御信号に基づいてプレート３３の各吐出口３３ａ〜３３ｄに対して供給される液体１０６の水圧をそれぞれ制御する。このようにして、液体１０６の圧力分布をリアルタイムに制御することができる。例えば、図６（ｂ）に示すように、ノズル１２の移動に合わせて、液体１０６の水圧分布のピークを移動させることができる。
このように、液体１０６の圧力分布を動的に制御することにより、液体１０６が薄板部１０１に印加する上向きの力を、液体１０５が薄板部１０１に印加する下向きの力と常に全領域で均衡させて、薄板部１０１を高い精度で平坦に保つことができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、前述の各実施形態において、液体１０５は気体に置き換えてもよく、液体１０６を気体に置き換えてもよい。すなわち、薄板部１０１の上面１０１ａに対して吐出される流体と下面１０１ｂに対して吐出される流体の組み合わせは任意である。なお、「流体」には液体及び気体が含まれる。また、前述の各実施形態においては、処理用の液体１０５を薄板部１０１の上面１０１ａに対して吐出し、支持用の液体１０６を薄板部１０１の下面１０１ｂに対して吐出する例を示したが、これには限定されず、例えば、上下の関係が逆であってもよい。更に、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施してもよい。
以上説明した実施形態によれば、生産性が高い半導体装置の製造方法及び製造装置を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
１、２、４、５、９：製造装置、１１：チャック、１２：ノズル、１３：プレート、１３ａ：吐出口、１４：液体供給手段、２４：気体供給手段、３３：プレート、３３ａ〜３３ｄ：吐出口、３４ａ：中心、３４ｂ〜３４ｄ：同心円、４１：レーザセンサ、５１：水圧制御手段、５２：制御部、１００：ウェーハ、１０１：薄板部、１０１ａ：上面、１０１ｂ：下面、１０１ｎ：法線、１０２：リム部、１０３：ＢＳＧテープ、１０５：液体、１０６：液体、１０７：気体、１０９：レーザ光
Claims (14)
- リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する半導体装置の製造装置であって、
前記リム部を保持するチャックと、
前記第１面に対して第１の流体を吐出するノズルと、
前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する吐出口が形成されたプレートと、
を備えた半導体装置の製造装置。 - 前記プレートには前記吐出口が複数形成されている請求項１記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第２の流体の流量又は圧力を前記吐出口毎に制御する請求項２記載の半導体装置の製造装置。
- 前記薄板部に対してレーザ光を出射し、前記薄板部によって反射された前記レーザ光の強度を測定することにより、前記ウェーハの撓みを評価するレーザセンサをさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
- 前記チャックは前記ウェーハを自転させる請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第２の流体が液体である請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第２の流体が気体である請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
- リム部が前記リム部を除く薄板部よりも厚いウェーハについて、前記薄板部の第１面を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記リム部を保持し、前記第１面に対して第１の流体を吐出しつつ、前記薄板部の第２面に対して第２の流体を吐出する工程を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記工程において、前記第２の流体を、前記第２面の複数の領域に対して吐出する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２の流体の流量又は圧力を、前記複数の領域についてそれぞれ制御する請求項９記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄板部に対してレーザ光を出射し、前記薄板部によって反射された前記レーザ光の強度を測定することにより、前記ウェーハの撓みを評価する請求項８〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程において、前記ウェーハを自転させる請求項８〜１１のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２の流体を液体とする請求項８〜１２のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２の流体を気体とする請求項８〜１２のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
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